欢迎访问南通华林科纳半导体设备技术有限公司官网
手机网站

湿制程设备制造商


--- 全国服务热线 --- 400-8768-096
 
 
 
新闻信息中心 新闻中心
400-8768-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2"-12";可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
新闻中心 新闻信息中心

光刻版清洗设备工艺

时间: 2017-01-11
点击次数: 333

 

光刻版清洗设备工艺

 

 

光刻技术是大规模集成电路制造技术和微光学、微机械技术的先导和基础,他决定了集成电路(IC)的集成度[1]。光刻版在使用过程中不可避免地会粘上灰尘、光刻胶等污染物,这些污染物的存在直接影响到光刻的效果。近些年,国家将 LED照明列入为重点发展产业,LED 行业迅猛发展。

LED 制造过程中,具有光刻版的使用量多,使用频繁的特点。大多生产厂家为了节省成本,主要采用接触式曝光。接触式曝光虽然可以利用成本低

廉的设备达到较高的曝光精度,但是由于甩胶式涂胶方法会造成晶圆边缘胶层过厚,在接触式曝光过程中光刻版极易接触到晶圆边缘的光刻胶,

导致光刻胶粘附到光刻版表面(图 1)。对于 IC 行业,因为线条更细,精度要求更高,所以光刻版的洁净程度更加重要。对于硅片清洗而言,其颗粒移除率(PRE)不需要达到 100%,但对于光刻版而言却并非如此,其原因是对于产品良率而言,光刻版表面颗粒的影响更大,单晶圆缺陷只影响一个缺陷,而一个光刻版却影响到每一个芯片[2,3]。

由于零成像缺陷是可以实现的,工厂内生产的光刻版需要经常清洗。为了保证光刻版洁净,必须定期对光刻版进行清洗,而清洗的效果与清洗工艺以及各清洗工艺在设备上的合理配置有着密切的联系。

101.png

1 光刻版清洗工艺

1.1 光刻胶及其他有机污染物的去除对于光刻胶及其他有机污染物,比较常见的方法是通过有机溶剂将其溶解的方法将其去除,例如利用丙酮浸泡光刻版,在浸泡的同时可以超声提高浸泡效果。对于比较干净的光刻版,浸泡基本就能将有机污染物去除干净。对于光刻胶较多的光刻版,浸泡只能将光刻胶泡软,还需要用无尘布或无尘棉蘸丙酮轻轻擦洗,或在光刻版清洗设备中采用毛刷刷洗,通过外力将顽固的光刻胶去除掉。毛刷刷洗基本原理如图 2 所示,光刻版匀速旋转,喷嘴向光刻版表面喷洒丙酮等化学液,使得光刻胶由于溶解而变得松软,然后毛刷接触到光刻板表面,光刻板旋转时与毛刷产生相对运动,辅以喷嘴喷出的化学液,对光刻版表面起到刷洗作用。刷洗完成后,通常采用高压 DI 水冲洗光刻版,通过高压微细水滴的冲击力去除仍然吸附在光刻版表面的剩余光刻胶。

第二种办法对于所有的有机材料都是有效的,它采用浓硫酸和 30%过氧化氢的混合物 (在>100 ℃时,混合比通常为 2:1~4:1),之后是去离子水(DI)冲洗,称为 Piranha 刻蚀。这种方法对于特别难去除的光刻胶或由于接触过高温等环境导致已经变性的光刻胶非常有效,并且可以得到很

高的去胶效率。随后的清洁即去除图案化、检查和修复任何残留在光刻版表面的光刻胶或颗粒污染物。在最有效的工艺中,强氧化剂清洗之后是氢氧化铵喷雾,以抵消残留酸(从而形成硫酸铵,一种易去除的盐);然后用去离子水冲洗以消除硫酸铵。

102.png

1.2 无机颗粒污染物的去除

对于较大颗粒的去除,前面所述的有机溶剂去胶方式和氧化剂氧化方式都会紧接着用 DI 水冲洗或辅助高压水冲洗,大颗粒已经去除干净。

对于较小颗粒(0.2~0.5 μm),由于光刻版表面静流层(Viscous boundary layer)的存在,普通的DI 水冲洗的方式无法将其去除。通常采用在 DI水中加兆声的方式,利用兆声产生高速水分子流动,清洗微小颗粒。图 3 表示的是一种在单片旋转清洗设备上常用的兆声喷头清洗方式。

103.png

1.3 干燥

在手工清洗工艺中,一般采用氮气喷枪将光刻版吹干,这种方式受人为因素影响大,人手接触光刻版时可能将其再次污染,氮气喷枪使用不当导致液体飞溅,易在光刻版表面残留水渍。

目前比较成熟的干燥方式是在单片旋转清洗设备上采用高速旋转产生的离心力将光刻版甩干,在这个过程中可以采用氮气喷头提高干燥速度。若仍需要提高效率,氮气也可以采用加热的方式或氮气喷头在光刻版表面做扫描运动(见图 4)。

104.png

2 光刻版清洗典型设备结构

光刻版清洗设备整体结构根据其自动化水平可以分为半自动光刻版清洗机和全自动光刻版清洗机。图 5、图 6 是两种设备的台面布局图,图 7是单片旋转清洗腔功能示意图。

105.png

对于半自动光刻版清洗机,通常配置一个浸泡工位和一个单片旋转清洗工位。光刻版先在浸泡工位内浸泡,然后拿到单片旋转清洗腔内清洗、甩干。这种设备操作简单,设备价格低,适用于光刻版不经常清洗的半导体厂家。

对于全自动光刻版清洗机,通常配置上下料工位、传输机械手、1~2 个单片旋转清洗腔、光刻版自动翻转工位等。只需要将装有光刻版的片架放到上下料工位,启动程序,设备会自动完成光刻版的传输、双面清洗、干燥等。这种设备智能化程度高,一次可以清洗 10~20 块光刻版,且工艺效果

和工艺一致性好。全自动光刻版清洗机适用于光刻版清洗量大,曝光工艺主要还采用接触接近式曝光的半导体厂家,例如 LED 生产厂家。

106.png

107.png

如图 7 所示,单片旋转清洗腔主要工作原理

是在光刻版旋转的同时采用摆臂喷头向其表面依次喷洒各种化学液或 DI 水。这种方式使得反应了的药液马上流走,能够保证喷到光刻表面的都是新鲜的化学液,从而防止交叉污染,保证了清洗的效果。单片旋转清洗腔采用集成度很高的模块化设计,在其中包含了外腔、防溅腔、旋转卡盘、自动门、罩子、各种工艺等。工艺可以根据需要选择化学液(例如 ACETONE、IPA)、毛刷 刷 洗、常 压 DI水、兆声 DI 水、高压 DI 水(或高压热 DI 水)、氮气(或热氮气)等,工艺组合灵活,适用性强。

3 光刻版清洗效果

在前面所述的全自动光刻版清洗机上,对某LED 厂家的光刻版进行了清洗,清洗前后在 200倍的显微镜下效果如图 8 所示。能够很明显看到,光刻胶被有效去除。

108.png

4 结 论

本文指出了光刻版清洗的重要性,阐述了两种常用的光刻版清洗工艺,列举了较成熟的半自动光刻版清洗机和全自动光刻版清洗机的主要结构及组成及其适用对象,最终通过在全自动光刻版清洗机上进行了试验,得到了非常理想的工艺效果。(来源于:期刊:电子工业专用设备)


多的半导体材料工艺设备相关资讯可以关注华林科纳CSE网站:

www.hlkncse.com,现在热线咨询400-8768-096,可立即获得免费的半导体清洗解决方案。

 

 

 

 

 

 

 

Copyright ©2005 - 2013 南通华林科纳半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
南通华林科纳半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8768-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开