欢迎访问华林科纳(江苏)半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829



新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
新闻中心 新闻资讯
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      我们开发了一种可控、平滑的氢氧化钾基湿法刻蚀技术,AlN和AlxGa1xN之间的高选择性被发现对于基于AlGaN的深紫外发光二极管实现有效的衬底减薄或去除至关重要,从而提高光提取效率。AlGaN的高选择性作为铝组成的函数的机理可以解释为与在N-极性表面顶部的氧化物/氢氧化物的形成和溶解有关。横截面透射电子显微镜分析最终证明这些小丘与下面的螺纹位错无关。      迄今为止,氮化铝基板减薄或去除面临许多挑战。例如,由于在AlGaN/AlN界面上没有位错,激光剥离预计不能用于将AlN衬底与假晶AlGaN外延膜分离。此外,反应离子蚀刻(RIE)的蚀刻速率相对较低,会引入等离子体相关的损伤。与这些技术相比,湿法蚀刻具有表面损伤小、成本低的优点,同时易于大面积制造。然而,为了与DUV发光二极管和激光器件制造兼容,更温和和可控的技术是必要的。此外,需要无缺陷选择性蚀刻技术,在这种情况下,可控蚀刻方案可以应用于不同的材料系统,而不管位错密度如何。最近,我们从蚀刻速率、选择性、表面形态和在氢氧化钾水溶液中的化学计量比等方面全面研究了氮化铝和氮化镓单晶样品的湿法蚀刻行为提出了一种与非缺陷相关的蚀刻行为,并证明了在氮化镓上选择性蚀刻氮化铝的潜力。      使用氢氧...
发布时间: 2021 - 10 - 25
浏览次数:139
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      随着半导体技术的发展,为了在有限的面积内形成很多器件,技术正在向多层结构发展。要想形成多层结构,会形成比现有更多的薄膜层 ,这时晶片背面也会堆积膜。目前,在桔叶式设备中,冷却晶片背面膜的方法是翻转。翻转晶片进行蚀刻工艺的话,蚀刻均匀度最好在1%以下。因此,如果一面进行工程,工程时间将增加一倍。为了减少工序时间,对在进行顶面工序的同时进行背面工序的方法进行了评价。本研究旨在制作可安装在晶片背面的蚀刻喷嘴,评价喷嘴的性能,同时控制喷嘴中药液喷射的方向和位置,使用高温(60℃)的药液对晶片背面的膜进行蚀刻,使均匀度低于5%。 实验      评价中使用的实验设备是晶片顶部的全部进行面食角,底部是可以进行面食角的结构。图1是一个300毫米枯叶植食装置的模拟图,其中包括可以蚀刻晶片背面的喷嘴。晶片背面与喷嘴的距离约为L5厘米,晶片固定为6艘,工艺进行。主轴头最多可旋转2000RPM,使用的晶片为300mm。图2是为晶片背面蚀刻而制作的是一个喷嘴。喷嘴包括药液喷射部分和DIW(DE- Water)各部分组成。药液粉丝孔直径为 0.7毫米,孔与孔之间的间距设计各不相同。孔的间距是根据300毫米晶片的面积设计的。实验中使用的晶片是沉积在硅晶片上约2000 Ao用于蚀刻的药液使用...
发布时间: 2021 - 10 - 25
浏览次数:22
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      在太阳能电池工业中,最常见的纹理化方法之一是基于氢氧化钠或氢氧化钾的水溶液和异丙醇(IPA)。然而,IPA是有毒的,而且相对昂贵,因此人们正在努力取代它。在过去的几年中,硅异质结(SHJ)太阳能电池由于晶体硅的良好性能和薄膜技术的多功能性而引起了光伏行业的兴趣。这些SHJ太阳能电池是通过将薄膜非晶态或微晶硅沉积在碳硅晶片上而形成的。其主要特点是转换效率高、开路电压高、温度系数。这些太阳能电池的性质使它们的界面占主导地位。 实验      纹理化过程首先在硅晶片上进行了分析。一旦确定了纹理化的最佳条件,该工艺将应用于其他类型的基板,FZ晶片厚度为255-305mm,CZ晶片厚度为280-320mm。晶片直径为100mm,但样品尺寸为40mm40mm。在纹理化过程之前,样品在超声波浴中用乙醇清洗。然后,样品在室温下在1wt%HF:DIW(18.2Mocm电阻率DIW稀释)溶液中蚀刻,以去除天然氧化物。最后用DIW冲洗。在纹理化过程中,晶片浸在一个包含纹理化溶液的盖容器中。这种溶液以前已经使用带有不锈钢温度传感器的数字控制热板在测定温度下加热。当蚀刻时间结束后,从溶液中取出样品,用DIW冲洗,以停止化学反应。 结果和讨论     ...
发布时间: 2021 - 10 - 25
浏览次数:50
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      清洁是半导体集成电路生产过程中经常反复出现的一个过程步骤。它既可以从前一个过程中去除残留物,也可以为下一个过程准备表面。清洁和薄膜沉积过程的集成是至关重要的。氢氟酸最后一次清洗过程后的沉积延迟会导致环境暴露下裸硅表面的氧化物再生,或仅仅是表面的再污染。这将导致生长模式的改变或薄膜质量的恶化,并最终导致设备性能或生产的下降。 实验      这项研究使用了导体蚀刻室、电介质蚀刻室、微波剥离室和湿式清洁室的集群工具。清洁室基于Lam的受限化学清洁技术,使用清洁头以高流量流体流扫描晶圆表面,确保持续的化学物质补充和快速的副产品去除。清洁过程的暴露时间约为1秒。      对于接触应用,图1使用了65纳米节点兼容的短回路流程,该流程由用于栅极叠层、隔离物和NiSi的标准工艺模块组成。最小尺寸为90纳米的接触孔在25纳米PECVD氮化物/90纳米高纵横比工艺HARP氧化物/200纳米PECVD氧化物的叠层上用“193纳米浸没光致抗蚀剂”构图。使用CO/O2/C4F6/CH2F2氧化物蚀刻和N2/CHF3 Si3N2开口的等离子体工艺顺序蚀刻晶片,随后是CF4/O2/N2微波带。随后,用不同的化学溶液清洗晶片,并研究干蚀刻/剥离和湿清洗之间的延...
发布时间: 2021 - 10 - 23
浏览次数:60
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      通过在含有H2O2的HF溶液中蚀刻,在两步工艺中对商用硅太阳能电池进行纹理化。银纳米粒子作为催化位点,有助于蚀刻过程。确定了在表面制备纳米孔的蚀刻时间。利用光谱仪测量了硅太阳能电池表面纳米结构的光学特性。样品的全反射系数低于未经处理的硅太阳能电池。硅太阳能电池的整体效率取决于所选的银离子浓度制备条件和湿法蚀刻时间。太阳能电池的纹理化表面显示出效率的提高,电路光电流高于没有纹理化的参考硅太阳能电池。给出了各种硅电池的J-V曲线,并讨论了其与表面形态的关系。 实验      材料所有反应均在室温下进行。接收时使用硝酸银、过氧化氢抛光的单晶(100)型砷掺杂硅晶片,电阻率为0.001-0.005Ωcm,将晶片切成1.0×1.0cm2的区域,在室温下用丙酮和去离子水进行超声清洗10min。购买纹理单晶硅太阳能电池,在室温下用丙酮和去离子水进行超声清洗10分钟。      通过在室温下将硅(100) n型和硅太阳能电池浸入5%硝酸银m/m和HF 5M的混合物中一段时间来进行湿法蚀刻。然后将样品浸入H2O2 5% m/m和HF 5M的第二水溶液中一定时间,范围从30 s到10 min。      还使用原...
发布时间: 2021 - 10 - 23
浏览次数:26
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      原子平面的制备是半导体基板上原子尺度操作的必要前提。由于自组装现象或使用原子探针技术操纵单个原子,只有原子平面的表面才能产生可重复制造纳米级原子结构的机会。原子平坦的表面也应该是原子清洁的,因为氧化物和污染会引响原子尺度的粗糙度。原子平坦和清洁的表面也需要许多在微和光电子的应用。 实验      实验是在砷化镓外延层上进行的,以避免结构缺陷的可能影响,这些缺陷存在于由机械和化学机械抛光制备的商业基底的表面附近。我们使用液相外延(LPE)在传统GaAs(100)基质和图形GaAs(100)基质上生长的砷化镓层,不同大小的方形中台面面积在0.2到2mm2不等。       HCl-iPA溶液的制备包括盐酸蒸汽对iPA的等光饱和,制备方法如下:将含有100ml高纯双蒸馏iPA的玻璃放入装满300ml高纯浓缩37%盐酸的3-l干燥器中。为了确定溶液中盐酸浓度CHCl的时间依赖性,从玻璃中提取1mlHCl-ipa探针。用水稀释的探针的比例计算浓度CHCl。这些测量值的精度约为5%,并通过滴定法进行了验证。CHCl的时间依赖性如图所示:1.由闭上的圆圈表示。结果表明,在t50h时,浓度线性增加到CHCl10%,并在CHCl20%时饱和...
发布时间: 2021 - 10 - 23
浏览次数:98
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      晶体硅光伏效率和场退化领域的技术差距/需求已经被确定。效率低下和快速退化的原因可能有共同的根源。极少量的污染会导致光伏效率低下,并且在现场安装后暴露在阳光下时容易进一步降低效率。在最近的试验中,我们进行了同类最佳的清洗,将隐含的开路电压提高了3%。在批量和在线湿法清洗工具的分批生产试验中,纹理化后蚀刻导致多晶硅晶片上的单元效率绝对提高0.3%。 实验      光伏晶体应用清洁化学的目标是消除晶体衬底材料加工过程中产生的或无意中添加到制造环境中的表面污染物。清洁剂所针对的污染物是释放到湿法处理槽中的金属阳离子。在处理晶片的正常过程中,两个处理步骤对于损坏太阳能电池表面是最关键的。下面讨论这两个步骤。首先是在纹理化蚀刻后去除污染物。纹理化蚀刻通过提供光学粗糙的表面来改变硅表面。纹理蚀刻从晶片上去除大块材料。被去除的硅衬底中存在的任何污染物被释放到纹理化浴中。在纹理化蚀刻之后,移除晶片并通过加入酸浴来中和。这种浴通常是氟化氢的稀溶液,有时也是氯化氢。晶片表面上存在的任何金属污染物都转移到该槽中。第二个处理步骤:略。 结果和讨论      单晶硅后纹理和后清洁:根据测量的载流子寿命和载流子注入,计算出隐含的开路电压。在图1中,后...
发布时间: 2021 - 10 - 23
浏览次数:45
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      人们对用于器件应用的碳化硅(SiC)重新产生了浓厚的兴趣。它具有良好的晶格常数和热膨胀系数,可以作为第三族氮化物外延生长的衬底。在许多应用领域,例如与航空航天、汽车和石油工业相关的领域,需要能够在高功率水平、高温、高频和恶劣环境下工作的电子设备。硅(Si)不能满足这些要求;碳化硅可以。此外,由于其典型的化学和机械性能,碳化硅与硅结合,在传感器和微机电系统(微机电系统)中得到更广泛的应用。      对于阳极蚀刻,避免形成钝化的表面氧化物二氧化硅至关重要,二氧化硅可以形成二氧化硅,并且在HF水溶液中是可溶的。已知二氧化硅也可溶于碱性溶液;硅微机电系统技术的许多方面都利用了这一特性。令人惊讶的是,在高酸碱度下对碳化硅的电化学腐蚀很少受到关注。本文表明这种方法既可用于碳化硅的均匀刻蚀,也可用于碳化硅的钝化。还使用了带有反电极但没有电压的n型碳化硅的光阳极蚀刻。我们考虑与该方法的两种可能用途相关的结果:缺陷揭示和层选择性蚀刻。 实验      n型晶片轴向取向,掺氮,电阻率在0.01和0.07厘米之间变化。p型晶片取向为8°离轴,掺铝,电阻率为3.86厘米。本研究中使用的所有样品都具有硅极面。对于电化学实验,使用Si3N4掩模在样...
发布时间: 2021 - 10 - 22
浏览次数:144
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      高效太阳能电池需要对硅片的正面和背面进行单独处理。在现有技术中,电池的两面都被纹理化,导致表面相当粗糙,这对背面是不利的。因此,在纹理化后直接引入在线单面抛光步骤。随后,使用双面扩散工艺来构造发射器。为了避免太阳能电池的前侧和后侧之间的短路,后侧上的发射器在进一步的湿化学工艺步骤中被移除。所以总共有两个单面湿化学过程,一个在扩散过程之前,一个在扩散过程之后。在降低成本方面,我们打算将这两个过程合并为一个步骤。(图1) 图1标准工艺(左)和组合湿化学工艺(右)的PERC太阳能电池概念的工艺方案      在本文中,我们研究了影响晶片前后表面的因素以及新开发的在线湿化学处理概念的关键特征。一个新的运输系统将减少由于反应性气体造成的磨损、阴影和前侧发射器损坏。该系统是为成熟的湿化学工艺设计的。 影响晶片表面的因素      影响单侧蚀刻晶片前后表面的因素有所不同(图3)。所以必须保护正面免受发射器损坏的两个主要来源。一种是包裹在前端的流体,破坏了局部发射体和表面纹理。另一个问题是废气与整个正面反应造成的发射器损坏。环绕气体和活性气体可以通过修改蚀刻混合物和从背面去除的材料量来控制。在后侧,必须获得均匀的表面。有两种机制会影响这一...
发布时间: 2021 - 10 - 21
浏览次数:17
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      本文研究了KOH基溶液中AIN的湿式化学蚀刻与蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加,从20~80°C不等。通过在1100°C下快速热退火,提高了反应性溅射制备的A1N的晶体质量,随着退火温度的增加,材料的湿蚀刻率降低。在1100°C退火后,在80°C蚀刻温度下,蚀刻速率降低了约一个数量级。用金属有机分子束外延生长的In019A1081N在硅上的蚀刻速率大约是在砷化镓上的三倍。这与在砷化镓上生长的材料的优越的晶体质量相对应。我们还比较了掺杂浓度对蚀刻速率的影响。蚀刻两个晶体质量相似的主要样品,一个用nc1016cm3(2.6%In)完全耗尽,另一个用n5。这些蚀刻的活化能非常低,溅射的A1N为2.0 0.5 千卡摩尔。主要的活化能依赖于成分,在2-6千卡摩尔。在80时,GaN和InN层在氢氧化钾温度下没有显示任何蚀刻°C。 实验      在IntevacGenII系统中,使用半绝缘、(100)砷化镓基质或p型(1 11 cm)硅基质的金属加纳分子束外延(MOMBE)基质上生长。III组源分别为三乙基镓、三甲胺亚烷和三甲基钠,原子氮来自于在200W正向功率下运行的ECR脉波源。各...
发布时间: 2021 - 10 - 21
浏览次数:56
Copyright ©2005 - 2013 华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋高新区桃金东路90号
电话:0513-87733829
Email:xzl1019@aliyun.com
www.hlkncse.com

传真:0513-87733829
邮编:226500


X
1

QQ设置

3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开