目前，多晶硅表面织构化的方法主要有机械刻槽［１］、激 光刻槽［２，３］、反应离子体蚀刻［４－６］、酸腐蚀制绒［７－１２］ 等，其中各 向同性酸腐制绒技术的工艺简单，可以较容易地整合到多晶 硅太阳能电池的生产工序中，同时成 本 最 低，因 而 在 大 规 模 的工业生产中得到了广泛的应用。

酸腐蚀法制备绒面的原理:各向同性酸腐制绒技术的制绒液是由 ＨＮＯ３、ＨＦ组成， 其在多晶硅表面与硅单质发生电化学反应，从而织构化表面 以达到降低反射率的 效 果。其 反 应 原 理 为：首 先，硅 片 表 面 的硅原子在氧化剂的作用下失去电子，在硅片表面形成硅的 氧化物（式（１））；然后，生成的硅的氧化物与溶液中的 ＨＦ反 应形成四氟化硅（式（２））；四氟化硅又与溶液中的 ＨＦ 继 续 结合最终生成 Ｈ２ＳｉＦ６ 进 入 溶 液，使得内部的硅原子重新暴 露出来（式（３））。

　Ｓｉ－４ｅ－ →Ｓｉ４＋ （１）

　ＳｉＯ２＋４ＨＦ→ＳｉＦ４＋２Ｈ２Ｏ （２）

　ＳｉＦ４＋２ＨＦ→Ｈ２ＳｉＦ６ （３）

总的化学反应方程式为：

　３Ｓｉ＋４ＨＮＯ３＝３ＳｉＯ２＋２Ｈ２Ｏ＋４ＮＯ↑ （４）

　ＳｉＯ２＋６ＨＦ＝Ｈ２ＳｉＦ６＋２Ｈ２Ｏ （５）