欢迎访问南通华林科纳半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829



新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
新闻中心 新闻资讯
随着科技的发展,在当前社会中,大规模集成电路、半导体器件等得到了越来越广泛的应用,对其可靠性、电能性等性能的要求也越来越高。因此,半导体单晶抛光片的表面洁净程度就显得更为重要。因此,在半导体单晶抛光片的清洗过程中,要想得到更为良好的抛光片质量,不能仅仅对抛光片表面的污染物进行清除。在实际清洗过程当中,除了抛光片表面的污垢以外,表面粗糙度、氧化膜厚度、表面化学态等都是应当关注的问题。1半导体单晶抛光片的清洗在当前的世界范围内,对于半导体单晶抛光片的清洗工艺来说,硅单晶抛光片的清洗工艺相对较为成熟,普遍采用的是美国无线电公司的RCA清洗法。而对于砷化镓、锗等半导体单晶抛光片来说,其清洗工艺仍然较为保密,相关的研究也不够成熟。因此,应当结合半导体单晶抛光片的清洗工艺实例进行分析,探寻清洗半导体材料抛光片的关键性技术,从而对硅、砷化镓、锗等半导体材料抛光片的清洗工艺和技术水平提高提供借鉴和参考。在清洗半导体单晶抛光片的过程中,由于半导体材料的性质、数量、氧化物种类等方面的不同,也存在着一定的差异。例如,在硅单晶抛光片的清洗工艺中,先用稀氟氢酸进行清洗,然后再用氢氧化铵和双氧水的混合液进行清洗,最后用盐酸和双氧水的混合溶液进行清洗[1]。在砷化镓抛光片清洗工艺中,先使用氢氧化钾溶液进行清洗,然后进行紫外光照射和臭氧清洗,最后采用酸性活性剂进行清洗。在锗单晶抛光片的清洗工艺中,先用浓硫酸进行清...
发布时间: 2021 - 02 - 25
浏览次数:5
单晶硅片从切片到抛光清洗的工艺流程一、硅片生产主要制造流程如下: 切片→倒角→磨片→磨检→CP→CVD→ML→最终洗净→终检→仓入 二、硅片生产制造流程作业实习 1. 硅棒粘接:用粘接剂对硅棒和碳板进行粘接,以利于牢固的固定在切割机上和方位角的确定。 2. 切片(Slice):主要利用内圆切割机或线切割机进行切割,以获得达到其加工要求的厚度,X、Y方向角,曲翘度的薄硅片。 3. 面方位测定:利用X射线光机对所加工出的硅片或线切割前要加工的硅棒测定其X、Y方位角,以保证所加工的硅片的X、Y方位角符合产品加工要求。 4. 倒角前清洗:主要利用热碱溶液和超声波对已切成的硅片进行表面清洗,以去除硅片表面的粘接剂、有机物和硅粉等。 5. 倒角(BV):利用不同的砥石形状和粒度来加工出符合加工要求的倒角幅值、倒角角度等,以减少后续加工过程中可能产生的崩边、晶格缺陷、处延生长和涂胶工艺中所造成的表面层的厚度不均匀分布。 6. 厚度分类:为后续的磨片加工工艺提供厚度相对均匀的硅片分类,防止磨片中的厚度不均匀所造成的碎片等。 7. 磨片(Lapping):去除切片过程中所产生的切痕和表面损伤层,同时获得厚度均匀一致的硅片。 8.&#...
发布时间: 2021 - 02 - 25
浏览次数:4
本文介绍了玻璃微加工的工艺,包括喷砂,湿法蚀刻,反应离子蚀刻(RIE)和玻璃回流技术。根据实验介绍并讨论了每种方法的优缺点。喷砂和湿法蚀刻技术是简单的工艺,但是在小而高纵横比的结构中却面临困难。演示了喷砂处理过的2 cm×2 cm Tempax玻璃晶片,其蚀刻深度约为150 µm。通过湿蚀刻工艺观察到具有蚀刻深度和侧面约20μm的Tempax玻璃结构。这项工作最重要的方面是开发RIE和玻璃回流焊技术。这些方法的当前挑战在此得到解决。深Tempax玻璃柱,表面光滑,垂直,通过RIE技术获得了直径为1μm的玻璃柱,纵横比为2μm,蚀刻深度为10μm的高深宽比为10的玻璃。通过玻璃回流技术成功地演示了嵌入在Tempax玻璃内部的贯穿硅晶片互连。研究了玻璃回流到大腔体(大于100μm),微沟槽(0.8μm宽沟槽)和微毛细管(直径1μm)的情况。进行了工艺流程的其他优化,以使玻璃渗透到微型图案中。并研究了微毛细管(直径为1μm)。进行了工艺流程的其他优化,以使玻璃渗透到微型图案中。并研究了微毛细管(直径为1μm)。进行了工艺流程的其他优化,以使玻璃渗透到微型图案中。关键词:玻璃微加工,湿法蚀刻,喷砂,反应离子蚀刻,玻璃回流工艺去:1.简介由于玻璃的优异材料性能,包括透明度,机械强度,和介电性能,该玻璃已经被广泛用于微纳米机械系统[ 1,2 ],微纳米流体装置[ 3,4 ]...
发布时间: 2021 - 02 - 25
浏览次数:1
用于制造微电子器件的薄膜都是使用某种沉积技术形成的,该术语是指在基板上形成沉积物。在半导体器件制造中,以下沉积技术(及其常用的缩写)为: 低压化学气相沉积-LPCVD等离子体增强化学气相沉积-PECVD低于大气压的化学气相沉积-SACVD大气压化学气相沉积-APCVD原子层沉积-ALD物理气相沉积-PVD超高真空化学气相沉积-UHV-CVD类金刚石碳-DLC商业电影-CF外延沉积-Epi化学气相沉积和薄膜形成化学气相沉积法可以定义为其中通过气相吸附的前体的表面介导反应在基材上形成固体薄膜的任何方法。CVD工艺的反应性使其与物理工艺(如PVD中采用的蒸发和溅射)区别开来。术语“表面介导的”是指固体膜是由在基材表面发生的异质反应形成的。有关其他信息,请参见 化学气相沉积物理。 图1显示了有助于理解CVD反应器中不同过程的示意图。化学气相沉积过程可分为多个离散步骤:首先,必须将前体化学物质送入CVD反应器。一旦进入反应器,通常必须通过流体传输和扩散的组合将前体分子传输到基底表面。一旦在表面上,前体分子必须保持足够长的时间才能反应。反应发生后,产物薄膜原子必须保留在表面上,而副产物分子必须从基材表面解吸,从而为更多的传入前体分子腾出空间。典型的CVD工艺薄膜CVD工艺生产的典型薄膜包括: 外延硅外延化合物半导体多晶硅介电薄膜二氧化硅(包括P和B掺杂的氧化物)氧...
发布时间: 2021 - 02 - 25
浏览次数:18
半导体蚀刻 在半导体器件的制造中,蚀刻是指将选择性地从衬底上的薄膜中去除材料的技术(在其表面上有或没有先有结构),并通过这种去除在衬底上形成该材料的图案。该图案由耐蚀刻工艺的掩模限定,该掩模的产生在光刻中详细描述。一旦放置好掩模,就可以通过湿化学或“干”物理方法蚀刻不受掩模保护的材料。图1显示了此过程的示意图。从历史上看,直到VLSI和ULSI技术问世之前,湿式化学方法在蚀刻图案定义中都起着重要作用。但是,随着器件特征尺寸的减小和表面形貌的日益严格,湿法化学蚀刻逐渐取代了干法蚀刻技术。这种变化主要是由于湿法刻蚀的各向同性。如图2所示,湿法蚀刻会沿所有方向去除材料,这会导致由掩模定义的特征尺寸与在基板上复制的特征尺寸之间存在差异。与较大的特征尺寸相比,VLSI和ULSI设计要求掩模与图形特征尺寸相关性要精确得多。此外,先进设备中的长宽比(深度与宽度之比)增加了,要达到这些比例,就需要具有使用定向蚀刻技术各向异性地蚀刻材料的能力。图3提供了有助于理解各向同性与各向异性特征生成和方向蚀刻的示意图。湿法蚀刻在先进工艺中的最终应用受到了打击,这可能是因为许多用于设备制造的较新材料没有可用于蚀刻的易湿化学物质。这些问题相结合,使湿法蚀刻技术几乎只能用于清洁而不是蚀刻应用中。只有具有相对较大特征尺寸的设备(例如某些MEMS结构)才继续采用湿法进行蚀刻。在下面详细讨论了表面清洁 各向异性...
发布时间: 2021 - 02 - 25
浏览次数:12
批量微加工主条目:批量微加工批量微加工是基于硅的MEMS的最古老范例。硅晶片的整个厚度用于构建微机械结构。[18]使用各种蚀刻工艺来加工硅。玻璃板或其他硅片的阳极键合可用于添加三维尺寸的特征并进行密封。批量微机械加工对于实现高性能的压力传感器和加速度计至关重要,而这种压力传感器和加速度计在1980年代和90年代改变了传感器行业。表面微加工主条目:表面微加工表面微加工使用沉积在基材表面上的层作为结构材料,而不是使用基材本身。[23]表面微机械加工创建于1980年代后期,旨在使硅的微机械加工与平面集成电路技术更加兼容,其目标是在同一硅晶片上结合MEMS和集成电路。最初的表面微加工概念基于薄多晶硅层,该多晶硅层被图案化为可移动的机械结构,并通过牺牲性蚀刻下面的氧化物层来释放。叉指式梳状电极用于产生平面内力并以电容方式检测平面内运动。这种MEMS范例使制造低成本的加速度计成为可能适用于例如汽车安全气囊系统和其他性能低和/或高g-范围就足够的应用。ADI公司是表面微加工工业化的先驱,并实现了MEMS与集成电路的集成。热氧化主条目:热氧化为了控制微米级和纳米级部件的尺寸,经常使用所谓的无蚀刻工艺。如Deal-Grove模型所述,这种制造MEMS的方法主要依赖于硅的氧化。热氧化工艺用于通过高精度尺寸控制生产各种硅结构。包括光频率梳[24]和硅MEMS压力传感器[25]在内的设备已经通过使用热氧化...
发布时间: 2021 - 02 - 25
浏览次数:4
自1954年实用的太阳电池问世以来晶体硅太阳电池一直在世界光伏市场居统治地位占太阳电池总产量的80%~90%。其中多晶硅太阳电池以其高性价比的优势得到了迅速的发展市场占有率已达50%以上。但是多晶硅太阳电池的效率总体上没有单晶硅太阳电池的高。这主要是由于两个原因一方面单晶硅材料本身的有效少数载流子寿命比多晶硅材料的高另一方面单晶硅太阳电池表面的陷光效果要优于多晶硅。因此要减少光的反射提高多晶硅电池转换效率缩小多晶硅与单晶硅太阳电池之间效率上的差距最常用的工艺方法是在多晶硅表面采用绒面技术。对于单晶硅来说采用碱溶液的各向异性腐蚀即可以在其(100)面得到理想的绒面结构而多晶硅由于存在多种不同晶向采用上面的方法无法作出均匀的绒面也不能有效降低多晶硅的反射率。目前多晶硅绒面技术主要有机械刻槽、激光刻槽、等离子刻蚀(RIE)和各向同性酸腐蚀。机械刻槽的工艺方法要求硅片厚度在200μm以上因为刻槽的深度一般在50μm的量级上,所以对硅片的厚度要求很高而这样的技术会增加成本。等离子刻蚀制备出硅片表面陷光效果是非常好的但它需要相对复杂的处理工序和昂贵的加工系统。在硅片表面织构的制作过程中可能会引入机械应力和损伤在后处理中形成缺陷。而各向同性酸腐蚀技术可以比较容易地整合到当前的太阳电池处理工序中应用起来基本上是成本最低的在大规模工业化生产中,各向同性酸腐蚀是目前广泛应用的多晶硅太阳电池绒面技...
发布时间: 2021 - 02 - 25
浏览次数:6
MEMS的制造是从半导体器件制造中的工艺技术发展而来的,即基本技术是材料层的沉积,通过光刻和蚀刻以形成所需形状的图案。[12]硅硅是用于制造现代工业中消费电子产品中使用的大多数集成电路的材料。的规模经济,价廉高品质的材料容易得到,并能力纳入电子功能化妆硅为各种各样的MEMS应用具有吸引力。硅还具有通过其材料特性带来的显着优势。以单晶形式,硅是一种几乎完美的胡克材料,这意味着当它弯曲时,几乎没有滞后,因此几乎没有能量耗散。除了实现高度可重复的运动外,这还使硅非常可靠,因为它几乎没有疲劳并且使用寿命可以达到数十亿至数万亿次,而不会中断。特别是在微电子学和MEMS领域,基于硅的半导体纳米结构越来越重要。通过硅的热氧化制造的硅纳米线在电化学转化和存储方面,包括纳米线电池和光伏系统,引起了人们的进一步关注。聚合物即使电子工业为硅工业提供了规模经济,但结晶硅仍然是一种复杂且生产相对昂贵的材料。另一方面,可以大量生产具有多种材料特性的聚合物。MEMS器件可以由聚合物通过注塑,压纹或立体平版印刷等工艺制成,特别适合微流体应用,例如一次性血液检测盒。金属金属也可以用于制造MEMS元件。尽管金属在机械性能方面不具备硅所显示的某些优势,但在其限制范围内使用时,金属可以表现出很高的可靠性。可以通过电镀,蒸发和溅射工艺沉积金属。常用的金属包括金,镍,铝,铜,铬,钛,钨,铂和银。陶瓷由于材料特性的有利组合,硅...
发布时间: 2021 - 02 - 25
浏览次数:5
沉积过程MEMS处理的基本要素之一是能够沉积厚度在1微米到100微米之间的材料薄膜。尽管膜沉积的测量范围从几纳米到一微米,但NEMS的过程是相同的。沉积方法有两种,如下。物理沉积物理气相沉积(“ PVD”)包括将材料从靶材上去除并沉积在表面上的过程。这样做的技术包括溅射过程,在该过程中,离子束将原子从靶标中释放出来,使它们移动通过中间空间并沉积在所需的基板上;然后进行蒸发,在蒸发过程中,可以使用以下方法之一从靶标中蒸发掉材料真空系统中的热量(热蒸发)或电子束(电子束蒸发)。化学沉积化学沉积技术包括化学气相沉积(CVD),其中源气流在基板上反应以生长所需的材料。可以根据技术的细节将其进一步分为几类,例如LPCVD(低压化学气相沉积)和PECVD(等离子体增强化学气相沉积)。氧化膜也可以通过热氧化技术来生长,其中(通常是硅)晶片暴露于氧气和/或蒸汽中,以生长二氧化硅的薄表面层。图案化MEMS中的图案化是将图案转移到材料中。光刻术MEMS上下文中的光刻通常是通过选择性地暴露于诸如光的辐射源而将图案转移到光敏材料中。光敏材料是当暴露于辐射源时其物理性质发生变化的材料。如果将光敏材料选择性地暴露于辐射(例如,通过掩盖一些辐射),则材料上辐射的图案将转移到已暴露的材料上,因为已暴露和未暴露区域的特性不同。然后可以去除或处理该暴露的区域,从而为下面的衬底提供掩模。光刻通常与金属或其他薄膜沉积,湿...
发布时间: 2021 - 02 - 25
浏览次数:2
在光学冷加工中,镜片的清洗主要是指镜片抛光后残余抛光液、黏结剂、保护性材料的清洗;镜片磨边后磨边油、玻璃粉的清洗;镜片镀膜前手指印、口水圈以及各种附着物的清洗。传统的清洗方法是利用擦拭材料(纱布、无尘纸)配合化学试剂(汽油、乙醇、丙酮、乙醚)采取浸泡、擦拭等手段进行手工清擦。这种方法费时费力,清洁度差,显然不适应现代规模化的光学冷加工行业。这迫使人们寻找一种机械化的清洗手段来代替。于是超声波清洗技术逐步进入光学冷加工行业并大显身手,进一步推动了光学冷加工业的发展。超声波清洗技术的基本原理,大致可以认为是利用超声场产生的巨大作用力,在洗涤介质的配合下,促使物质发生一系列物理、化学变化以达到清洗目的的方法。当高于音波(28~40KHz)的高频振动传给清洗介质后,液体介质在高频振动下产生近乎真空的空腔泡,空腔泡在相互间的碰撞、合并、消亡的过程中,可使液体局部瞬间产生几千大气压的压强,如此大的压强使得周围的物质发生一系列物理、化学变化。这种作用称为“空化作用”:1.空化作用可使物质分子的化池键断裂,引起各种物理变化(溶解、吸附、乳化、分散)和化学变化(氧化、还原、分解、化合)等;2.当空腔泡的固有频率和超声频率相等时,可产生共振,共振的空腔泡内聚集了大量的热能,这种热能足以使周围物质化学键断裂而引起物理、化学变化。3.当空腔泡形成时,两泡壁间因产生极大的电位差而引起放电,致使腔内气泡活化进...
发布时间: 2021 - 02 - 25
浏览次数:96
271页次13/28首页上一页...  891011121314151617...下一页尾页
Copyright ©2005 - 2013 南通华林科纳半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
南通华林科纳半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开