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RCA清洗机

上市日期: 2021-09-22

RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的,并由此而得名。RCA清洗是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法,是去除硅片表面各类玷污的有效方法,所用清洗装置大多是多槽处理式清洗系统。

RCA清洗机 

该清洗系统主要包括以下几种药液:

1)SPM:H2SO4 /H2O2 120~150℃ SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。

2)HF(DHF):HF(DHF) 20~25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金属,DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀。

3)APM (SC-1):NH4OH/H2O2 /H2O 30~80℃ 由于H2O2的作用,硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2),呈亲水性,硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时,H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。

4)HPM (SC-2):HCl/H2O2/H2 O 65~85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。在室温下HPM就能除去Fe和Zn。

CSE清洗基本步骤:化学清洗—漂洗—烘干。

RCA清洗机

硅片经过不同工序加工后,其表面已受到严重沾污,一般硅片表面沾污大致可分在三类:

1、有机杂质沾污:可通过有机试剂的溶解作用,结合超声波清洗技术来去除。

2、颗粒沾污:运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径≥ 0.4 μm颗粒,利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。

3、金属离子沾污:必须采用化学的方法才能清洗其沾污。

清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污,因为有机物会遮盖部分硅片表面,从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除;然后溶解氧化膜,因为氧化层是“沾污陷阱”,也会引入外延缺陷;最后再去除颗粒、金属等沾污,同时使硅片表面钝化。

湿法清洗设备就是在这些工序的基础上很好地运用了这些原理,对有机物、金属颗粒都能有效去除,为后期各芯片的制作打下坚实的基础.

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RCA清洗是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法


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