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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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一种研究ITO薄膜湿法刻蚀动力学的新方法

时间: 2022-03-30
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一种研究ITO薄膜湿法刻蚀动力学的新方法

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本文描述了一种新的和简单的方法,通过监测腐蚀过程中薄膜的电阻来研究湿法腐蚀ITO薄膜的动力学该方法能够研究0.1至150纳米/分钟之间的蚀刻速率通常可以区分三种不同的状态(1)缓慢的初始蚀刻(2)快速整体蚀刻阶段和(3)结束时的缓慢蚀刻阶段。表明方法特别适合于研究蚀刻过程结束时的现象,在这种情况下,孤立的膜块仍然粘附在衬底上。

由于其相当高的导电性和光学透明度,氧化铟锡(ITO)是用于显示器、触摸面板、太阳能电池和其他相关应用的最广泛使用的透明导电氧化物(TCO)之一,ITO薄膜的图案化通常通过光刻来完成,光刻包括在工业过程中主要是湿法蚀刻的蚀刻步骤。

ITO的湿法蚀刻研究中,通常没有明确提到评估蚀刻速率的程序,由于这些研究的焦点是总的蚀刻速率,所以蚀刻速率可能是通过将膜厚度除以总蚀刻时间来评估的,然而,没有提到如何确定总蚀刻时间,评估蚀刻速率的基本假设是蚀刻速率在蚀刻过程中是恒定的。

在蚀刻ITO和其它透明导电材料如SnO2和ZnO的薄膜期间,对蚀刻速率的研究需要监测薄膜的厚度或质量相关量,光学监测方法可以是椭偏测量、直接透射和反射测量或通过光栅结构测量透射和反射,因为对于非常薄的膜(< 50nm),透射和/或反射的直接测量不足以评估厚度,在ITO膜中制备光栅结构需要避免蚀刻不足的蚀刻技术,由于这在部分无定形的ITO膜中不总是可能的,并没有考虑应用这种技术。

此外,测量非常薄的ITO膜的厚度是麻烦的,因为表面粗糙并且在衬底表面上形成孤立的ITO残留物,为了监测蚀刻过程中的蚀刻速率,应用了电阻相关的测量技术,该技术不需要光刻技术来制备样品,并且可能存在上述问题此外,导电性是诸如ITO的透明氧化物膜的最重要的性质之一电阻是一个便于测量的参数,它与通过蚀刻工艺获得的器件的电特性直接相关新方法并不局限于ITO,还可用于研究各种导电膜的腐蚀动力学。

在描述了蚀刻过程中电阻监测方法的基本要素之后,讨论了电阻监测曲线的形状,并表明从这些曲线中可以获得与ITO更相关的蚀刻速率。设计了一种在酸性蚀刻剂如盐酸(HCl)和草酸(H2C2O4)中蚀刻ITO薄膜期间监测电阻的方法这种监测以如下方式进行每分钟从蚀刻溶液中取出样品,并测量溶液外的电阻特意选择了这种方式,因为当膜在蚀刻溶液中时,原位测量电阻会受到导电蚀刻溶液中寄生电流的影响在测量之前,样品在超声浴中在50C的蒸馏水中清洗1分钟,用蒸馏水和酒精冲洗,并在100℃下干燥该程序将最小蚀刻时间限制为1分钟,而从溶液中取出样品并在蒸馏水中洗涤以停止反应所需的时间通常为7秒,这不会显著增加测定蚀刻时间的误差没有使用碱来停止反应,确保在测量过程中没有额外的试剂被吸附在ITO表面上。

我们通过间隔10 毫米的平行触点测量样品的电阻,这产生了平行的2个方块,因此薄层电阻是测量电阻的两倍。为了保证稳定和低接触电阻,制造了一种特殊结构的夹具它是由一根长度可调的绳子拉动的悬臂制成的,可以向一个工具施加高达4公斤的力,该工具将样品压向两根由镀锡铜编织线制成的导体这些线通过PVC隔板在100米内平行(平行度偏差< 1%)ITO膜的薄层电阻足够高,使得也能够使用4点测量在这种情况下,使用Jandel HM21 4点探针头测量电阻,该探针头配备有间隔1毫米的碳化钨针通过在样品上施加和释放压力来模拟实验条件,对同一样品进行一系列20次测量,测试2条测量的可重复性电阻测量的平均偏差优于0.5%该夹具允许在蚀刻过程中快速测量电阻。

在草酸和盐酸中腐蚀了25和175纳米两种不同厚度的ITO薄膜在蚀刻过程中,25纳米ITO膜的电阻从初始值98/增加到无穷大,下图示出了蚀刻过程中电阻的归一化倒数值的变化。图中的纵轴表示R0/R,其中R0是蚀刻前的初始薄层电阻,R是实际薄层电阻,在蚀刻过程中按照上一节所述的方法测量。图显示ITO薄膜的严格脱脂会影响初始蚀刻行为。

 一种研究ITO薄膜湿法刻蚀动力学的新方法

总蚀刻时间tetch是从反应开始到电阻比未蚀刻膜的电阻大至少10倍的点所测量的时间。当测得的样品电阻超过200 M时,停止蚀刻由于这一标准不能确保所有材料都已从玻璃表面去除,因此应特别注意蚀刻过程的最后阶段。

 一种研究ITO薄膜湿法刻蚀动力学的新方法

图中的曲线示出了在总蚀刻时间tetch期间蚀刻过程的3个阶段:由t0(开始时间)表示的缓慢蚀刻的初始蚀刻周期,在tb(整体蚀刻时间)期间R0/R相当快速的降低,以及在结束tr(剩余蚀刻时间)的缓慢蚀刻, 开始时间t0定义为线性行为开始的时间,tr定义为从该线性部分结束直到R0/R小于10-7所经过的时间。可以通过绘制R0/Rt的一阶和二阶时间数值导数来确定状态之间的转换

考虑蚀刻速率de/dt(单位为纳米/分钟),其中e表示溶液中均匀各向同性膜的厚度,该溶液被充分搅拌,并且与ITO分子相比还具有大量过量的蚀刻剂分子如果没有反应物的自催化作用,那么de/dt是常数:换句话说,e随时间线性减小膜的初始厚度由e0表示,在蚀刻液中一段时间后,我们得到et在等式(1a)和(1b)中,导电薄膜的电阻率被认为与厚度无关。这在薄膜中通常是不正确的,因为在小的薄膜厚度下,由于电子自由程大于薄膜厚度的事实,观察到在薄膜表面的电子散射效应增加。这导致与体电阻率的偏差,并且在> ~300nm的薄膜中观察到较大的电阻率观察到的薄膜厚度较小时电阻率的增加通过蒸发沉积的ITO膜的电阻率在100纳米以下增加了2倍因为当蚀刻后薄膜变得越来越薄时,微晶形态和微晶间电连接的不均匀性可能会起更大的作用。

在蚀刻过程结束时,观察到玻璃上孤立的ITO岛只要ITO微晶彼此接触,电阻就具有有限的值在孤立的ITO微晶的情况下,假设电阻将是无穷大在均匀岛的情况下,这种转变预计是急剧的:类似于从渗透到非渗透的转变在大多数情况下,没有观察到从有限电阻到无限电阻(> 10M)的急剧转变因此,一个简单的基于渗流的模型不能解释我们的结果对我们的结果的一个可能的解释是,在孤立的ITO岛之间的玻璃表面上有离子传导。这可能是由于在沉积后的后退火期间Na扩散到ITO膜中而形成NaInxOy化合物造成的。 提出了一种通过监测电阻来研究导电薄膜湿法腐蚀动力学的新方法。该方法已经对25和175nm的ITO薄膜进行了测试这种新方法能洞察蚀刻过程通常可以区分三个不同的阶段:具有非常慢的蚀刻速率的初始阶段、对于膜的大部分的快速蚀刻速率以及在最后的缓慢蚀刻速率。基于记录总蚀刻时间的蚀刻速率通常会低估相关的蚀刻速率建议从R0/R曲线中的时间线性阶段计算蚀刻速率。此外,认为这个方法特别适合于研究蚀刻过程结束时的现象


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