扫码添加微信，获取更多半导体相关资料在衬底温度、压力和紫外暴露等不同工艺条件下，在200◦C下使用紫外增强O2GPC去除聚乙EG的实验，通过在200◦C的衬底温度下，在150秒内去除约200nm厚度的PEG薄膜，证实了使用UV/O2GPC作为低温原位清洗工具进行有机去除的可能性，在衬底温度高于玻璃化转变温度的紫外/o2GPC中，聚乙二醇去除率的显著增加可以用表面波的形成来解释，可以通过考虑气相和有机膜上的紫外能量在衬底之间的分配来理解最佳的压力条件，本文通过观察聚PEG薄膜中的光谱和比例(C-O+C=O)/(C-H)，确定了最佳压力为5Torr。样品用丙酮、乙醇和去离子水在声速浴中分别预清洗10min，然后用氮气吹制干燥。将2wt%的固态聚乙二醇溶解在乙腈溶剂中，制备了聚乙二醇（聚乙二醇，平均分子量为20万）溶液，用2000RPM的转速涂覆170nm厚的薄膜30秒，然后在100◦C下烘烤15min，将4英寸、p型、（100）导向(RS=22∼38Ω-cm)的硅片切成2×2cm2的碎片，安装在UVGPC系统的样品架上，GPC实验在一个配有紫外灯的负载锁定反应器中进行，以暴露反应气体和底物，该仪器的示意图如图所示1。图1用于在不同的清洗时间、压力和衬底温度下去除PEG的UV/o2GPC，波长为254nm和185nm的紫外灯功率分别固定在40∼50mW/cm2和2.9∼3.6m...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本研究报道了使用稀高频溶液在Cu和碳掺杂氧化物(CDO)低k介质上选择性去除CuOX,通过系统研究HF浓度、溶解氧(DO)和pH对CuOX/Cu和CuOX/CDO选择性的影响，对配方进行了优化,利用电化学极化和电化学石英晶体微平衡(EQCM)技术，探讨了铜在稀高频中清洗过程中可以钝化的条件。用电化学还原技术测定了等离子体氧化法制备的氧化铜膜的厚度,结果表明，氧化铜膜的总厚度为~10nm，其中包括~3nm氧化铜和~7nm氧化铜,用扫描电镜研究了氧化铜薄膜的形貌,在高倍扫描电镜图像清楚地显示了空洞和裂纹形式的缺陷数量，孔隙尺寸不等，直径可达~75nm。关键溶液变量HF浓度、溶解氧(DO)水平和pH对CuOX、Cu和CDO去除率的影响如图2所示，稀释的氢氟酸溶液通过气泡氮气脱氧，并使用TMAH调整pH，由于材料兼容性问题，很难使用DO传感器测量高频溶液中的DO含量。然而，由于实验中使用了非常稀释的高频，因此在类似条件下测量了去离子(DI)水的DO含量，并假设稀释的高频溶液是相同的，测定空气饱和去离子水和氮气脱气后的溶解氧含量分别为8.2ppm，~为3-4ppm。图2从图2可以看出，在所有pH和HF浓度下，脱氧和充气条件下的CuOX和CDO去除率相同，而脱氧条件下的铜去除率低于曝氧条件。可以注意的是，选择性被计算为氧化铜与铜的去除率的比值。由于脱氧条件下...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料在本研究中，我们研究了碱性后刻蚀表面形貌对p型单晶硅片少子寿命的影响，在恒温下分别使用30%和23%的氢氧化钠和氢氧化钾溶液，表面状态通过计算算术平均粗糙度(Ra)和U-V-可见光-近红外光学反射率来表征，而电学表征通过准稳态光电导测量来完成，这揭示了所得表面状态和少数载流子寿命之间的相关性。测量的表面粗糙度表明，23重量%的氢氧化钾溶液具有高的少数载流子寿命。为了确定提供最光滑硅表面的氢氧化钾溶液，在第一步中，我们通过在90 ℃的恒温下研究四种不同的浓度来优化氢氧化钾溶液。在第二步中，我们将优化的氢氧化钾溶液的表面状态的结果与常规的30%重量的氢氧化钠溶液进行了比较。最后，研究了表面态与少数载流子寿命之间的关系。在常规清洗过程之后，硅衬底的双面减薄和抛光在几个恒定温度的氢氧化钾浴中进行，以达到320 um的最终厚度，研究的浓度分别为15%、23%、30%和40 %，本研究的目的首先是确定显示最光滑的蚀刻硅表面的氢氧化钾浓度，然后将低表面粗糙度方面获得的氢氧化钾浓度的最佳值与在几项工作中广泛参考的30重量%的氢氧化钠浴获得的表面进行比较。图1显示了氢氧化钾浓度对在90℃恒温下蚀刻20分钟的晶片的表面粗糙度的影响，我们比较了由4种不同氢氧化钾浓度的氢氧化钾水溶液蚀刻的< 100 >硅晶片的粗糙度，粗糙度随着硅上氢氧化钾浓度的增加而降低，...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本研究的目的是为高效半导体器件的制造提出高效的晶圆清洗方法，主要特点是清洗过程是在室温和标准压力下进行的，没有特殊情况。尽管该方法与实际制造工艺相比，半导体公司的效率相对较低，但本研究可以提出在室温和标准压力下进行硅片干洗工艺的可能性。这意味着可以减少使用化学品，节省能源的加热基板和疏散清洁室，并为这些设施节省资金。由于与其他半导体相比，线宽18㎛相对较宽，因此在实验中得到的蚀刻率相对较低。在六氟化硫等离子体蚀刻晶片的SEM显微图中显示，当臭氧/紫外清洗时间为5min时，光刻胶没有被去除，图中有大量污染物颗粒和光刻胶碎片，臭氧/紫外清洗时间为5min，图4.16为臭氧/紫外清洗时间为20min时不去除光刻胶的晶片，在图4.16中也可以确认清洁的晶片表面，以500次放大倍数拍摄。图4-16图4.17显示了当臭氧/紫外循环衰减时间为1min时，用丙酮用1000倍放大的蚀刻晶片去除光刻胶的SEM显微图。可见，图4.17的晶圆表面比图4.16的晶圆更粗糙。图4-17从每个实验和分析中可以得出以下结果：（1）在流量0.5ℓ/min和放电功率分别为22.9W、21.0W、21.0W、26.2W和每个真空0.1Torr、1个Torr和760Torr下，最大臭氧浓度分别为8840ppm、7770ppm和6595ppm；（2）在流速为1ℓ/min、1ℓ/min、0...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本文分析了太阳能电池制作时使用的工艺参数对效率的相互关系，太阳能电池制造中使用的工艺包括纹理、兴奋剂、防反光膜、金属形成和烧结等，分析了各工序中的参数对效率的影响，对于纹理工艺，通过调整NaOH、IPA的比例来调整金字塔尺寸，金字塔越小，反射率就越低，如果以此为基础构建单元，光吸收量就越大，产生的电流就越大，另外，光产生的载体增加会导致开路电压增加。本实验采用太阳能电池Si基板，蚀刻溶液采用NaOH、IPA（C3H7OH）及H2O加入，以NaOH为基础的表面纹理，由于水溶液大部分是超纯水，因此硅的表面张力较大，因此IPA用于改善表面张力较低的表面熔深。 此外，IPA的OH-离子在表面与Si反应，欲形成SiO2，从而消除了H2泡，在70度到80度之间，IPA挥发，如果不定期补充，表面纹理的均匀性就会下降，反射率就会提高。首先用SOD法将液源涂敷在硅胶表面，转速3000rpm，旋转时间30秒，通过旋转将液源涂匀后在200℃干燥10分钟，之后利用快速处理(RTP)系统将附着在表面的源扩散到晶片内，通过这个过程在太阳能电池上形成埃米，兴奋剂时热处理温度及时间调节成为重要变量。为此，在本研究的埃米形成中，将兴奋剂时热处理的温度控制在700~750℃，工艺时间控制在1~20min，找到了面电阻形成50Ω/-的条件，在（图3-1）中展示了RTP系统的结构。 扩...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本研究为了将硅晶片中设备激活区的金属杂质分析为ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸对硅晶片进行不同厚度的重复蚀刻，在晶片内表面附近，研究了定量分析特定区域中金属杂质的方法。利用蚀刻plate实现硅晶片的蚀刻方法: 硅晶片为消除表面金属杂质的影响，将10%HF溶液5 mL滴入拟蚀刻晶片面，将该溶液均匀地滚动，去除表面的金属杂质，然后定量称重，将HF和HNQ以l:3（v/v）混合的溶液5ml均匀滴在plate上，用真空tweezer抓住表面已洗净的晶片拟蚀刻的另一面，将拟蚀刻的一面放上去与plate上的溶液接触，并合上plate盖。 20分钟后，将晶片用真空tweezer抓取并取下，用约20 mg脱离子水冲洗表面的蚀刻溶液，将这些溶液全部收集起来，装入蒸发容器，在微波烤箱中蒸发。为了分析从表面到深度方向5米的金属杂质量，需要将晶片称为1 wn均匀，采用HF和HNO^混合溶液进行蚀刻，在这种混合溶液中，硅被HNQ氧化成SiOz，而SiQ被HF氧化成HzSiFs而被蚀刻。为了将硅晶片表面均匀蚀刻成1 gm厚度，通过改变HF和HNOj的体积比和蚀刻时间，求出了最佳体积比和蚀刻时间。 本实验采用直径为200mm的epitaxial硅晶片，Epitaxial晶片表面透过红外线，单晶硅与沉积的epi.层之间的折射率不同，可以测量epi.层的厚度，将其与...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料在半导体制造过程中的每个过程之前和之后执行的清洁过程是最重要的过程之一，约占总过程的30%，基于RCA清洗的湿式清洗工艺对于有效地冲洗清洗化学物质以使它们不会在学位处理后残留在晶片表面上，以及诸如化学物质的过度使用、设备的巨大化和由于废水造成的环境污染的问题，以及防止诸如水斑的污染物被再次污染是重要的。现有的以烘房公司为中心的旋转干燥方法存在问题，即在晶片表面留下水点，在晶片上传播应力，并导致由静电力引起的污染物的再污染，并且IPA蒸汽干燥方法被认为存在蒸汽不稳定和着火的风险。因此，在最近的湿法清洗工艺中，正在努力减少化学物质和超纯水的量，回收并开发新的清洗工艺，在干燥工艺中，正在引入使用超纯水和IPA分离层的marangoni干燥方法。在这项研究中，与传统的马兰戈尼方法不同，考虑了使用超纯水和异丙醇的混合溶液干燥矮星表面和去除污染颗粒。超纯水和异丙醇混合溶液的浴槽是自制的，安装在100级空气的洁净室中，在单独的罐中进行预混合，以制备一定浓度的混合溶液，并保持混合溶液以3 LPM的流速恒定地注入浴中。还进行热N2吹气以促进晶片的干燥，为了观察通路器的干燥和清洁性能，在将p-型100裸硅晶片放入混合溶液浴之前和之后观察p-型100裸硅晶片，并且观察每一方的数量，并且使用KLA-腾科公司的surfScan 5500表面扫描仪。随着异丙醇浓度的变化，观...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料通过电位学和电位步测量，研究了氢氧化钾溶液中（100）和（111）电极的电化学氧化和钝化过程。在不同的表面之间观察到显著的差异，对n型和p型电极的结果进行比较，得出碱性溶液中硅的电化学氧化必须由化学反应触发，温度对（111）表面电流势和电流时间结果的强烈影响支持了化学活化的重要性，在n型（111）电极上进行的光电流实验表明，氧化物成核对无源层的生长具有重要意义，提出了一种结合表面化学和电化学的机理来解释阳极氧化过程中明显的各向异性。我们实验的起点是一个4英寸的实验，通过在表面形成对齐的掩模图案，并通过掩模的窗口在5.0M氢氧化钾内各向异性蚀刻硅，形成明确的（111）面，由于硅的（111）面的化学蚀刻率远低于其他面，因此形成了1、2个v形沟槽，露出了（111）的侧壁（见图1）。图 1通过这种方法，我们从一个（100）表面开始，当沟槽完全形成时，有一个（111）表面,用光学显微镜观察其图案,然后，第二个包含矩形窗口的掩模沿着方向与边缘对齐，精度为0.05°（见图1）,该图案随后被用于蚀刻v形凹槽,将掩蔽晶片切成20×20mm2的样品中。根据光学显微镜和系统的几何形状（见图1），可以计算出完全形成的凹槽的（111）表面积,A电极和B电极的厚度分别为55和40mm2,在（100）面实验中，使用未掩蔽的丁样品，表面积为39mm...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料本文利用流电位技术测量了不同清洗过程下低压和等离子体增强化学气相沉积氮化硅晶片的电动学特性，一个用于处理5in的流媒体电势单元，设计和制造晶圆是为了进行这些测量，氮化硅的等电点(IEP)取决于清洗方法和沉积技术，用x射线光电子光谱测量了薄膜的Si/O和Si/N比，以解释测量到的IEP值的差异，研究了聚苯乙烯乳胶颗粒从水溶液沉积到氮化硅晶片上，并与电动势数据的相关性。晶圆是专门为zeta电位测量而设计和构造的，是由两个超高分子量聚乙烯(UHMWPE)块构建的，每个块都有一个精确的切割凹陷，取5英寸，封信条用直径为14.7cm、厚度为0.076cm的聚四氟乙烯(PTFE)垫片分离氮化硅晶片，在垫片的中心切割一个0.814.2厘米的区域，形成一个液体流动通道，顶部块有合适的液体入口和电极放置，如图所示1，两个铂铂电极位于电池的顶部，以测量流电位，铂电极用掺杂0.005%(w/v)氯铂酸溶液定期铂化，以减少极化产生的不对称电位。图1本研究采用以铝阳极(K~1.2=1486.6eV)为x射线源的VGscalabMKII光电子能谱仪进行XPS分析，用PerkinElmer1800傅里叶变换红外光谱仪在800~4000厘米-z区域获得了氮化物晶片的傅里叶变换红外(FTIR)光谱，在测量过程中，用氮气净化样品室，以减少含水量。20次分辨率为4cm-1的扫描结果为...
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扫码添加微信，获取更多半导体相关资料在本文章中，研究了球形试样的尺寸参数，以确定哪种尺寸允许可靠地测量各向异性蚀刻中的方向依赖性，然后进行了一系列的实验，测量了所有方向的蚀刻速率。这导致建立了一个涵盖广泛的氢氧化钾蚀刻条件范围的蚀刻速率数据库，得到的数据库澄清了取向依赖性随氢氧化钾浓度和蚀刻温度的变化而变化很大，最后，我们分析了不同氢氧化钾浓度下的蚀刻谱，蚀刻轮廓因方向依赖性的变化而变化。使用了一个单晶硅的半球形样品，如图所示1，被机械地磨碎，拍打，并抛光成一个镜像表面，脑半球的半径为22mm，球形度不到晚上10点，大脑半球的顶部朝向，朝向平面朝向外围，所有的晶体取向都出现在半球形表面。测量蚀刻前后的轮廓并记录变化，可以在任何方向计算蚀刻速率。图1当蚀刻进行时，试样表面呈现多边形轮廓，考虑了相邻方向之间的干扰问题，这个问题如图所示2,根据他们自己的蚀刻率，当平面B到达点C之前时，指向A方向的蚀刻前方消失。在这种情况下，无法正确评估方向a中的蚀刻率，我们研究了试样的尺寸参数，以找到那些可以正确评估蚀刻率，而不让理想的方向从半球表面消失，结论是，在晶体学取向方面，评估所需的密集数据网的蚀刻速率，使用了一种氢氧化钾溶液和水作为蚀刻剂，以85%的颗粒供应，蚀刻剂的氢氧化钾浓度根据颗粒重量在30~50%的范围内变化，所选择的温度在40到90度的范围内°C，蚀刻过程中温度的稳定性为k...
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