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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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半导体产品的加工过程主要包括晶圆制造(前道,Front-End)和封装(后道,Back-End)测试,随着先进封装技术的渗透,出现介于晶圆制造和封装之间的加工环节,称为中道(Middle-End)。由于半导体产品的加工工序多,所以在制造过程中需要大量的半导体设备和材料。一、晶圆制造在这里,我们以最为复杂的晶圆制造(前道)和传统封装(后道)工艺为例,说明制造过程的所需要的设备和材料。晶圆生产线可以分成7个独立的生产区域:扩散(Thermal Process)、光刻(Photo- lithography)、刻蚀(Etch)、离子注入(Ion Implant)、薄膜生长(Dielectric Deposition)、抛光(CMP)、金属化(Metalization)。这7个主要的生产区和相关步骤以及测量等都是晶圆洁净厂房进行的。在这几个生产区都放置有若干种半导体设备,满足不同的需要。例如在光刻区,除了光刻机之外,还会有配套的涂胶/显影和测量设备。二、封装传统封装(后道)测试工艺可以大致分为背面减薄、晶圆切割、贴片、引线键合、模塑、电镀、切筋/成型和终测等8个主要步骤。与IC晶圆制造(前道)相比,后道封装相对简单,技术难度较低,对工艺环境、设备和材料的要求远低于晶圆制造。三、半导体工艺解析半导体制造工艺是集成电路实现的手段,也是集成电路设计的基础。自从1948年晶体管发明以来,半导体器件工...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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同刻蚀一样,干法等离子体工艺也可用于光刻胶去除。将晶圆放置于反应室中.并通入氧气。等离子体场把氧气激发到高能状态,因而将光刻跤成分氧化为气体由真空泵从反应室吸走。术语灰化(ashlng〕用来说明那些设计成用来只去除有机残留物的等离子体工艺。等离子去除需要去除有机和无机两种残留物的工艺。在干法去除机中,等离子体由微波,射频和UV臭氧源共同作用产生。等离子体光刻胶去除的主要优点是消除了液体槽和对化学品的操作。缺点是对于金属离子的去除没有效果。在等离子体场中没有足够的能量使金属离子挥发。需要对等离子体去胶的另一个考虑是高能等离子体场对电路的辐射损伤。采用将等离子体发生室从去除反应室移开的系统设计来减小这个问题。因而称其为下游去除机(downstream strip,这是因为等离子体在晶的下游产生。MOS晶圆在去胶中对辐射影响更加敏感。工业对干法等离子体工艺取代湿法去除期待已久。然而,氧等离子体不能去除移动离子的佥属污染.并且有一定程度的金属残留和辐射损伤,这使得湿法去除或湿法/于法结合继续保持着光刻胶去除工艺的主流。等离子体去除被用于硬化的光刻般层,然后以湿法来去除未被等离子体去掉的残留物。有专门的湿法去胶机处理这些硬化的光刻胶层。两个有问题的地方是离子注人后光刻胶的去除和等离子体去除之后,离子注人导致强烈的光刻胶聚合并使表层崆化。一般地,用十法工艺来去除或减少光刻胶,然后再加以湿法上艺...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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一、引言在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上,美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯和奎斯特报告了砷化镓材料的光发射现象,这引起通用电气研究实验室工程师哈尔的极大兴趣,在会后回家的火车上他写下了有关数据。回到家后,哈尔立即制定了研制半导体激光器的计划,并与其他研究人员一道,经数周奋斗,他们的计划获得成功。从此拉开了研究半导体激光器的序幕。像晶体二极管一样,半导体激光器也以材料的P—n结特性为基础,且外观亦与前者类似,因此,半导体激光器常被称为二极管激光器或激光二极管。本文对半导体激光器的原理,发展以及应用等作简要介绍。二、半导体激光器原理半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件。其工作原理是,通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注入式,光泵式和高能电子束激励式。电注入式半导体激光器,一般是由GaAs(砷化镓),lnAs(砷化铟),InSb(锑化铟)等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激发射。三、半导体激光器的发展2O世纪6O年代初期的半导体激光器是同质结型激光器,它是存一种材料上制作的PN结二极管在正向...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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半导体工艺-----光刻刻蚀一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型:正性光刻和负性光刻,区别如下二、光刻工艺步骤1.清洗硅片通过化学清洗、漂洗、烘干的方式去除污染物、杂质颗粒,减少针孔和其他缺陷从而提供光刻胶粘附性2.预烘和底膜涂覆使用HMDS作为底胶,可以去除SiO2表面的-OH基,在100℃下脱水烘焙去除圆片表面的潮气3.光刻胶涂覆硅圆片放置在高速旋转的真空卡盘上,将液态光刻胶滴在圆片中心,光刻胶以离心力向外扩展从而均匀涂覆在圆片表面。4.前烘促进胶膜内溶剂充分挥发,使得胶膜干燥,增加与其SiO2的粘附性以及耐磨性。烘焙时间不宜过长,温度不宜过高。5.对准为了成功在硅片上形成图形,必须把硅片上的正确图形与掩膜版上的图形对准,套准精度是测量对准系统把版图套刻到硅片上图形的能力。6. 曝光7.后烘光刻胶分子发生热运动,过曝光和欠曝光的光刻胶分子发生重分布,通过后烘可以平衡驻波效应(入射光与反射光干涉现象),提供分辨率8.显影通过显影、漂洗、干燥达到显影液溶解掉光刻胶中软化的部分的目的9.坚膜温度通常要高于前烘温度100-130℃,时间2分钟。蒸发光刻胶中所有有机溶剂、提高刻蚀和注入的抵抗力、提高光刻胶和表面的粘附性、聚合和使得光刻胶更加稳定、光刻胶流动填充针孔10.图形检测通过SEM、OM检测,若出现问题如;未对准、掩膜旋转、晶圆旋转、X/Y方向错位、临界尺寸、表面不规...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上,为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3,耗费时间约占整个硅片工艺的40~60%。 光刻机是生产线上最贵的机台,5~15百万美元/台。主要是贵在成像系统(由15~20个直 径为200~300mm的透镜组成)和定位系统(定位精度小于10nm)。其折旧速度非常快,大约3~9万人民币/天,所以也称之为印钞机。光刻部分的主 要机台包括两部分:轨道机(Tracker),用于涂胶显影;扫描曝光机(Scanning ) 光刻工艺的要求:光刻工具具有高的分辨率;光刻胶具有高的光学敏感性;准确地对准;大尺寸硅片的制造;低的缺陷密度。 光刻工艺过程 一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。 1、硅片清洗烘干(Cleaning and Pre-Baking) 方法:湿法清洗+去离子水冲洗+脱水烘焙(热板150~2500C,1~2分钟,氮气保护) 目的:a、除去表面的污染物(颗粒、有机物、工艺残余、可动离子);b、除去水蒸气,是基底表面由亲水性变为憎水性,增强表面的黏附性(对光刻胶或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷)。 2、涂底(Prim...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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半导体制造在很大程度上是一种与化学有关的工艺过程,高达20%工艺步骤是清洗和晶圆表面的处理:我们习惯将硅片制造中使用的化学材料称为工艺用化学品,有不同种类的化学形态(液态和气态)并且要严格控制纯度。这些工艺用化学品主要作用如下:用湿法化学溶液和超纯水清洗硅片表面;用高能离子对硅片进行掺杂得到P型或N型硅材料;淀积不同的金属导体层及导体层之间必要的介质层;生成薄的SiO2层作为MOS器件主要栅极介质材料;用等离子体增强刻蚀或湿法试剂,有选择的去除材料,并在薄膜上形成所需要的图形;液态高纯试剂,其等级根据纯度分为UP-S、UP、EL三个等级,其中EL又划分为:电子级1级(EL-Ⅰ)其金属杂质含量为100--1000 PPb,相当SEMI C1 C2标准;电子级2级(EL-Ⅱ)其金属杂质含量为10--100 PPb,,相当SEMI C7标准;电子级3级(EL-Ⅲ)其金属杂质含量为1--10 PPb,相当SEMI C7标准;电子级4级(EL-Ⅳ)其金属杂质含量为0.1--1PPb,相当SEMI C8标准;1.液态化学品   在半导体制造的湿法工艺步骤中使用了许多种液态化学品。在硅片加工厂减少使用化学品是长期的努力。许多液体化学品都是非常危险的,需要特殊处理和销毁手段。另外,化学品的残余不仅会沾污硅片,还会产生蒸气通过空气扩散后沉淀在硅片表面。在硅片加工厂液态工...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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氧化/扩散/退火设备是半导体制造环节中的重要热工艺设备。氧化是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理,在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程。扩散是指在高温条件下,利用热扩散原理将杂质元素按工艺要求掺入硅衬底中,使其具有特定的浓度分布,从而改变硅材料的电学特性。退火是指加热离子注入后的硅片,修复离子注入带来的晶格缺陷的过程。用于氧化/扩散/退火的基本设备有三种:卧式炉、立式炉和快速升温炉(RTP)。根据 2018 年 Gartner 的数据,氧化/扩散/退火设备占晶圆制造(含先进封装)设备的 3%左右。氧化工艺氧化是将硅片放置于氧气或水汽等氧化剂的氛围中进行高温热处理,在硅片表面发生化学反应形成氧化膜的过程。氧化膜的用途广泛,主要有以下几个方面:(1)保护器件免受划伤和沾污;(2)表面钝化层;(3)形成栅极氧化层或者作为存储器单元结构中的介质材料;(4)掺杂过程中的掩蔽层;(5)金属导电层之间的介质层等等。
发布时间: 2021 - 03 - 01
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半导体的工艺流程:主要包括四个方面,单晶硅片制造、IC芯片设计、晶圆制造和封装测试。这四大流程里,除了IC芯片设计对于半导体设备的需求很少,其他3个都需要大量的半导体设备。 单晶硅片制造需要单晶炉等设备,IC晶圆制造需要光刻机、刻蚀机、薄膜设备、扩散/离子注入设备、湿法设备、过程检测等6大类设备。封装测试需要封装机,封膜机 ,测试机等设备。其中国内湿法设备厂商主要从事半导体、太阳能、FPD领域湿制程设备的设计、研发、生产及销售;目前已形成湿槽式清洗、单片刻蚀、干燥甩干系列、供液系统、电(化学)镀五大系列产品; 广泛应用于半导体材料加工、集成电路、光伏产品、LED、MEMS以及分立器件等行业和领域。今天主要来介绍下华林科纳RCA湿法腐蚀清洗机设备  一、设备概况设备名称:RCA湿法腐蚀清洗机整机尺寸:具体尺寸根据实际图纸确定二、使用对象硅晶片2-12inch三、适用领域半导体、太阳能、液晶、MEMS等四、设备用途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备五、设备包括设备主体、电气控制部分、化学工艺槽、纯水清洗槽等;并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等。六、主体构造特点1、设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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一、激光器的发展 1916年爱因斯坦提出了一套全新的技术理论‘受激辐射’。这一理论说明在组成物质的原子中,有不同数量的电子分布在不同的能级上,在高能级上的粒子受到某种光子的激发,从高能级跃迁到低能级上,这时将会辐射出与激发它的光相同性质的光,而且在某种状态下,能出现一个弱光激发出一个强光的现象。这就叫做“受激辐射的光放大”,简称激光。  1960年7月7日,梅曼研制成功世界上第一台激光器,梅曼的方案是,利用一个高强闪光灯管,来刺激在红宝石色水晶里的铬原子,从而产生一条相当集中的纤细红色光柱,当它射向某一点时,可使其达到比太阳表面还高的温度。  到目前为止,激光产业得到空前发展,制造出了各种各样的激光产品,其中包括固体激光器、气体激光器、液体激光器以及其他激光器。涉及到医学治疗、工业切割、测量、探测、激光武器、条形码识别等多个领域,具有非常诱人的前景。 二、半导体激光器发展及应用 半导体激光器的发展是从上世纪60年代开始的。当时的半导体激光器主要是同质结激光器,外形类似于晶体二极管,故常被称为二极管激光器,但此种激光器在实际应用中存在很多限制。第二阶段是异质结构激光器,首先是单异质结构激光器,但它因无法实现室温下连续工作而被淘汰,然后出现双异质结构激光器解决了这个问题。1978年出现了世界上第一个半导体量子阱激光器...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间,电阻率约在1mΩ·cm~1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。         半导体材料主要应用于晶圆制造与芯片封装环节。由于半导体制造与封测技术的复杂性,从晶圆裸片到芯片成品,中间需要经过氧化、溅镀、光刻、刻蚀、离子注入、以及封装等上百道特殊的工艺步骤,半导体技术的不断进步也带动了上游专用材料与设备产业的快速发展。就半导体材料而言,主要应用领域集中在晶圆制造与芯片封装环节(如图): 半导体材料是半导体产业链中细分领域最多的产业链环节,其中晶圆制造材料包括硅片、光刻胶、光刻胶配套试剂、湿电子化学品、电子气体、 CMP 抛光材料、以及靶材等,芯片封装材料包括封装基板、引线框架、树脂、键合丝、锡球、以及电镀液等,同时类似湿电子化学品中又包含了酸、碱等各类试剂,细分子行业多达上百个。硅片硅片的生产过程非常复杂,从硅石到硅片需要经过提纯、熔铸、拉棒、切割、抛光、清洗等多道工序。一般而言,硅片要经过硅石的三步提纯制备出纯度为 99.9999999%的半导体级硅,再通过熔铸、拉棒等工艺流程生产成适当直径的硅锭,最后被切割、抛光、清洗并通过质检环节后,...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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