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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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稀释酸清洗工艺是在200mm和300mm晶圆的两套不同的FSI ZETA?/SUP喷雾清洗系统上进行的。200mm系统如图1所示。在PFA处理盒里,晶圆必须保持水平。200mm系统可处理4篮晶圆,每篮25片,而300mm系统可处理2篮,每篮25片。篮子放置在旋转速度高达500rpm的PFA转盘上。旋转的晶圆篮放在有密封塞的氮气净化腔内。化学试剂,清洗水和氮气由附在腔盖的中心喷洒柱喷出,液体从边上的喷洒柱喷向净化腔的墙壁。化学试剂使用混合分管进行混合和稀释。混合比例由工艺配方确定,并由精确的流程控制器进行严格控制。 使用IR发热器来控制试剂喷进腔前的温度。试剂流经晶圆表面的温度由安装在腔内的温度计严格监视。这种测量法可使工艺最优化,或者在精密的刻蚀应用中,可用来控制刻蚀时间以取得所需的刻蚀成度。本文中,我们用稀释的H2SO4, H2O2和HF混合物来去除铝线条(M1和M2),氧化层通孔及键合焊盘窗口的残留物。在所有情况下,无需进行主动的温度控制就可以取得良好效果。化学试剂在混合后温度达35℃, 在雾化发送进腔内的过程中降温. 晶圆表面温度经过3分钟的处理,慢慢地从室温升至25℃左右。在M1和M2的清洗中,我们也检测了在处理晶圆前先把混合物冷却至25℃,如下所述。表1列示出用于本操作中的喷雾时间范围,试剂的温度及浓度的范围。M1金属叠层包括一个位于Al-Cu-Si合金下的 T...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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蓝宝石晶片的净化包括清洗方式、清洗剂的配方、清洗设备、清洗环境和清洗工艺。清洗方式主要分为湿式清洗和干式清洗, 目前湿式清洗在蓝宝石晶片表面净化中仍处于主导地位。下面主要就蓝宝石晶片的湿式清洗的清洗剂性质、清洗设备、清洗环境分别阐述。    清洗剂的性质          清洗剂的去污能力, 对湿式清洗的清洗效果有决定性的影响, 根据蓝宝石晶片清洗目的和要求, 选择适当的清洗剂是湿式清洗的首要步骤。蓝宝石晶片清洗中常用的化学试剂和洗液主要有无机酸、氧化剂、络合剂、双氧水溶剂、有机溶剂、合成洗涤剂、电子清洗剂等七大类清洗设备     ●超声波清洗机  超声波清洗机是微电子工业中广泛应用的一种清洗设备, 超声波的清洗原理是: 在强烈的超声波作用下(常用的超声波频率为20-40kHz), 清洗剂内部会产生疏部和密部, 疏部产生近乎真空的空穴, 当空穴消失的瞬间, 其附近便产生强大的局部压力, 使分子内的化学键断裂, 从而使蓝宝石晶片表面的杂质解吸。当超声波的频率和空穴的振动频率共振时,...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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1 引言       目前,半导体行业中广泛使用的清洗方法仍是RCA(美国无线电公司)清洗法。但在向下一代65nm节点的迈进中,新结构的纳米器件对于清洗设备不断提出了新的挑战,因而对硅片表面各种污染物的控制规定了纳米微粒去除的特殊要求。根据国际半导体技术发展路线图计划,当半导体器件从90nm提升到65nm工艺时,必须将清洗过程中单晶硅和氧化硅的损失量从0.1nm减小到0.05nm[1]。       这就对新一代清洗设备和清洗技术提出了无损伤和抑制腐蚀的新工艺要求,所以研发新颖的、合适的硅片表面的纳米微粒清洗技术势在必行。2 传统的硅片湿法清洗和干法清洗技术2.1 污染物杂质的分类       根据污染物产生的原因,大致可将它们分为颗粒、有机物杂质、金属污染物三类。       (1)颗粒:主要是一些聚合物、光致抗蚀剂等。颗粒的存在会造成IC芯片短路或大大降低芯片的测试性能[2]。       (2)有机物杂质:它在硅片上以多种方式存在,如人的皮肤油脂、防锈油、润滑油、松香、蜡等。这些物...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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硅片经过不同工序加工后,其表面已受到严重沾污,一般讲硅片表面沾污大致可分在三类:       A. 有机杂质沾污: 可通过有机试剂的溶解作用,结合超声波清洗技术来去除。         B. 颗粒沾污:运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒,利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。          C. 金属离子沾污:必须采用化学的方法才能清洗其沾污。        硅片表面金属杂质沾污有两大类:一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着(尤如“电镀”)到硅片表面。        硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污,一般可按下述办法进行清洗去除沾污。      ...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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硅片的表面受到比较严重的污染,这时候可以考虑使用如下几种化学清洗方法进行清洁:       a.使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属,溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。       b.用无害的小直径强正离子(如H+)来替代吸附在硅片表面的金属离子,使之溶解于清洗液中。       c.用大量去离水进行超声波清洗,以排除溶液中的金属离子。自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用,1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺,近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来,例如:       ⑴美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术。       ⑵美国原CFM公司推出的Full-Flowsystems封闭式溢流型清洗技术。       ⑶美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术(例GoldfingerMach2清洗系统)。  &#...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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摘要:研究了一种新颖的添加了表面活性剂和HF的RCA的改进工艺,并和标准RCA工艺与目前被广泛采用的稀释RCA工艺进行了比较后指出,改进工艺对金属沾污和表面颗粒的有效去除能力,使0.18mm以上的颗粒能够控制在15颗以内,金属沾污能够有效降至109原子cm-2以下(Al略高小于1010cm-2)。1 引言       目前在半导体工业生产中,普遍采用的清洗工艺是改进的RCA清洗技术,多年来,人们对RCA清洗技术的清洗效果进行了深入的研究,kern证明RCA工艺可在硅片的表面形成1~1.5nm的氧化硅钝化膜[1],okumura观察到标准的RCA清洗对硅片表面有较严重的粗糙化作用[2],研究人员一直没有放弃取代技术的研究。1994年,山东大学发明了可以与标准RCA工艺相媲美的新型清洗技术[3],采用了DGQ-1和DGQ-2新型清洗剂,近年来也被广泛采用。本文主要讨论了添加表面活性剂和HF的RCA改进清洗技术对抛光片金属沾污和表面颗粒的影响。2 实验方法       分别采用φ150mm,p(100),8~11Ω·cm;φ125mm,p(111),3~5Ω·cm;φ100mm,n(100),0.0012~0.0015Ω·cm;φ100mm...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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一、概述:  电子工业清洗是一个很广的概念,包括任何与去除污染物有关的工艺,但针对不同的对象,清洗的方法有很大的区别。目前在电子工业中已广泛应用的物理化学清洗方法,从运行方式来看,大致可分为两种:湿法清洗和干法清洗。湿法清洗已经在电子工业生产中广泛应用,清洗主要依靠物理和化学(溶剂)的作用,如在化学活性剂吸附、浸透、溶解、离散作用下辅以超声波、喷淋、旋转、沸腾、蒸气、摇动等物理作用下去除污渍,这些方法清洗作用和应用范围各有不同,清洗效果也有一定差别。CFC清洗在过去的清洗工艺中,从清洗效力及后续工序上都占有很重要的地位,但由于其损耗大气臭氧层,而被限制使用。对于替代工艺,在清洗过程中,不可避免的存在需后续工序的烘干(ODS类清洗不需烘干,但污染大气臭氧层,目前限制使用)及废水处理,人员劳动保护方面的较高投入,特别是在电子组装技术,精密机械制造的进一步发展,对清洗技术提出越来越高的要求。环境污染控制也使得湿法清洗的费用日益增加。相对而言,干法清洗在这些方面有较大优势,特别是以等离子清洗技术为主的清洗技术已逐步在半导体、电子组装、精密机械等行业开始应用。因此,有必要了解等离子清洗的机理及其应用工艺。二、等离子体清洗机理  等离子体是正离子和电子的密度大致相等的电离气体。由离子、电子、自由激进分子、光子以及中性粒子组成。是物质的第四态。  通常情况下,人们普遍认为的物质有三态:固态、液态...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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一般来说:用于清洗的超声波,其频率应在20KHz~80KHz之间,频率低噪音大,换能器的体积也偏大,高频率的超声波通常被应用于探伤,医疗诊断和超声波加湿。超声波设备概述       一定频率范围内的超声波作用于液体介质内可起到清洗工件的作用。这一清洗技术自问世以来,受到了各行各业的普遍关注。超声波清洗机的运用极大地提高了工作效率和清洗精度,以往清洗死角、盲孔和难以触及的藏污纳垢之处一直使人们备感头痛,新技术的开发和运用使这一工作变得轻而易举。近年来,随着电子技术的日新月异,超声波清洗机也同我们日常生活离不开的收音机一样,经过了几代的演变,技术更加先进,效果更加显著,同样,它的价格也越来越多的被社会所接受,在各行各业中逐渐被广泛运用。超声波清洗设备主要由以下组件构成:    1、清洗槽:盛放待洗工件,不锈钢制成,可安装加热及控温装置。    2、换能器(超声波发生器):将电能转换成机械能,压电陶瓷换能器,频率、功率视具体机型。    3、电源:为换能器提供所需电能,逆变电源,进口IGBT元件,安装过流保护线路。    换能器将高频电能转换成机械能之后,会产生振幅极小的高频震动并传播到清洗槽内的溶液...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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芯片清洗用超纯水设备优点           1、无需酸碱再生:在混床中树脂需要用化学药品酸碱再生,而EDI则消除了这些有害物质的处理和繁重的工作。保护了环境。           2、连续、简单的操作:在混床中由于每次再生和水质量的变化,使操作过程变得复杂,而EDI的产水过程是稳定的连续的,产水水质是恒定的,没有复杂的操作程序,操作大大简便化。           3、降低了安装的要求:EDI系统与相当处理水量的混床相比,有较不的体积,它采用积木式结构,可依据场地的高度和灵活的构造。模块化的设计,使EDI在生产工作时能方便维护。  芯片清洗用超纯水设备的工艺流程           1、采用离子交换方式,其流程如下:原水→原水加压泵→多介质过滤器→活性炭过滤器→软水器→精密过滤器→阳树脂过滤床→阴树脂过滤床→阴阳树脂混床→微孔过滤器→用水点。  &...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。它是硅片表面物理和化学两种过程平衡的结果。在半导体刻蚀工艺中,存在着两个极端:离子铣是一种纯物理刻蚀,可以做到各向异性刻蚀,但不能进行选择性刻蚀;而湿法刻蚀如前面所述则恰恰相反。人们对这两种极端过程进行折中,得到目前广泛应用的一些干法刻蚀技术。例如;反应离子刻蚀(RIE --Reactive Ion Etching)和高密度等离子体刻蚀(HDP)。这些工艺都具有各向异性刻蚀和选择性刻蚀的特点。反应离子刻蚀通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用刻蚀。具有溅射刻蚀和等离子刻蚀两者的优点,同时兼有各向异性和选择性好的优点。目前,RIE已成为VLSI工艺中用最广泛的主流刻蚀技术。      干法刻蚀借助等离子体中,产生的粒子轰击刻蚀区,是各向异性的刻蚀技术,即在被刻蚀的区域内,各个方向上的刻蚀速度不相同。湿法刻蚀是各向同性的刻蚀方法,利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料。通常,氮化硅、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术,二氧化硅采用湿法刻蚀技术,有时金属铝也采用湿法刻蚀技术。通过刻蚀,或者是形成了图形线条,如多晶硅条、铝条等,或者是裸露了硅本体,为将来的选择掺杂确定了掺杂的窗口。
发布时间: 2016 - 03 - 23
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