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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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一、电池片工艺流程       制绒(INTEX)---扩散(DIFF)---后清洗(刻边/去PSG)---镀减反射膜(PECVD)---丝网、烧结(PRINTER)---测试、分选(TESTER+SORTER)---包装(PACKING)。二、前清洗(制绒)知识简介       1、RENA前清洗工序的目的:       (1)去除硅片表面的机械损伤层(来自硅棒切割的物理损伤);       (2)清除表面油污(利用HF)和金属杂质(利用HCl);  (3)形成起伏不平的绒面,利用陷光原理,增加对太阳光的吸收,在某种程度上增加了PN结面积,提高短路电流(Isc),最终提高电池光电转换效率。       2、前清洗工艺步骤:制绒→碱洗 →酸洗→吹干       Etch bath:刻蚀槽,用于制绒。所用溶液为HF+HNO3 ,作用:     (1)去除硅片表面的机械损伤层;  &...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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1、导电类型conductivity type   2、n-型半导体  n-type semiconductor       多数载流子为电子的半导体。   3、p-型半导体  p-type semiconductor       多数载流子为空穴的半导体。   4、载流子  carrier       固体中一种能够传输电荷的载体,又称荷电载流子。例如,半导体中导电空穴和导电电子。   5、少数载流子minority carrier       小于载流子总浓度一半的那类载流子。例如:p型半导体中的电子。   6、杂质浓度impurity concentration       单位体积内杂质原子的数...
发布时间: 2016 - 03 - 23
浏览次数:119
晶片表面清洗       洁净的晶片是芯片生产全过程中的基本要求,但并不是在每个高温下的操作前都必须进行。一般说来,全部工艺过程中的高达20%的步骤为晶片清洗。而我在这里将要描述的清洗工艺,将贯穿芯片生产的全过程。        半导体工艺的发展过程在很多方面可以说是清洗工艺随着对无污染晶片需求不断增长而发展的过程。晶片表面有四大常见类型的污染,每一种在晶片上体现为不同的问题,并可用不同的工艺去除。这四种类型是:     1.颗粒     2.有机残余物     3.无机残余物     4.需要去除的氧化层        通常来说,一个晶片清洗的工艺或一系列的工艺,必须在去除晶片表面全部污染物(上述类型)的同时,不会刻蚀或损害晶片表面。它在生产配制上是安全的、经济的,是为业内可接受的。通常对清洗工艺的设计适用于两种基本的晶片状况。一种叫作前线(FEOL),特指那些形成活性电性部件之前的生产步骤。在这些步骤中,晶片表面尤其是MOS器件的栅区...
发布时间: 2016 - 03 - 23
浏览次数:144
砷化镓是一种感光性能比当前广泛使用的硅更优良的材料。理论上他将接收到的阳光40%的转化为电能,转化率约是硅的2倍,因此卫星和太空飞船等多采用砷化镓作为太阳能电磁板的材料。然而,超声波清洗器传统的砷化镓晶片制造技术每次只能生成一层晶片,成本居高不下,限制了砷化镓的广泛应用。砷化镓晶片在清洗工艺上的要求,是希望能够达到对晶片表面上残留的镓氧化物、砷氧化物和一些对后续工艺有害的金属、污垢、油污、杂质、蜡点、尘埃、脏点等。在清洗上存在的难题,可以采用超声波清洗机能够达到理想的清洗效果。       超声波清洗机的原理分解,可以达到物件全面洁净的清洗效果,特别对盲孔、深孔、凹凸槽清洗是最理想的清洗设备,不影响任何物件的材质与精度。超声波还具有的强力空腔化作用,可以在短时间内清洗掉砷化镓晶片上的污垢、油污,完全可保证产品的质量。       超声波清洗机清洗效果好,清洁度高且全部工件清洁度一致。清洗速度快,提高生产效率,不须人手接触清洗液,安全可靠。清洗砷化镓晶片的高清洗工艺要求,选用超声波清洗机清洗。言之,超声波清洗机的基本原理是以每秒几万次的振动,在液体中产生超声波空化作用形成空化泡。在空化泡消失时产生很大的冲击力,当被洗工件受到这个外力冲击时,工件表面的沾污就被剥离,达...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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太阳能电池片的浅结构是实现高效太阳能电池的有效途径之一,通常所说的浅结是指太阳能电池PN结结深小于0.3um,利用浅结可以显著的降低太阳能电池片表面的少数载流子复合速度,提高短波段的光谱响应。一、调整方向       1、提高少子寿命       2、提高短波吸收       3、减少死层       4、提高开路电压二、高方阻的缺点       串联电阻Rs=电极电阻+体电阻+薄层电阻+接触电阻。高方阻使得表面薄层电阻明显增加,增大了Rs,降低了FF。       方阻越高,需要越密的栅线与之配合,才能发挥出高方阻低表面浓度的优势,这其中有两个难点,其一是高方阻均匀性的控制,其二是银浆的选择,需要综合考虑银浆的导电特性、粘度等,使之适合密栅高方阻的印刷烧结。三、高方阻实现方法       1、低温淀积+高浓度淀积    ...
发布时间: 2016 - 03 - 23
浏览次数:128
这主要从两个方面来考虑:一个是材料和工艺问题;另一个是电气性能问题。       P型半导体是在单晶硅(或锗)中参入微量的三价元素,如:硼、铟、镓或铝等;N型半导体是在单晶硅(或锗)中参入微量的五价元素,如:磷、锑、砷等。P型半导体与N型半导体,在材料成本方面应该差别不是很大,但要把它做成一个电子产品,在生产工艺方面会存在很大的差异。       例如,用本征锗材料制作PNP晶体管相对于用本征锗材料制作NPN晶体管容易很多,因为铟与锗比较容易结合(扩散);同样,用本征硅材料制作NPN晶体管,相对于用本征硅材料制作PNP管要容易很多。       某种半导体生产工艺的诞生并不是一天就可以达到尽善尽美的,需要通过大量试验和经验积累。早期生产的场效应管大部分是结型场效应管,这种结型场效应管在结构方面与PNP晶体管很相似,两者的区别主要是基区引出电极的区别(基极与源极和漏极)。晶体管把中间的一层(N区)当成一个电极引出称为基极,其余上下两层(P-P区)分别当发射极和集电极引出;而场效应管则是把基区当成一个导电沟道(N沟道),并在其两端分别引出一个电极,称为源极和漏极,其余上下两层(P-P区)分别当源极和栅极引出。...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的,并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法,该清洗法主要包括以下几种清洗液。        (1)SPM:H2SO4 /H2O2 120~150℃ SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。        (2)HF(DHF):HF(DHF) 20~25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金属,DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物。用DHF清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀。        (3)APM (SC-1):NH4OH/H2O2 /H2O ...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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简介半导体产业是现代电子工业的核心,而半导体产业的基础是硅材料工业。虽然有各种各样新型的半导体材料不断出现,但 90%以上的半导体器件和电路,尤其是超大规模集成电路(ULSI)都是制作在高纯优质的硅单晶抛光片和外延片上的。硅片清洗对半导体工业的重要性早在50年代初就已引起人们的高度重视,这是因为硅片表面的污染物会严重影响器件的性能、可靠性、和成品率。随着微电子技术的飞速发展以及人们对原料要求的提高,污染物对器件的影响也愈加突出。20世纪70年代在单通道电子倍增器基础上发展起来一种多通道电子倍增器。微通道板具有结构简单、增益高、时间响应快和空间成像等特点,因而得到广泛应。它主要应用于各种类型的像增强器、夜视仪、量子位置探测器、射线放大器、场离子显微镜、超快速宽频带示波器、光电倍增器等。微通道板是一种多阵列的电子倍增器,是微光像增强器的核心部件。MCP的制作工艺周期长且复杂,表观疵病是制约MCP成品率的关键因素之一。在MCP的工艺制造过程中,不可避免遭到尘埃、金属、有机物和无机物的污染。这些污染很容易造成其表面缺陷及孔内污垢,产生发射点、黑点、暗斑等,导致MCP的良品率下降,使得管子质量不稳定以至失效,因此在MCP的制造过程中利用超声波清洗技术去除污染物十分重要。 清洗方式普通的清洗方法一般不能达到孔内,而孔内芯料的反应生成物及其他污染物会在后序工艺中会产生重复污染...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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所谓的半导体,是指在某些情况下,能够导通电流,而在某些条件下,又具有绝缘体效用的物质;而至于所谓的IC,则是指在一半导体基板上,利用氧化、蚀刻、扩散等方法,将众多电子电路组成各式二极管、晶体管等电子组件,作在一微小面积上,以完成某一特定逻辑功能(例如:AND、OR、NAND等),进而达成预先设定好的电路功能。自1947年12月23日第一个晶体管在美国的贝尔实验室(Bell Lab)被发明出来,结束了真空管的时代,到1958年TI开发出全球第一颗IC成功,又意谓宣告晶体管的时代结束,IC的时代正式开始。从此开始各式IC不断被开发出来,集积度也不断提升。从小型集成电路(SSI),每颗IC包含10颗晶体管的时代;一路发展MSI、LSI、VLSI、ULSI;再到今天,短短50年时间,包含千万个以上晶体管的集成电路已经被大量生产,并应用到我们的生活的各领域中来,为我们的生活带来飞速的发展。不能想象离开半导体产业我们的生活将会怎样,半导体技术的发展状况已成为一个国家的技术状况的重要指针,电子技术也成为一个国家提高国防能力的重要途径。 半导产品类别    目前的半导体产品可分为集成电路、分离式组件、光电半导体等三种。    集成电路(IC),是将一电路设计,包括线路及电子组件,做在一片硅芯片上,使其具有处理信息的功能...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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一、双极型IC的基本制造工艺:      A、在元器件间要做电隔离区(PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离)          ECL(不掺金) (非饱和型) 、TTL/DTL (饱和型) 、STTL (饱和型)       B、在元器件间自然隔离          I2L(饱和型)二、MOSIC的基本制造工艺:      根据栅工艺分类:                A  铝栅工艺                B  硅栅工艺      ...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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