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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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华林科纳为您解读——太阳能电池片生产中的清洗工艺

时间: 2016-09-20
点击次数: 262

 一、太阳能电池片工艺流程:

  制绒(INTEX)---扩散(DIFF)---后清洗(刻边/去PSG)---镀减反射膜(PECVD)---丝网、烧结(PRINTER)---测试、分选(TESTER+SORTER)---包装(PACKING)

  二、我是做清洗的,今天主要跟大家分享一下清洗的工艺

电池片制造过程中,有哪些步骤用到清洗呢?

1,硅棒硅芯的清洗 ,需要用到硅棒硅芯清洗机

全自动硅芯硅棒清洗机.JPG

 图为华林科纳硅棒清洗机

2,制绒刻蚀--碱洗--酸洗     需要用到制绒腐蚀清洗机

太阳能硅片制绒腐蚀清洗机.jpg

图为华林科纳制绒腐蚀设备

3,长时间扩散后需要对石英管进行清洗   需要石英管清洗机

石英管清洗机_副本.jpg

图为华林科纳石英管清洗机

下面讲一讲具体的步骤

  (一)前清洗

  1.RENA前清洗工序的目的:

  (1) 去除硅片表面的机械损伤层(来自硅棒切割的物理损伤)

  (2) 清除表面油污(利用HF)和金属杂质(利用HCl)

  (3)形成起伏不平的绒面,利用陷光原理,增加对太阳光的吸收,在某种程度上增加了PN结面积,提高短路电流(Isc),最终提高电池光电转换效率。

  2、前清洗工艺步骤: 制绒→碱洗 →酸洗→吹干

  Etch bath:刻蚀槽,用于制绒。 所用溶液为HF+HNO3 ,作用:

  (1).去除硅片表面的机械损伤层;

  (2).形成无规则绒面。

Alkaline Rinse:碱洗槽 。 所用溶液为KOH,作用:

  (1). 对形成的多孔硅表面进行清洗;

  (2).中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。

  Acidic Rinse:酸洗槽 。 所用溶液为HCl+HF,作用:

  (1).中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱液;

  (2).HF可去除硅片表面氧化层(SiO2),形成疏水表面,便于吹干;

  (3).HCl中的Cl-有携带金属离子的能力,可以用于去除硅片表面金属离子。

  3. 酸制绒工艺涉及的反应方程式:

  HNO3+Si=SiO2+NOx↑+H2O

  SiO2+ 4HF=SiF4+2H2O

  SiF4+2HF=H2[SiF6]

  Si+2KOH+H2O →K2SiO3 +2H2

  4. 前清洗工序工艺要求

  (1) 片子表面5S控制

  不容许用手摸片子的表片,要勤换手套,避免扩散后出现脏片。

  (2)称重

  a.每批片子的腐蚀深度都要检测,不允许编造数据,搞混批次等。

  b.要求每批测量4片。

  c.放测量片时,把握均衡原则。如第一批放在1.3.5.7道,下一批则放在2.4.6.8道,便于检测设备稳定性以及溶液的均匀性。

  (3)刻蚀槽液面的注意事项:

  正常情况下液面均处于绿色,如果一旦在流片过程中颜色改变,立即通知工艺人员。

  (4)产线上没有充足的片源时,工艺要求:

  a.停机1小时以上,要将刻蚀槽的药液排到tank,减少药液的挥发。

  b.停机15分钟以上要用水枪冲洗碱槽喷淋及风刀,以防酸碱形成的结晶盐堵塞喷淋口及风刀。

  c.停机1h以上,要跑假片,至少一批(400片)且要在生产前半小时用水枪冲洗风刀处的滚轮,杜绝制绒后的片子有滚轮印。

  (5)前清洗到扩散的产品时间:

  最长不能超过4小时,时间过长硅片会污染氧化,到扩散污染炉管,从 而影响后面的电性能及效率

5. 前清洗工序常见工艺问题

  常见故障原因及解决方法

  前艺刻蚀深度不稳定a观察来片是否有异常,或者来片一批中是否是不同晶棒组成,因为不同的片子会对应不同的刻蚀速率。

  b查看溶液颜色,正常的颜色应该是灰色偏绿。如果觉得颜色过浅,流假片,一般以400片为一个循环。然后测试4片硅片刻蚀深度。

  硅片表面有大面积黄斑观察碱槽溶液是否在循环,若没有循环,手动打开循环.若有循环则说明碱浓度不够,需要补加碱.硅片表面有小白条观察气刀是否被堵,通过查看硅片通过气刀下方时表面液体有无被吹干判断。

  滚轮速度较低或较高a一般我们要求滚轮在1.0~1.2的速度下流片,因为过低的速度会影响产量,过高的速度风刀很难将硅片吹干。所以如果滚轮速度小于1.0,需要手动加液,一般按2升HF,5升HNO3进行补液。同时可以将温度提高,以1度为一个单位升高(可在5~8度之间进行调整)。但是对于温度的设定,我们一般选择较低的温度,因为较低的温度下可以得到很稳定的化学反应,所以温度一般不建议调高,b如果滚轮速度过高,在温度降低仍不能满足要求的情况下,可以加水,但是仅能以2升为一个单位加入。前清洗工艺碱槽或酸槽不循环观察设备下面的循环平衡有没有冒泡泡

  原因分析:

a: 可能风刀堵塞,使溶液跑到水槽2中;

  b: 可能喷淋堵塞;

  c: 可能滤芯堵塞;

  解决方法:

a:先期在初始界面处可以发现各自对应的模板,在“ready”

  “not ready”之间闪动,此时需要工艺立即补液(HCL:HF:DI=3:2:14;KOH:DI=1:10)

  b:通知设备通风刀(冒泡泡)或清洗更换滤芯

  (补加了药水后还没循环,浮标沉到底部不起来)

  碱槽或酸槽流量变小 工艺需要检查槽中溶液是否满,如果不满则添药液;如果是满的,则通知设备检查滤芯是否需要更换或清洗。

  流量突变,不能达到工艺设定流量 前清洗流量会突然变为0,此时设备会报警,工艺立即到现场通知生产停止投料,通知设备人员调试设备,然后处理设备中的硅片,挑出外观未受影响的硅片继续下传,外观受影响的隔离处理水纹片 用手可以抹去的,检查出料处滚轮的干净程度,一般是出料处风刀中间段滚轮出现污染,需要设备擦拭,如果不严重,流假片也可以将脏东西带走。


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