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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍      在本研究中,我们使用不同的湿化学蚀刻条件来蚀刻硅、锗和硅锗,并将硅锗蚀刻速率数据扩展到锗摩尔分数在20%和100%之间。比较了三种情况下的刻蚀速率:I .在槽中的覆盖刻蚀,ii .在单晶片旋转处理器中的覆盖刻蚀,以及iii .硅锗/硅异质结构的横向刻蚀。实验      通过减压化学气相沉积(RP-CVD)在Si100衬底上的厚的线性渐变Si1yGeY y x缓冲层上生长厚度约为1 μm的本征Si1xGeX层.14在生长的叠层上使用化学机械抛光来去除表面交叉影线。用卢瑟福背散射光谱法验证了不同合金中锗的含量。此外,为了进行比较,研究了在Si100 15和纯Si100晶片上的反相化学气相沉积生长的热循环2.5 m锗层。在蚀刻以形成合适的蚀刻步骤之前,用聚合物部分掩蔽样品。在蚀刻和去除掩模之后,使用Dektak 6M触针表面轮廓仪测量蚀刻步骤的高度。蚀刻时间在30秒到10分钟之间,在室温25℃和轻微搅拌下在聚丙烯烧杯中进行。  图 1      随着时间的推移,从新制备的溶液的低蚀刻速率开始,并在48小时后达到更高且恒定的蚀刻速率。老化对于获得H2O2、CH3COOH及其反应产物过乙酸(作为氧化物质)浓度的稳定平衡是必要的。&#...
发布时间: 2021 - 10 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      研究了高频和高频/HCI溶液中的不同平衡点,并研究了SiO2的蚀刻反应作为高频溶液中不同物种的函数。基于HF二聚体的存在,建立了一种新的SiO~蚀刻机制模型,      SiO2在高频溶液中的溶解是在集成电路制造的一个基本步骤。Mat和Looney~研究了二氧化硅在高频溶液中的蚀刻速率作为浓度、温度、氧化物生长过程和溶液搅拌的函数。介绍稀释度高频解中的平衡点      在稀高频溶液中,高频=H++F([3]HF+F-=;对于平衡常数(反应r~和r2的1和K2,其值分别为6.8510 4 工具/l和3.963l/工具。~这些是25~处的平衡常数,并为零离子强度进行校正。我们表明,稀高频溶液中的离子强度非常低,因此可以使用这些值。此外,由于离子强度较低,计算可以用浓度而不是活性来进行的。项研究表明,必须考虑(HF)2F-、(HF)3F-和(HF)4F的形成,以解释观察到的高频溶液的酸性,而不是仅从反应r~和r2的平衡中得到的酸性。同样,Farrer和Rossotti6早期表明,(HF)2F-、(HF)3F-和(HF)4F-在高达1MHF的HF溶液中不存在。此外,对于推导SiQ的蚀刻机制,0~1M的区域是最敏感的。图1 在不考虑二聚反应r3的情况下...
发布时间: 2021 - 10 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      我们研究了电化学沉积的铜薄膜在含高频的脱氧和非脱氧商业清洗溶液中的腐蚀行为,进行了电位动力学极化实验,以确定主动、主动-被动、被动和跨被动区域。腐蚀率是由塔菲尔斜坡计算出来的。利用电感耦合等离子体质谱ICP-MS和x射线光电子光谱XPS,研究了溶液中过氧化氢的加入及其对腐蚀的影响。ICP-MS和势动力学方法产生了相当的铜溶解率。使用原子力显微镜和扫描电镜显微镜,在清洗溶液处理前后进行的表面分析,没有显示任何点蚀腐蚀的迹象。清洗溶液中过氧化氢的存在导致对铜溶解率的抑制超过一个数量级。我们将这种现象归因于XPS在晶片表面检测到的界面氧化铜的形成,并在稀高频中以较慢的速率溶解。 实验衬底:      实验使用铜在覆盖硅片衬底上进行。使用典型的工业电镀设备均匀沉积铜膜,然后进行化学机械平面化步骤,以在DD过程中紧密模拟实际的铜表面。铜薄膜的厚度约为400nm,由四点探针方法表面电阻率计、高尔迪安制造公司、SRM-232模型和横截面扫描电子显微镜SEM确定。 清洗溶液:      电化学和溶解实验使用半导体清洁化学溶液进行。其由93wt%的乙二醇、4wt%的氟化铵、0.033wt%的氟化氢和3wt%的水组成。清洗溶液的酸碱度为6.8...
发布时间: 2021 - 10 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      为了评估用各种程序清洗和干燥的晶圆表面的清洁度,我们通过高灵敏度的大气压电离质谱(APIMS)成功地分析了这些晶圆表面的排气量。特别是,通过将晶片表面的解吸气体引入APIMS,研究了IPA蒸汽干燥后异丙醇(IPA)的解吸和晶片中的水分。结果表明,在这些实验条件下,定性和定量的微量杂质小至单分子吸附层的1/10。结果证实,湿化学过程和干燥方法对晶片表面条件的影响。      本文介绍在硅片上吸附分子的分析结果。为了估计湿式化学处理后的微污染,表面分析是通过用大气压力电离质谱(APIMS)测量来自晶片表面的解离气体来进行的,它显示出极好的灵敏度(1ppb到低于0.01ppb)。APIMS不仅具有高灵敏度,而且能够连续检测杂质,因此可以以高分辨率监测工艺气体中微量杂质含量的动态变化。 实验      为了研究杂质分子在超薄载流子气体环境中加热从晶圆表面的解吸,将晶圆表面的解吸气体与载流子气体一起运输,并引入APIMS分析仪的离子源。图1为实验装置的示意图。它由气体供应系统、具有金属配件的加热室、护套加热器和分析设备(APIMS)组成。为了对从晶片表面剥离的微量杂质进行可靠的分析,我们利用超精益技术的概念构建了整个油管系统。 图1...
发布时间: 2021 - 10 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      本文研究了湿化学清洗过程中硅(001)表面形成的天然氧化物的均匀性。均匀性由光激发氟刻蚀初始阶段的表面形貌决定。由于光激发氟蚀刻硅的速度比蚀刻氧化硅快40倍,它突出了硅表面上的硅原生氧化物,使它们可以通过扫描隧道显微镜或原子力显微镜观察到。在盐酸:过氧化氢:过氧化氢(1:1:4)溶液中煮沸形成30-70纳米的氧化物岛。岛屿之间的区域没有被氧化。在NH4OH-H2O2-H2O (1:1.4:4)中沸腾也形成直径为30-70 nm的氧化物岛,但是岛间区域被轻微氧化。      表面清洗是超大规模集成(ULSI)晶圆加工的一个重要方面。许多工艺受到湿法化学清洗过程中形成的天然氧化物的影响。要开发新的工艺,对形成机理的基本了解至关重要。已经通过包括x射线光电子能谱(XPS)、红外区衰减全反射光谱(ATR-IR)和热解吸光谱(TDS)的方法研究了天然硅氧化物。然而,这些报告仍然局限于生长动力学或化学结构因素,例如低氧化物(SiO x=1-3)、硅氢化物(-SiH,y=1-3)或硅羟基(—SiOH)的量。尽管天然氧化物通常被视为薄而均匀的薄膜,但我们实际上发现它们是岛状结构,通常带有许多针孔。      图1显示了氧化物评估原理。数字1(a)显示岛状,1(b...
发布时间: 2021 - 10 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      我们研究了电化学沉积的铜薄膜在含HF的脱氧和非脱氧商业清洗溶液中的腐蚀行为。采用电感耦合等离子体质谱监测Cu2+,利用x射线光电子谱监测硅片表面的氧化态,研究了薄膜铜的溶解和反应动力学。确定了反应动力学相对于心衰和氧浓度都是一阶的。提出了一种涉及氧的Cu0和Cu1+的还原和氧化的动力学方案,这与实验确定的反应动力学顺序和在清洗过程中观察到的不良铜残留物在半导体晶片上的沉积相一致。我们研究目的是研究铜薄膜在含氟化氢和有机化合物的水溶液中腐蚀/溶解的动力学及其与铜互连DD过程的相关性。这种溶液通常用于工业中的等离子体蚀刻后清洗。给出了溶解氧、溶解氧和氟化氢浓度的动力学。 实验      我们实验使用铜在覆盖硅晶片铜/硅衬底上进行。使用典型的工业电镀设备均匀沉积铜膜,然后进行化学机械平面化步骤,以在DD过程中紧密模拟实际的铜表面。由四点探针法表面电阻率仪测定,铜膜的厚度为400纳米。      在进行溶解实验之前,用0.49重量%的氟化氢进行表面处理,以确保表面清洁。进行了一组筛选实验来研究用于表面清洁的HF溶液中的最佳浸泡时间。图1描述了cleanH802的溶解氧浓度1分钟的高频治疗是合适的。这种预处理提供了清洁的表面,在该表面上天然氧...
发布时间: 2021 - 10 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      晶体硅的弹性体表面钝化在生产效率为25%的太阳能电池和准确测量高质量基质中载流子扩散长度方面是必不可少的。硅表面的钝化在历史上一直是通过高温氧化来实现的。高效光伏器件的开发和大块材料的表征中,将界面处的载流子复合降至最低是极其重要的。在这里,我们研究了一种基于临时室温超强酸的钝化方案,它提供了低于1厘米/秒的表面复合速度,从而使我们的钝化膜成为最先进的电介质膜。这项工作中开发的钝化策略将有助于诊断太阳能电池加工条件下的体寿命退化,也有助于量化新钝化方案的电子质量。 实验       所有使用的硅晶片的晶体取向均为(100),晶片直径为100mm。所研究的样品是四分之一的晶圆。钝化液的制备:      为了尽量减少溶液制备过程中的水分污染,我们测量了化学物质,并混合在一个用氮气净化的手套箱中。为了制备溶液,测量出100毫克双(三氟甲烷)磺酰亚胺,然后溶解在50ml无水1,2-二氯乙烷中。溶液被储存在一个带有密封盖的玻璃容器中。我们发现该溶液可以使用多次,但当溶液变得浑浊时,必须准备一种新的溶液。湿化学预处理:对硅表面进行化学优化处理是钝化过程的重要组成部分。使用的水必须是纯度非常高的去离子水。在我们的实验中,去离子水的测量电...
发布时间: 2021 - 10 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      近年来,氧化锌薄膜因其低成本、低光敏性、无环境问题、特别是高迁移率而被研究作为薄膜晶体管中的有源层来代替非晶硅。此外,氧化锌的低温制造使得在塑料薄膜上制造成为可能。氧化锌(ZnO)半导体由于在低沉积温度下具有高电子迁移率,非常适用于柔性显示和有机发光二极管器件,作为一种新的半导体层取代了薄膜晶体管中使用的非晶硅半导体,在表征方面取得了重大进展。氧化锌的湿法图形化是大规模生产氧化锌薄膜晶体管器件的另一个重要问题。然而,氧化锌薄膜在薄膜晶体管工业中常规使用的湿法腐蚀水溶液中的湿腐蚀行为尚未见报道,本文采用电化学分析方法研究了射频磁控溅射氧化锌薄膜在各种湿溶液如磷酸和硝酸溶液中的湿腐蚀行为。还考察了沉积参数如射频功率和氧分压对腐蚀速率的影响。 实验      利用射频磁控溅射系统在玻璃衬底上沉积氧化锌薄膜。沉积后立即测量沉积薄膜的厚度。用轮廓仪测量厚度。残余应力测量通过记录沉积前后硅衬底的曲率来进行。薄膜的应力由斯通尼公式得到,电阻率是通过探针站使用传输线方法在氧化锌薄膜上沉积金属薄膜后获得的。      在包括硝酸(0.1M)、磷酸(0.1M)、盐酸(0.1M)和乙酸(0.1M)的酸溶液中浸泡5秒钟后,用轮廓仪从厚度梯度经时间测量膜的溶...
发布时间: 2021 - 10 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      湿式光掩模清洗依赖于兆频超声波搅拌来增强工艺,但要可靠地最大化粒子去除效率并最小化损坏,还有许多挑战。随着向无薄膜EUV掩模的转变,光掩模工艺更容易受到污染,增加了改进清洁工艺的紧迫性。这一困难主要是由于无法对声场进行适当的测量。典型地,关于声输出的所有已知信息是驱动频率和传送到换能器的电功率,这两个全局参数很少说明基底上的场分布、基底处声音的实际振幅或基底处存在的空化水平(稳定和瞬态)。对于给定的超声过程,空化的振幅在较高的频率下较低。虽然有几项关于1兆赫下粒子去除和模式损伤的研究,但对高于该值的频率下的空化性能知之甚少。 实验超声波源:      考虑了两种不同的兆频超声波设备。一种是一种新颖的设计,包括一个耦合到倾斜的截顶石英锥的换能器,该石英锥具有悬浮在衬底上的平坦表面,留下大约4cm×6cm[4]的椭圆形足迹。它通过注入在锥体任一侧的清洗液与衬底耦合。二种设备是传统的点簇射器,通过以1.5 L/min的速度流动的直径为4 mm的清洁流体的平滑喷射将喷嘴换能器耦合到基板上方。声学测量方法:      两种换能器配置的声学性能通过各种方法来表征,这些方法的应用取决于设备的几何形状及其应用模式。在所有情况下,试验均在室...
发布时间: 2021 - 10 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      高效的硅片清洗需要最佳的工艺控制,以确保在不增加额外缺陷的情况下提高产品产量,同时提高生产率和盈利能力。      硅半导体器件是在高度抛光的晶片上制造的。晶圆上的划痕和其他缺陷可能会影响最终产品的性能。因此,表面准备是获得干净、镜面抛光、未受损硅表面的关键步骤。化学清洗是一种行之有效的方法,用于去除晶圆表面的污染物。最常见的工艺是RCA清洗,通过两个连续的标准溶液清洗晶圆。标准清洁1 SC1浴(或氨过氧化物混合物APM)由NH4OH和H2O2组成。标准清洁2 SC2浴由盐酸和H2O2制成。有效清洗晶片的关键因素是清洗槽的停留时间和最佳化学浓度。对主要SC1/SC2槽成分的快速在线监测保证了晶片产量的增加,同时降低了缺陷密度。      SC1浴从晶片上去除颗粒、薄膜和有机残留物,并在表面形成薄氧化层。然而,过渡金属氢氧化物也可以保留在晶片表面上。也就是说,在后化学机械平面化化学机械抛光清洗顺序中,SC2浴变得至关重要。SC2浴是酸性的,有助于去除表面的碱和过渡金属。这种清洗过程在晶片表面留下一层薄的钝化层,以避免未来的污染。 图1 用于清洗液分析的在线近红外光谱(NIRS)系统配置      半导体器件越...
发布时间: 2021 - 10 - 25
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