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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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RENA前后清洗工艺什么是太阳能电池?1. 太阳能电池的原理太阳电池是利用光生伏特效应,把光能直接转换成电能的一种器件。它的工作原理可以概括成下面几个主要过程:第一,必须有光的照射,可以是单色光,太阳光或我们测试用的模拟太阳光源。第二,光子注入到半导体后,激发出电子—空穴对。这些电子空穴对必须有足够的寿命保证不会在分离前被附和。第三,必须有个静电场(PN结),起分离电子空穴的作用。第四,被分离的电子空穴,经电极收集输出到电池体外,形成电流。2. 制造太阳能电池的基本工艺流程二、前清洗(制绒)1. 制绒工艺的分类:制绒按工艺不同可分为碱制绒和酸制绒:    利用碱溶液对单晶硅不同晶面有不同的腐蚀速率(各向异性腐蚀),对(100)面腐蚀快,对(111)面腐蚀慢。如果将(100)作为电池的表面,经过腐蚀、在表面会出现以 (111)面形成的锥体密布表面(金字塔状),称为表面织构化。但是对于多晶硅,由于晶体排列方式杂乱,如果利用碱液,无法进行腐蚀得到良好的金字塔织构化表面,此时只能用酸溶液进行各向同性腐蚀,获得表面存在许多凹坑的表面结构,也能起到良好的陷光作用。2. 陷光原理:当入射光入射到一定角度的斜面,光会反射到另一角度的斜面形成二次吸收或者多次吸收,从而增加吸收率。腐蚀深度在4.4± 0.4...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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GaN材料介绍1.1GaN的晶体结构一般地说,GaN具有三类晶体结构,分别为:纤锌矿,闲锌矿和岩盐矿。闪锌矿和岩盐矿是比较少见的。它们的晶体结构示意图有下图1.1所示。人们所制各的GaN的结构,一般来说都是纤锌矿结构,因此着重介绍一下Gab]的纤锌矿结构。GaN晶体是可以看作山两套六角密堆积的晶格相互嵌套的纤锌矿结构。这就是说.这种结构相当于两套格子沿着C轴(0001)方向错了3/8的晶格常数位簧,而两套格子中任何一个格子都由一类原子(N原子或者Ga原子)构成,如1.1图所示。在纤锌矿结构的GaN中沿C轴(0001)方向的原子排序:Ga^N^OaeNBC3a^N^GaBNB等等依次延续。H.P.Marusaka和J.J.Tietjen[26】等人给出了被广泛的接受GaN的晶格常数,分别为a=0.3l89nm,c--0.5185nm。1.2GaN的化学性质GaN的化学性质十分稳定,在室温下,几乎不与酸和碱的溶液反应1271。到现阶段为止,只有熔融的KOH能比较有效的与GaN反应【2引.而这个方法被人们用来检测(3aN外延膜的缺陷【29】。另外,还有电化学湿法刻蚀,本文会在后面讲到。由于GaN的化学性质稳定,难以通过常用的化学反应手段进行腐蚀。因此,在GaN器件的制作过程中常用干法刻蚀。主要是感应耦台等离子刻蚀和反应离子刻蚀的两类刻蚀方法。这两类的干法刻蚀所用的刻蚀气体一般是氯元素的化...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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摘要:化学机械抛光(CMP)技术是目前广泛采用的几乎唯一的高精度全局平面化技术。抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP技术水平的高低。介绍了各种机械、物理及化学清洗方法与工艺技术优缺点,指出了清洗荆、清洗方式是CMP后清洗技术中的关捷要素。综述了CMP后清洗技术的发展现状,分析了CMP后清洗存在的问题,并对其发展趋势进行了展望。关键词:化学机械抛光;原子级精度表面;清洗技术0引言目前因抛光后表面清洗不干净引起的电子器件产品合格率降低,占次品率的50%左右,清洗质量的高低已严重影响到先进电子产品的性能、可靠性与稳定性。工艺中si片表面吸附的微粒、有机和无机粘污会破坏极薄氧化层的完整性,导致微结构缺陷,引起低击穿、管道击穿、软击穿、漏电流增加以及芯片短路等问题⋯1。计算机硬盘技术中,随着硬盘存储密度的快速上升,磁头的飞行高度已降低到10姗以下L2J。原子级表面粗糙度(原子直径小于0.3nm)、无微观缺陷、洁净的高精表面已成为高技术电子产品制造中的共同要求,也是关系其性能的关键因素。目前一般采用CMP技术进行片子表面的高精度全局平坦化。由于抛光后新鲜表面活性高,以及CMP抛光液中大量使用高浓度的纳米磨粒(如纳米Si02、纳米AIO粒子)、多种化学品等因素,工件表面极易吸附纳米颗粒等污染物,导致CMP后清洗极其困难。集成电路技术中,对0.35pm及以下的CMOS工艺,要求后清洗提供的片子上0...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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在半导体湿制程、生物制药、冶金化工等诸多行业,制程工艺往往需要药液的高精确控温,若采用传统的加热与外水冷却的方式来实现控温,药液温度精度误差大、控温速率低、防腐性能低等等。而华林科纳半导体型电子冷热器正好弥补以上缺陷。  传热的三种基本方式是:热传导、对流和辐射。华林科纳半导体型电子冷热器的传热方式是属于热传导,热量从物体内温度较高的部分传递到温度较低的部分或者传递到与之接触的温度较低的另一物体的过程称为热传导。通过冷热交替从而实现热液-冷液间温度的传递,最终达到用户需要的温度(冷热都可以实现)。  然而,在上述提及的行业中,很多控温的药液往往带有腐蚀性,制程工艺要达到100℃以上高温,这就需要冷热交换器用不同的材质来适应不同的材质。作为湿制程设备专业制造商,经过多年研发及更新换代,华林科纳公司研发的新型CSE-CHEC-VI电子冷热器能够实现各行业95%以上的不同湿制程要求下的精确控温。  冷热交换取热器,包括冷热交换单元与控制系统两个部分。冷热交换单元根据药液的不同特性,可采用PVDF、PTFE、不锈钢等不同材质制造。冷热交换单元内置半导体冷热交换片、超温保护单元、漏液保护单元、药液防腐隔离单元等等。工艺槽的药液经过防腐泵、过滤器后、半导体冷热控制单元形成一个闭环控制。根据槽体内的温度传感器采集,PID数字闭环调节,重新注入处理槽内。由此,经过不断循环交换冷热,将药液温度实时控...
发布时间: 2019 - 07 - 01
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在半导体技术的发展过程中,器件的特征尺寸越来越小,光刻工艺也变得越发复杂,而这也导致了下一代光刻技术的成本不断增加。追求特征尺寸的缩小,就需要减小曝光波长。在比DUV和EUV更先进的下一代光刻技术中,电子束光刻已被证明有非常高的分辨率,但其生产效率太低;X 线光刻虽然可以具备高产率,但X 线光刻的设备相当昂贵。光学光刻成本和复杂的趋势以及下一代光刻技术难以在短期内实现产业化激发人们去研发一种非光学的、廉价的且工艺简便的纳米技术,即纳米压印技术(Nanoimprint  Lithography,NIL)。1995年,华裔科学家周郁(Stephen Chou)提出了纳米压印技术(Nanoimprint Lithography,NIL)的思想。有别于传统的光刻技术,纳米压印将模具上的图形直接转移到衬底上,从而达到量产化的目的。NIL的基本思想是通过模版,将图形转移到相应的衬底上,转移的媒介通常是一层很薄的聚合物膜,通过热压或者辐照等方法使其结构硬化从而保留下转移的图形。整个过程包括压印和图形转移两个过程。相对于传统的光刻技术,纳米压印具有加工原理简单,分辨率高,生产效率高,成本低等优点。纳米压印光刻胶与传统光刻胶的对比纳米压印技术不受最短曝光波长限制,只与模板的精密度有关。因此,对光刻胶性能的要求相对降低了,但是随着工艺的改变,同样会引出新的问题,...
发布时间: 2020 - 04 - 29
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在材料加工科学的不断推动下,半导体器件和集成电路制作工艺取得了长足进步,发生了巨大变化,但是其中的湿法清洗工艺作为最为有效的半导体晶片洗净技术,一直未能被取代。随着晶片表面洁净要求的不断提高,清洗工艺的焦点已逐步由清洗液、兆声波等转移到晶片干燥上。干燥作为湿法清洗的最后一个步骤,最终决定了晶片的表面质量,是清洗工艺的核心所在。  在各种晶片的干燥中,尤以衬底抛光片的干燥最为困难,它不仅要求表面达到脱水效果,还要避免在表面留下任何水痕缺陷或颗粒。为达到这种要求,以设备为依托的各类干燥技术发展迅速。  1.1离心甩干技术  离心甩干是通过外力使晶片短时间内达到高速旋转的状态,晶片表面的水受到离心力作用而从表面消失的干燥技术。这种干燥方式由于简单可靠,在晶片清洗领域得到了广泛应用。根据晶片运动方式的不同,离心甩干又分为立式离心甩干和水平式离心甩干(见图 1 和图 2),虽然二者的脱水原理相似,但是由于运动方式的不同,在工艺上有很大的差异。为保证晶片的洁净,一般在干燥步骤之前,会增加一步药液、去离子水旋转喷淋过程,对表面进行二次洁净。为保证干燥效果,甩干过程中将引入热氮气,对晶片进行吹拂。  影响甩干效果的因素有很多,如转速的设置, 氮气的流量,排气通路的设计、腔体的密闭性和旋转产生的共振等。  离心甩干的优点是技术成熟稳定,干燥后的表面均一性好,不易产生水印;缺点是仅适合半导体前道的裸片...
发布时间: 2019 - 06 - 28
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目前在半导体工业生产中,普遍采用RCA清洗技术清洗抛光硅片,今天我们介绍一种溶浸式湿法化学清洗,串联的SC1和兆声去除颗粒,含O3的去离子水工艺形成均匀硅氧化膜,最后用IPA干燥。IPA干燥是利用IPA的低表面张力和易挥发的特性,取代硅片表面的具有较高表面张力的水分,然后用热N2吹干,达到彻底干燥硅片水膜的目的。此种干燥工艺比传统的离心式甩干法、真空干燥法、单纯热N2干燥法在降低金属和颗粒站务的引入及干燥速度方面有较大的有事。但此工艺在有片盒干燥的过程中易产生边缘目检缺陷的缺点。针对这点,我们在生产中总结了一下经验,并通过控制将此缺陷降到可控范围内。1、硅片进入IPA干燥腔后,通过片盒支架的特殊设计,使抛光面自动与片盒脱离接触。这样IPA蒸气可充分分布到抛光面表面,有利于均匀的干燥。2、PFA片盒作为硅片的载体,由于材料微观多孔的特性,经过反复烘干,孔被放大,加上长时间的化学溶浸,少量化学物质吸附在PFA的孔内,烘干后易在硅片上行程边缘缺陷,因此定期处理PFA片盒是很必要的。作为湿制程设备专业制造商,南通华林科纳半导体设备有限公司对IPA干燥系统有丰富的生产经验和产线使用验证,为硅片的清洗、干燥提供有效的保障。 更多清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,18913575037
发布时间: 2019 - 06 - 26
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在光学冷加工中,超声波清洗是如何实现洗净目的的呢?一般来说,清洗工艺主要以干燥的方式命名,如 IPA 工艺,是指利用 IPA(异丙醇)蒸汽进行脱水干燥的清洗工艺,纯水工艺是指利用热纯水慢提拉或冷纯水甩干的方式进行干燥的清洗工艺。当然,还有其他的命名方式。经过不断的变化、发展,光学冷加工中的清洗工艺主要以 IPA 工艺和纯水工艺为主。  IPA干燥  IPA 工艺包括四个流程:洗涤、漂洗、脱水、干燥。    因为洗涤过程分溶剂清洗和水基清洗,所以有不同的工艺:有先进行溶剂清洗、溶剂蒸汽干燥再进行水基清洗;也有先进行溶剂清洗,再用乳化剂溶解溶剂,再进行水基清洗的。显然,后者在流程上更流畅、紧凑,对设备要求也简单。经过洗涤后的镜片表面不会有结合牢固的污垢,仅可能有一些清洗剂和松散污垢的混合物。    我们知道,无机光学玻璃是一种过冷的熔融态物质,没有固定的分子结构,它的结构式可描述为二氧化硅和某些金属氧化物形成的网状结构。其骨架结构为键能很大的硅氧共价键,外围是键能小、易断裂的氧与金属离子形成的离子键。在洗涤时,由于超声场和化学洗剂的共同作用,某些硅氧键含量少或者外围键能特别小的的材料易于在清洗过程中发生变化而导致洗涤效果不良。所以,选择性能温和的洗剂、合适的洗剂浓度、温度、超声功率、洗涤时间对保证镜片的清洗质量十分重要。    利用流水将洗涤后镜片表面的洗剂和污物溶解、排除的过程称为漂...
发布时间: 2019 - 06 - 11
浏览次数:136
近年来衍射光栅技术、全息术、傅里叶光学和计算全息等技术推动了衍射光学理论的发展,特别是在衍射光学器件方面的研究已经达到了实用化的水平。衍射光学器件的特点DOE的特点则是具有高衍射效率、独特的色散性能、更多的设计自由度、宽广的材料可选性,并具有特殊的光学性能,因此DOE成为实现离轴照明的理想元件。一般用于光刻系统离轴照明的DOE,其子单元个数需衍射的概念光沿着直线传播,当光穿过一个小孔或经过一个轮廓分明的边缘时,沿小孔边缘产生了干涉图形,结果得到了一个模糊的图像,而不是希望出现在光和阴影之间的清晰边缘,光看上去沿狭缝边缘弯曲了。这种现象被称做衍射。衍射光学器件的主要应用1.光束整形(1)平顶光束整形“ Top-Hat ”或“ Flat-Top ”光束整形是衍射光学器件(DOE),用于将近高斯入射激光束转换为圆形,矩形,正方形,线形或均匀强度(平坦)点或在特定工作平面中具有锋利边缘的其他形状。顶帽(平顶)光束整形器的典型应用包括:激光烧蚀,激光焊接,激光穿孔,激光划线,医疗和美学激光应用。(2)光束扩散器/光束匀质器英文名为BeamHomogenizer / Optical Diffuser,使用匀化镜能把单模或多模的准直输入光束,转换为能量分布高度均匀的光斑。光斑的波长和形状轮廓都可自定义,形状一般为圆形、正方形、直线、长方形、六边形、椭圆形等任意形状。光束均化镜在许多需要明确定义光...
发布时间: 2020 - 04 - 29
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根据研究数据显示,在大规模量产方面,首屈一指的当然是日本三洋,现有产能1GW,量产效率达23%。除此之外,具有较成熟HIT技术的还有Keneka、Sunpreme、Solarcity、福建均石、晋能、新奥、汉能等企业。  图表:国内外HIT太阳能电池产业化情况(单位:%,MW) 目前HIT产品的量产难点主要包括以下几方面:   (1)高质量硅片:相较常规N型产品,HIT电池对硅片质量有更高的要求,需要谨慎选择硅片供应商。   (2)制绒后硅片表面洁净度的控制:HIT电池对硅片表面洁净度要求非常高,需要平衡硅片清洗洁净程度和相关化学品以及水的消耗。   (3)各工序Q-time控制:HIT电池在完成非晶硅镀膜之前,对硅片暴露在空气中的时间以及环境要求比较严苛,需要注意各工序Q-time的控制。   (4)生产连续性对于TCO镀膜设备的影响:TCO镀膜必须保证连续投料,否则良率和设备状况都会受到影响,尤其在产线刚投产时,保持生产连续性是一大挑战。   (5)高粘度浆料的连续印刷稳定性:在HIT电池制备过程中,浆料粘度大导致的虚印断栅现象较多,需要数倍于常规产线的关注。   (6)焊带拉力的稳定性:拉力稳定的窗口窄,双玻双面发电的组件结构进...
发布时间: 2019 - 05 - 05
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