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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2"-12";可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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格芯退战7nm,我们的路在何方?

时间: 2018-09-13
点击次数: 36

格芯的无奈之举

近期,全球第二大晶圆厂格芯(Globa Foundries)宣布无限期搁置7nm FinFET项目,表示不愿陪你们继续玩了。

前沿制程的争夺历来备受各方关注。今年5月,台积电率先实现7nm量产,抢下首发;三星则紧随其后,进入量产倒计时;Intel则还在埋头硬啃10nm。在格芯罢兵7nm之前,联电也直言放手12nm及以下制程。

格芯退战7nm,我们的路在何方?

事实上,晶圆巨头接连退出实属无奈,主要是研发高阶制程太耗钱了。2016年,为了研发10nm/7nm制程,台积电投入了22亿美元巨资。据悉,目前,台积电7nm制程的良率超过76%,后续良率拉抬仍需持续投入。

在IC Insights公布的历年“十亿美元俱乐部”榜单中,台积电多年稳居前三,而格芯已跌落五名开外。目前,也只有俱乐部前三甲有资本硬拼7nm,其他厂商更多是有心无力。

▼2007-2017年全球半导体资本支出“十亿美元俱乐部”

格芯退战7nm,我们的路在何方?

资料来源:IC Insight

在半导体的世界里,只有抢到最先进的制程技术,才可能得到仅有的巨头大单,收回前期投入。目前,台积电基本包揽了苹果、高通(骁龙855)、博通、AMD、比特大陆和海思等设计巨头的7nm大单。其中,AMD是格芯的最大客户。三星得到了高通(骁龙845)和ARM等的订单。

根据调研机构International Business Strategies公布的数据显示,2018年,7nm代工的市场规模将达到49.8亿美元,2019年则会达到98亿美元,需求主要集中在几家大公司。目前,台积电基本垄断了7nm市场,三星都活得很艰难,更何况第三、第四呢?新进入者就算研发出7nm,也会因为良率不过关而难以拿到大客户的订单,这就意味着前期研发投入很难收回。据业界人士统计,一旦手机芯片规划采用7nm制程来生产,芯片制造商大约需要每年1.2亿套到1.5亿套的产量才能够实现盈亏平衡,以此来弥补研发成本。目前,只有苹果、三星、高通和联发科能够达到这样的出货规模。

在这样的局面下,那些准7nm的厂商再去和台积电明争暗斗也是得不偿失,选择退出未尝不是明智之举。这样来看,格芯、联电等接连退出也就不奇怪了。

格芯的退守与创新

在跳票7nm的同时,格芯宣布将专注现有14/12nm FinFET工艺及22/12nm FD-SOI工艺。

目前主流的制程技术是28nm,该节点是公认的长寿节点之一。2017年,全球28nm的代工市场规模达到了100亿美元,占全球近20%。同时,随着AI、加密货币等高性能计算应用的兴起,14nm及以下制程的代工市场正在逐步放量,成为全球晶圆代工市场的新动能。此次格芯退守也是希望巩固战线,搭上高阶制程代工市场增长的顺风车。

格芯退战7nm,我们的路在何方?

▲2001-2021E全球各制程节点市场情况

与此同时,格芯首推了22/12nm FD-SOI制程工艺,走上了差异化的工艺之路。

传统的bulk CMOS工艺在20nm制程基本结束了其历史使命。再往下走就要用上FinFET(Fin Field-Effect Transistor)、FD-SOI(Fully Depleted-Silicon-On-Insulator)等新工艺。FinFET是3D化的晶体管,因形似鱼鳍而得名,是目前的主流工艺。FD-SOI是绝缘体上的硅晶体管,结构有点像汉堡包。

格芯退战7nm,我们的路在何方?

▲从bulk CMOS工艺到FinFET和FD-SOI工艺演进

与FinFET工艺相比,FD-SOI具有功耗低、成本低等优势。但FD-SOI的缺点是晶圆工艺成本高、供应商少等。8寸FD-SOI晶圆的价格是FinFET体晶圆的10倍。目前,全球仅有法国Soitec、日本信越(SHE)、美国Sun Edison能供应FD-SOI晶圆。同时,FD-SOI的生态不完善,缺少相关的设计工具和IP。

格芯退战7nm,我们的路在何方?

FinFET和FD-SOI工艺不同应用领域

在应用领域,FinFET定位于最先进的应用产品。例如,高阶处理器、AI、深度学习等高性能领域,而FD-SOI则着眼于物联网、5G、汽车电子、射频(RF)和可穿戴设备等低功耗领域。据上海微系统所预测,随着物联网、5G、汽车电子等新兴应用不断发展,未来几年,FD-SOI市场规模将会从2015年的0.7亿美元增长到2020年的超过40亿美元,年平均增长率为68%。FD-SOI在全球半导体的市场份额会从2015年的0.2%增长到2020年的接近10%。

格芯退战7nm,我们的路在何方?

▲2015-2020E FD-SOI市场发展及预测情况

目前,格芯已获得意法半导体、Verisilicon等国内外设计企业的订单,FD-SOI有望助力格芯进一步巩固和提升其全球领先地位。

我国晶圆代工的发展抉择

目前,经过不懈努力,我国晶圆代工的制程工艺取得了突破发展,实现了28nm工艺量产,且成功研发14nm FinFET,进入客户导入阶段,打入了全球主流的制程工艺梯队,有望分享高阶制程代工市场的增长红利。

跻身高阶制程俱乐部后,我国晶圆厂面临的首要问题便是如何从既有的全球代工巨头手中抢到市场,为下一代制程研发提供经济基础。格芯的退出事件让我们意识到今后突围更高阶制程后所面临的严峻竞争形势。在一味紧赶猛追先进制程工艺的同时,是否应另辟战场,加大特色工艺的布局力度。未来的应用市场并非都是先进工艺的天下,例如,物联网、5G、汽车电子等新兴应用的要求是低功耗,这就为我国晶圆制造实现跨越发展提供了市场空间。我国晶圆厂可以借此契机,根据下游客户需求布局特色工艺,抢占中高端特色工艺应用市场,实现弯道超车。

现阶段,我国半导体特色工艺仍代工中低端产品为主。以功率半导体为例,绝大多数厂商只在二极管、低压MOS器件、晶闸管等相对低端器件的生产工艺方面较为成熟,对于IGBT等高端器件,国内只有极少数厂商拥有生产和封装能力。我国特色工艺领域有着较大的上升空间和市场机遇,应予以高度关注,国家要加大对特色工艺发展的政策扶持力度。

目前,我国也涌现了先进半导体、华虹宏力、华润上华等特色工艺代工厂商,拥有了广泛的基础。中芯国际和华大半导体等巨头也积极布局,持续发力中高端特色工艺,加快进军中高端市场。2018年5月,中芯国际耗资58.5亿元在绍兴布局了特色工艺生产线,主攻微机电(MEMS)、功率器件等产品;2018年8月,华大半导体的积塔半导体特色工艺落地临港等。未来,我国晶圆代厂在制程工艺上要实现多元布局、灵活发展、全面突破。

来源:浦科投资



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