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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳(江苏)CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称华林科纳(江苏)CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳(江苏)半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 华林科纳(江苏)CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳(江苏)半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳(江苏)CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注华林科纳(江苏)半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称华林科纳(江苏)CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化...
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金属和半导体表面的化学剥离光刻

时间: 2022-04-01
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金属和半导体表面的化学剥离光刻

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化学提升光刻(CLL)是一种减法软光刻技术,它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)标记来绘制功能分子的自组装单层,应用范围从生物分子图案到晶体管制造。在此我们表明,CLL可以作为一种更广泛的技术,利用由铸币金属(Pt、Pd、Ag、Cu)、过渡金属和反应金属(Ni、Ti、Al)和半导体(Ge)组成的自组装化学。我们展示了高保真模式在精确特征的所有表面调查。

CLL作为一种技术,在不同的铸币金属(Pt、Pd、Ag、Cu)、过渡金属和活性金属(Ni、Ti、Al)和半导体(Ge)上绘制烷甲基SAMs。使用图案单层作为分子电阻,演示了通过湿蚀刻图案转移到下面的金属基板,在所有的情况下,表明在相应的CLL过程中,衬底原子的支撑层(单层)被移除,此外还可以在PDMS印章表面上形成混合金属单分子层的原子共混物,这些发现表明,CLL是一种通用的技术,可用于使用直接的烷硫醇自组装的多种不同材料表面的经济和高通量模式化。

金属和半导体表面的化学剥离光刻

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CLL过程的原理图如图1所示,首先研究了除之前研究中使用的Au以外的铸造金属(即Pt、Pd、Ag、铜),自组装的烷硫酸单层已在其他铸币金属上形成,因此,预测CLL可以用来描绘这些额外的金属表面。用CLL形成图案后,用扫描电子显微镜(SEM)对金属表面的单分子层进行成像,特征没有显示出模式形成后MUO横向扩散相关的展宽的证据,类似于Au上的CLL情况。根据对铸币金属图案的观察,探索了将CLL扩展到过渡和反应金属表面(即Ni、Ti、Al),在此表面上可以形成烷甲酸单分子层。

为了防止表面氧化物的形成,将基质浸入脱气的乙醇MUO溶液中,过渡金属表面可以直接图案没有额外的表面处理氧化物蚀刻粗糙金属表面,而其他方法图案过渡金属,如SAM位移,限制分子的类型,过渡金属表面特征使用扫描电镜表明,这些在这些表面图案使用CLL。

Ge表面进行了CLL,这是一种可以通过共价Ge-s键与烷硫醇功能化的半导体,68-71,以将CLL的光刻能力扩展到金属之外,在半导体表面上分子的直接模式可以预见地使半导体器件处理的无数应用成为可能。例如,半导体基底的图案区域的局部工作函数可以为带弯曲和对准目的进行调整。

通过扫描电镜观察到的模式SAMs的对比似乎在上图中的不同表面上有所不同,扫描电镜对图形SAM的对比度水平与多种因素有关,包括SAM密度和顺序,以及图像采集过程中电子束的加速电压和工作距离,鉴于金属氧化物形成的速度,预计反应金属表面形成的SAM不像铸币金属上形成的那样有序,前者上的微量金属氧化物会影响SAM的形成。

此外CLL后在去除的SAM分子区域形成的氧化物可能会由于不同的充电效应而改变SEM对比度,原子力显微镜图像的模式在锗表面显示预期的单层MUO,通过扫描电镜观察到的对比主要是表面成分差异的影响和潜在的差异。

为了分析在本文研究的金属和半导体表面的CLL期间衬底分子是否被去除,类似于之前研究的Au底物,在CLL后对PDMS邮票进行了x射线光电子能谱(XPS),在所有情况下,都观察到金属或半导体衬底原子对应的特征峰(下图),这表明CLL从所有表面类型的衬底原子层中去除,在某些情况下,似乎层大于单层被删除。

金属和半导体表面的化学剥离光刻

之前假设,去除金原子在CLL部分原因是形成共价PDMS邮票和山分子之间的联系,以及金烷硫酸复合物的形成,削弱最外层的金底物原子和底层的金底物原子。对于本报告中测试的所有元素基质,金属-硫键比金属金属键强,这些系统的能量学表明,除了在一些单层系统中观察到的外加原子形成外,键焓的差异在衬底的最外层原子的去除中发挥了作用,总之,CLL可以作为一种简单的自上而下的方法,在柔性和透明聚合物载体上制造和形成支撑金属和半导体单层材料(例如,锗烷)。

软光刻技术的一个优点是能够执行多个图案化步骤,以直接创建复杂的多组分图案。为了证明CLL在CLL同一个PDMS载体上的图案,研究了PDMS邮票上双金属金属层的形成,先前的报告表明,PDMS在一个CLL步骤后仍然被激活(在不同表面使用相同的连续CLL步骤),并且完整的单层金原子没有被移到PDMS上,利用这种分数去除,使用相同的活化PDMS标记,在两个不同的金属表面(Au和Ag)上进行了连续的两个CLL步骤,经过连续CLL过程后,PDMS邮票的x射线光电子能谱显示出Au和Ag对应的峰,表明在PDMS上支撑的混合金属单层的形成,原子混合双金属单分子层代表了一类新的材料,具有尚未探索的性能和潜在的应用(如催化)可以直接使用CLL制备。

在本研究中,相同类型的烷基硫酸盐分子(MUO)的SAMs,化学剥离光刻并不局限于本文所研究的表面或SAM分子;据推测,任何可以被分子单分子层功能化的表面都可以用CLL形成图案,用烷基主链中含有额外功能的分子(如氢键相互作用)或功能化的笼状分子(如碳硼甲烷酸酯)进行CLL反应,由于微量金属氧化物的形成,在活性金属表面形成的单层可能不有序,但它们可以通过CLL形成,将SAM分子的头基团功能改变为与表面氧化物(如膦酸)有利结合的东西,可以使金属氧化物表面直接形成图案,然而,具有这些类型的SAM的CLL,其中头基团不直接与金属结合,可以假设在此过程中不去除表面的金属原子,而是破坏构成SAM的分子中最弱的键。

之前研究了用CLL制备的PDMS上负载金单层的纳米级结构和功能,发现这些金单层超薄且光学透明,但它们保留了Au的化学功能。因此,由其它金属和半导体表面制备的超薄单层可以具有与大块材料(例如,磁性、Ni、98半导体、Ge)不同的化学和物理性质,此外,功能性金属单层可用作附加结构生长的载体,使各种材料使用CLL创建双金属和多金属层和单层的能力为具有设计性能的支撑金属单层的生成和定制增加了额外的控制水平。

总的来说,演示了CLL作为一种模式技术,可以用于在各种金属和半导体表面上模式SAMs,在这里,SAMs的高保真模式是在硬币、过渡、活性金属和半导体表面上产生的,图案基底被用作化学湿蚀刻以产生三维特征,对于所有测试的表面,XPS显示了在CLL过程中相应的衬底原子的去除。此外,反应性和可重复使用的PDMS邮票,通过在不同的基质上执行两个连续的CLL步骤,可以形成支持在PDMS上的双金属单分子层。因此,我们将CLL直接扩展到各种表面的图案,并应用于新材料和系统的制造和研究。


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