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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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新型材料驱动人工智能时代的前进

时间: 2018-08-31
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我们正处于最大规模的计算潮流的风口浪尖——那就是由大数据驱动的AI (人工智能) 时代。要想成为这个时代的弄潮儿,就需要显著提升处理器性能以及内存容量和延迟性。当经典摩尔定律微缩速度日渐减缓,行业将面临的挑战正在日益严峻。而以上的要求便成为AI时代之所需。


为继续推动行业与时俱进的发展,我们需要在原子级层面就开始系统性的设计新型材料组合,用新架构和新设备成就人工智能的明天。


谈到计算机时代,它曾经由经典摩尔定律所代表,即依赖于少数材料以及通过光刻实现几何尺寸缩小,从而提升芯片性能、功耗、尺寸及成本,通常称为PPAC。


而到了移动时代,我们看到原来用在经典摩尔定律中的系列材料达到物理极限,随着器件架构的变化采用一些新型材料,例如从平面晶体管转变到FinFETs来促进PPAC缩放。


时至如今,对于人工智能时代而言,PPAC优化需要更多新型的其它材料。此外,尺寸缩小后,界面层在材料特征中的占比也越来越大,而在原子级层面设计材料成为需求的核心,同时也是重要挑战。


新型材料被需求的关键之处在于接触孔和本地互联,即最小层面的金属互联。它将晶体管与外界相连,目前我们使用的材料分别是钨和铜(图1)。


新型材料驱动人工智能时代的前进

图1:为持续提升器件性能,在最小、最关键的导电层需要的材料变化(来源:TECHINSIGHTS)


新型材料


应用材料公司在创新材料工程方面的突破性进展就是研发出一系列使用钴作为导体制造晶体管接触孔和互联的产品。这是过去20多年来第一次对晶体管供电的金属线做出改变。上一次变革还是在1997年开始使用铜。


当我们持续看到新架构以及光刻技术进步的同时,芯片制造最巨大的变化将发生在材料领域。对比90年代使用的材料数量(很少),我们预计未来对新材料的需求数量将增长10倍,并可大幅提升人工智能时代的芯片性能。


为何选择钴?


由于电阻和间隙填充,在10nm节点使用钨作为晶体管接触孔金属,其性能遭遇瓶颈。同样,用铜在M0和M1层面制造的本地互联也饱受间隙填充、电阻和可靠性的困扰——性能受限,芯片制造成本因此受影响。在7nm制程及以下技术节点用钴代替钨接触孔和本地互联铜则打破了上述性能瓶颈(图2)。


那么,钴具有哪些优势呢?与钨相比,钴能够用更薄的阻挡层填补小尺寸特征,所以尺寸越小,固有电阻越高。


新型材料驱动人工智能时代的前进

图2:钴将在最小导电层上取代钨和铜


制造钨接触孔需要相当厚的套筒,由一个双材料叠层的阻挡层和一个成核层组成。这些薄膜的厚度不能随着特征缩小而进一步降低,限制了导电金属的可用体积。晶体管接触孔缩小到12nm后,即达到物理极限,没有多余的体积可用于钨。更薄的衬垫阻挡层可以与钴一起在关键尺寸(CD)15nm处使用(大致相当于7nm节点),可以使导电金属性能增加3.7倍。


新型材料驱动人工智能时代的前进

图3:通过模拟论证了钴能够显著提高性能


采用钴晶体管接触孔会显著降低电阻和变异性。基于内部研发数据,钴接触孔电阻低于87%,变异性从超过10欧姆(标准化)降至约0.06欧姆。由于电阻降低以及由于晶体管接触孔变异性降低而导致的成品率损失降低,所以这些改进可以通过更低的功耗,实现更多的晶体管固有性能。


即使突破了晶体管接触孔的瓶颈,下一个性能瓶颈就是本地互联铜线。虽然铜作为块体金属,电阻比钴要低,但是在10-15nm范围内有一个交叉点,钴互联在这个交叉点的电阻低于铜互联。形成这个交叉点的原因是电子平均自由程,铜为~39nm,钴为~10nm。电子平均自由程定义了电子在块体材料中无散射情况下的行程长度。当特征低于平均自由程时,材料界面层和晶界发生明显散射,导致电阻增加。更小的电子平均自由程使电子在窄线中流通,并减少碰撞,从而降低电阻。


同时如前所述,钴的阻挡层比铜更薄,因此钴互联线通孔的垂直电阻更低。综合这些因素,钴有助于释放晶体管在7nm制程及以下技术节点的全部潜力。


最后,我们通过5级环形振荡器电路EDA模拟论证了钴的价值。我们证明对于一系列模拟的关键尺寸,含钴电路的性能要优于钨。实际上,钴的这一优势随着关键尺寸的缩小而增加,使芯片性能显著提升15%。

如需更加详细地了解关于钴的优势以及应用材料公司如何在晶体管接触孔和互联线中实现其用途,欢迎您浏览如下网页观看我们近期的网络直播或文字记录。


集成材料解决方案


计算机时代通常通过单流程系统解决方案来推动经典摩尔定律,集成过程更少。而在移动时代,我们见证了集成过程系统的发展,使新型材料的使用成为现实。与早期时代不同的是,它不只是通过一种适应性广的材料取代另一种材料,而是需要多元创新,与一系列过程技术协调发展,共同解决集成新型材料所面临的难题。集成材料解决方案已经实现了钴的技术突破,解决了钨和铜存在的限制问题。


在应用材料公司,我们拥有业界最大规模的材料工程能力,可以一站式探索、开发和集成新材料,实现行业拐点。我们的优势得天独厚,能够通过新型材料解决问题,并将集成材料解决方案推向市场,解决人工智能时代遇到的难题,从容应对挑战。


来源:大半导体产业网

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