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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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中芯国际北京公司拥有国内唯一一条实现持续盈利的12英寸集成电路生产线。该生产线上所使用的几十台国产设备,与众多进口设备一起,新近完成了12英寸晶圆千万片次的量产。     集成电路俗称芯片,是高端制造业的核心。近年来,我国每年集成电路产品进口金额超过石油。在普及率极高的智能手机行业,包括CPU、存储器、各类感应元器件等,基本依赖进口。     2008年以来,国家通过极大规模集成电路制造装备及成套工艺专项——“02专项”的实施,推动集成电路国产装备的开发和产业化,把目标直接定位在世界上最先进的65纳米、40纳米、28纳米技术节点上,并由行业的龙头企业来牵头。     中芯国际是内地规模最大、技术最先进的集成电路制造企业。其位于亦庄的北京公司,与国内集成电路设备制造商成立了“产学研”联合开发实验室,共同面对设备要求高、系统复杂、每两年更新一代、市场基本被美欧日几家厂商垄断的局面。     在装备设计上,以往,厂商自己在实验室里闭门造车,造出一个“铁箱子”,然后搬到工厂里去,不行再搬回来改;现在要预先知道生产的具体要求是什么,随时改进,共同开发。     对芯片生产企业来说,原来是购买进口...
发布时间: 2016 - 12 - 10
浏览次数:179
金属层的形成主要采用物理汽相沉积(Pysical Vapor Deposition,简称PVD)技术,主要有两种PVD技术:蒸发和溅射。蒸发是通过把被蒸镀物体加热,利用被蒸镀物在高温(接近其熔点)时的饱和蒸汽压,来进行薄膜沉积的;而溅射是利用等离子体中的离子,对被溅射物体电极(也就是离子的靶)进行轰击,使汽相等离子体内具有被溅镀物的粒子(如原子),这些粒子沉积到硅片上就形成了薄膜。铝是用于互连的最主要的材料之一,因为铝的价格相对低廉,并且铝能够很容易和二氧化硅反应形成氧化铝,这促进了二氧化硅和铝之间的粘附性。在生产中采用电子束蒸发工艺淀积铝膜,大致步骤为:圆片在清洗液中清洗干净后浸入HF溶液中去除表面的氧化层,去离子水冲洗后离心甩干;将圆片装上行星盘,把行星盘装回蒸发台后就可以开始根据程序淀积薄膜,可以根据需要觉得是否对蒸发的圆片衬底加热。已经完成前道工序并且表面已经氧化光刻,送入正蒸间进行表面金属化,具体步骤如下:一、前处理清洗:对应不同的产品有不同的清洗方式泡酸:将圆片浸入5%的HF溶液中浸泡20S左右,然后冲水后甩干。对于肖特基产品采用1%的HF溶液浸泡30S。泡酸后的圆片在2小时之内必须正蒸,否则要重新泡酸(防止放置过长时间产生氧化层)。 二、正面蒸铝将泡酸完的圆片装在行星盘上,放入蒸发台中,按照程序进行蒸发淀积。蒸发的铝层的厚度一般根据芯片功率的大小来确定,从1...
发布时间: 2016 - 07 - 25
浏览次数:1371
扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料 各向同性和各向异性:当材料受到液体或蒸汽蚀刻剂的侵蚀时,它会被各向同性(在所有方向上均匀)或各向异性蚀刻(在垂直方向上均匀)去除。各向同性蚀刻和各向异性蚀刻之间的区别如图 1 所示。湿蚀刻的材料去除速率通常比许多干蚀刻工艺的速率快,并且很容易通过改变温度或活性物质的浓度来改变。 湿蚀刻同义词: 化学蚀刻、液体蚀刻 定义:湿蚀刻是一种材料去除工艺,它使用液体化学品或蚀刻剂从晶片上去除材料。特定的图案由晶圆上的掩模定义。不受掩模保护的材料会被液体化学品蚀刻掉。在先前的制造步骤中使用光刻在晶片上沉积和图案化这些掩模。[2] 湿法蚀刻工艺涉及消耗原始反应物并产生新反应物的多个化学反应。湿蚀刻工艺可以通过三个基本步骤来描述。(1) 液体蚀刻剂扩散到要去除的结构。(2)液体蚀刻剂与被蚀刻掉的材料之间的反应。通常会发生还原氧化(氧化还原)反应。该反应需要材料的氧化,然后溶解氧化的材料。(3)反应中副产物从反应表面扩散。 各向异性湿蚀刻 略 各向同性湿法蚀刻:  略 干蚀刻:     略同义词:等离子蚀刻、气体蚀刻、物理干蚀刻、化学干蚀刻、物理化学蚀刻反应离子蚀刻:  略  ...
发布时间: 2021 - 08 - 10
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华林科纳关注半导体业界动态1. 北京君正拟126亿收购豪威和思必科12月1日,北京君正集成电路股份有限公司晚间发布公告称,拟采用非公开发行股份及支付现金的方式购买北京豪威科技有限公司100%股权、北京视信源科技发展有限公司100%股权以及北京思比科微电子技术股份有限公司40.43%股权。本次交易作价共计约126.22亿元,募集配套资金不超过21.55亿元。北京君正认为,收购完成后,豪威科技将和思比科充分发挥协同作用。豪威科技将利用技术优势,结合思比科的成本控制能力,遏制市场内中低端图像传感器芯片企业蚕食市场空间,能够有效应对价格冲击。 2. 厦门与中科院签订合作协议共建学院11月30日,厦门市和中国科学院签订共建“中国科学院大学厦门微电子工程学院”暨“厦门微电子产业研究院”合作框架协议。中国科学院大学厦门微电子工程学院为中国科学院大学二级学院,主要培养工程高端型+实用型的复合型人才,将实行双导师制(学院和企业各一名)。学院预计从2018年起开始招收研究生,学历教育以工程学位为主。同时,将开展集成电路相关专业的本科三、四年级专业课程及项目实训教育。厦门微电子产业研究院是适应厦门微电子产业发展及技术创新要求,集产业共性技术和关键技术研发、成果转化、企业孵化、技术服务及人才培养等于一体的新兴研发组织。 3. 紫光旗下新华三集团落户合肥高新区11月28日,新华三集团安全...
发布时间: 2016 - 12 - 10
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一、前处理检验完成后送入背蒸间,蒸发工序接收圆片时要检查片子表面有无异常情况,特别是铝层有无减薄现象、中测针迹的深度等,检验合格后进行前处理。(1) 清洗:各种圆片在减薄后,背面蒸发前都要清洗,步骤如下:1、一槽:ABZOL溶液,加热至(55±5)℃,加超声;2、二槽:ABZOL溶液;3、三槽:甲醇,目的是去除ABZOL溶液;4、四槽:甲醇;5、溢流槽:冲水,去除甲醇;6、厚度大于200μm 的片子在离心甩干机中甩干,角片有隐裂和厚度小于200μm 的片子用甲醇脱水后在氮气烘箱烘干。(2) 泡酸:对于减薄片用5%的HF水溶液,对于喷砂片用冰乙酸:氟化铵=1:3的氟化铵溶液。泡酸后必须充分冲水,使硅片上的酸液在极短的时间内冲走,以免部分酸液停留在引线孔内或中测点上导致部分地方过腐蚀。将片架放到离心甩干机中甩干。角片冲水后经甲醇脱水后在氮气烘箱中烘干。(3) 金砷工艺背蒸前处理:清洗同前,泡酸步骤为:1、背面单面泡5%的HF溶液16s左右;2、冲纯水;3、甩干。金砷蒸发在背面蒸发专用金砷工艺蒸发台中进行,金源要使用有坩埚套的。 二、背蒸背蒸是在离子束蒸发台中进行,背蒸工艺根据背面金属化结构来命名,具体工艺如下:工艺名称工艺方法材料名J方式五层工艺(1.2-1.6)μmVNiAuGeAuGeSbAuS方式四层工艺(2.4-3.0)μmTiNiSnCuSnCuSnCuA...
发布时间: 2016 - 07 - 25
浏览次数:1005
扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料用单晶片处理器选择性湿蚀刻磷酸中的 Si3N4/SiO2 的设计在湿法工艺实施中使用单晶片处理器是先进半导体制造的一种趋势,因为它具有无污染、灵活的工艺控制以及在不损坏图案的情况下提高颗粒去除效率等优点。然而,在去除氮化硅的过程中,不仅是磷酸消耗的成本问题,还有蚀刻速率、均匀性和选择性等工艺性能,是使该工艺难以切换到单晶圆类型的障碍。从长凳类型。在这里,我们提出了一种新颖的设计,它引入了一个上晶圆加热板来保持磷酸蚀刻剂的高温,以克服单晶圆处理器在氮化物方面存在的蚀刻速率低、均匀性差和选择性低的常见问题。剥离过程。在这项工作中,研究了单晶片处理器中的操作变量(如转速、熔池时间和温度)对蚀刻速率、均匀性和选择性的交互影响,以深入了解该过程。蚀刻选择性明显从约降低。100 到60 当 H3PO4 温度从 144°C 增加到 154°C 而引入加热板已被证明可以显着提高蚀刻选择性。在半导体制造中,氮化硅 (Si3N4) 和二氧化硅 (SiO2) 是最典型和广泛使用的介电材料,用作硬掩模、牺牲层、注入间隔物或应力诱导膜。 氮化硅通常可以通过各种方法去除,例如干法蚀刻、HF、BOE(缓冲氧化物蚀刻)等。 然而,氮化硅对磷酸介质中的氧化物的高蚀刻选择性使得氧化硅充当蚀刻停止层,以保护下层膜或结构免受氮化膜条带产生的损坏。多年来,在批...
发布时间: 2021 - 08 - 10
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华芯通启用北京研发中心高通服务器芯片战略主打中国牌”   贵州华芯通半导体技术有限公司日前宣布正式启用位于北京望京地区的北京研发中心。作为华芯通半导体全资子公司的北京华芯通半导体技术有限公司亦落户该地区并举行了盛大的开业典礼。    目前,华芯通已经获得了ARM-V8架构技术授权,并制定了未来三年的产品规划和时间表。    根据规划,华芯通半导体近期将建设贵州、北京、上海三个基地,加快公司的芯片研发步伐。其中,贵州基地主要负责芯片和系统开发平台的测试,已规划建设四平方公里的集成电路产业园,包括设计、制造、封装、测试和办公配套五个功能板块;北京基地主要负责芯片的设计、参考系统和软件的开发,市场营销和营运,目前已经完成了管理团队的组建,技术团队的招聘、技术资料的移交、研发基础设施建设等等工作,研发中心和实验室也正式投入使用; 上海基地主要负责芯片设计和验证,预计在2017年第一季度投入使用。直击东莞集成电路高峰论坛明年IC业靠什么来拉动?   全球半导体产业不是高速增长,而是呈个位数增长。”在日前于松山湖举办的“2016年东莞市IT产业峰会暨集成电路高峰论坛”上,台湾资策会产业情报研究所资深产业顾问兼资深总监陈子昂如是指出IC产业现状,并对IC产业的应用及未来趋势进行了具体解读,并给出了...
发布时间: 2016 - 12 - 06
浏览次数:171
扫码添加微信,获取更多湿法工艺资料离子注入主要用于超大规模集成电路工艺中的硅掺杂。离子注入提供了一种可以精确控制注入掺杂剂剂量的技术。在离子注入中,离子束以通常大于 50 eV 的能量朝着目标加速。离子束可以聚焦,也可以相对于晶片表面倾斜。通过使用适当的掩蔽材料,可以在晶片上的区域上选择性地施加离子注入。在扩散过程中,掩模必须承受高温。然而,在离子注入工艺中,晶片不是有意加热的。对于中等剂量,晶片的温度不会显着增加到室温以上。因此可以使用光刻胶来掩蔽离子注入。离子能量可以在几百个 eV 到 MeV 的范围内。在晶体硅晶格中,将原子从其晶格位置移出并产生稳定的空位 - 间隙对所需的能量为 15 eV。这意味着每个注入的离子都会对晶体结构造成损害。因此,注入的硅不是很有用。通常,必须对损坏进行退火处理,并在注入后通过高温热处理激活注入的掺杂剂。这也允许我们在一定程度上将离子注入到掩膜之下。离子注入的这些特性使得该工艺最适合在 VLSI 工艺中进行掺杂。离子注入用于超大规模集成电路技术中的场截止掺杂、阱掺杂、反击穿掺杂、阈值电压控制、源/漏扩展掺杂、晕圈掺杂和深源/漏掺杂。SRIM 是一种蒙特卡罗模拟程序,用于计算非晶材料中加速离子的轨迹。       略幻灯片的图显示了什么 ?   &#...
发布时间: 2021 - 08 - 10
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LED 用蓝宝石晶片湿法腐蚀清洗技术的研究      近二十年来,氮化镓基发光二极管(GaN-basedLEDs)取得了飞跃式发展,并实现了大规模的产业化生产。GaN-based LEDs 由于其高效、节能、环保等优越性能,将取代现有的白炽灯、荧光灯、卤化灯等而成为主流的固态照明工具。      现有的外延衬底大部分为蓝宝石,蓝宝石的组成为氧化铝(Al2O3)。由于蓝宝石的光学穿透带很宽,从近紫外光到中红外线都具有很好的透光性。因此被大量用在光学元件、红外装置、高强度镭射镜片材料及光罩材料上,它具有高声速、耐高温、抗腐蚀、高硬度、高透光性、熔点高等特点,因此常被用来作为光电元件的材料。目前超高亮度白 / 蓝光 LED 的品质取决于氮化镓磊晶(GaN)的材料品质,而蓝宝石衬底晶片抛光表面的杂质沾污会严重影响 LED 的质量和成品率。影响 GaN生长的临界颗粒尺寸为 0.3 μm,在目前的 LED生产中,绝大多数废品是由于表面污染引起的,由于在衬底晶片生产中,几乎每道工序都有清洗问题,所以蓝宝石晶片清洗的好坏对 LED 的发光性能有严重的影响,处理不当,可能使全部蓝宝石晶片报废,做不出管子来,或者制造出来的 LED 性能低劣、稳定性和可靠性很差。因此弄清楚蓝宝石晶片清洗的方法和原理具有十...
发布时间: 2016 - 12 - 01
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—华林科纳 网络部对于全球半导体产业来说,经历过2015年的产业大整合之后,整个产业竞争格局已经发生了深刻的变化,2016年将成为半导体产业发展的“拐点”。今年大陆半导体产业依旧保持高速增长的格局,主要是受惠于大陆市场持续进行进口替代,为本土企业带来发展空间。  而且12寸晶圆、8寸晶圆厂的生产线与制程技术模组和IP核心的开发,为智慧电网、智慧交通、智慧家居等物联网相关的集成电路产品,提供有力的支撑,以及外资企业加大在大陆投资的规模,而更重要的是中国大陆政府政策的扶植,如《中国制造2025》、十三五规画等新世纪发展战略的带动。  就集成电路制造业而言,全球12寸晶圆厂产能向中国转移已成定局,中国现有的12寸晶圆厂产能总计共42万片/月,其中包括中芯国际(北京)、中芯国际(上海)、SKHynix、Intel(大连)、武汉新芯、Samsung、华力微电子,而2016-2018年中国新增的12寸晶圆厂总产能将高达63.50万片/月,占全球12寸晶圆厂的产能比重将由2016年的10%攀升至2018年的22%。    未来中国12寸厂的产能将足以左右全球半导体市场,另一方面也代表中国半导体势力的崛起,各国纷纷向中国祭出合作、插旗的策略,期望抢攻未来的商机。    其中值得一提的是,2016-2018年中国新增的12寸晶圆厂产能中将包括来自于台湾的台积电、联电、力晶,各于厦门、南京、合肥等地设...
发布时间: 2016 - 06 - 28
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