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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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华林科纳研发的单片清洗设备已升级为单腔多层的机台类型,可以支持多种溶液在一个反应腔里相继进行腐蚀清洗工作。该设备里配有承接晶片的承片台,它载着硅片变换不同的高度。在不同高度处,会有不同的溶液喷到正在旋转的晶片表面,完成特定的功能后按不同的溶液回收到不同的回收区域,酸液即可被循环使用。↑ 单腔多层腔体结构示意图延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 11 - 15
浏览次数:225
旋转喷淋清洗是浸入型清洗的变型。系统中一般包括自动配液系统、清洗腔体、废液回收系统。喷淋清洗在一个密封的工作腔内一次完成化学清洗、去离子水冲洗、旋转甩干等过程,减少了在每一步清洗过程中由于人为操作因素造成的影响。在喷淋清洗中由于旋转和喷淋的效果,使得硅片表面的溶液更加均匀,同时,接触到硅片表面的溶液永远是新鲜的,这样就可以做到通过工艺时间设置,精确控制硅片的清洗腐蚀效果,实现很好的一致性。密封的工作腔可以隔绝化学液的挥发,减少溶液的损耗以及溶液蒸气对人体和环境的危害。各系统分别贮于不同的化学试剂,在使用时到达喷口之前才混合,使其保持新鲜,以发挥最大的潜力,这样在清洗时会反应最快。用N2喷时使液体通过很小的喷口,使其形成很细的雾状,至硅片表面达到更好的清洗目的。此方法适用于除去氧化膜或有机物。因为化学物质在硅片表面停留的时间比较短,对反应需要一定时间的清洗效果不好。在喷洗过程中所使用的化学试剂很少,对控制成本及环境保护有利。延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 11 - 12
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一. 硅片的化学清洗工艺原理  硅片经过不同工序加工后,其表面已受到严重沾污,一般讲硅片表面沾污大致可分在三类:  A. 有机杂质沾污: 可通过有机试剂的溶解作用,结合超声波清洗技术来去除。  B. 颗粒沾污:运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒,利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。  C. 金属离子沾污:必须采用化学的方法才能清洗其沾污,硅片表面金属杂质沾污有两大类:  a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。  b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着(尤如“电镀”)到硅片表面。  硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污,一般可按下述办法进行清洗去除沾污。  a. 使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属,溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。  b. 用无害的小直径强正离子(如H+)来替代吸附在硅片表面的金属离子,使之溶解于清洗液中。  c. 用大量去离水进行超声波清洗,以排除溶液中的金属离子。  自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用,1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺,近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来,例如 :  ⑴ 美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术。  ⑵ 美国原CFM公司推出的Full-Flow systems...
发布时间: 2018 - 08 - 22
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VDMOS生产工艺基本结构:•n+衬底,漏极D•n-外延层,漂移区•p阱(又叫p基区或体区)•n+源区,源极S•多晶硅栅,栅氧层,栅极G整个器件的构成:•前述结构实际只是器件的一个元胞,整个器件实际是由很多这样的元胞并联而成的•剖面图 立体图: 1、 原始硅片磨抛:原始硅片磨去40µm,抛光80µmN+535µm2、清洗,并且用显微镜检查表面3、外延生长N-:ρ=20~30Ω·cm,d=45µm4、清洗5、氧化:dox=6500±250Å,800℃-1000℃-800℃6、一次版7、腐蚀,去胶,清洗腐蚀:温度25℃8、P+扩散预扩:R□=80~100Ω/□•700℃-940℃-700℃主扩:R□=150~180Ω/□•800℃-1150℃-800℃9、氧化10、光刻:二次版反刻P+区,5000pm11、腐蚀,(温度25℃)t=8.1s12、去胶清洗13、栅氧化•dox=1000-1100Å•作C-V检查•实测dox=1060-1050Å14、生长多晶硅7000ű200Å15、 清洗16、三次版:光刻P-区(多晶硅)三次版留下栅和互连的多晶硅(使多晶硅成为p型)17、腐蚀多晶硅(P-区),干腐:9'50'&#...
发布时间: 2021 - 04 - 09
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清洗是工业生产必不可少的环节,目前工业清洗主要采用有机溶剂清洗和水溶液清洗。有机溶剂以挥发性溶剂(VOC)和含卤素的氯氟烂(CFC)溶剂为主,每年全世界要用几百万吨,由此引起对臭氧层的破坏、对大气环境的污染非常严重。1987年世界各国签署的蒙特利尔公约已经规定了这类溶剂的禁用日程表。水溶液清洗需要复杂的表面活性剂配方,干燥时间长,处理的金属易于生锈,而且会形成二次污染,也必然要增加设备和处理费用。因此,研究开发环境友好的清洗剂和清洗方法成为当务之急。超临界CO2(SCCO2)是一种可以代替VOC和CFC的清洗剂,具有一定的优点。SCCO2对有机物有一定的溶解能力,清洗过程中对各种清洗材料性能稳定,粘度低和扩散性高,表面张力低,润湿性良好,极易渗入待清洗材料内部,可有效去除死区的污垢,清洗后无需干燥,无残留。1 超临界流体的特性超临界流体是指物质的温度和压力分别处在其临界温度和临界压力之上时的一种特殊的流体状态。超临界流体的密度为气体的数百倍,接近于液体,粘度接近于气体,扩散系数大约为气体的1%,而较液体大数百倍。一般来讲,超临界流体的密度越大,其溶解度就越大。在恒温下,超临界流体中物质的溶解度随压力升高而增大。将温度和压力适当变化,可使溶解度在102~103倍的范围内变化。超临界流体的这一特性,会产生两种十分有利的应用效果:一方面,目标物(如要清除的污染物等)会最大限度地溶解于超临...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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国外经典半导体工艺视频:晶圆表面电路的设计(下)↑  此文件仅供参考学习,勿用于商业用途延展阅读★华林科纳公司简介★华林科纳行业新闻★华林科纳产品中心★华林科纳人才招聘★半导体小课堂
发布时间: 2018 - 12 - 03
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华林科纳晶圆电镀设备分两个系列, CPE(半自动)/CPEA(全自动),主要 用于半导体晶圆凸点UBM金属层制作 以及陶瓷基板上的金属层的电镀; 还 可用于硅片制造中表层剥离、去除杂 质以及大尺寸图形腐蚀等方面。• 目前,比较典型的凸点制作工艺流程主要包括焊料凸点制作和金凸点制作。• 焊料凸点制作工艺流程: • 清洗→溅射Ti/Cu→光刻1→电镀Cu/Ni→去胶→腐蚀→介质制作→光刻2→腐蚀介质→去胶→溅射Ti/Cu→光 刻3→镀Cu/Ni→镀焊料→去胶→腐蚀Cu→腐蚀Ti→硅片回流→检测凸点→划片分割→成品。• 金凸点制作工艺流程: • 清洗→溅射TiW/Au→厚胶光刻→扫胶→电镀Au→去胶→清洗→腐蚀Au→腐蚀TiW→退火→检测→成品。• 一般来说,凸点制备过程中,主要采用电镀铜、镍、金、锡铅、锡银等镀种,一些特殊的凸点工艺还使用金锡、 锡、银、铟、化学镀镍等镀种。 更多的半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 11 - 02
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刻蚀的目的是把经曝光、显影后光刻胶微图形中下层材料的裸露部分去掉,即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。刻蚀方法分为:干法刻蚀和湿法刻蚀,干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术,一般是借助等离子体中产生的粒子轰击刻蚀区,它是各向异性的刻蚀技术,即在被刻蚀的区域内,各个方向上的刻蚀速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术;湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术,这是各向同性的刻蚀方法,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料,通常SiO2采用湿法刻蚀技术,有时金属铝也采用湿法刻蚀技术,国内的苏州华林科纳CSE在湿法这块做得比较好。下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程:二氧化硅腐蚀:在二氧化硅硅片腐蚀机中进行,国内腐蚀机做的比较好的有苏州华林科纳(打个广告),腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时,腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高,腐蚀越快,掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度最敏感,温度越高,腐蚀越快。具体步骤为:1、将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃动,浸润剂(FUJI FILM DRIWEL)的作用是减小硅片的表面张力,使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触,从而达到充分腐蚀;2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液(氟化铵溶液)的槽中浸泡...
发布时间: 2016 - 07 - 25
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光刻的作用是把掩模版上的图形转换成晶圆上的器件结构,它对集成电路图形结构的形成,如各层薄膜的图形及掺杂区域等,均起着决定性的作用。 光刻的基本流程:前处理——涂胶——对版曝光——显影——显影检查——后烘——腐蚀——腐蚀检查——去胶——检验归批。前处理硅片容易吸附潮气到它的表面,硅片暴露在潮气中叫做亲水性。对于光刻胶的粘附性,具有干燥成疏水性的硅片表面非常重要,所以在成底膜和光刻胶旋涂前要进行脱水烘焙。典型的烘焙是在传统的充满惰性气体(如氮气)的烘箱或者真空烘箱中完成,实际的烘焙温度是可变的,常用的温度是200—250℃。脱水后的硅片马上要用OAP (常用HMDS溶液:六甲基二硅胺烷)成底膜进行表面处理,它起到提高粘附力的作用。在硅片成底膜操作后尽快涂胶,使潮气问题达到最小化。成底膜的方法有:1、滴浸润液和旋涂:温度和用量容易控制,但系统需要排液和排气装置,HMDS溶液消耗量大。2、喷雾分滴和旋转:优点是喷雾有助于硅片上颗粒的去除,缺点是处理时间长和HMDS消耗大。3、气相成底膜和脱水烘焙:最常用,气相成底膜一般200—250℃下约30S完成。优点是由于没有与硅片接触减少了来自液体HMDS颗粒沾污的可能,HMDS的消耗量也小。一种方法是先进行脱水烘焙,再将单个硅片置于热板上通过热传导熏蒸形成底膜,这种方法优点是硅片由里向外烘焙,低缺陷密度,均匀加热和可重复性。另一种方法是以...
发布时间: 2016 - 07 - 25
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超声清洗的物理机制主要是超声空化,所以要达到良好的清洗效果必须选择适当的声学参数和清洗剂的物理化学性质。  声强。声强愈高,空化愈强烈。但声强达到一定值后,空化趋于饱和。声强过大会产生大量气泡增加散射衰减,同时声强增大会增加非线性衰减,而减弱远离声源地方的清洗效果。  频率。频率越高空化阈愈高,也就是说要产生声空化,频率愈高,所需要的声强愈大。例如在水中要产生空化,在400kHz时所需要的功率要比在10kHz时大10倍。一般采用的频率范围是20—40kHz。低频空化强度高,适用于大清洗件表面及污物与清洗件表面结合强度高的场合,但不易穿透深孔和表面形状复杂的部件,且噪声大;较高频率虽然空化强度较弱,但噪声小,适用于较复杂表面形状、狭缝及污物与清洗件表面结合力弱的清洗。声场分布。稳定的混响场对清洗有利,如果清洗槽中有驻波声场,则因声压分布不均匀,清洗件得不到均匀的清洗。因此,在可能的条件下,槽的几何形状要选择适合于建立混合声场的形状。除此以外,可以采用双频、多频和扫频工作方式以避免清洗“死区”。  清洗液的温度。温度升高液体的表面张力系数和粘滞系数会下降,因而空化阈值下降,使空化易于产生;但由于温升,蒸汽压增大会降低空化强度。水的较佳温度为60摄氏度,不同的清洗剂有不同的最佳温度。  粘滞系数。粘滞系数大的液体难于产生空化,而且传播损失也加大,不利于清洗。  蒸汽压。蒸汽压低,空化阈高...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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