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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料缺陷扫描检查   在开始生产之前,裸晶圆在晶圆制造商处要检验合格合格,并在半导体工厂接收后再次要检验合格。只有最无缺陷的晶圆才用于生产,它们的生产前缺陷图允许制造商跟踪可能导致芯片功能不佳的区域。裸晶片或非图案化晶片也在经受被动或主动处理环境之前和之后被测量,以确定来自给定处理工具的粒子贡献的基线。图1:旋转非图案化晶片上的缺陷检测(左)以及暗场和亮场图像照明中镜面反射的使用(右)   器件制造商使用光学检测系统来检查晶片和掩模上的颗粒和其他类型的缺陷,并确定这些缺陷在晶片上的X-Y网格中的位置。用于非图案化晶片上的缺陷检测的基本原理相对简单。激光束在旋转的晶片表面上径向扫描,以确保光束投射到晶片表面的所有部分上。激光从表面反射,就像从镜子反射一样,如图1所示。这种反射被称为镜面反射。当激光束遇到晶片表面上的颗粒或其他缺陷时,缺陷散射一部分激光。根据照明布置,散射光可以被直接检测(暗场照明)或作为反射光束中强度的损失(亮场照明)。晶片的旋转位置和光束的径向位置限定了晶片表面上缺陷的位置。在晶圆检测工具中,使用光电倍增管或电荷耦合器件以电子方式记录光强度,并生成晶圆表面的散射或反射强度图,如图2所示。该图提供了有关缺陷大小和位置的信息,以及由于颗粒污染等问题造成的晶片表面状况的信息。这种方法需要对晶片台和光学元...
发布时间: 2021 - 08 - 09
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资料根据金融资料提供商 Dealogic 的资料显示,过去 2 年间,全球半导体产业完成的并购交易规模已经达到 2,400 亿美元。而 2016 年目前为止,全球半导体产业的并购交易金额则达到为 1,302 亿美元,较 2015 年的金额高出 16%,创下新纪录。而且,过去 2 年,有 6 笔交易的规模超过 100 亿美元,3 笔超过 300 亿美元。 在这么疯狂的并购热潮后,未来半导体发展的态势将会如何?根据 Dealogic 的分析显示,接下来的市场状况有可能退烧一段时间。 首先是当前市场中可供收购的优质半导体芯片企业已不多,而且多数想要实施收购的公司已经完成了各自收购交易。举例来说:高通(Qualcomm)藉由 300 亿美元的海外现金储备中,要拿出大部分用来收购恩智浦 (NXP) 半导体。博通 (Broadcom) 则在 2016 年初完成了与安华高科技(Avago)的 370 亿美元合并交易后,并另外投资 55 亿美元收购网络设备公司博科通讯系统(Brocade)。至于半导体龙头英特尔(Intel)则在 2015 年斥资逾 150 亿美元,收购了 Altera 之后,随后又收购或计划收购 12 家小型公司。这些交易,都已经使得市场上可以再被收购的好标的大大减少。 而另外一个导致半导体企业收购放缓的原因,就是各国监管部门的管制。就如同...
发布时间: 2016 - 11 - 14
浏览次数:178
扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料 设备在整个制造过程中需要使用不同的材料达到不同的清洁水平,因此提供多种清洁选项以达到所需的清洁水平以确保良好的设备和高产量变得越来越重要。表面活化是与清洁相关的一个重要过程,它为下一个工艺步骤调节和准备表面,确保良好的附着力,从而产生高质量的模具。                                                                  图1 可能存在于硅晶片上的表面污染物 在晶片进入制造过程之前,必须清洁其表面以去除任何粘附颗粒和有机/无机杂质。硅原生氧化物也需要去除。不断缩小的设备设计规则使得清洁技术对于实现可接受的产品产量变得越来越重要。在现代设备制造中,晶圆清洗程序可以占整个制造过程中步骤的 30% -到40%。晶圆清洗在半导体行业有着悠久的发展历史。晶片表面上的污染物可能以吸附离子和元素、薄膜、离散颗粒、微粒(颗粒簇)和吸附气体的形式存在。图 ...
发布时间: 2021 - 08 - 09
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随着超大规模集成电路的发展、集成度的不断提高、线宽的不断减小,对硅片表面的洁净度及表面态的要求也越来越高。要得到高质量的半导体器件,仅仅除去硅片表面的沾污已不再是最终的要求。在清洗过程中造成的表面化学态、氧化膜厚度、表面粗糙度等已成为同样重要的参数。目前,通常应用的清洗方法是湿式化学清洗法,即利用有机溶剂、碱性溶液、酸性溶液、表面活性剂等化学试剂,配合兆声、超声、加热等物理措施,使有机物、颗粒、金属等沾污脱离硅片表面,然后用大量的去离子水冲洗,获得洁净的硅片表面的清洗方法。1.硅片清洗     硅片表面沾污是指沉积在硅片表面的粒子、金属、有机物、湿气分子和自然氧化膜的一种或几种。因为有机物会遮盖部分硅片表面,使氧化层和与之相关的沾污难以去除,清洗的一般思路是首先去除表面的有机沾污,然后溶解氧化层(因为氧化层是"沾污陷阱",也会引入外延缺陷),最后再去除颗粒、金属沾污,同时使表面钝化。2.清洗技术的最新发展  2.1电解离子水清洗硅片  用电解的方法将超净水或添加电解质的超净水分解为阴离子和阳离子,并通过调节电解液的浓度、电流密度等来控制其pH值和氧化还原电位,得到所需要的强氧化性溶液或强还原性溶液,以达到去除硅片表面的有机物、颗粒和金属的作用。此清洗方法可大幅度地减少化学试剂的用量,而且也减少了冲洗用的...
发布时间: 2016 - 11 - 15
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—苏州华林科纳网络部6月8日下午,总投资达30亿美元的德科码半导体产业园项目正式在南京经济技术开发区奠基,将建设8寸晶圆厂2座、12寸晶圆厂1座,以及封装测试厂、设备再制造厂、科研设计中心和配套生活区等。此前的3月28日,总投资同为30亿美元的台积电南京项目签约落户江北新区。两大“30亿美元级”的世界领先企业先后投资南京,在带给中国大陆最先进生产工艺的同时,也将填补南京市集成电路产业发展中的关键短板,使南京一举进入全国集成电路重点城市第一方阵。科教人才优势让南京脱颖而出  台积电南京项目为台湾集成电路制造公司独资。该公司是全球最大的集成电路晶圆代工制造企业、全球第三大集成电路企业,仅次于英特尔和三星。  德科码南京项目则由香港德科码科技有限公司和以色列塔尔半导体公司共同投资。这两大项目,以其庞大的规模和先进的技术,引发了各个城市的激烈“争夺”。南京为何能从众多竞争城市中脱颖而出?南京的科教人才优势和电子信息产业基础,是这两家企业非常看重的关键点。晶圆制造是科技含量非常高的工业领域,对人才有非常高的需求。  加快大陆晶圆制造追赶世界先进水平的脚步  两大“30亿美元级”项目落户南京,不仅是我市集成电路产业的大事,也是全国电子信息产业界的大事,在海内外都引起强烈反响。过去一个时期,大陆电子信息产业一直面临“缺芯少屏”的尴尬。这其中,“屏”指面板,“芯”指芯片。近几年,大陆液晶面板产业强...
发布时间: 2016 - 06 - 28
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扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料  通过使用各向同性和各向异性工艺,可以高精度地创建由硅湿法蚀刻产生的微观结构。各向同性蚀刻速度更快,但可能会在掩模下蚀刻以形成圆形。可以更精确地控制各向异性蚀刻,并且可以产生具有精确尺寸的直边。在每种情况下,控制蚀刻浴温度和蚀刻剂浓度对于成功创建微结构和后续批次的可重复性至关重要。 1.各向同性和各向异性蚀刻有何不同 硅片具有单晶晶格结构,在各个方向重复,但各个方向的密度不同。垂直平面包含与对角平面不同数量的硅原子。这意味着使用某些蚀刻剂的蚀刻在具有更多原子的方向上较慢,而在具有较少原子的方向上进行得更快。 用于各向同性蚀刻的蚀刻剂,如氢氟酸,在所有方向上以相同的速度蚀刻,与硅原子密度无关。对于用于各向异性蚀刻的蚀刻剂,例如氢氧化钾 (KOH),蚀刻速度取决于晶格平面中硅原子的数量,因此取决于不同平面的方向。 各向异性蚀刻速度的差异允许更好地控制蚀刻到硅晶片中的形状。通过硅晶片的相应取向,可以定时蚀刻以产生直边或成角度的边和尖角。可以减少掩模下的蚀刻。 2.如何在半导体制造中使用各向同性和各向异性蚀刻 各向同性蚀刻比各向异性蚀刻更难控制,但速度更快。在硅晶片制造的初始阶段,大型特征被蚀刻到硅中。在制造的这个阶段,蚀刻速度对设施吞吐量很重要。各向同性蚀刻用于快速创建这些...
发布时间: 2021 - 08 - 09
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半导体设备为集成电路产业之支撑  半导体设备是产业链上游重要环节,是生产部门不可或缺的生产资料。从半导体产业链中可以看出,无论是上游设计制造,还是下游封装测试,几乎每一个产业环节都需要相关设备的投入。半导体设备是下游半导体制造及封装企业的主要投入,芯片生产线的70%以上是半导体设备支出。  ·行业景气,晶圆制造设备前景可期  半导体设备与产业相关性强,BB 值显示已经进入景气期。今年以来,由于下游需求旺盛,半导体设备订单密集,预计全年将取得出色成绩。另外,半导体设备主要集中在制造和封测端,晶圆制造设备依旧是半导体设备中占绝对地位的设备,在2015 年晶圆制造设备销售额达到约286.7 亿美元,占比达到78.74%。中国半导体制造设备增长迅速,目前已经达到全球增速最快的市场,且下游需求良好,前景可期。  ·中国半导体设备市场存在巨大替代空间  全球制造设备市场为国外厂商占据。2015 年,前五大供应商占市场份额的76.8%,前十大供应商占据了93.6%的市场份额,市场集中度高。且十大厂商中多数为美国和日本企业,国内厂商在这块差距仍然较大。从半导体主要制造设备看来,光刻机、刻蚀机、化学气相沉积(CVD)市场都为国外厂商占据。同时,也说明中国半导体设备市场存在巨大替代空间,且由于需求驱动,主要设备后续需求有望持续,维持良好增长势头。华林科纳深耕湿制...
发布时间: 2016 - 09 - 20
浏览次数:246
扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料 在半导体器件制造中,蚀刻是指选择性地从衬底上的薄膜去除材料并通过这种去除在衬底上创建该材料的图案的技术。该图案由一个能够抵抗蚀刻过程的掩模定义,其创建过程在光刻中有详细描述。一旦掩模就位,就可以通过湿化学或“干”物理方法蚀刻不受掩模保护的材料。从历史上看,湿化学方法在用于图案定义的蚀刻中发挥了重要作用,随着器件特征尺寸的减小,表面形貌变得更加关键,湿化学蚀刻让位于干蚀刻技术。这种转变主要是由于湿蚀刻的各向同性。湿法蚀刻会在所有方向产生材料去除,如图2所示,这导致掩模定义的特征尺寸与基板上复制的特征尺寸之间存在差异。此外,先进设备中的纵横比(深度与宽度之比)增加,实现这些比例需要使用定向蚀刻技术对材料进行各向异性蚀刻。图3提供了一个示意图,有助于理解各向同性与各向异性特征生成和定向蚀刻。对湿法蚀刻在高级加工中的效用的最后打击可能是这样一个事实,即许多用于器件制造的新材料没有可用于蚀刻的湿法化学物质。这些问题结合在一起使湿蚀刻技术几乎只用于清洁而不是蚀刻应用。只有特征尺寸相对较大的器件才继续采用湿法蚀刻。表面清洁已在 各向异性特征生成和定向蚀刻。对湿法蚀刻在高级加工中的效用的最后打击可能是这样一个事实,即许多用于器件制造的新材料没有可用于蚀刻的湿法化学物质。这些问题结合在一起使湿蚀刻技术几乎只用于清洁而不是蚀刻应用。只有特征尺寸相...
发布时间: 2021 - 08 - 09
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对于中国大陆的半导体产业链布局,包括作者在内的很多读者都只是关注前段的设计产业和晶圆制造,而在IC产业链的后段封测上面,却关注得不多。但如果没有完善的封测产业,前段的工作做得最好,也不能把一个符合需求的IC交付给客户。中国近年来在上面也做了不少的工作,助力中国半导体的发展。 封测产业在半导体中的地位在谈封测之前,我们先要来了解一下集成电路从设计到生产的整个流程。在半导体产业,IC产品的源头来自IC设计,IC设计使用CAD等辅助工具,将客户或自行开发产品的规格与功能,藉由电路设计由IC表现出来,就是如何将一片芯片的功能从逻辑设计到晶圆设计之流程。设计好IC的电路之后,就需要投入到下一步的制造。IC制造的流程是将晶圆厂所做好的晶圆,以光罩印上电路基本图样,再以氧化、扩散、CVD、蚀刻、离子植入等方法,将电路及电路上的元件,在晶圆上制作出来。由于IC上的电路设计是层状结构,因此还要经过多次的光罩投入、图形制作、形成线路与元件等重复程序,才能制作出完整的集成电路。然后就是到了文章提到的封装测试流程。IC封装是将加工完成的晶圆,晶切割过后的晶粒,以塑胶、陶瓷或金属包覆,保护晶粒以免受污染且易于装配,并达成芯片与电子系统的电性连接与散热效果。而IC测试则可分为两阶段,一是进入封装之前的晶圆测试,主要测试电性;另一则为IC成品测试,主要在测试IC功能、电性与散热是否正常,以确保品质。封...
发布时间: 2016 - 09 - 20
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华林科纳CSE已具备FPD设备整线配套能力  华林科纳(CSE)FPD设备项目负责人—李丰博士表示,CSE已经具备了FPD设备与工艺整线配套能力,并与国内某知名企业签定战略合作协议。近两年,项目组在平板显示行业光电方面进行了显示方案、光电控制、光电测量、光学镀膜、光学胶合、器件产品、工艺工装、工程试验等产业化研究,掌握了其核心技术,并取得多项相关专利,其中包括大尺寸LED背光模组和新型彩色滤光片,这两个器件模组是液晶显示面板部件及材料成本的60%左右。  华林科纳(CSE)愿做FPD显示设备国产化的领路人,不断创新,积极进取,为客户提供一流的设备,先进的工艺和完善的服务。  公司注重持续创新和技术改进,目前已拥有发明专利技术18项,并多次获得国家高新技术产品认定证书,肯定了企业的整体实力。CSE始终以高品质、高要求、高目标为产品技术理念持续进行以客户为导向的创新,且与国际上知名公司和中科院苏州纳米所等科研机构建立了良好的合作关系。10多年以来始终为半导体和太阳能行业提供创新的专用的湿法工艺解决方案;以技术创新为支撑,以精细管理做保证;以卓越的产品赢得客户信任,以竭诚的服务完美品牌形象;以矢志不渝的精神追求国际化,现代化,制造服务一体化的企业方向,努力打造成中国半导体设备高新技术制造基地。
发布时间: 2016 - 05 - 31
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