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太阳能硅片制绒腐蚀清洗机-CSE

上市日期: 2016-03-10

 太阳能硅片制绒腐蚀清洗机-CSE

在光伏发电领域,由于多晶硅电池片成本较低,其 占有率已跃居首位,但相对于单晶硅电池片而言仍存在着反 射率较高、电池效率不足的缺陷。为缩小多晶硅太阳能电池 片与单晶硅太阳能电池片之间的差距,采用织构化多晶硅表 面的方法提高多晶硅片吸光能力是一条行之有效的途径。

目前,多晶硅表面织构化的方法主要有机械刻槽、激光刻槽、反应离子体蚀刻、酸腐蚀制绒等,其中各 向同性酸腐制绒技术的工艺简单,可以较容易地整合到多晶 硅太阳能电池的生产工序中,同时成 低,因 的工业生产中得到了广泛的应用。

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目前,多晶硅表面织构化的方法主要有机械刻槽[1]、激 光刻槽[2,3]、反应离子体蚀刻[4-6]、酸腐蚀制绒[7-12] 等,其中各 向同性酸腐制绒技术的工艺简单,可以较容易地整合到多晶 硅太阳能电池的生产工序中,同时成 低,因 的工业生产中得到了广泛的应用。

酸腐蚀法制备绒面的原理:各向同性酸腐制绒技术的制绒液是由 HNO3、HF组成, 其在多晶硅表面与硅单质发生电化学反应,从而织构化表面 以达到降低反射率的 效 果。其 反 应 原 理 为:首 先,硅 片 表 面 的硅原子在氧化剂的作用下失去电子,在硅片表面形成硅的 氧化物(式(1));然后,生成的硅的氧化物与溶液中的 HF反 应形成四氟化硅(式(2));四氟化硅又与溶液中的 HF 继 续 结合最终生成 H2SiF6 进 入 溶 液,使得内部的硅原子重新暴 露出来(式(3))。

 Si-4e- →Si4+ (1)

 SiO2+4HF→SiF4+2H2O (2)

 SiF4+2HF→H2SiF6 (3)

总的化学反应方程式为:

 3Si+4HNO3=3SiO2+2H2O+4NO↑ (4)

 SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O (5)

 

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