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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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单晶硅片的制造技术摘要:随着IC技术的进步,集成电路芯片不断向高集成化、高密度化及高性能化方向发展。传统的硅片制造技术主要适应小直径( ̄<200 mm)硅片的生产;随着大直径硅片的应用,硅片的超精密磨削得到广泛的应用。文章主要论述了小直径硅片的制造技术以及适应大直径硅片生产的硅片自旋转磨削法的加工原理和工艺特点。关键词:IC 硅片研磨抛光磨削 集成电路(IC)是现代信息产业的基础。IC所用的材料主要是硅、诸和碑化嫁等,全球90%以上IC都采用硅片。制造IC的硅片,不仅要求具有极高的平面度和极小的表面粗糙度,而且要求表面无变质层、无划伤。目前硅单晶制备技术可使晶体径向参数均匀,体内微缺陷减少,0.1~0.3um大小的缺陷平均可以少于0.05个/cm2;对电路加工过程中诱生的缺陷理论模型也有了较为完整的认识,由此发展了一整套完美晶体的加工工艺。此外,随着半导体工业的飞速发展,为满足现代微处理器和其它逻辑芯片要求,一方面,为了增大芯片产量,降低单元制造成本,要求硅片的直径不断增大;另一方面,为了提高IC的集成度,要求硅片的刻线宽度越来越细。IC制造技术已经跨入0.13和300mm时代,这对单晶硅片的制造技术提出了新的要求。1硅片直径及集成电路的发展趋势按照美国半导体工业协会(SIA)提出的微电子技术发展构图,到2008年,将开始使用直径450mm的硅片(硅片直径的发展趋势如图1...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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TSV基础知识介绍硅通孔技术(TSV):第4代封装技术硅通孔技术(TSV,Through -Silicon-Via)是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通,实现芯片之间互连的最新技术。与以往的IC封装键合和使用凸点的叠加技术不同,TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大,外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。日月光公司集团研发中心总经理唐和明博士在Chartered上海2007技术研讨会上将TSV称为继线键合(Wire Bonding)、TAB和倒装芯片(FC)之后的第四代封装技术。然而,TSV与常规封装技术有一个明显的不同点,TSV的制作可以集成到制造工艺的不同阶段。在晶圆制造CMOS或BEOL步骤之前完成硅通孔通常被称作Via-first。此时,TSV的制作可以在Fab厂前端金属互连之前进行,实现core-to-core的连接。该方案目前在微处理器等高性能器件领域研究较多,主要作为SoC的替代方案。Via-first也可以在CMOS完成之后再进行TSV的制作,然后完成器件制造和后端的封装。而将TSV放在封装生产阶段,通常被称作Via-last,该方案的明显优势是可以不改变现有集成电路流程和设计。目前,部分厂商已开始在高端的Flash和DRAM领域采用Via-last技术,即在芯片的周边进行通孔,然后进行芯片或晶圆的层叠。刻蚀工艺是关键尽管TSV制程的集成...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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SiC基芯片背面通孔刻蚀工艺研究摘要:通过对感应耦合等离子体(ICP)设备装片夹具进行改进,提高了背氦的导热效率,减小了下电极基底与晶圆表面之间的温度差,提高了冷却效果。对装片夹具改进前后进行了对比实验,并分析了射频功率、ICP功率、下电极基底温度、腔室压力等参数对SiC背面通孔的刻蚀速率、选择比、倾斜角及侧壁光滑度的影响。通过装片夹具改进及工艺条件优化,开发出刻蚀速率为1μm/min、SiC与Ni的选择比大于60∶1、倾斜角小于85°、侧壁光滑的SiC通孔工艺条件,可用于SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)、SiC金属半导体场效应管(MESFET)等大功率微波器件及其微波单片集成电路(MMIC)研制与生产的背面通孔刻蚀,并可缩短工艺时间降低生产成本。关键词:碳化硅;背面通孔刻蚀;感应耦合等离子体(ICP);刻蚀速率;        引言SiC与GaN为继Si和GaAs材料之后的第三代半导体材料的典型代表,用其制作的半导体微波功率器件及其微波单片集成电路(MMIC)具有工作温度高、应用频率高、功率输出大、增益高等优点[1-2]。由于SiC材料具有较高的热导率和稳定性及与GaN材料的晶格匹配较好,在SiC衬底上外延GaN材料成为当今GaN功率器件发展的主要方向,特别是在高性能GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)微波功率器件及其...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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干法刻蚀之铝刻蚀在集成电路的制造过程中,刻蚀就是利用化学或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程。从工艺上区分,刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。前者的主要特点是各向同性刻蚀;后者是利用等离子体来进行各向异性刻蚀,可以严格控制纵向和横向刻蚀。 干法的各向异性刻蚀,可以用表面损伤和侧壁钝化两种机制来解释。表面损伤机制是指,与硅片平行的待刻蚀物质的图形底部,表面的原子键被破坏,扩散至此的自由基很容易与其发生反应,使得这个方向的刻蚀得以持续进行。与硅片垂直的图形侧壁则因为表面原子键完整,从而形态得到保护。侧壁钝化机制是指,刻蚀反应产生的非挥发性的副产物,光刻胶刻蚀产生的聚合物,以及侧壁表面的氧化物或氮化物会在待刻蚀物质表面形成钝化层。图形底部受到离子的轰击,钝化层会被击穿,露出里面的待刻蚀物质继续反应,而图形侧壁钝化层受到较少的离子轰击,阻止了这个方向刻蚀的进一步进行。在半导体干法刻蚀工艺中,根据待刻蚀材料的不同,可分为金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀。金属刻蚀又可以分为金属铝刻蚀、金属钨刻蚀和氮化钛刻蚀等。目前,金属铝作为连线材料,仍然广泛用于DRAM和flash等存储器,以及0.13um 以上的逻辑产品中。本文着重介绍金属铝的刻蚀工艺。  金属铝刻蚀通常用到以下气体:Cl2、BCl3、Ar、 N2、CHF3和C2H4等。Cl2作为...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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RENA前后清洗工艺什么是太阳能电池?1. 太阳能电池的原理太阳电池是利用光生伏特效应,把光能直接转换成电能的一种器件。它的工作原理可以概括成下面几个主要过程:第一,必须有光的照射,可以是单色光,太阳光或我们测试用的模拟太阳光源。第二,光子注入到半导体后,激发出电子—空穴对。这些电子空穴对必须有足够的寿命保证不会在分离前被附和。第三,必须有个静电场(PN结),起分离电子空穴的作用。第四,被分离的电子空穴,经电极收集输出到电池体外,形成电流。2. 制造太阳能电池的基本工艺流程二、前清洗(制绒)1. 制绒工艺的分类:制绒按工艺不同可分为碱制绒和酸制绒:    利用碱溶液对单晶硅不同晶面有不同的腐蚀速率(各向异性腐蚀),对(100)面腐蚀快,对(111)面腐蚀慢。如果将(100)作为电池的表面,经过腐蚀、在表面会出现以 (111)面形成的锥体密布表面(金字塔状),称为表面织构化。但是对于多晶硅,由于晶体排列方式杂乱,如果利用碱液,无法进行腐蚀得到良好的金字塔织构化表面,此时只能用酸溶液进行各向同性腐蚀,获得表面存在许多凹坑的表面结构,也能起到良好的陷光作用。2. 陷光原理:当入射光入射到一定角度的斜面,光会反射到另一角度的斜面形成二次吸收或者多次吸收,从而增加吸收率。腐蚀深度在4.4± 0.4...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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GaN材料介绍1.1GaN的晶体结构一般地说,GaN具有三类晶体结构,分别为:纤锌矿,闲锌矿和岩盐矿。闪锌矿和岩盐矿是比较少见的。它们的晶体结构示意图有下图1.1所示。人们所制各的GaN的结构,一般来说都是纤锌矿结构,因此着重介绍一下Gab]的纤锌矿结构。GaN晶体是可以看作山两套六角密堆积的晶格相互嵌套的纤锌矿结构。这就是说.这种结构相当于两套格子沿着C轴(0001)方向错了3/8的晶格常数位簧,而两套格子中任何一个格子都由一类原子(N原子或者Ga原子)构成,如1.1图所示。在纤锌矿结构的GaN中沿C轴(0001)方向的原子排序:Ga^N^OaeNBC3a^N^GaBNB等等依次延续。H.P.Marusaka和J.J.Tietjen[26】等人给出了被广泛的接受GaN的晶格常数,分别为a=0.3l89nm,c--0.5185nm。1.2GaN的化学性质GaN的化学性质十分稳定,在室温下,几乎不与酸和碱的溶液反应1271。到现阶段为止,只有熔融的KOH能比较有效的与GaN反应【2引.而这个方法被人们用来检测(3aN外延膜的缺陷【29】。另外,还有电化学湿法刻蚀,本文会在后面讲到。由于GaN的化学性质稳定,难以通过常用的化学反应手段进行腐蚀。因此,在GaN器件的制作过程中常用干法刻蚀。主要是感应耦台等离子刻蚀和反应离子刻蚀的两类刻蚀方法。这两类的干法刻蚀所用的刻蚀气体一般是氯元素的化...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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摘要:化学机械抛光(CMP)技术是目前广泛采用的几乎唯一的高精度全局平面化技术。抛光后表面的清洗质量直接关系到CMP技术水平的高低。介绍了各种机械、物理及化学清洗方法与工艺技术优缺点,指出了清洗荆、清洗方式是CMP后清洗技术中的关捷要素。综述了CMP后清洗技术的发展现状,分析了CMP后清洗存在的问题,并对其发展趋势进行了展望。关键词:化学机械抛光;原子级精度表面;清洗技术0引言目前因抛光后表面清洗不干净引起的电子器件产品合格率降低,占次品率的50%左右,清洗质量的高低已严重影响到先进电子产品的性能、可靠性与稳定性。工艺中si片表面吸附的微粒、有机和无机粘污会破坏极薄氧化层的完整性,导致微结构缺陷,引起低击穿、管道击穿、软击穿、漏电流增加以及芯片短路等问题⋯1。计算机硬盘技术中,随着硬盘存储密度的快速上升,磁头的飞行高度已降低到10姗以下L2J。原子级表面粗糙度(原子直径小于0.3nm)、无微观缺陷、洁净的高精表面已成为高技术电子产品制造中的共同要求,也是关系其性能的关键因素。目前一般采用CMP技术进行片子表面的高精度全局平坦化。由于抛光后新鲜表面活性高,以及CMP抛光液中大量使用高浓度的纳米磨粒(如纳米Si02、纳米AIO粒子)、多种化学品等因素,工件表面极易吸附纳米颗粒等污染物,导致CMP后清洗极其困难。集成电路技术中,对0.35pm及以下的CMOS工艺,要求后清洗提供的片子上0...
发布时间: 2020 - 12 - 17
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在半导体湿制程、生物制药、冶金化工等诸多行业,制程工艺往往需要药液的高精确控温,若采用传统的加热与外水冷却的方式来实现控温,药液温度精度误差大、控温速率低、防腐性能低等等。而华林科纳半导体型电子冷热器正好弥补以上缺陷。  传热的三种基本方式是:热传导、对流和辐射。华林科纳半导体型电子冷热器的传热方式是属于热传导,热量从物体内温度较高的部分传递到温度较低的部分或者传递到与之接触的温度较低的另一物体的过程称为热传导。通过冷热交替从而实现热液-冷液间温度的传递,最终达到用户需要的温度(冷热都可以实现)。  然而,在上述提及的行业中,很多控温的药液往往带有腐蚀性,制程工艺要达到100℃以上高温,这就需要冷热交换器用不同的材质来适应不同的材质。作为湿制程设备专业制造商,经过多年研发及更新换代,华林科纳公司研发的新型CSE-CHEC-VI电子冷热器能够实现各行业95%以上的不同湿制程要求下的精确控温。  冷热交换取热器,包括冷热交换单元与控制系统两个部分。冷热交换单元根据药液的不同特性,可采用PVDF、PTFE、不锈钢等不同材质制造。冷热交换单元内置半导体冷热交换片、超温保护单元、漏液保护单元、药液防腐隔离单元等等。工艺槽的药液经过防腐泵、过滤器后、半导体冷热控制单元形成一个闭环控制。根据槽体内的温度传感器采集,PID数字闭环调节,重新注入处理槽内。由此,经过不断循环交换冷热,将药液温度实时控...
发布时间: 2019 - 07 - 01
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在半导体技术的发展过程中,器件的特征尺寸越来越小,光刻工艺也变得越发复杂,而这也导致了下一代光刻技术的成本不断增加。追求特征尺寸的缩小,就需要减小曝光波长。在比DUV和EUV更先进的下一代光刻技术中,电子束光刻已被证明有非常高的分辨率,但其生产效率太低;X 线光刻虽然可以具备高产率,但X 线光刻的设备相当昂贵。光学光刻成本和复杂的趋势以及下一代光刻技术难以在短期内实现产业化激发人们去研发一种非光学的、廉价的且工艺简便的纳米技术,即纳米压印技术(Nanoimprint  Lithography,NIL)。1995年,华裔科学家周郁(Stephen Chou)提出了纳米压印技术(Nanoimprint Lithography,NIL)的思想。有别于传统的光刻技术,纳米压印将模具上的图形直接转移到衬底上,从而达到量产化的目的。NIL的基本思想是通过模版,将图形转移到相应的衬底上,转移的媒介通常是一层很薄的聚合物膜,通过热压或者辐照等方法使其结构硬化从而保留下转移的图形。整个过程包括压印和图形转移两个过程。相对于传统的光刻技术,纳米压印具有加工原理简单,分辨率高,生产效率高,成本低等优点。纳米压印光刻胶与传统光刻胶的对比纳米压印技术不受最短曝光波长限制,只与模板的精密度有关。因此,对光刻胶性能的要求相对降低了,但是随着工艺的改变,同样会引出新的问题,...
发布时间: 2020 - 04 - 29
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在材料加工科学的不断推动下,半导体器件和集成电路制作工艺取得了长足进步,发生了巨大变化,但是其中的湿法清洗工艺作为最为有效的半导体晶片洗净技术,一直未能被取代。随着晶片表面洁净要求的不断提高,清洗工艺的焦点已逐步由清洗液、兆声波等转移到晶片干燥上。干燥作为湿法清洗的最后一个步骤,最终决定了晶片的表面质量,是清洗工艺的核心所在。  在各种晶片的干燥中,尤以衬底抛光片的干燥最为困难,它不仅要求表面达到脱水效果,还要避免在表面留下任何水痕缺陷或颗粒。为达到这种要求,以设备为依托的各类干燥技术发展迅速。  1.1离心甩干技术  离心甩干是通过外力使晶片短时间内达到高速旋转的状态,晶片表面的水受到离心力作用而从表面消失的干燥技术。这种干燥方式由于简单可靠,在晶片清洗领域得到了广泛应用。根据晶片运动方式的不同,离心甩干又分为立式离心甩干和水平式离心甩干(见图 1 和图 2),虽然二者的脱水原理相似,但是由于运动方式的不同,在工艺上有很大的差异。为保证晶片的洁净,一般在干燥步骤之前,会增加一步药液、去离子水旋转喷淋过程,对表面进行二次洁净。为保证干燥效果,甩干过程中将引入热氮气,对晶片进行吹拂。  影响甩干效果的因素有很多,如转速的设置, 氮气的流量,排气通路的设计、腔体的密闭性和旋转产生的共振等。  离心甩干的优点是技术成熟稳定,干燥后的表面均一性好,不易产生水印;缺点是仅适合半导体前道的裸片...
发布时间: 2019 - 06 - 28
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