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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      在许多集成电路制造步骤中,化学蚀刻仍然优于等离子体蚀刻。事实上,它能够实现更好的表面光滑度控制,这是获得足够的载流子迁移率至关重要的。在这些步骤中,光刻抗蚀剂图案保护底层材料免受蚀刻。因此,必须:1)保证光刻胶粘附,防止图案被蚀刻;2)防止蚀刻剂渗透到光致抗蚀剂/材料界面。为了避免后一种现象,了解蚀刻剂是否穿透光刻胶以及其扩散速率是至关重要的。      蚀刻垂直渗透的界面修饰已经在之前的工作中得到了证明。我们在这里重点关注蚀刻剂的扩散动力学测定。首先,研究了不同晶在248nm光刻胶堆中的扩散行为。在第二部分中,对光刻聚合物进行了结构分析,以评估聚合物密度等参数对蚀刻剂渗透的影响。 实验      本研究中使用的光刻胶层是一个聚合物双层:一个可开发的底部抗反射涂层(dBARC)和一个248nm深紫外光刻胶,涂在300mm硅晶片上。在进行抗蚀剂涂层之前,对硅晶片进行HMDS处理。红外光谱数据使用BrukerIFS55设备在多重内反射模式下获得。使用Ge棱镜。用于渗透研究的液体是去离子水和标准清洁1(SC1:氢氧化铵/过氧化氢/水)溶液。实验均是在室温下进行。 结果和讨论      为了评价这种新...
发布时间: 2021 - 10 - 20
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      氢氧化钾溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和减少三维硅结构的凸角底切。异丙醇降低了氢氧化钾溶液的表面张力,改变了硅的蚀刻各向异性,显著降低了(110)和(hh1)面的蚀刻速率,并在较小程度上降低了(100)和(h11)面的蚀刻速率。      为了在低氢氧化钾浓度下获得低粗糙度的(100)表面,蚀刻溶液必须含有饱和水平的异丙醇。在我们的研究中,我们研究了异丙醇浓度对具有不同晶体取向的硅衬底的蚀刻速率和表面形态的影响。还研究了氢氧化钾浓度对(hkl)面蚀刻速率的影响。为了更好地理解蚀刻过程中在硅表面上发生的现象,还进行了蚀刻溶液的表面张力测量。最后,给出了在硅(100)晶片上制作的(hkl)侧壁面包围结构的例子。实验细节      实验中使用了不同(hkl)取向的单晶硅片。没有研究具有(111)取向的晶片,因为该平面在所有碱性溶液中的蚀刻速率非常低。因此,我们假设(111)蚀刻速率等于零。晶片在含有不同浓度异丙醇的3-10 M氢氧化钾水溶液中蚀刻。含有过量醇的溶液使得单独的醇层漂浮在溶液表面上,然后被认为是饱和的(与醇浓度低于饱和水平的溶液相反,其然后被认为是非饱和的)。蚀刻过程在75℃的恒温玻璃容器中进行60分钟。采用210转/分的机械搅...
发布时间: 2021 - 10 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      氮化镓因其独特的性质和在光电和微电子器件中的潜在应用而引起了广泛的兴趣。然而,GaN异质外延层中高达108 cm-2的位错密度缩短了GaN基器件的寿命。氮化铝和氮化镓之间的化学相容性和晶格/热膨胀匹配使得块状氮化铝单晶可能适合氮化镓外延生长。此外,高热导率(340W/m·K)和高电阻率使AlN成为大功率器件的理想选择。。AlN具有极性纤锌矿结构,由紧密间隔的六边形层组成,在沿c轴堆叠在一起的阳离子(Al3+)和阴离子(N3-)层之间交替。因此,基面可以是正极性的或负极性的。氮化铝的极性对于控制外延氮化镓薄膜中的杂质掺入和压电效应非常重要。本文报道了用不同升华生长方法制备的氮化铝单晶的刻蚀研究。 实验      我们研究了几种生长在不同熔炉和坩埚材料中的晶体。样品A是使用涂有NbC的石墨坩埚在石墨加热元件炉中生长的棱柱形针状;样品B是与普通石墨坩埚在同一炉中生长的六边形小板;样品C在微波加热炉中生长;样品D在带有钨坩埚的钨加热元件炉中生长。样品A、B和C采用自播种机制,而样品D是直接生长在6H-碳化硅(硅面)衬底上的厚氮化铝薄膜。蚀刻前,所有样品都用盐酸清洗十分钟,以去除表面的任何杂质。为了估算单晶的合适蚀刻时间,我们通过测量蚀刻引起的质量和尺寸变化,计...
发布时间: 2021 - 10 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍      在本文中,我们首次报道了实现硅111和100晶片的晶体蚀刻的酸性溶液。通过使用六氟硅酸(也称为氟硅酸)和硝酸的混合物,获得暴露出各种面外111平面的硅111的晶体蚀刻。本文描述了用于该研究的溶液的化学组成,随后是使用电子和光学显微镜获得的结果。蚀刻的机理,虽然没有完全理解,将在下面的章节中讨论。      氢氟硅酸H2SiF6用于沉积二氧化硅,在二氧化硅中发现其蒸汽含有过量的四氟化钠,四氟化钠与水结合会产生二氧化硅。在更具体的应用中,这种酸用于薄膜光波导或硅金属氧化物半导体太阳能电池中使用的氟化氧化硅的液相沉积LPD。在饱和H2SiF6中的阳极氧化也是这种太阳能电池中LPD的一种替代方法。另一种可能的应用是通过电沉积方法沉积非晶硅薄膜,得到高电阻率的硅膜。氟硅酸也有工业应用,如cap蚀刻剂和磷酸净化。实验过程与结果      在图1111和100取向硅晶片的蚀刻速率与22℃时H2SiF6与硝酸的比率分别在a部分和b部分绘制。虽然仅仅硝酸不会侵蚀硅,但是加入适量的H2SiF6会导致相当大的去除率。如图所示,从溶液中省略硝酸也停止了蚀刻过程,因为它在蚀刻过程中起到了氧化剂的作用。观察到在浓度为5∶2的H2SiF6和硝酸的Si111晶片中,获得了2...
发布时间: 2021 - 10 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      湿法蚀刻工艺已经广泛用于生产各种应用的微元件。这些过程简单易操作。选择合适的化学溶液(即蚀刻剂)是湿法蚀刻工艺中最重要的因素。它影响蚀刻速率和表面光洁度。铜及其合金是各种工业,特别是电子工业的重要商业材料,它们的广泛应用是由于其优异的导电性和导热性、易于制造和良好的强度。本研究考察了铜及其合金的可能的蚀刻剂。该研究还旨在提供关于在铜和铜合金的湿法蚀刻工艺中使用各种蚀刻剂引起的安全、健康和环境问题的信息。 用于铜湿法蚀刻的蚀刻剂      湿法蚀刻工艺中最广泛使用的铜蚀刻剂是氯化铁(氯化铁)。这种蚀刻剂的优点是蚀刻速率高,易于再生。然而,它的多功能性(例如在攻击锡铅抗蚀剂中)、低溶解铜容量和化学再生后的复杂溶液(其中氯化亚铁和氯化亚铜在溶液中)是缺点。当三氯化铁侵蚀铜表面时,三价铁离子将铜氧化成氯化亚铜,形成绿色氯化亚铁,如下所示:二氯化铁+铜-二氯化铁+氯化铜       铜的湿法蚀刻条件是蚀刻温度为50-55℃时蚀刻剂浓度为40-42倍。盐酸(HCl)一般加入到三氯化铁中,以改善铜的湿法腐蚀性能。      在铜的湿法蚀刻过程中,控制两个参数,即酸碱度和比重。酸碱度保持在8-8.5之间.比重为1.18-...
发布时间: 2021 - 10 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      透明导电氧化物(TCOs)作为薄膜硅(Si)太阳能电池的前电极起着重要作用,因为它们可以提供光学散射,从而改善器件内部的光子吸收。本文报道了掺杂铝氧化锌(氧化锌:Al或AZO)薄膜的表面纹理在薄膜硅太阳能电池中的光收集。AZO薄膜通过脉冲直流磁控溅射沉积在石灰玻璃片上。利用稀释的盐酸(盐酸)和氢氟酸(HF)进行两步蚀刻工艺,研究了几种AZO纹理化方法。所开发的纹理程序结合了盐酸盐诱导的坑的优点和高频蚀刻产生的更小、锯齿状但横向更均匀的特征。在两步过程中,第二个蚀刻步骤进一步增强了光雾霾,同时提高了由盐酸蚀刻产生的纹理特征的均匀性。所得到的AZO薄膜显示出40%以上的大雾值,良好的散射,表面角分布在30∘左右,这为薄膜硅太阳能电池提供有效的光捕获。 介绍      对于磁控溅射AZO薄膜,表面纹理通常是通过弱或稀释酸的湿化学蚀刻过程。传统的AZO纹理是基于使用稀释的盐酸溶液的单一蚀刻工艺。在盐酸蚀刻后也经常观察到小孔的出现,这可能会导致太阳能电池的分流问题。据报道,AZO的高频蚀刻比盐酸蚀刻更均匀。未分离的高频分子与水水合铵簇(如H3O+)相比相对较小,这有助于更均匀的蚀刻纹理。因此,本研究测试了一种基于盐酸和HF蚀刻的两步纹理程序。这两步过程背后的想法是提高表面...
发布时间: 2021 - 10 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      本文探讨了紫外辐照对生长在蓝宝石衬底上的非有意掺杂n型氮化镓(GaN)层的湿法化学刻蚀的影响。实验过程中,我们发现氮化镓的蚀刻发生在pH值分别为2-1和11-15的磷酸水溶液和氢氧化钾溶液中。在稀释的磷酸和氢氧化钾溶液中,氮化镓上可以观察到氧化镓的形成。这归因于两步反应过程并且在此过程中,紫外线照射可以增强氮化镓的氧化溶解。      实验中,我们使用深紫外紫外光照射来研究不同酸碱度电解质中的湿法蚀刻过程。因此,我们能够首次在PEC蚀刻工艺中解决氧化物生长和氮化镓溶解的问题。我们将快速蚀刻速度归因于深紫外光增强的氮化镓氧化溶解和电解质中氧化还原水平的有效载流子注入。      对于深紫外光下氮化镓的等离子体化学蚀刻,实验使用了253.7纳米汞柱线源。为了避免加热问题,照明强度保持在10毫瓦/平方厘米。利用短光路来避免电解质中的紫外线诱导吸收,电解液通过将85%的磷酸(H3PO4)或氢氧化钾颗粒溶解在去离子水或乙醇中来制备。使用经过校准的Jenco 6071TH酸度计测量电解质的pH值,范围为2 1至15。      图1显示了在pH53的H3PO4电解液中1小时PEC处理的氮化镓的扫描电镜照片。沿氮化镓生长方向可以清...
发布时间: 2021 - 10 - 19
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍本文通过详细的动力学研究,阐明了在富含HF的高频/HNO3混合物中对硅的湿式化学蚀刻的机理。蚀刻实验后,我们进行进行了化学分析并研究了蚀刻速率与温度、蚀刻剂的硅含量利用率和搅拌速度的函数关系。此外,用离子色谱法测定稀释蚀刻剂溶液中亚硝酸盐离子浓度作为浓缩蚀刻剂中活性NIII的参数,确定了两种不同的蚀刻机制。在亚硝酸盐浓度高的区域,蚀刻速率明显与亚硝酸盐浓度无关。在较低的亚硝酸盐浓度下,蚀刻速率随亚硝酸盐c呈线性降低。 实验所有实验都是在受控的准等温条件下,为了测定蚀刻率,硅试样直径3英寸,双面抛光,厚度325m,电阻率10cm,算术平均粗糙度1.1nm,均方根粗糙度1.4nm;将样品夹在一对镊子的两端之间,浸入蚀刻溶液中浸泡5-180s。将样品浸入装满大量去离子水的烧杯中,然后进行冲洗。蚀刻溶液对硅的吸收用初始浓度为70%钒/钒氢氟酸和30%钒/钒硝酸的蚀刻溶液初始体积中溶解硅的绝对质量表示。 图1 由50%钒/钒氟化氢和50%钒/钒硝酸组成的有色蚀刻溶液的紫外-可见光谱 结果图2给出了硅溶解过程中产生的亚硝酸盐浓度随时间变化的例子。随着硅含量的进一步增加,亚硝酸盐浓度达到最大值,随后随着硅含量的增加而下降。亚硝酸盐浓度的增加与颜色从黄色经绿色变为深蓝色有关。因为在最大值之前的高蚀刻速率中,由于硅的快速溶解,在相...
发布时间: 2021 - 10 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文用同步光电发射光谱法研究了无氧化物砷化镓表面与酸性(盐酸+2-丙醇)和碱性(氨水)溶液的相互作用。结果表明,两种溶液主要处理表面镓原子,分别形成弱可溶性氯化镓和可溶性氢化镓。因此,表面的Ga-As键断裂,元素砷留在砷化镓表面。此外,用盐酸+2-丙醇溶液蚀刻时可以观察到吸附的2-丙醇分子,但用氨水溶液蚀刻时没有检测到吸附的水分子。 介绍      湿式化学蚀刻工艺在器件制造中已被广泛应用。半导体/电解质界面上发生的过程是非常复杂的。基本步骤是吸附离子,打破半导体表面键,以及形成表面化合物,这些化合物可能溶于溶液或钝化表面。GaAs(100)是研究最深入的半导体表面之一,因为它在电子学和光电子学应用中的重要性。本研究显示了用酸性(2-丙醇中的盐酸)和碱性(NH3水溶液)溶液湿法蚀刻GaAs(100)表面的详细研究结果。这些蚀刻程序已经证明了它们在去除天然氧化物层方面的高效率,尤其是用HCl在2-丙醇中的溶液蚀刻并随后在不同温度下退火后能够获得具有不同重构的有序GaAs(100)表面。 实验      本研究中使用的GaAs样品从n型晶片中切割出来。清洁的砷化镓表面是通过蚀刻和25%的天然氧化层制备的,随后在UHV500&#...
发布时间: 2021 - 10 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要FeCl3·6h2o用于单晶氧化锌薄膜的湿法蚀刻。该方法对抑制用酸蚀刻氧化锌薄膜时通常观察到的“W”形蚀刻轮廓有很大的影响。通过触控笔轮廓仪和扫描电子显微镜证实,在广泛的蚀刻速率下获得了“U”形轮廓和光滑的表面形态。由x射线光电子光谱检测到的铁沉积被推测是形成合适的溶液水力学参数的原因。超声处理容易去除沉积层,使过程易于控制。这些结果表明,该方法在处理氧化锌基光电器件方面具有广阔的应用前景。 介绍各种蚀刻剂,如盐酸、硝酸、磷酸或磷酸/醋酸/ H2O已被用于湿法化学蚀刻氧化锌]。在他们的研究中,一种特殊的酸被用作蚀刻剂。其机理是氧化锌在酸性溶液中的反应产生溶解在水中的锌盐,从而形成蚀刻图案。然而,在酸蚀刻工艺中观察到的“W”形蚀刻轮廓使器件具有开路,这阻碍了酸蚀刻剂在氧化锌器件制造中的实际应用。到目前为止,还没有进行全面的研究来解决这个问题。在本研究中,一种新的蚀刻剂,氯化铁6H2O,被用于氧化锌蚀刻过程。在较宽的刻蚀速率范围内,容易获得“U”形刻蚀轮廓和光滑的刻蚀表面形貌。这种蚀刻效果源于蚀刻过程中产生的铁沉积,铁沉积在形成合适的溶液流体力学参数中起着关键作用。经过几个周期的超声波处理,沉积物可以完全去除。这种方法有望用于制备氧化锌基器件。实验FeCl3·6h2o是一种典型的酸性水盐,在氧化镁晶体蚀刻中报道,用于...
发布时间: 2021 - 10 - 18
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