本文主要讲述金刚石切割多晶硅（mc-Si）晶片的化学蚀刻响应，使用技术是白光干涉测量（WLI）和 Laue x射线晶体学扫描仪表征相结合的技术。
利用该技术，通过检测蚀刻前后mc-硅表面的形貌，本文评估了不同的纹理添加剂（异丙醇、次氯酸钠）的影响。以（100）、（110）和（111）取向的单晶硅晶片的蚀刻响应作为参考，并与所研究的多晶晶片进行了比较。结果表明，对于mc-Si晶片，不同晶粒面的蚀刻速度随着其与主平面（100、110、111）的晶体学相似性而增加。异丙醇（IPA）和次氯酸钠添加剂与氢氧化钾溶液的比较表明，次氯酸钠添加剂有利于mc-Si晶片的抛光，而IPA只能用于接近（111）取向的晶粒的抛光。
研究过程如下：硅晶片用激光切割成4x4厘米的碎片。作为第一步，将晶片放在RCA 1溶液中清洗，随后用乙醇（99.8 %）浸泡和干燥。此外，在表面损伤去除溶液HNA（根据配方1，表1中的氢氟、硝酸、乙酸）中蚀刻晶片。在HNA损伤去除过程之后，晶片在基于氢氧化钾的溶液中进行抛光。在损伤去除过程结束后，用WLI和Laue工具扫描多晶晶片，如第2.3节所述。随后，用三种不同的氢氧化钾溶液中的一种对晶圆进行化学纹理（表1）。最后，再次使用WLI扫描纹理晶片。实验流程图如图1所示。
图 1 实验流程图
第一个抛光过程包括在HNA [24]溶液中进行处理（表1），这是指氮（硝酸）、乙酸（醋酸）和氢氟酸（HF）的混合。HNA抛光的目的是平滑和消除由线运动产生的表面轮廓的波纹。接下来，在低浓度氢氧化钾与次氯酸鈉混合的溶液中进行二次抛光操作（浓度见表1）。
表一
在化学抛光（HNA抛光和氢氧化钾抛光）后，mc晶片在RCA 1溶液中清洗，并通过Laue工具对单个晶体取向进行表征，并通过WLI（白光干涉法）进行初始相对晶体高度差，如之前的工作所述。随后对特征晶片进行化学纹理。对每个实验条件下的三片平行晶片进行了处理和分析。
实验结果表明，虽然单晶硅样品的蚀刻在整个样品表面通常是均匀的，但多晶硅样品的蚀刻似乎由主要方向决定，特别是当大多数晶体接近（100）、（110）、（111）方向时。其中一个可能的原因可能是“群体影响”，因为氢氧化钾溶液具有各向异性的蚀刻行为。因此，溶液的蚀刻速率受到最快的蚀刻方向的影响，为邻近颗粒的蚀刻创造了额外的方向。此外，使用氢氧化钾或氢氧化钠和次氯酸鈉添加剂对mc-Si进行湿式化学蚀刻时，必须采用严格的温度控制，以避免添加剂分解和随后的刻蚀效果损失。