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湿制程设备制造商


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发布时间: 2016 - 03 - 07
RCA湿法腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备设 备 名  称南通华林科纳CSE-RCA湿法腐蚀清洗机使 用 对 象硅晶片2-12inch适 用 领  域半导体、太阳能、液晶、MEMS等设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备主体构造特点1. 设备包括:设备主体、电气控制部分、化学工艺槽、纯水清洗槽等;并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等。2.设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中3.主体:设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中;4.骨 架:钢骨架+PP德国劳施领板组合而成,防止外壳锈蚀。5.储物区:位于工作台面左侧,约280mm宽,储物区地板有漏液孔和底部支撑;6.安全门:前侧下开透明安全门,脚踏控制;7.工艺槽:模组化设计,腐蚀槽、纯水冲洗槽放置在一个统一的承漏底盘中。底盘采用满焊接工艺加工而成,杜绝机台的渗漏危险;8.管路系统:位于设备下部,所有工艺槽、管路、阀门部分均有清晰的标签注明;药液管路采用PFA管,纯水管路采用白色NPP喷淋管,化学腐蚀槽废液、冲洗废水通过专用管道排放;9.电气保护:电器控制、气路控制和工艺槽控制部份在机台顶部电控区,电气元件有充分的防护以免酸雾腐蚀以保障设备性能运行稳定可靠;所有可能与酸雾接触的...
发布时间: 2017 - 12 - 19
片盒清洗机-华林科纳CSE 设备概况:主要功能:本设备主要手动/自动搬运方式,通过对片盒化学液体浸泡、冲洗、漂洗、鼓泡、快排等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:片盒清洗机设备型号:CSE-SC-N259整机尺寸(参考):约1700mm(L)×1400mm(W)×2000mm(H);(该设备非标定制)操作形式:手动 设备组成该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成 设备描述此装置是一个手动的处理设备;设备前上方有各阀门、工艺流程的控制按钮、指示灯、触摸屏(PROFACE/OMRON)、音乐盒等,操作方便;主体材料:德国进口 10mmPP 板,优质不锈钢骨架,外包 3mmPP 板防腐;台面板为德国 10mm PP 板;DIW 管路及构件采用日本进口 clean-PVC 管材,需满足 18MW去离子水水质要求;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明安全考虑:1. 设有 EMO(急停装置)2. 强电弱点隔离3. 所有电磁阀均高于工作槽体工作液面4. 设备排风口加负压检测表5. 设备三层防漏 漏盘倾斜 漏液报警 设备整体置于防漏托盘内 更多的花篮和片盒清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096 18913575037可立即获取免费的片盒清洗机解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
自动供液系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2016 - 06 - 13
设备名称:晶棒腐蚀机---CSE产品描述:        ●此设备自动化程度高,腐蚀清洗装置主要由水平通过式腐蚀清洗主体(槽体部分/管路部分等),移动机械传送装置,CDS系统,抽风系统,电控及操作台等部分组成;         ●进口优质透明PVC活动门(对开/推拉式),保证设备外部环境符合劳动保护的相关标准,以保证设备操作人员及其周围工作人员的身体健康;         ●机械臂定位精度高;         ●整体设备腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;         ●设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作.         ●非标设备,根据客户要求具体定制,欢迎详细咨询!更多半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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砷化镓是一种感光性能比当前广泛使用的硅更优良的材料。理论上他将接收到的阳光40%的转化为电能,转化率约是硅的2倍,因此卫星和太空飞船等多采用砷化镓作为太阳能电磁板的材料。然而,超声波清洗器传统的砷化镓晶片制造技术每次只能生成一层晶片,成本居高不下,限制了砷化镓的广泛应用。砷化镓晶片在清洗工艺上的要求,是希望能够达到对晶片表面上残留的镓氧化物、砷氧化物和一些对后续工艺有害的金属、污垢、油污、杂质、蜡点、尘埃、脏点等。在清洗上存在的难题,可以采用超声波清洗机能够达到理想的清洗效果。       超声波清洗机的原理分解,可以达到物件全面洁净的清洗效果,特别对盲孔、深孔、凹凸槽清洗是最理想的清洗设备,不影响任何物件的材质与精度。超声波还具有的强力空腔化作用,可以在短时间内清洗掉砷化镓晶片上的污垢、油污,完全可保证产品的质量。       超声波清洗机清洗效果好,清洁度高且全部工件清洁度一致。清洗速度快,提高生产效率,不须人手接触清洗液,安全可靠。清洗砷化镓晶片的高清洗工艺要求,选用超声波清洗机清洗。言之,超声波清洗机的基本原理是以每秒几万次的振动,在液体中产生超声波空化作用形成空化泡。在空化泡消失时产生很大的冲击力,当被洗工件受到这个外力冲击时,工件表面的沾污就被剥离,达...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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太阳能电池片的浅结构是实现高效太阳能电池的有效途径之一,通常所说的浅结是指太阳能电池PN结结深小于0.3um,利用浅结可以显著的降低太阳能电池片表面的少数载流子复合速度,提高短波段的光谱响应。一、调整方向       1、提高少子寿命       2、提高短波吸收       3、减少死层       4、提高开路电压二、高方阻的缺点       串联电阻Rs=电极电阻+体电阻+薄层电阻+接触电阻。高方阻使得表面薄层电阻明显增加,增大了Rs,降低了FF。       方阻越高,需要越密的栅线与之配合,才能发挥出高方阻低表面浓度的优势,这其中有两个难点,其一是高方阻均匀性的控制,其二是银浆的选择,需要综合考虑银浆的导电特性、粘度等,使之适合密栅高方阻的印刷烧结。三、高方阻实现方法       1、低温淀积+高浓度淀积    ...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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这主要从两个方面来考虑:一个是材料和工艺问题;另一个是电气性能问题。       P型半导体是在单晶硅(或锗)中参入微量的三价元素,如:硼、铟、镓或铝等;N型半导体是在单晶硅(或锗)中参入微量的五价元素,如:磷、锑、砷等。P型半导体与N型半导体,在材料成本方面应该差别不是很大,但要把它做成一个电子产品,在生产工艺方面会存在很大的差异。       例如,用本征锗材料制作PNP晶体管相对于用本征锗材料制作NPN晶体管容易很多,因为铟与锗比较容易结合(扩散);同样,用本征硅材料制作NPN晶体管,相对于用本征硅材料制作PNP管要容易很多。       某种半导体生产工艺的诞生并不是一天就可以达到尽善尽美的,需要通过大量试验和经验积累。早期生产的场效应管大部分是结型场效应管,这种结型场效应管在结构方面与PNP晶体管很相似,两者的区别主要是基区引出电极的区别(基极与源极和漏极)。晶体管把中间的一层(N区)当成一个电极引出称为基极,其余上下两层(P-P区)分别当发射极和集电极引出;而场效应管则是把基区当成一个导电沟道(N沟道),并在其两端分别引出一个电极,称为源极和漏极,其余上下两层(P-P区)分别当源极和栅极引出。...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的,并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法,该清洗法主要包括以下几种清洗液。        (1)SPM:H2SO4 /H2O2 120~150℃ SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。        (2)HF(DHF):HF(DHF) 20~25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金属,DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀。        (3)APM (SC-1):NH4OH/H2O2 /H2O ...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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简介半导体产业是现代电子工业的核心,而半导体产业的基础是硅材料工业。虽然有各种各样新型的半导体材料不断出现,但 90%以上的半导体器件和电路,尤其是超大规模集成电路(ULSI)都是制作在高纯优质的硅单晶抛光片和外延片上的。硅片清洗对半导体工业的重要性早在50年代初就已引起人们的高度重视,这是因为硅片表面的污染物会严重影响器件的性能、可靠性、和成品率。随着微电子技术的飞速发展以及人们对原料要求的提高,污染物对器件的影响也愈加突出。20世纪70年代在单通道电子倍增器基础上发展起来一种多通道电子倍增器。微通道板具有结构简单、增益高、时间响应快和空间成像等特点,因而得到广泛应。它主要应用于各种类型的像增强器、夜视仪、量子位置探测器、射线放大器、场离子显微镜、超快速宽频带示波器、光电倍增器等。微通道板是一种多阵列的电子倍增器,是微光像增强器的核心部件。MCP的制作工艺周期长且复杂,表观疵病是制约MCP成品率的关键因素之一。在MCP的工艺制造过程中,不可避免遭到尘埃、金属、有机物和无机物的污染。这些污染很容易造成其表面缺陷及孔内污垢,产生发射点、黑点、暗斑等,导致MCP的良品率下降,使得管子质量不稳定以至失效,因此在MCP的制造过程中利用超声波清洗技术去除污染物十分重要。 清洗方式普通的清洗方法一般不能达到孔内,而孔内芯料的反应生成物及其他污染物会在后序工艺中会产生重复污染...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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所谓的半导体,是指在某些情况下,能够导通电流,而在某些条件下,又具有绝缘体效用的物质;而至于所谓的IC,则是指在一半导体基板上,利用氧化、蚀刻、扩散等方法,将众多电子电路组成各式二极管、晶体管等电子组件,作在一微小面积上,以完成某一特定逻辑功能(例如:AND、OR、NAND等),进而达成预先设定好的电路功能。自1947年12月23日第一个晶体管在美国的贝尔实验室(Bell Lab)被发明出来,结束了真空管的时代,到1958年TI开发出全球第一颗IC成功,又意谓宣告晶体管的时代结束,IC的时代正式开始。从此开始各式IC不断被开发出来,集积度也不断提升。从小型集成电路(SSI),每颗IC包含10颗晶体管的时代;一路发展MSI、LSI、VLSI、ULSI;再到今天,短短50年时间,包含千万个以上晶体管的集成电路已经被大量生产,并应用到我们的生活的各领域中来,为我们的生活带来飞速的发展。不能想象离开半导体产业我们的生活将会怎样,半导体技术的发展状况已成为一个国家的技术状况的重要指针,电子技术也成为一个国家提高国防能力的重要途径。 半导产品类别    目前的半导体产品可分为集成电路、分离式组件、光电半导体等三种。    集成电路(IC),是将一电路设计,包括线路及电子组件,做在一片硅芯片上,使其具有处理信息的功能...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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一、双极型IC的基本制造工艺:      A、在元器件间要做电隔离区(PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离)          ECL(不掺金) (非饱和型) 、TTL/DTL (饱和型) 、STTL (饱和型)       B、在元器件间自然隔离          I2L(饱和型)二、MOSIC的基本制造工艺:      根据栅工艺分类:                A  铝栅工艺                B  硅栅工艺      ...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上,气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 MOCVD介绍:       金属有机物化学气相淀积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,简称 MOCVD), 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体,是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备,主要用于GaN(氮化镓)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造,也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。 LED芯片的制造工艺流程:       外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。     &#...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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腐蚀液被腐蚀物H3PO4(85%):HNO3(65%):CH3COOH(100%):H2O:NH4F(40%)=76:3:15:5:0.01AlNH4(40%):HF(40%)=7:1SiO2,PSGH3PO4(85%)Si3N4HF(49%):HNO3(65%):CH3COOH(100%)=2:15:5SiKOH(3%~50%)各向异向SiNH4OH:H2O2(30%):H2O=1:1:5HF(49%):H2O=1:100Ti ,CoHF(49%):NH4F(40%)=1:10TiSi2
发布时间: 2016 - 03 - 23
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在半导体封装技术国际学会“2015 Electronic Components and Technology Conference(ECTC)”上,IBM苏黎世研究所发表了用铜纳米粒子使铜柱的倒装芯片接合实现了低温化目标的成果。       虽尚在初步评测阶段,但拥有可在150℃的低温下接合的潜在可能,有能缓和组装时芯片与封装间应力的优点。并且,由于使用铜纳米粒子来接合铜柱,因此接合部最终会仅由铜构成的块。另外,对电流导致金属离子移动的电迁移还有良好耐受力,称能够实现可通过大电流的接合。       在实际评测的键合条件下,向接合部供给铜纳米粒子后,以250℃烘烤,将铜纳米粒子烧结成体块。此前人们知道的接合铜表面的方法是热压键合,但其量产的门槛较高。存在如对接合部的平坦性的要求精度较高、要求接合面清洁以及要在400℃高温下高压接合等课题。此次的技术若能实用化,便可轻松实现仅由铜构成的体块接合,具有很大的优点。公开接合方法和接合后的强度评测结果       此次发布的成果,尚未进入电迁移评测阶段,只报告了接合方法和接合后的强度评测结果。该研究所表示,尝试了两种向铜柱与焊盘间供给铜纳米粒子的方法。  ...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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