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发布时间: 2016 - 03 - 07
RCA湿法腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备设 备 名  称南通华林科纳CSE-RCA湿法腐蚀清洗机使 用 对 象硅晶片2-12inch适 用 领  域半导体、太阳能、液晶、MEMS等设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备主体构造特点1. 设备包括:设备主体、电气控制部分、化学工艺槽、纯水清洗槽等;并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等。2.设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中3.主体:设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中;4.骨 架:钢骨架+PP德国劳施领板组合而成,防止外壳锈蚀。5.储物区:位于工作台面左侧,约280mm宽,储物区地板有漏液孔和底部支撑;6.安全门:前侧下开透明安全门,脚踏控制;7.工艺槽:模组化设计,腐蚀槽、纯水冲洗槽放置在一个统一的承漏底盘中。底盘采用满焊接工艺加工而成,杜绝机台的渗漏危险;8.管路系统:位于设备下部,所有工艺槽、管路、阀门部分均有清晰的标签注明;药液管路采用PFA管,纯水管路采用白色NPP喷淋管,化学腐蚀槽废液、冲洗废水通过专用管道排放;9.电气保护:电器控制、气路控制和工艺槽控制部份在机台顶部电控区,电气元件有充分的防护以免酸雾腐蚀以保障设备性能运行稳定可靠;所有可能与酸雾接触的...
发布时间: 2017 - 12 - 19
片盒清洗机-华林科纳CSE 设备概况:主要功能:本设备主要手动/自动搬运方式,通过对片盒化学液体浸泡、冲洗、漂洗、鼓泡、快排等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:片盒清洗机设备型号:CSE-SC-N259整机尺寸(参考):约1700mm(L)×1400mm(W)×2000mm(H);(该设备非标定制)操作形式:手动 设备组成该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成 设备描述此装置是一个手动的处理设备;设备前上方有各阀门、工艺流程的控制按钮、指示灯、触摸屏(PROFACE/OMRON)、音乐盒等,操作方便;主体材料:德国进口 10mmPP 板,优质不锈钢骨架,外包 3mmPP 板防腐;台面板为德国 10mm PP 板;DIW 管路及构件采用日本进口 clean-PVC 管材,需满足 18MW去离子水水质要求;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明安全考虑:1. 设有 EMO(急停装置)2. 强电弱点隔离3. 所有电磁阀均高于工作槽体工作液面4. 设备排风口加负压检测表5. 设备三层防漏 漏盘倾斜 漏液报警 设备整体置于防漏托盘内 更多的花篮和片盒清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096 18913575037可立即获取免费的片盒清洗机解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
自动供液系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2016 - 06 - 13
设备名称:晶棒腐蚀机---CSE产品描述:        ●此设备自动化程度高,腐蚀清洗装置主要由水平通过式腐蚀清洗主体(槽体部分/管路部分等),移动机械传送装置,CDS系统,抽风系统,电控及操作台等部分组成;         ●进口优质透明PVC活动门(对开/推拉式),保证设备外部环境符合劳动保护的相关标准,以保证设备操作人员及其周围工作人员的身体健康;         ●机械臂定位精度高;         ●整体设备腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;         ●设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作.         ●非标设备,根据客户要求具体定制,欢迎详细咨询!更多半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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(1)外延工艺技术       外延工艺是根据不同硅源(SIH2CL2、SIHCL3、SICL4),在1100-1180℃温度下在硅片表面再长一层/多层本征(不掺杂)、N型(掺PH3)或P型(掺B2H6)的单晶硅,并把硅层的厚度和电阻率,厚度和电阻率的均匀性、表面的缺陷控制在允许范围内。功率半导体器件的外延生产工艺技术标准一般要求达到厚度40-80±5um, 厚度和电阻率均匀性控制在5%以内。(2)光刻工艺技术       光刻工艺是半导体工艺技术中最关键的技术之一,也是反映半导体工艺技术水平的重要指标。光刻工艺是将掩膜(光刻板)图形转移到衬底表面的光刻胶上形成产品所需要图形的工艺技术,光刻机的精度一般是指光刻时所得到的光刻图形的最小尺寸。分辨率越高,就能得到越细的线条,集成度也越高。对于高端Trench工艺技术的功率半导体器件,光刻生产工艺采用8英寸硅片,0.5um技术。 (3)刻蚀工艺技术       刻蚀是用物理或化学的方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程,刻蚀的基本作用是准确地复制掩膜图形,以保证生产线中各种工艺正常进行。湿法刻蚀是通过合适...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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Acceptor - An element,such as boron,indium,and gallium used to create a free hole in a semiconductor.The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主——一种用来在半导体中形成空穴的元素,比如硼、铟和镓。受主原子必须比半导体元素少一价电子。  Alignment Precision - Displacement of patterns that occurs during the photolithography process. 套准精度——在光刻工艺中转移图形的精度。  Anisotropic - A process of etching that has very little or no undercutting 各向异性——在蚀刻过程中,只做少量或不做侧向凹刻。 Area Contamination - Any foreign particles or material that are found on the surface of a wafer. This is viewed as d...
发布时间: 2016 - 03 - 23
浏览次数:85
Haze - A mass concentration of surface imperfections, often giving a hazy appearance to the wafer. 雾度 - 晶圆片表面大量的缺陷,常常表现为晶圆片表面呈雾状。 Hole - Similar to a positive charge, this is caused by the absence of a valence electron. 空穴 - 和正电荷类似,是由缺少价电子引起的。  Ingot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafers are cut. 晶锭 - 由多晶或单晶形成的圆柱体,晶圆片由此切割而成。  Laser Light-Scattering Event - A signal pse that locates surface imperfections on a wafer. 激光散射 - 由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号。  Lay - The main direction of s...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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硅晶片         硅是一种灰色、易碎、四价的非金属化学元素。地壳成分中27.8%是硅元素构成的,其次是氧元素,硅是自然界中最丰富的元素。在石英、玛瑙、燧石和普通的滩石中就可以发现硅元素。硅是建筑材料水泥、砖、和玻璃中的主要成分,也是大多数半导体和微电子芯片的主要原料。有意思的是,硅自身的导电性并不是很好。然而,可以通过添加适当的搀杂剂来精确控制它的电阻率。        制造半导体前,必须将硅转换为晶圆片。这要从硅锭的生长开始。单晶硅是原子以三维空间模式周期形成的固体,这种模式贯穿整个材料。多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的,不能用来做半导体电路。多晶硅必须融化成单晶体,才能加工成半导体应用中使用的晶圆片。  加工硅晶片       生成一个硅锭要花一周到一个月的时间,这取决于很多因素,包括大小、质量和终端用户要求。超过 75%的单晶硅晶圆片都是通过直拉生长法(Czochralski (CZ))生长的。CZ 硅锭生长需要大块的纯净多晶硅将这些块状物连同少量的特殊III、V族元素放置在石英坩埚中,这称为搀杂。&#...
发布时间: 2016 - 03 - 23
浏览次数:94
设备概述华林科纳CSE硅片有机清洗机,设备设计由华林科纳聘请的从事半导体生产的专家亲自指导,采用国际先进的生产加工工艺,在超净厂房组装测试,有可靠的质量保障。设备由不锈钢骨架,外包10mm厚瓷白防火PP板,洁净美观,耐腐蚀。电控面板置于机台上方,方便操作,并有防腐蚀保护,具有严格的安全防护措置。此设备腐蚀清洗装置主要是浸泡式清洗腐蚀、清洗主体(槽体部分/管路部分等),抽风系统,电控及操作台等部分组成,腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠。适用于4、6、8英寸硅片的清洗处理,腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠。设备结构    ※ 此设备腐蚀清洗装置主要由水平通过式腐蚀、清洗主体(槽体部分/管路部分等),抽风系统,机械臂,电控及操作台等部分组成;    ※ 设备工艺流程:根据设备所放场地布置要求(与客户沟通确定),设备左进右出,经手动放置上料位→AB清洗槽→AB清洗槽→DI冲水槽→HCL清洗槽→DI溢流槽→下料台,工艺处理合格后经操作人员手动下料;    ※ 安全门:进口优质透明PVC活动门(左右、上下推拉式),防止有毒气体挥发到室内,保证设备外部环境符合劳动保护的相关标准,以保证设备操作人员及其周围工作人员的身体健康;    ※ ...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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化学机械研磨技术(化学机器磨光, CMP)兼具有研磨性物质的机械式研磨与酸碱溶液的化学式研磨两种作用,可以使晶圆表面达到全面性的平坦化,以利后续薄膜沉积之进行。       在CMP制程的硬设备中,研磨头被用来将晶圆压在研磨垫上并带动晶圆旋转,至于研磨垫则以相反的方向旋转。在进行研磨时,由研磨颗粒所构成的研浆会被置于晶圆与研磨垫间。影响CMP制程的变量包括有:研磨头所施的压力与晶圆的平坦度、晶圆与研磨垫的旋转速度、研浆与研磨颗粒的化学成份、温度、以及研磨垫的材质与磨损性等等。
发布时间: 2016 - 03 - 23
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半导体晶圆在晶圆厂的时间通常有80%以上花费在等待、运输与储存方面。在这些长时间的非处理时期,洁净室空气、结构材料和/或先前处理工序可能会对晶圆表面造成分子级污染。随着关键尺寸的持续缩小以及新技术/材料/处理方法的推出,设备对空气分子污染物(AMC)已经变得更加敏感。惰性气体相对安定 氮气净化成新宠        惰性气体净化是一种提供化学洁净与稳定晶圆环境的技术。这种技术尤其有助于去除来自先前处理工序的逸散/残留气体,特别是腐蚀性气体。氧化、接触形式、酸蚀刻以及光刻都是首先需要这种技术能力的处理方法。铜互连与低-K电介质的面世进一步推动了这种需求。氧气与湿气的存在能够影响自然氧化层的发展,减少硅化物的厚度,进而提高表面电阻,生成微粒、引起腐蚀,并加速化学污染。        由于其高反应性以及和邻近水分子和/或其它化学物类形成氢键的可能性,湿气比氧气和大部分其它化学物类更难从晶圆环境中清除。惰性气体微环境也许是晶圆储存与运输的理想型解决方案,能够为对氧气及湿气敏感的产品或工序提供保护。C. Weibe、S. Abu-Zaid和H. Zhang发现持续用氮气进行晶圆盒净化能够长期显著减少硅表面的自然氧化层...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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