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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要本文提出了一种新型的双层光阻剂方法来减少负光阻剂浮渣。选择正光刻胶作为底层抗蚀剂,选择负光刻胶作为顶层抗蚀胶。研究了底层抗蚀剂的粘度和厚度对浮渣平均数量的影响。实验表明,低粘度正光刻胶AZ703的自旋速度为3000r/min,厚度为1.10um,对光刻胶的去除有显著影响。为了最小化顶层与衬底物接触的面积,进一步减少浮渣,我们选择了8µm作为底层抗蚀剂的最佳缩回距离d。 导读一般来说,负光致抗蚀剂具有良好的抗蚀特性作为掩模。然而,浮渣现象在负光致胶中很常见,区域水的强氧化和腐蚀会部分蚀刻光致胶,甚至导致变性,增加了浮渣去除的难度。衬底中的缺陷在随后的自旋涂层PZT中引起大量黑点,导致压电性能降低,衬底附着力差,特征尺寸控制不足。因此,去除铂表面的光致抗蚀剂是影响PZT制造工艺的关键。完全去除光致抗蚀剂的关键是克服与衬底的结合力。传统的干燥方法包括干式蚀刻和湿式化学腐蚀。在干、湿蚀刻过程中,完全去除光致抗蚀剂对于获得基底干净的表面质量至关重要。一般来说,双层抗试剂方法可以广泛应用于在需要非常清洁表面的各种底座上的负光刻胶去除过程。 实验在Si/sio2/Ti/Pt衬底中,采用双层抗蚀剂法去除负光刻胶。制作工艺流程如图所示。 选择2英寸的裸硅片作为基片。所有氧化物晶片在沉积在磁控溅射设备的腔室中之前都在150...
发布时间: 2021 - 10 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要图案图像中纳米级粗糙度的最小化已成为微处理器生产中光刻过程的优先事项。为了探究表面粗糙度的分子基础,通过将临界电离模型应用于聚合物基体的三维分子晶格表示,模拟了光致抗蚀剂的发展。该模型被用于描述现在常用于微光刻的化学放大光刻剂。对溶解速率和表面粗糙度对聚合程度、多分散性和分数去保护程度的依赖性的模拟结果与实验结果一致。表面粗糙度的变化与实验观察到的诱导周期的长度有关。并提出了空隙分数和显影剂浓度对粗糙度影响的模型预测。显影剂浓度对顶表面和侧壁粗糙度影响的差异可以用模拟预测的临界显影时间来解释。 介绍随着新一代微处理器的出现,对微光刻的需求变得越来越困难。与光刻胶图像的表面和边缘相关的粗糙度的最小化现在是光刻技术持续进步的挑战之一。顶表面和线边缘粗糙度的问题在过去的一年中引起了相当多的关注,以及最近的几个原子力显微镜AFM。研究已经对光刻胶粗糙度的过程依赖性产生了显著的见解。他和Cerrina1研究了正色调化学放大光刻剂在曝光后烘焙时间范围内的表面粗糙度和曝光剂量之间的关系。他们的结果表明,系统具有相同的整体平均去保护程度,但不同的过程历史,表现出相似的表面形态,但不同程度的粗糙度。本文中描述的模拟允许聚合物共混,以便我们可以研究多分散性的影响。初始空隙分数,可以代表固有的聚合物自由体积或残留铸造溶剂。分子水平模型正确地预测了溶解率和...
发布时间: 2021 - 10 - 18
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。对金刚石晶体结构的分析表明,晶面是该晶格中唯一光滑的面,其他面可能只是因为表面重建而是光滑的。通过这种方式,我们解释了在方向上KOH:H20中的最小值。实验对HF:HN03溶液中接近的最小蚀刻率的形状和从各向同异性向各向异性蚀刻的过渡进行了两个关键预测。结果与理论结果一致。 介绍      本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。对金刚石晶体结构的分析表明,晶面是该晶格中唯一光滑的面,其他面可能只是因为表面重建而是光滑的。通过这种方式,我们解释了在方向上KOH:H20中的最小值。实验对HF:HN03溶液中接近的最小蚀刻率的形状和从各向同异性向各向异性蚀刻的过渡进行了两个关键预测。结果与理论结果一致。在本文中,我们添加了一些新的实验结果来支持这里给出的观点。特别是,我们更详细地研究了氢氧化钾蚀刻硅蚀刻酸对接近方向的晶体方向的依赖性,并研究了HF:HN03:CH3COOH向各向异性硅蚀刻的转变。&#...
发布时间: 2021 - 10 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文对h2so4-h202-h20体系中(100)砷化镓的蚀刻情况进行了详细的研究。研究了特定蚀刻剂成分的浓度对蚀刻速率和晶体表面形状的影响。从这些结果中,蚀刻浴组成的吉布斯三角形被划分为与晶体表面的不同状态和各种蚀刻机制相对应的部分。蚀刻后的晶体表面的形状与同一溶液中沿同一方向蚀刻的凹槽的轮廓密切相关。 介绍      本文研究(100)砷化镓在硫酸、过氧化氢和水溶液中的化学蚀刻具有重要的技术和科学意义。该解决方案通常用于按照半导体器件制造过程中的操作顺序制备表面。因此,应该优化溶液;另一方面,所得结果为讨论异质性反应机理提供了一个很好的起点。 实验      实验中使用的h20-H202-h2so4体系的溶液浓度范围受到可用试剂浓度的限制。溶液的组成通常用吉布斯三角形上的体积百分比来描述,其顶点是水、30%的过氧化氢和96%的硫酸。溶液中高浓度的硫酸会导致部分过氧化氢分解。为了估计溶液的稳定性范围,在混合后立即用高锰酸钾滴定,2和24h后用高锰酸钾滴定。如果分析结果与计算出的成分相差小于5%,且与相同的水平稳定,则认为溶液是稳定的。室温下的稳定线对应于50vol%H2SO4,在搅拌溶液中略低于这个值,如图1和2所示。所...
发布时间: 2021 - 10 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文开发并实施了一种依次结合酸性和碱性清洗方法的“混合”后CuCMP清洗过程。新工艺展示了相对于全碱性刷子清洁工艺,证明了酸性和碱性清洁的优点,并使CMP缺陷减少超过60%,如抛光残留物、异物、泥浆磨料、划痕和中空金属工艺。它还消除了在辊子刷清洁过程中间歇性发生的圆环缺陷。TXRF扫描确认在使用混合清洁过程时AlOx缺陷的减少。XPS光谱显示了碱性和杂化清洁过程之间相似的铜表面氧化态。通过使用新的清洁工艺,可以提高短期和开放的产量。讨论了巨大的缺陷减少效益的潜在机制。 介绍      对于具有铜互连的半导体制造,与铜化学机械平面化(CMP)过程相关的缺陷往往是主要的屈服分离器。由于CMP是在完全定义一个铜互联之前的最终启用工艺,它不仅可以在过程中产生缺陷(例如划痕和抛光残留物),还可以揭示或装饰之前工艺步骤产生的缺陷,如rie后清洗、衬里沉积和铜镀。因此,铜CMP后的清洗过程不仅必须消除CMP期间产生的缺陷,还需要与之前的过程兼容,以防止进入CMP的缺陷加剧。在本文中,我们研究了酸性和碱性清洁化学物质的优点,并通过实施两种不同的清洁化学物质开发混合清洁过程3,以满足铜CMP清洁的挑战。 实验      实验采用了基于32n...
发布时间: 2021 - 10 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      臭氧水中微气泡的存在显著提高了光刻胶的去除率,这是由于溶解臭氧浓度的升高和微气泡对自由基产生的直接影响。此外,臭氧微气泡溶液能够有效地去除高剂量离子植入的光刻胶,由于其非定形碳状层或“地壳”,它非常能抵抗臭氧水和其他湿化学物质的去除。电子自旋共振实验也在不受严重金属污染影响的情况下进行了,表明存在羟基自由基,这被认为是由臭氧与微气泡坍塌时吸附在气-水界面的氢氧化物离子相互作用形成的。 介绍      微气泡是指直径小于50μm的微小气泡。当气泡在水中产生时,由于其长期停滞和良好的气体溶解能力,气泡的体积变小,最终在水中消失。 这些气泡在水中的坍塌已经被证明会导致活化氧化剂的产生,如羟基自由基。这被认为是由于气-水界面的消失引起的,这可能会引发作为吸附离子积累在界面上的较高的化学势的分散。同样,在水中产生臭氧微泡时,气水界面消失引起的化学势分散导致臭氧分解,产生大量羟基自由基,这可能提供一种新型的高级氧化过程(AOP)。这些特性表明,使用微气泡作为一种新的废水处理方法。      本文研究了微气泡对臭氧水去除光阻剂的影响。比较了有和没有微气泡的处理。并讨论了臭氧微气泡的物理化学机理提高去除率,考虑到电子自旋共振(ESR)的结果,并描述...
发布时间: 2021 - 10 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文提出了一种有效的、环保的干剥离方法,使用超临界二氧化碳(SCCO2)系统,在40℃到100℃和压力从90巴到340巴时去除离子植入的光刻剂和残留物。高剂量离子注入后,使用纯scco2不容易去除光刻胶。因此,加入极性溶剂作为高溶于scco2的共溶剂,以去除重有机物(光刻胶和光刻胶残留物)。单一共溶剂修饰的scco2体系不能有效去除,而是膨胀重有机物。而经多种共溶剂修饰的scco2体系对离子植入光刻胶的去除效率较高(约95%)。本研究表明,采用多种共溶剂改性的scco2系统的干剥离法可以取代等离子体灰烬或酸和溶剂湿台法,并显著减少相关的化学使用和处置。 介绍      随着微电子工业继续提高性能、降低功耗和克服威胁阻碍成功的障碍,过程工程师反过来又面临着发明新材料(铜和低k)、设计和制造工艺的挑战。在可预见的未来,增加长宽比、新材料、选择性和不断缩小的尺寸似乎是湿式蚀刻和清洗模块的关键技术过程挑战。现代超大规模集成电路半导体清洗工艺有一个重要的问题,包括在制造步骤之前、期间和之后去除污染。例如,光刻胶条和去除残留物是集成电路(IC)制造的关键过程。在这项工作中,我们开发了一种使用超临界二氧化碳和共溶剂去除后HDIPR。 实验    ...
发布时间: 2021 - 10 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文研究了化学机械抛光(CMP)工艺后颗粒在晶圆表面的粘附情况。嵌入的颗粒可以是浆中的磨料颗粒、垫材料中的碎片和被抛光的薄膜颗粒。为了找到最有效的颗粒去除机理,研究了不同的去除方法。在cmp清洗后,在溶液中加入表面活性剂。结果与不含表面活性剂的清洗进行比较,表明通过刷扫的机械相互作用和表面活性剂在溶液中的化学作用(即摩擦化学相互作用),清洗更有效。数值分析还预测了添加表面活性剂后的颗粒去除率。计算了晶圆-粒子界面中存在的范德华力,以找出去除粒子所需的能量。最后,通过将范德华力建模为粒子与表面分离距离的函数,研究了粘附过程。弹性理论对纳米颗粒-表面相互作用的成功适应,揭示了CMP的清洗机制。该模型告诉我们,随着分离距离的减小,引力并不总是会增加。估计的力值可用于浆料设计和CMP工艺估计。 介绍      化学机械抛光最初用于玻璃和硅片抛光。随着其功能的增加,化学机械抛光被引入到平面化层间电介质(ILD)、浅沟槽隔离(STI)和用于片上多级互连的镶嵌金属布线中。该工艺适用于半导体加工中的铜、钨和低介电常数介质。化学机械抛光的目标是实现粗糙表面的平面化。在化学机械抛光过程中,晶片被倒置在载体中,并被压入与流过浆液饱和抛光垫的浆液膜接触。晶片表面通过机械磨损和化学腐蚀进...
发布时间: 2021 - 10 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      化学机械平面化后的晶片清洗,特别是刷子擦洗,是半导体器件制造的一个关键步骤,尚未得到充分了解。临界粒子雷诺数方法用于评估在刷擦洗过程中去除晶圆表面的粘附颗粒,或者是否必须发生刷-粒子接触。考虑了直径为0.1和1.0m的氧化铝颗粒粘附在抛光二氧化硅和铜表面的模型系统。结果表明,流体力学力量可以去除部分粘附颗粒,但必须发生刷状颗粒接触才能去除所有的粘附颗粒。 介绍      在化学机械抛光过程中,当晶片被压入与抛光垫接触时,晶片被面朝下保持在载体中。抛光垫和载体都移动,使得晶片和垫之间存在相对运动。在抛光过程中,含有磨粒和专有添加剂的含水浆料被分配到抛光垫上。通过磨粒和抛光垫的机械作用,以及与浆料中的试剂的化学反应,晶片被平面化。用于抛光二氧化硅的浆料通常是二氧化硅颗粒在氢氧化钾水溶液中的悬浮液;对于抛光金属膜,浆料通常是氧化铝颗粒在硝酸铁水溶液中的悬浮液。虽然化学机械抛光导致高度的局部和整体平面性,但它产生极高水平的表面污染。      在这项工作中,临界粒子雷诺数方法被用来评估流体动力是否可以单独从晶片表面去除粘附的粒子,或者是否必须发生刷-粒子接触。 理论      粘附/移除模型:在得出任...
发布时间: 2021 - 10 - 15
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文为后化学机械抛光工艺开发了新型清洗液,在稀释的氢氧化铵(NH4OH+H2O)碱性水溶液中加入表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),以增强对金属和有机污染物的去除。从实验结果可以发现,化学机械抛光后的清洗显著提高了颗粒和金属的去除效率和电特性。 介绍      化学机械抛光(CMP)工艺已成为制造深亚微米集成电路的主流平面化技术。随着尺寸的缩小,CMP过程后对清洁表面的要求变得比以往任何时候都更加严格。有两个主要的问题。一个是粒子,另一个是晶片表面的金属杂质污染。刷洗涤技术已应用多年,被认为是CMP工艺后去除颗粒最有效的方法。在清洗溶液方面,去除颗粒的最有效的方法是使用稀释的氢氧化铵(NHOH+HO)碱性水溶液,这将导致晶片表面的蚀刻和电排斥力来去除颗粒。      本研究采用表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)提高颗粒去除效率,采用螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA)减少金属杂质污染。我们发现,使用这种新溶液可以显著提高粒子、金属去除效率和电特性。 实验  略 结果和讨论      图1说明了硅表面在接触角测量中的润湿性。将一个300nm的...
发布时间: 2021 - 10 - 15
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