1/我国绝缘双极性晶体管（IGBT）首次出口海外市场近日，中车株洲电力机车研究所有限公司(中车株洲所)自主研发的8英寸IGBT产品，成功中标印度机车市场，将用于该国电力货运重载机车改造升级项目，这是该产品首次出口海外。2/看好智能汽车发展,促成最大半导体收购案诞生据《华尔街日报》称,高通周四斥资390亿美元收购恩智浦半导体公司(NXP Semiconductors NV),这是半导体行业有史以来最大的收购案,也是整个科技行业历史上第二大交易案3/两岸半导体竞合大打擦边球战术 LCD驱动IC供应链转移中大陆投资半导体产业几乎已经势不可挡，清华紫光集团原本预计投资台系IC封测大厂的硅品、力成、南茂，但业界认为，基本上随着台湾政策将半导体产业视为具有战略高度产业，“以拖待变”战术使得紫光集团不得其门而入。然而，随着与大陆竞合多空不一的争论持续，全球晶圆代工龙头台积电仍不改其于南京设立12吋晶圆厂的计划并已经进行，使得台湾半导体业界也深知不与大陆合作，几乎是逆势而行。4/华岭股份:国内集成电路第三方测试龙头IC产业链带动测试服务需求,独立测试企业应运而生:IC测试主要是对芯片、电路产品的功能、性能测试,最近几年IC封装测试业依然保持着每年10%左右的稳步增长态势,IC封测业仍是集成电路产业链中占比最大的环节,比重稳定在40%左右。同时IC制造业和设计业开始呈现高增长态势,增速都超过了20%...
发布时间:
2016
-
12
-
14
浏览次数：710
扫码添加微信，获取更多湿法工艺资料在不断推动制造更小、更薄和更密集的芯片封装的过程中，半导体行业更加关注将具有不同功能的单独制造的组件集成到系统级封装(SIP) 中。这种被称为异构集成 (HI) 的方法现在推动了行业的发展路线图。SIP可在紧凑的外形尺寸内实现组件之间的高能效、高带宽连接，并提供增强的功能和改进的操作特性。这使它们成为消费和通信设备等应用的理想选择。优化SIP以用于这些需要更小、更快和消耗更少功率的高需求终端产品意味着使用背面研磨使它们尽可能薄。减薄晶圆需要解决和减轻完整性问题。芯片贴膜(DAF) 已成为必不可少的用于晶圆制备和引线键合单芯片和多芯片堆叠解决方案的分割。应用于晶圆背面的高粘性 DAF 可用作芯片的粘合材料和支撑膜。晶圆分割完成后，受DAF保护的芯片会从支撑带上取下并放置在基板上。然后以倾斜/偏移模式垂直堆叠多个管芯，并且管芯在边缘进行引线键合。图1 显示了使用金刚石填充 DAF 创建的具有七个芯片层的堆叠芯片器件的示例横截面。在层压到 DAF 上之前，将硅晶片减薄至 200 微米，并使用双轴切割锯对经过 DAF 处理的器件晶片上的芯片进行分割，如图 2 所示。图 1：具有高导热性 DAF 的 7 芯片堆叠。图 2：用于晶圆切割的双主轴锯尽管焊膏会释气、空洞并渗入其他区域，但DAF 很容易控制。它不仅可以保持模具的锋利边缘和形状，还可以保持模具足迹，因...
发布时间:
2021
-
08
-
10
浏览次数：491
通过结合3D全息光刻和2D光刻技术，美国伊利诺伊大学厄巴纳—香槟分校的科学家日前开发出一种适用于大规模集成电路的高性能3D微电池。研究人员称，这种微型高能电池具有极其优异的性能和可扩展性，为人们提供了无限的想象空间，有望让很多设备小型化应用成为现实。相关论文发表在美国《国家科学院学报》上。负责此项研究的伊利诺伊大学材料与工程学教授保罗·布劳恩说，由于小型化储能技术一直以来都是一个难题，微型设备通常都由片外电池或电源提供能源。其难点主要在于3D电极，这种电极十分复杂，在普通电池上实现的难度都比较大，更不用说片上集成。新技术成功突破了难关，让很多重要的应用成为了可能。论文第一作者、伊利诺伊大学材料与工程学院研究生宁海龙（音译）称，他们采用了一种能够与现有微电子制造高度兼容的技术，开发出这种微型3D锂离子电池。在制造电极时，他们先用3D全息光刻技术来界定电极的内部结构，再用2D光刻技术塑造电极的外部形状。借助3D全息光刻技术，研究人员通过光束创建出完美的三维结构，让这种微型电池获得了性能优异的多孔电极，有助于电池内部电子和离子的快速传导。这种方法的显著优势在于，能让人们对与电池能量、功率密切相关的参数进行灵活的调整，如电极的大小、形状、表面积、孔隙率和弯曲状态等。这为下一代芯片储能设备的设计制造铺平了道路。虽然3D全息光刻技术需要对光束进行十分精确的控制，但最近的技术进步已经大...
发布时间:
2016
-
12
-
13
浏览次数：618
半导体设备的国产化为什么这么难？！从成本构成来看，国产设备企业和国外企业相差不大，如关键零部件都是采购而来，人员和管理费用也相仿，但是实际上，产业大环境却十分不同。比方说，同是采购零部件，我国企业因为是进口，所以要承担税费，而且有些零部件订货需要出口许可证;因为订货量相对小很多，采购价格高;产业配套条件不同，如实现某些设计验证国内企业要花更高的成本;缺乏人才等。国产设备的设计水平和国际水平相差并不大，严格来说，真正的差距在于，一般国产半导体设备尚处在样机阶段就交给客户，稳定度不够，这就会导致经常down机。就单单从我们华林科纳而言，一台全自动清洗机，选材基本是和国外大厂一样的，国外进口的零部件还需要承受高额税费，订货量小，价格昂贵，就加工成本来说，绝不低于国外的一线厂家。国内与国外设备的差异无非两个方面，工艺精度及稳定度，然而精度及稳定度的实现必须依靠无数次的实验校准，整套的量测仪器，直接影响的又是成本及交期。往往采购国内设备的厂家都是抱着国内设备就该便宜的心态，价格压得低的不能再低，交期催的急得不能再急，售后要求高的不能再高，他们不知道我们的利润除去硬成本和软成本还剩多少，这就引发了国内设备制造届的恶性价格战，有些小厂家为了生存，选用低廉的材料，粗糙的加工工艺，省去了研发调试环节，他们打赢了价格战，确输了国产的名声。长此以往，国内设备制造厂商知道了，研发，调试不是出路，因为客户看...
发布时间:
2016
-
08
-
01
浏览次数：835
扫码添加微信，获取更多湿法相关资料摘要硅晶片是制造集成电路(IC) 使用最广泛的基板。IC的质量直接取决于硅片的质量。制造高质量的硅片需要一系列的工艺。同时双面研磨 (SDSG) 是平整线锯晶片的工艺之一。本文回顾了有关硅片 SDSG 的文献，包括历史、机器开发（包括机器配置、驱动和支持系统以及控制系统）和工艺建模（包括磨痕和晶圆形状）。它还讨论了未来研究的一些可能的主题。关键词：研磨；加工; 造型; 半导体材料；硅片；同时双面磨削介绍集成电路(IC) 广泛用于计算机系统、电信、汽车、消费电子、工业自动化和控制系统以及国防系统等应用中。超过 90% 的 IC 构建在硅片上. 全球每年生产约 1.5 亿片不同尺寸的硅片. 2004年，全球硅片和半导体器件产生的收入为73亿美元[3]和2130 亿美元， 分别。作为平整硅片的工艺之一，同步双面研磨 (SDSG) 具有巨大的潜力以低成本满足对高质量硅片的需求。本文回顾了有关SDSG 的文献。在介绍部分之后，第 2 部分简要回顾了当前可用的压平硅晶片的工艺、每种工艺的优缺点以及 SDSG 的建议应用。第 3 节总结了 SDSG 的简要历史。第 4 节介绍了 SDSG 的机器开发，包括机器配置、驱动和支持系统以及控制系统。过程建模SDSG 将在第 5 节中介绍。最后一节讨论了 SDSG 未来研究的一些可能主题。......结论本文中在对晶片形...
发布时间:
2021
-
08
-
10
浏览次数：430
锗和铅在元素周期表中是同属一族的，后者在很早以前就被古代的人们发现并利用，但是锗长时期以来却没有被工业规模的开采。原因并不是由于锗在地壳中的含量少，而是因为它是地壳中最为分散的元素之一，含锗的矿石是很少的。锗是位于元素周期表(长式)中第4周期第ⅣA族的元素，原子序数为32。它的左边是31号元素镓(金属)，右边是33号元素砷(非金属)，上面是14号元素硅(属非金属，可做半导体材料)，下面是50号元素锡(属金属元素，但金属性较弱)，可见锗处于金属和非金属交界处。因为它的质地很脆但它的导电性很差，可是它又算不上良好的绝缘体。它介于两者之间，物理学上称它为半导体。锗的电阻率处于硅和锡之间，锗和硅一样，能够制成整流器，把交流电变为直流电。锗的半导体特性早在1915年就被科学家们发现了，但由于当时无线电技术刚发展，半导体材料仅用做收音机的检波器而已；锗的原料缺乏，提纯困难；锗制成的整流器性能不如电子管，所以锗长期未受重视。到第二次世界大战期间，雷达兴起，电子管已不能满足雷达的要求，人们通过研究发现锗能很好地满足这种要求，然而用锗制得的电子元件性能总不稳定，主要是微粒杂质对半导体的性能影响较大，但随着超纯锗的制得，锗优良的半导体特性就充分显露出来。用锗制成的整流器体积小、重量轻、寿命长、机械稳定性良好，锗成为电子工业的重要材料。近二三十年来，半导体工业发展很快。全球半导体市场容量大致以每5年翻一...
发布时间:
2016
-
12
-
12
浏览次数：1016
电镀是国民经济中不可缺少的行业,但历来也是重度污染行业。凸点电镀是最近发展起来的新型电镀技术,是将传统电镀技术应用于微电子微细加工领域的典型范例。近年来,蓬勃发展的MEMS电镀以及超大规模集成电路铜布线电镀等高新技术,代表电镀这门古老的工业技术正迅速向高技术含量、高精度、高可靠性方向迈进。与传统电镀技术一样,凸点电镀过程也面临非常严峻的环境问题,比如氰化物镀金、含铅电镀、节能节水、三废排放与处理等,一旦处理不好,将会对环境产生巨大危害。本文主要探讨在芯片凸点电镀过程中应用清洁生产技术的考虑和措施。芯片凸点的典型加工流程目前,比较典型的凸点制作工艺流程主要包括焊料凸点制作和金凸点制作。焊料凸点制作工艺流程:清洗→溅射Ti/Cu→光刻1→电镀Cu/Ni→去胶→腐蚀→介质制作→光刻2→腐蚀介质→去胶→溅射Ti/Cu→光刻3→镀Cu/Ni→镀焊料→去胶→腐蚀Cu→腐蚀Ti→硅片回流→检测凸点→划片分割→成品。金凸点制作工艺流程:清洗→溅射TiW/Au→厚胶光刻→扫胶→电镀Au→去胶→等离子清洗→腐蚀Au→腐蚀TiW→退火→检测→成品。一般来说,凸点制备过程中,主要采用电镀铜、镍、金、锡铅、锡银等镀种,一些特殊的凸点工艺还使用金锡、锡、银、铟、化学镀镍等镀种。凸点电镀配方及施镀方式目前,凸点电镀中会涉及氰化物电镀、含铅电镀等问题。就施镀方式而言,可能会涉及电镀、化学镀,以及物理沉积等。首先,...
发布时间:
2016
-
07
-
25
浏览次数：2291
扫码添加微信，获取更多湿法工艺资料摘要按照典型的双大马士革工艺一步一步地识别晶圆斜面、背面和隔离区的铜(Cu)污染。物理气相沉积系统的屏蔽环不能有效地保护隔离区和斜面。此外，铜可能溶解和积聚在用于介质后蚀刻清洁的溶剂中。溶解的铜原子则可能 再沉积在晶圆表面。此外，粗糙的后侧面比光滑的前侧面更容易捕获铜原子。如果背面表面没有SiO2膜，用稀HF进行化学机械抛光清洗后，不能去除背面表面的Cu。提出了一种优化的单片自旋腐蚀工艺。以HF、HNO3、H2SO4、H3PO4的配比为0.5:3:1:0.5时，蚀刻剂性能最佳。实验表明，在很短的时间内，10 s的后侧清洗可以完全去除后侧表面、斜面和2mm隔离区的铜。提出了一种“晶圆漂移”方法，解决了由于蚀刻残余而导致的边缘引脚附近的针痕问题。优化后的清洗工艺比以往报道的清洗工艺时间更短，清洗效率更高。 随着集成电路处理技术的进步，特征尺寸不断缩小。由于器件性能和电路密度的提高而缩短。通道长度和更小的器件几何形状，由于金属线更细更长和它们之间的空间更窄，多电平互连的电阻和电容都增加了。铜(Cop- per, Cu)因其低电性而被认为是铝互连材料中最合适的替代材料。电阻率和优良的电迁移电阻。然而，铜在硅和二氧化硅中都是一种快速扩散体。3-5介质中的铜污染会导致器件不稳定性和介质可靠性的降低。6-12此外，硅中的铜作为缺陷中心，破坏少数载流子寿命并增加结...
发布时间:
2021
-
08
-
10
浏览次数：401
中芯国际北京公司拥有国内唯一一条实现持续盈利的12英寸集成电路生产线。该生产线上所使用的几十台国产设备，与众多进口设备一起，新近完成了12英寸晶圆千万片次的量产。集成电路俗称芯片，是高端制造业的核心。近年来，我国每年集成电路产品进口金额超过石油。在普及率极高的智能手机行业，包括CPU、存储器、各类感应元器件等，基本依赖进口。2008年以来，国家通过极大规模集成电路制造装备及成套工艺专项——“02专项”的实施，推动集成电路国产装备的开发和产业化，把目标直接定位在世界上最先进的65纳米、40纳米、28纳米技术节点上，并由行业的龙头企业来牵头。中芯国际是内地规模最大、技术最先进的集成电路制造企业。其位于亦庄的北京公司，与国内集成电路设备制造商成立了“产学研”联合开发实验室，共同面对设备要求高、系统复杂、每两年更新一代、市场基本被美欧日几家厂商垄断的局面。在装备设计上，以往，厂商自己在实验室里闭门造车，造出一个“铁箱子”，然后搬到工厂里去，不行再搬回来改；现在要预先知道生产的具体要求是什么，随时改进，共同开发。对芯片生产企业来说，原来是购买进口设备，维修和调试都由外国公司承包，进度和质量有合同保证，心理负担小；现在要使用国产设备，攻关小组边干边学，责任全在自己身上，不但要保证进度，更要保证交到终端客户手里的产品质量不出任何问题。在国家重大科技专项的支持下，国内集成电路代工厂与设备制造企业实...
发布时间:
2016
-
12
-
10
浏览次数：517
金属层的形成主要采用物理汽相沉积(Pysical Vapor Deposition，简称PVD)技术，主要有两种PVD技术：蒸发和溅射。蒸发是通过把被蒸镀物体加热，利用被蒸镀物在高温(接近其熔点)时的饱和蒸汽压，来进行薄膜沉积的；而溅射是利用等离子体中的离子，对被溅射物体电极（也就是离子的靶）进行轰击，使汽相等离子体内具有被溅镀物的粒子（如原子），这些粒子沉积到硅片上就形成了薄膜。铝是用于互连的最主要的材料之一，因为铝的价格相对低廉，并且铝能够很容易和二氧化硅反应形成氧化铝，这促进了二氧化硅和铝之间的粘附性。在生产中采用电子束蒸发工艺淀积铝膜，大致步骤为：圆片在清洗液中清洗干净后浸入HF溶液中去除表面的氧化层，去离子水冲洗后离心甩干；将圆片装上行星盘，把行星盘装回蒸发台后就可以开始根据程序淀积薄膜，可以根据需要觉得是否对蒸发的圆片衬底加热。已经完成前道工序并且表面已经氧化光刻，送入正蒸间进行表面金属化，具体步骤如下：一、前处理清洗：对应不同的产品有不同的清洗方式泡酸：将圆片浸入5%的HF溶液中浸泡20S左右，然后冲水后甩干。对于肖特基产品采用1%的HF溶液浸泡30S。泡酸后的圆片在2小时之内必须正蒸，否则要重新泡酸（防止放置过长时间产生氧化层）。二、正面蒸铝将泡酸完的圆片装在行星盘上，放入蒸发台中，按照程序进行蒸发淀积。蒸发的铝层的厚度一般根据芯片功率的大小来确定，从1.4μm到7...
发布时间:
2016
-
07
-
25
浏览次数：2452