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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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设备概述华林科纳CSE硅片有机清洗机,设备设计由华林科纳聘请的从事半导体生产的专家亲自指导,采用国际先进的生产加工工艺,在超净厂房组装测试,有可靠的质量保障。设备由不锈钢骨架,外包10mm厚瓷白防火PP板,洁净美观,耐腐蚀。电控面板置于机台上方,方便操作,并有防腐蚀保护,具有严格的安全防护措置。此设备腐蚀清洗装置主要是浸泡式清洗腐蚀、清洗主体(槽体部分/管路部分等),抽风系统,电控及操作台等部分组成,腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠。适用于4、6、8英寸硅片的清洗处理,腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠。设备结构    ※ 此设备腐蚀清洗装置主要由水平通过式腐蚀、清洗主体(槽体部分/管路部分等),抽风系统,机械臂,电控及操作台等部分组成;    ※ 设备工艺流程:根据设备所放场地布置要求(与客户沟通确定),设备左进右出,经手动放置上料位→AB清洗槽→AB清洗槽→DI冲水槽→HCL清洗槽→DI溢流槽→下料台,工艺处理合格后经操作人员手动下料;    ※ 安全门:进口优质透明PVC活动门(左右、上下推拉式),防止有毒气体挥发到室内,保证设备外部环境符合劳动保护的相关标准,以保证设备操作人员及其周围工作人员的身体健康;    ※ ...
发布时间: 2016 - 03 - 23
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化学机械研磨技术(化学机器磨光, CMP)兼具有研磨性物质的机械式研磨与酸碱溶液的化学式研磨两种作用,可以使晶圆表面达到全面性的平坦化,以利后续薄膜沉积之进行。       在CMP制程的硬设备中,研磨头被用来将晶圆压在研磨垫上并带动晶圆旋转,至于研磨垫则以相反的方向旋转。在进行研磨时,由研磨颗粒所构成的研浆会被置于晶圆与研磨垫间。影响CMP制程的变量包括有:研磨头所施的压力与晶圆的平坦度、晶圆与研磨垫的旋转速度、研浆与研磨颗粒的化学成份、温度、以及研磨垫的材质与磨损性等等。
发布时间: 2016 - 03 - 23
浏览次数:216
半导体晶圆在晶圆厂的时间通常有80%以上花费在等待、运输与储存方面。在这些长时间的非处理时期,洁净室空气、结构材料和/或先前处理工序可能会对晶圆表面造成分子级污染。随着关键尺寸的持续缩小以及新技术/材料/处理方法的推出,设备对空气分子污染物(AMC)已经变得更加敏感。惰性气体相对安定 氮气净化成新宠        惰性气体净化是一种提供化学洁净与稳定晶圆环境的技术。这种技术尤其有助于去除来自先前处理工序的逸散/残留气体,特别是腐蚀性气体。氧化、接触形式、酸蚀刻以及光刻都是首先需要这种技术能力的处理方法。铜互连与低-K电介质的面世进一步推动了这种需求。氧气与湿气的存在能够影响自然氧化层的发展,减少硅化物的厚度,进而提高表面电阻,生成微粒、引起腐蚀,并加速化学污染。        由于其高反应性以及和邻近水分子和/或其它化学物类形成氢键的可能性,湿气比氧气和大部分其它化学物类更难从晶圆环境中清除。惰性气体微环境也许是晶圆储存与运输的理想型解决方案,能够为对氧气及湿气敏感的产品或工序提供保护。C. Weibe、S. Abu-Zaid和H. Zhang发现持续用氮气进行晶圆盒净化能够长期显著减少硅表面的自然氧化层...
发布时间: 2016 - 03 - 23
浏览次数:342
1、研磨后的清洗研磨是光学玻璃生产中决定其加工效率和表面质量(外观和精度)的重要工序。研磨工序中的主要污染物为研磨粉和沥青,少数企业的加工过程中会有漆片。其中研磨粉的型号各异,一般是以二氧化铈为主的碱金属氧化物。根据镜片的材质及研磨精度不同,选择不同型号的研磨粉。在研磨过程中使用的沥青是起保护作用的,以防止抛光完的镜面被划伤或腐蚀。研磨后的清洗设备大致分为两种:一种主要使用有机溶剂清洗剂,另一种主要使用半水基清洗剂。(1)有机溶剂清洗采用的清洗流程如下:有机溶剂清洗剂(超声波)-水基清洗剂(超声波)-市水漂洗-纯水漂洗-IPA(异丙醇)脱水-IPA慢拉干燥。有机溶剂清洗剂的主要用途是清洗沥青及漆片。以前的溶剂清洗剂多采用三氯乙烷或三氯乙烯。由于三氯乙烷属ODS(消耗臭氧层物质)产品,目前处于强制淘汰阶段;而长期使用三氯乙烯易导致职业病,而且由于三氯乙烯很不稳定,容易水解呈酸性,因此会腐蚀镜片及设备。对此,国内的清洗剂厂家研制生产了非ODS溶剂型系列清洗剂,可用于清洗光学玻璃;并且该系列产品具备不同的物化指标,可有效满足不同设备及工艺条件的要求。比如在少数企业的生产过程中,镜片表面有一层很难处理的漆片,要求使用具备特殊溶解性的有机溶剂;部分企业的清洗设备的溶剂清洗槽冷凝管较少,自由程很短,要求使用挥发较慢的有机溶剂;另一部分企业则相反,要求使用挥发较快的有机溶剂等。水基清洗剂的主要用...
发布时间: 2021 - 04 - 12
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自从激光和光纤发明以后,光的应用层出不穷,而且随着技术的发展,应用范围在越来越宽。目前大致分为几大类应用:第一个应用是传统的工业激光加工。我们熟知的是其广泛用于消费电子的各类加工,未来在向高功率和精细化加工的方向发展,高功率的光纤激光器甚至可以替代原来的机床切割钢板,紫外激光器可以加工柔性OLED等精密昂贵的材料;第二个应用是光通信市场。光通信市场又可以细分为电信市场和数据中心市场,通信技术的每一次革命都带动了光通信向更大流量更高速率的方向前进,而数据中心更是随着数据量的爆发不断扩容;第三个应用是消费电子。以苹果手机搭载的前置人脸识别摄像头为代表,未来除了人脸识别摄像头模块会在支付或者安防等其他场景不断渗透外,后置的TOF摄像头能为物体提供3D的图像;第四个应用是医疗,有我们平常接触的光子嫩肤、飞秒激光去除近视眼等技术为人类带来了福音;第五个应用是激光雷达。在自动驾驶中激光雷达用于探测周围事物,产生点云数据把信息回传到自动驾驶大脑做出决策;最后还有一个应用是国防军工,有一些激光制导导弹和激光炮等新型武器。 分析整个光产业链,中国有庞大的下游市场,消费电子的生产制造集中在中国,华为、中兴是世界领先的光通信设备商;我们在中游也有大族激光这样优秀的设备集成商,有中际旭创这样优秀的光模块提供商;唯独在上游光芯片领域,我们的国产化率相当低。笔者统计了一下目前国内传输速率在25Gb/...
发布时间: 2021 - 03 - 02
浏览次数:82
目前,在国内外半一导体器件制造工艺中,用等离子去胶工艺代替常规化学溶剂去胶及高温氧气去胶已获得显著效果,越来越引起半导体器件制造者的重视。由于该工艺操作简便、成本低、可节约大量的化学试剂、对器件参数无影响、去胶效果好。在集成电路多层布线工艺中用高温氧气去胶常使一次布线铝层由于四百多度高温氧化发黄,而影响与二次布线铝层的欧姆接触,若用发烟硝酸去胶后擦片又常使铝层擦伤而降低了二次布线的合格率。·采用等离子去胶则可大大减少铝层表面的擦伤,不氧化,无底膜,保证二次布线的欧姆接触,提高了多层布线的合格率。为大面积集成电路的发展提供了很好的前景。一 、 等离子体及产生等离子体的方法作为物质的第四态,高度电离的气体叫做等离子体。等离子体具有导电性。从产生方法不同又可分为高温等离子体及低温等离子体两种。高温等离子体如氢弹的爆炸,火花放电及太阳表面的高温都能使气体电离成为等离子体,这种方法产生的等离子体,温度能达到几千度到几十万度,称为高温等离子体。去胶工艺使用的是低温等离子体,其作用原理是低压气体在电场力的作用下发生电离。在电离过程中,低压气体中残存的少量自由电子在电场力作用下,向正电极运动,由于低压气体密度小,自由电子的平均自由程较大,在与气体分子的两次碰撞之间能够获得很高的能量,这种高能量的自由电子撞击气体分子,使它离解成电离子和自由电子,这些气体部分分子电离后又有更多的自由电子撞击...
发布时间: 2021 - 02 - 26
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为了在基板上形成功能性的MEMS结构,必须蚀刻先前沉积的薄膜和/或基板本身。通常,蚀刻过程分为两类:浸入化学溶液后材料溶解的湿法蚀刻干蚀刻,其中使用反应性离子或气相蚀刻剂溅射或溶解材料在下文中,我们将简要讨论最流行的湿法和干法蚀刻技术。湿蚀刻这是最简单的蚀刻技术。它所需要的只是一个装有液体溶液的容器,该溶液会溶解所讨论的物质。不幸的是,由于通常需要掩模来选择性地蚀刻材料,因此存在复杂性。必须找到一种掩模,该掩模不会溶解或至少比被图案化的材料腐蚀得慢得多。其次,某些单晶材料,例如硅,在某些化学药品中表现出各向异性刻蚀。与各向同性蚀刻相反,各向异性蚀刻是指材料在不同方向上的蚀刻速率不同。典型的例子是晶面侧壁,当在诸如氢氧化钾(KOH)的化学物质中蚀刻硅晶片中的孔时出现。结果是形成了金字塔形的孔,而不是带有各向同性蚀刻剂的带有圆形侧壁的孔。下图说明了各向异性和各向同性湿法蚀刻的原理。什么时候要使用湿蚀刻?这是一项简单的技术,如果您可以找到适合您的应用的蚀刻剂和掩膜材料的组合,将会获得良好的效果。湿蚀刻对于蚀刻基板上的薄膜非常有效,也可以用于蚀刻基板本身。基板蚀刻的问题在于各向同性工艺将导致掩模层的底切与蚀刻深度相同的距离。各向异性工艺允许蚀刻在衬底中的某些晶体平面上停止,但仍会导致空间损失,因为当蚀刻孔或腔时,这些平面不能垂直于表面。如果这对您有限制,则应考虑对基板进行干法蚀刻。然而,如...
发布时间: 2021 - 02 - 26
浏览次数:63
本项目采用以硫铁矿为原料的接触法硫酸生产工艺。它的主要工序包括硫铁矿的焙烧、炉气的净化、气体的干燥、二氧化硫的转化和三氧化硫的吸收。基本工艺流程图如下: 1-沸腾焙烧炉;2-空气鼓风机;3-废热锅炉;4-旋风除尘器;5-文氏管;6-泡沫塔;7-电除雾器;8-干燥塔;9-循环槽及酸泵;10-酸冷却器;11-二氧化硫鼓风机;12,13,15,16-气体换热器;14-转化器;17-中间吸收塔;18-最终吸收塔;19-循环槽及酸泵;20-酸冷却器经过破碎和筛分的硫铁矿或经过干燥的硫铁矿,送入沸腾焙烧炉l下部的沸腾床内,与经空气鼓风机2从炉底送人的空气进行焙烧反应。生成的二氧化硫炉气从沸腾炉顶部排出,进入废热锅炉3。矿渣则从沸腾床经炉下部的排渣口排除。炉气在废热锅炉内冷却到约350C,用以生产3.82Mpa、450摄氏度的过热蒸汽。主要的蒸汽蒸发管束设在废热锅炉内。装设在焙烧炉沸腾床内的冷却管也作为废热锅炉热力系统的一部分,与锅炉的汽包连接,用以回收部分焙烧反应热。从废热锅炉出来的炉气,还含有相当数量的矿尘,经旋风除尘器4初步除尘后,进入净化系统。废热锅炉、旋风除尘器除下的矿尘,与沸腾焙烧炉排出的矿渣一起送往堆渣场,等待进一步处理或出售。净化系统包括文氏管5、泡沫塔6和电除雾器7。文氏管对炉气进行除尘和降温,炉气经文氏管后,其中绝大部分矿尘被除去。泡沫塔对炉气进一步除尘、降温。在文...
发布时间: 2021 - 02 - 26
浏览次数:74
比如,用于三维IC的TSV刻蚀设备必须将刻蚀腔清洗步骤设计成常规清洗流程,是设备能够在生产和清洗模式之间迅速转换,使得腔室始终保持纯净状态,同时满足高量产对速度、工艺可预见性和工艺重复的要求;这类刻蚀系统还必须具有单台设备刻蚀所有材料的工艺处理能力,尽可能减小设备和设施的成本,消除工艺转移和排队造成的延迟,为客户在产能和设备拥有成本方面提供竞争力。另外,由于目前高端IC产品都使用300毫米晶圆,保证晶圆表面工艺处理的均匀性,TSV的刻蚀需要使用平面状等离子源(Planar Plasma)。对于刻蚀工艺模式的选择,业界目前仍在比较SSP(Steady State Processes)和RAP(Rapid Alternating Processes)技术。据了解,RAP刻蚀的选择性(selectivity)很高,可以刻蚀纵宽比很大通孔,速度也快,但是表面粗糙度是个挑战;SSP工艺和常规的刻蚀接近,速度高而且制作的侧壁光滑,不过Selectivity和Undercut的控制是难点。Steve认为,对用户来说真正满意的方案是,机台能够根据应用的要求进行工艺的选择和整合,实现两种模式的切换,整体控制刻蚀速度、selectivity、侧壁光滑性和纵宽比。当然,这需要大量的工艺知识积累,以及对所制造器件的了解。对量测提出新的要求可以预见,TSV的特殊性还会给3D IC制造的检测和量测带来前所未有...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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