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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造领域,湿法设备占据约40%以上的工艺,随着工艺技术的不断发展,湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备,如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。南通华林科纳CSE深入研究LED生产工艺,现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备 设备名称南通华林科纳CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封,具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制,功能强大,操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点,在6" (150mm)晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成,一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、N2 保护单元组成的阴极回转体,二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下:从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出,采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中,阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决,从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式,可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射,实现搅拌功能,消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构,镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行,可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证,镀液入口采用扇形喷咀式结构,可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。 南通华林科纳CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理,由于结构上的特点,该方法经实验验证具有:①结构简单;②工艺参数控制容易;③有利气泡的消除;④镀制均匀性得到提高;⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺,同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统,目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用,产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标:最大晶...
发布时间: 2016 - 06 - 22
双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
发布时间: 2016 - 03 - 07
枚叶式清洗机-华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长:单片式清洗装置的优点(与浸渍.槽式比较)1.晶片表面的微粒数非常少(到25nm可对应)例:附着粒子数…10个/W以下(0.08UM以上粒子)(参考)槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…(例)1%DHF的情况  20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size(根据每个客户可以定制) 液体溅射(尘埃强制除去)  (推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题   更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncas.com),现在热线咨询400-8768-096;18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 07
自动供酸系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供酸系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2018 - 01 - 23
单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system南通华林科纳CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗(包括光刻板清洗)刻蚀 去胶 金属剥离等;可处理晶圆尺寸2'-12';可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等;主要应用领域:集成电路   声表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先进封装等  设 备 名 称CSE-单片清洗机类  型单片式适 用 领 域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量:1L/min/片4、蚀刻均一性良好(SiO₂氧化膜被稀释HF处理):≤2%5、干燥时间:≤20S6、药液回收率:>95%单片式优点1、单片处理时间短(相较于槽式清洗机)2、节约成本(药液循环利用,消耗量远低于槽式)3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构,占地面积小 更多的单片(枚叶)式清洗相关设备可以关注南通华林科纳半导体官网,关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096,18913575037
发布时间: 2017 - 12 - 06
氢氟酸HF自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-氢氟酸供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式 设备名称南通华林科纳CSE-氢氟酸(HF)供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
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随着集成电路器件的纳米化、高密度化、高集成度及多层金属互连的进步,半导体技术节点越来越先进,对实际制造的多个关键环节也提出了更多新的要求。器件特征尺寸的不断缩小和三维器件结构的日益复杂性,使得半导体器件对颗粒污染、杂质浓度和数量越来越敏感。据2019年1月28日报道,台积电南科14厂发生一起不合格原料污染事故,预估损失上万片晶圆,受到影响的主要是16/12nm工艺。NVIDIA的GPU芯片、海思、联发科的手机芯片以及一些ARM服务器处理器都使用了这一工艺,这也是台积电的主要营收来源之一。台积电发生的污染源已被确认,分别为前段刻蚀的铁离子污染和光刻胶原材料污染。前段晶体管受到污染可能会导致器件发生不正常的漏电,进而影响产品的良率、电学性能和可靠性。2019年2月15日,台积电坦承,受到南科14厂污染事件影响,本季营收将减少约5.5亿美元。受到影响的客户包括辉达、联发科、海思和赛灵思等重量级客户,其中辉达的投片量超过上万片。考虑到此次事故涉及的是相对先进的16/12nm工艺,加上受到影响的股价大跌,台积电的实际损失有可能超过了40亿美元。如果再算上事故造成的停机以及产能和交付上的损失,则后果将更加惨重。 这一事件非常强烈地传递了这样一个信号,随着集成电路特征尺寸越来越小,半导体器件对生产工艺过程中的颗粒、有机残留物、杂质等污染物及湿法清洗的去除能力、缺陷控制、关键尺寸调控等的...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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红外截止滤光片是一种允许可见光(400nm-700nm)透过,而截止或反射近红外光(700nm-1100nm)的光学滤光片,广泛应用于数码相机、手机摄像头、电脑摄像头等数码成像领域,在摄像镜头和CCD/CMOS图像传感器之间加上红外截止滤光片,能滤去通过摄相镜头的高频段光波,只让一定范围内的低频光波通过,从而有效地滤除红外光波,消除其对CCD/CMOS成像的干扰,提高成像的分辨率和色彩还原性,使图像清晰且稳定。传统的红外截止滤光片是在白玻璃表面交替形成具有一定厚度的高折射率或低折射率的红外截止膜,利用多层膜的干涉实现截止红外光、透过可见光的功能。但这种红外截止膜只考虑到可见光在垂直入射时的透过效果,而忽视了大角度入射时的透过率,并且在大角度入射时传统红外截止膜的波长偏移会导致红光部分的严重损失,成像质量严重下降。另一种是蓝玻璃红外截止滤光片,通过在蓝玻璃表面镀制红外截止膜来达到截止红外波的效果。这种蓝玻璃红外截止滤光片虽然解决了斜角度入射时光谱偏移的问题,但它从红光处便开始吸收光波一直延伸到红外光,造成部分可见的红光被过滤,红光的损失会造成色彩还原性的降低,从而影响相机的成像质量。而且蓝玻璃本身原材料成本高,目前还不利于在低端产品上大量普及。实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题在于克服上述问题,而提供一种色彩还原度高、成像效果好、成本低廉的红外截止滤光片。本实用新型的技术方案是...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔,以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。光刻技术是指在光照作用下,借助光致抗蚀剂(又名光刻胶)将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。其主要过程为:首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面,引起曝光区域的光刻胶发生化学反应;再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶(前者称正性光刻胶,后者称负性光刻胶),使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上;最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。两种工艺常规光刻技术是采用波长为2000~4500埃的紫外光作为图像信息载体,以光致抗蚀剂为中间(图像记录)媒介实现图形的变换、转移和处理,最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。在广义上,它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面。①光复印工艺:经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置,精确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。②刻蚀工艺:利用化学或物理方法,将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去,从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的,因而光刻工艺总是多次反复进行。基本步骤1.气相成底模2.旋转烘胶3.软烘4.对准和曝光5.曝光后烘焙(PEB)6.显影7.坚膜烘焙8.显影检查准分子光刻技术准分子光刻技...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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典型光电行业用超纯水设备工艺光电行业用超纯水设备采用PLC+触摸屏控制,全套系统自动化程度高,系统稳定性高。大大节省人力成本和维护成本,水利用率高,运行可靠,经济合理。使设备与其它同类产品相比较,具有更高的性价比和设备可靠性。典型光电行业用超纯水设备工艺  1、预处理系统→反渗透系统→中间水箱→粗混合床→精混合床→纯水箱→纯水泵→紫外线杀菌器→抛光混床→精密过滤器→用水对象(≥18MΩ.CM)(传统工艺)。  2、预处理→反渗透→中间水箱→水泵→EDI装置→纯化水箱→纯水泵→紫外线杀菌器→抛光混床→0.2或0.5μm精密过滤器→用水对象(≥18MΩ.CM)(最新工艺)。  3、预处理→一级反渗透→加药机(PH调节)→中间水箱→第二级反渗透(正电荷反渗膜)→纯水箱→纯水泵→EDI装置→紫外线杀菌器→0.2或0.5μm精密过滤器→用水对象(≥17MΩ.CM)(最新工艺)。  4、预处理→反渗透→中间水箱→水泵→EDI装置→纯水箱→纯水泵→紫外线杀菌器→0.2或0.5μm精密过滤器→用水对象(≥15MΩ.CM)(最新工艺)。  5、预处理系统→反渗透系统→中间水箱→纯水泵→粗混合床→精混合床→紫外线杀菌器→精密过滤器→用水对象(≥15MΩ.CM)(传统工艺)。 光电行业用超纯水对水质的要求新兴的光电材料生产、加工、清洗:LCD液晶显示屏、PDP等离子显示屏、高品质灯管显像管、微...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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(一)什么是薄膜面板薄膜面板是在PET、PC、PVC等弹性聚酯薄膜材料上,运用丝印技术把图形、文字、标识集于一体并配以不同材质的双面胶制作而成的具有一定功能字用于家用电器、通讯设备、仪器仪表、工业控制等领域。在业界,我们把薄膜面板通称为薄膜开关面板,在不同的行业中,薄膜开关面板有不同的叫法,比较常见的有以下几种:1)薄膜开关2)薄膜轻触键盘3)盘膜4)面膜5)塑贴6)按键开关7)面贴8)触摸开关等。薄膜面板的印刷工艺要分为正面和反面印刷,分别应用于不同材质和类型的薄膜面板上。大致可以分为平面类和压鼓类。平面类薄膜面板是最简单的面板类型,主要是用不同颜色的文字、线条、色块对各个功能部位加以指示或加以区分,用户可以根据自身的需要来选择不同的薄膜材料及双面胶。压鼓类薄膜面板是在平面型薄膜面板的基础上新开发出的一种较为美观而且实用的面板。它的制作流程是,是在普通面板的基础上,通过一种压制模具,将面板经过热压后使按键部位微微凸起形成立体按键。这种立体键不仅能准确地给定键体的范围,提高辨认速度,使操作者的触觉比较敏感,同时还增进了产品外观的装饰效果。(二)制作薄膜面板的要求面板薄膜是将彩色油墨丝印至透明高分子聚合物背面,一旦丝印完成并切割成形,此层就成为彩色面膜层。面膜层为薄膜开关的组成部分,它能清楚地显示开关的功能、显示颜色、面膜类型以及开关的操作位置,它还能起保护作用。作为薄膜开关的面板,...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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薄膜面板各部分组成材质什么叫薄膜面板通称的PVC面板薄膜面板名称常见薄膜开关面板各部分组成材质一、面板层二、垫胶层三、控制电路上层和下层四、夹胶层五、背面胶层什么叫薄膜面板通称的PVC面板薄膜面板名称常见薄膜开关面板各部分组成材质一、面板层二、垫胶层三、控制电路上层和下层四、夹胶层五、背面胶层薄膜面板是在PVC、PC、PET等软性塑胶材料丝印上既定的图形、文字说明等并配以不同材质的双面胶制作而成的用于起标识或保护作用的塑胶制品。薄膜面板采用不同的材料,决定了它的价格与性能,采用丝印工艺制作出来的薄膜面板,最大的特点在于:1,字清晰直观的图形和文字,并能适应不同的平面和弯曲平面。2,不同材料的选择,可使PVC、PC、PET等材料。3,薄膜面板具有:防水、防变形、防污染、防高温、粘性极强等特点。一、面板层面板层一般在低于0.25MM的PET、PC等无色透光片材丝印上精美图案和文字制作而成,因面板层最主要的作用在于起标识和按键作用,所以选用材料必须具有高透明度、高油墨附着力、高弹性、防折性等特点。二、垫胶层垫胶层最主要的作用是将面板层与电路层紧密相连,以达到密封和连接的效果,此层一般要求厚度在0.02---0.05MM之间,具有高强的粘性和防老化性;在生产中,一般选用专用的薄膜开关双面胶,有些薄膜开关要求能防水防高温,因此垫胶层也必须根据需要而使用不同性质的材料。三、控制电路上层和下层此...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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半导体产品的加工过程主要包括晶圆制造(前道,Front-End)和封装(后道,Back-End)测试,随着先进封装技术的渗透,出现介于晶圆制造和封装之间的加工环节,称为中道(Middle-End)。由于半导体产品的加工工序多,所以在制造过程中需要大量的半导体设备和材料。一、晶圆制造在这里,我们以最为复杂的晶圆制造(前道)和传统封装(后道)工艺为例,说明制造过程的所需要的设备和材料。晶圆生产线可以分成7个独立的生产区域:扩散(Thermal Process)、光刻(Photo- lithography)、刻蚀(Etch)、离子注入(Ion Implant)、薄膜生长(Dielectric Deposition)、抛光(CMP)、金属化(Metalization)。这7个主要的生产区和相关步骤以及测量等都是晶圆洁净厂房进行的。在这几个生产区都放置有若干种半导体设备,满足不同的需要。例如在光刻区,除了光刻机之外,还会有配套的涂胶/显影和测量设备。二、封装传统封装(后道)测试工艺可以大致分为背面减薄、晶圆切割、贴片、引线键合、模塑、电镀、切筋/成型和终测等8个主要步骤。与IC晶圆制造(前道)相比,后道封装相对简单,技术难度较低,对工艺环境、设备和材料的要求远低于晶圆制造。三、半导体工艺解析半导体制造工艺是集成电路实现的手段,也是集成电路设计的基础。自从1948年晶体管发明以来,半导体器件工...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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同刻蚀一样,干法等离子体工艺也可用于光刻胶去除。将晶圆放置于反应室中.并通入氧气。等离子体场把氧气激发到高能状态,因而将光刻跤成分氧化为气体由真空泵从反应室吸走。术语灰化(ashlng〕用来说明那些设计成用来只去除有机残留物的等离子体工艺。等离子去除需要去除有机和无机两种残留物的工艺。在干法去除机中,等离子体由微波,射频和UV臭氧源共同作用产生。等离子体光刻胶去除的主要优点是消除了液体槽和对化学品的操作。缺点是对于金属离子的去除没有效果。在等离子体场中没有足够的能量使金属离子挥发。需要对等离子体去胶的另一个考虑是高能等离子体场对电路的辐射损伤。采用将等离子体发生室从去除反应室移开的系统设计来减小这个问题。因而称其为下游去除机(downstream strip,这是因为等离子体在晶的下游产生。MOS晶圆在去胶中对辐射影响更加敏感。工业对干法等离子体工艺取代湿法去除期待已久。然而,氧等离子体不能去除移动离子的佥属污染.并且有一定程度的金属残留和辐射损伤,这使得湿法去除或湿法/于法结合继续保持着光刻胶去除工艺的主流。等离子体去除被用于硬化的光刻般层,然后以湿法来去除未被等离子体去掉的残留物。有专门的湿法去胶机处理这些硬化的光刻胶层。两个有问题的地方是离子注人后光刻胶的去除和等离子体去除之后,离子注人导致强烈的光刻胶聚合并使表层崆化。一般地,用十法工艺来去除或减少光刻胶,然后再加以湿法上艺...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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一、引言在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上,美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯和奎斯特报告了砷化镓材料的光发射现象,这引起通用电气研究实验室工程师哈尔的极大兴趣,在会后回家的火车上他写下了有关数据。回到家后,哈尔立即制定了研制半导体激光器的计划,并与其他研究人员一道,经数周奋斗,他们的计划获得成功。从此拉开了研究半导体激光器的序幕。像晶体二极管一样,半导体激光器也以材料的P—n结特性为基础,且外观亦与前者类似,因此,半导体激光器常被称为二极管激光器或激光二极管。本文对半导体激光器的原理,发展以及应用等作简要介绍。二、半导体激光器原理半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件。其工作原理是,通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注入式,光泵式和高能电子束激励式。电注入式半导体激光器,一般是由GaAs(砷化镓),lnAs(砷化铟),InSb(锑化铟)等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激发射。三、半导体激光器的发展2O世纪6O年代初期的半导体激光器是同质结型激光器,它是存一种材料上制作的PN结二极管在正向...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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半导体工艺-----光刻刻蚀一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型:正性光刻和负性光刻,区别如下二、光刻工艺步骤1.清洗硅片通过化学清洗、漂洗、烘干的方式去除污染物、杂质颗粒,减少针孔和其他缺陷从而提供光刻胶粘附性2.预烘和底膜涂覆使用HMDS作为底胶,可以去除SiO2表面的-OH基,在100℃下脱水烘焙去除圆片表面的潮气3.光刻胶涂覆硅圆片放置在高速旋转的真空卡盘上,将液态光刻胶滴在圆片中心,光刻胶以离心力向外扩展从而均匀涂覆在圆片表面。4.前烘促进胶膜内溶剂充分挥发,使得胶膜干燥,增加与其SiO2的粘附性以及耐磨性。烘焙时间不宜过长,温度不宜过高。5.对准为了成功在硅片上形成图形,必须把硅片上的正确图形与掩膜版上的图形对准,套准精度是测量对准系统把版图套刻到硅片上图形的能力。6. 曝光7.后烘光刻胶分子发生热运动,过曝光和欠曝光的光刻胶分子发生重分布,通过后烘可以平衡驻波效应(入射光与反射光干涉现象),提供分辨率8.显影通过显影、漂洗、干燥达到显影液溶解掉光刻胶中软化的部分的目的9.坚膜温度通常要高于前烘温度100-130℃,时间2分钟。蒸发光刻胶中所有有机溶剂、提高刻蚀和注入的抵抗力、提高光刻胶和表面的粘附性、聚合和使得光刻胶更加稳定、光刻胶流动填充针孔10.图形检测通过SEM、OM检测,若出现问题如;未对准、掩膜旋转、晶圆旋转、X/Y方向错位、临界尺寸、表面不规...
发布时间: 2021 - 03 - 01
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