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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2"-12";可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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华林科纳解析蓝宝石晶片表面净化技术

时间: 2017-01-19
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蓝宝石晶片表面净化技术研究

  随着光电子领域对氮化镓 (GaN)基发光二极管(LED)的发光性能要求不断提高 , 从而对金属有机化学气相沉积法 (MOCVD)生长 G aN 的蓝宝石 (α-A l2O3 )衬底晶片的表面质量要求越来越严, 这主要是因为蓝宝石衬底晶片抛光表面的杂质沾污会严重影响 LED的质量和成品率 ,对于开盒即用 (是经清洗封装后的晶片, 从片盒里取出后即可以投入到MOCVD生长炉中直接使用而不需要额外的清洗)2英寸蓝宝石衬底晶片,影响 G aN 生长的临界颗粒尺寸为 0. 3μm,抛光片表面大于 0. 2 μm 的颗粒数应小于 20/片。在目前的 LED生产中, 仍有 50%以上的废品是由于表面污染引起的, 由于在衬底晶片生产中 , 几乎每道工序都有清洗问题, 所以蓝宝石晶片清洗的好坏对 LED 的发光性能有严重的影响 , 处理不当, 可能使全部蓝宝石晶片报废, 做不出 LED 管子来, 或者制造出来的 LED性能低劣、稳定性和可靠性很差。因此弄清楚蓝宝石晶片清洗的方法和原理 ,不管是对从事蓝宝石晶片加工还是 LED 生产的人来说都具有十分重要的工程意义。

  以下主要针对蓝宝石晶片的净化原理 、净化工艺、净化效果等方面技术问题进行了研究 , 提出了能够满足 G aN 生长要求的蓝宝石晶片的净化工艺和清洗液的配方 。

1 蓝宝石晶片表面净化原理

为了能够有效地获得一个洁净的蓝宝石晶片表面和较高的清洗效率, 首先要对蓝宝石晶片净化的机理进行分析,下面分别对蓝宝石晶片的表面状态 、表面洁净度、吸附理论、表面沾污杂质的来源与分类等相关方面进行阐述 ,然后给出蓝宝石晶片清洗总的流程。

1. 1 蓝宝石晶片的表面状态与洁净度

  理想的蓝宝石晶片表面应该是铝原子和氧原子有规则排列所形成的表面 ,表面内部的铝原子和氧原子以分子键结合,而表面以外无其它原子,所以外方向的键是不饱和的,存在着可以俘获电子的表面态。该理想表面实际上是不存在的, 这是由于蓝宝石晶片的真实表面暴露在环境气氛中会发生氧化及吸附, 其表面往往有一层很薄的自然氧化层 ,厚度为几个埃 、甚至几十个埃 。

  实际蓝宝石晶片表面是内表面和外表面的总和,内表面是 A l2O3 与自然氧化层的界面, 它既存在着受主能级又存在着施主能级 。外表面是自然氧化层与环境气氛的界面,它也存在一些表面能级,并吸附一些污染杂质原子 。清洗的目的是使蓝宝石晶片表面洁净,但是什么样的表面才是洁净的表面 , 至今没有严格的定义。

  如果仅从制造工艺来说, 可以简单认为污染物质对最终产品的性能影响在可以忽略的范围以下,此时的表面就称为洁净表面。如果污染杂质种类和数量越少 , 那么表面洁净度越高。在制造工艺中总存在一个污染容限, 当污染在该容限之下,污染对 G aN 生长质量和 LED的发光性能 、成品率、可靠性的影响急剧下降。当污染超过该容限时, 影响显著上升。只要污染在容限之下,尽管蓝宝石晶片表面并非绝对洁净, 仍认为蓝宝石晶片表面是相对洁净的 。如污染在容限之上, 则认为蓝宝石晶片

是非洁净的

1. 2 吸附理论

  蓝宝石晶片经过切削 、研磨和抛光等加工后,晶片表面已是 α-A l2O3 晶体的一个截面 ,由结晶学可知, 这个表面所有的晶格都处于破坏状态 , 即有一层或多层的化学键被打开 ,呈现一层到几层的悬挂键,又称为不饱和键 。由物化性质可知 ,非饱和化学键化学活性高,处于不稳定状态 ,极易与周围的分子或原子结合起来,这就是所谓的 “吸附 ”。被吸附的杂质粒子 (如颗粒、有机杂质、无机杂质 、金属离子等 )并不是固定不动的 ,而是在其平衡位置附近不停地振动着 ,其中一些被吸附的杂质粒子由于获得一定的动能而脱离蓝宝石晶片表面 ,重新回到周围介质 (如空气 )中去 , 这种现象称为“解吸” 。与此同时,在介质中的另一些粒子又会在蓝宝石晶片表面上重新被吸附 。在一般情况下, 蓝宝石晶片表面层所附的杂质粒子处于动态平衡状。图 1为蓝宝石晶片表面吸附示意图 。

图片1.png 

  对于蓝宝石晶片表面来说 ,吸附是一个放热过程,而解吸是一个吸热过程。提高温度有利于蓝宝石晶片图 1 蓝宝石晶片表面吸附示意图表面杂质粒子的解吸 。从而以不同方式为解吸提供能量 ,也就形成了不同种类的净化 。

  杂质的吸附可分为物理吸附和化学吸附。物理吸附 ,其吸附力来自于晶体和被吸附物质间的范德瓦斯引力;化学吸附则是靠化学键力来结合 。化学吸附的吸附力比物理吸附要大得多, 且化学吸附具有小得多的平衡间距 ,所以要使化学吸附的杂质解吸就需要更大的能量。由于吸附的不可避免性 , 造成了洁净表面概念的相对性。

1. 3 蓝宝石晶片表面沾污杂质的来源和分类

  为了解决蓝宝石晶片表面的沾污问题 ,获得洁净的蓝宝石晶片表面, 需要弄清楚蓝宝石晶片表面引入了哪些杂质 ,然后选择适当的蓝宝石晶片净化工艺达到去除的目的。在蓝宝石晶片加工过程中 ,所有与蓝宝石晶片接触的外部媒介都是蓝宝石晶片沾污杂质的可能来源。这主要包括以下几方面 :蓝宝石晶片加工成型过程中的环境污染、研磨剂和抛光剂带来的污染、人体造成的污染等。尽管蓝宝石晶片沾污杂质的来源不同,但它们可划分为表 1所示的四类。

图片2.png 

1. 4 蓝宝石晶片的净化流程

  根据上述分析, 吸附在蓝宝石晶片表面上的杂质可分为分子型、离子型和原子型三种情况。其中分子型杂质与蓝宝石晶片表面之间的吸附力较弱, 清除这类杂质粒子比较容易。它们多属于油脂类杂质, 但它们对其它沾污杂质具有掩蔽作用。因此在对蓝宝石晶片进行清洗时,首先应该把它们清除干净。离子型和原子型吸附的杂质属于化学吸附杂质 , 其吸附力都较强 。在一般情况下,原子型吸附杂质的量较小 ,因此在清洗时 ,可在清除分子型杂质后 ,先清除掉离子型吸附杂质,然后再清除原子型杂质。最后用高纯度去离子水将蓝宝石晶片冲冼干净, 再加温烘干或甩干就可得到洁净表面的蓝宝石晶片 。

  综上所述,净化蓝宝石晶片的工艺流程为 :去分子→去离子→去原子 →去离子水冲洗。另外 ,为去除蓝宝石晶片表面的氧化层, 常要增加一个硫酸 +硝酸浸泡步骤 。

2 蓝宝石晶片表面净化工艺分析

  蓝宝石晶片的净化包括清洗方式、清洗剂的配方、清洗设备、清洗环境和清洗工艺。清洗方式主要分为湿式清洗和干式清洗, 目前湿式清洗在蓝宝石晶片表面净化中仍处于主导地位。下面主要就蓝宝石晶片的湿式清洗的清洗剂性质、清洗设备、清洗环境分别阐述。

2. 1 清洗剂的性质

  清洗剂的去污能力 ,对湿式清洗的清洗效果有决定性的影响 ,根据蓝宝石晶片清洗目的和要求 ,选择适当的清洗剂是湿式清洗的首要步骤。蓝宝石晶片清洗中常用的化学试剂和洗液主要有无机酸、氧化剂、络合剂 、双氧水溶剂、有机溶剂 、合成洗涤剂、电子清洗剂等

七大类,它们在清洗中的主要作用如表 2所示 。

图片3.png 

2. 2 清洗设备

2. 2. 1 超声波清洗机

  超声波清洗机是微电子工业中广泛应用的一种清洗设备 ,超声波的清洗原理是:在强烈的超声波作用下(常用的超声波频率为 20 40 kH z), 清洗剂内部会产生疏部和密部,疏部产生近乎真空的空穴 ,当空穴消失的瞬间 ,其附近便产生强大的局部压力,使分子内的化学键断裂,从而使蓝宝石晶片表面的杂质解吸。当超声波的频率和空穴的振动频率共振时 , 机械作用力达到最大 ,泡内积聚的大量热能 , 使温度升高 ,促进化学反应的发生 。提高超声波功率 ,有利于促进清洗效果。由于超声波清洗机对于小于 1 μm的微小颗粒的去除效果并不太理想 ,所以超声波清洗机多用于清除蓝宝石晶片表面附着的大块污染颗粒。

2. 2. 2 兆声波清洗机

  兆声波清洗机不但保存了超声波清洗机的优点,而且克服了超声波清洗机的不足。兆声波清洗的机理是 :通过高频振动效应 ,对蓝宝石晶片进行清洗 。在清洗时, 由换能器发出波长为 1. 5 μm 频率为 0. 8 MHz的高能声波 。溶液分子在这种声波的推动下作高速运动 ,最大瞬时速度可达到 300 mm /s。因此形成不了超声波清洗那样的空穴 ,只能形成高速的流体波连续冲击晶片表面 ,使蓝宝石晶片表面附着的沾污和细小微粒被强制除去并进入到清洗液中。兆声波清洗抛光片可去掉晶片表面上小于 0. 2 μm 的粒子 , 起到超声波起不到的作用。目前兆声波清洗机已成为蓝宝石晶片清洗的一种有效设备 。

2. 3 清洗环境

  整个蓝宝石的加工环境对最终蓝宝石晶片的表面质量有很大的影响,对开盒即用的蓝宝石晶片 ,通常抛光 、清洗需要在 100级以下的净化室中进行 ,最后的净化和封装需要在 10级的净化台中进行 。同时操作人员需要着防尘服 ,人员进入净化室要经过风淋处理 。

2. 4 清洗工艺

  针对开盒即用蓝宝石晶片的表面质量要求, 根据上述的净化原理 ,对切割、磨削 、研磨 、抛光等不同工序的晶片清洗工艺进行了优化, 由于抛光后的清洗是最复杂的清洗 ,也是要求最高的最后一道净化工序,清洗后就封装,交用户进行 G aN 外延生长。所以这里详细分析抛光后蓝宝石晶片的清洗方法 , 抛光后的蓝宝石晶片的具体清洗工艺和清洗剂的配方如下 :

(a)抛光后的蓝宝石晶片在 50 ℃ ~ 60 ℃的三氯乙烷中 ,用兆声波清洗 15分钟;

(b)20 ℃ ~ 25 ℃的丙酮中,清洗 2分钟 ;

(c)用去离子水流洗 2分钟;

(d)80 ℃ ~ 90 ℃的 2号液(该清洗剂各组份的体积比是 1420),兆声波清洗 10分钟;

(e)用去离子水流洗 2分钟;

(f)擦蓝宝石晶片 (可用擦片机);

(g)90 ℃ ~ 95 ℃的 1号液(该清洗剂各组份的体积比是 1530),兆声波清洗 10分钟;

(h)用去离子水流洗 5分钟 ;

(i)100 ℃的硫酸和硝酸的混合溶液中 (两酸的体积比是 1:1),浸泡 10分钟 ;

(j)用去离子水流洗 5分钟;

(k)甩干蓝宝石晶片。

2. 5 清洗效果

  根据上面优化后的清洗工艺和清洗剂的配方, 对抛光后的 2英寸蓝宝石晶片净化效果分析如下 。具体的净化试验条件是:晶片为 Υ50. 8 mm ×0. 3 mm 蓝宝石晶片 ;去离子水的电阻率为 18 MΨ cm;兆声清洗机为 HPQ - 200 ;蓝宝石抛光机为日本产 LM P - 36;颗粒检测设备为激光检测器 LS - 5000;蓝宝石晶片表面微观形貌由美国 D I(D igital Instruments)公司生产的 Nanoscope IIIA 型原子力显微镜 (A tom ic ForceM icroscope简称 AFM )检测 。对一组 25片 Υ50. 8 mm的蓝宝石晶片清洗,然后进行检测,蓝宝石晶片表面的最大颗粒长度方向尺寸为 0. 13 μm, 颗粒总数最多为 8个 片/ , 最少为 2 /片 。清洗后蓝宝石抛光面的 AFM 检测结果如图 2所示 ,2(a)是放大十万倍后的蓝宝石晶片表面三维形貌 ,可以看出, 其表面是非常洁净的蓝宝石晶片本征面 ;2(b)反映其表面粗糙度 Ra0. 275 nm

图片4.png 

3 结论及进一步研究方向

  这里提出的蓝宝石晶片净化工艺和清洗剂的配方 ,对蓝宝石晶片进行清洗 ,能够使表面微粒长度尺寸小于 0. 13 μm, 颗粒总数小于 8 /, 已经满足了G aN外延生长的表面质量要求 。

  随着 MOCVD生长 G aN 工艺对蓝宝石晶片质量要求的提高,晶片清洗技术面临新的挑战,其主要趋势包括 :

(a)进一步减少清洗剂的使用和废液处理的费用 ;

(b)尽量减少去离子水的消耗;

(c)采用自动在线蓝宝石晶片清洗技术 , 提高开盒即用的晶片合格率 。

(来源于:期刊---电子机械工程)


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