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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      绝缘体上硅(SOI)晶片是目前非常重要的材料,它是通过使用两个硅晶片的晶片键合技术制备的。该生产过程需要在硅晶片表面形成的二氧化硅薄膜非常干净和平坦。为了有效提高氧化后二氧化硅膜厚的均匀性,单片湿法刻蚀法是一种有用的技术。其进一步推进应得到理论计算的支持。      因此,在我们之前的研究中开发了使用单晶片湿法蚀刻机进行二氧化硅膜蚀刻的数值计算模型。首先,通过水流可视化获得旋转晶片上的整个水运动,并进行评估以表明可以通过数值计算再现水的速度和层厚度。接下来,假设简单的速率方程,可以得到氟化氢水溶液对二氧化硅的蚀刻速率。该模型可以同时阐明摆动喷嘴的作用。然而,计算和测量之间的蚀刻速率仍然存在小的差异。为了获得准确实用的计算模型,表面化学反应过程及其速率,如朗缪尔模型,应像化学气相沉积一样适当地描述。实验性      显示了本研究中使用的单晶片湿法蚀刻机。该蚀刻机有一个直径为 200 毫米的晶片,在圆柱形容器中以 100-1400 rpm 的速度旋转。氟化氢水溶液(3%)从直径 4 毫米的喷嘴垂直于晶片表面以 1 L/min 的流速向下注入 1 分钟。注入后,氟化氢水溶液沿旋转的晶片表面从注入位置输送到晶片边缘,最后从晶片边缘甩出到外部。...
发布时间: 2021 - 09 - 02
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扫码添加微信,获取更多半导体相关信息摘要      本文介绍了一种低成本低温封装技术,用于在任意基板上制造的 MEMS 器件的晶圆级封装。此处介绍的封装工艺不涉及晶圆键合,并且可以在其制造序列完成后应用于各种 MEMS 器件。我们的技术通过聚合物涂层帽利用牺牲聚合物材料的热分解,并且可以应用于表面和本体微机械结构。介绍了高 Q 绝缘体上硅谐振器、厚硅陀螺仪和加速度计的封装。 简介      晶圆级封装是微系统制造中一项具有挑战性且成本高昂的任务 [1]。已经报道了几种用MEMS 器件晶圆级封装的技术,包括各种晶圆键合 [2-6] 和基于牺牲膜的方法。大多数报道的技术要么成本高昂(需要晶圆键合、研磨和帽盖形成),要么需要高温,要么是特定于设备的。图案化包装 (PVP)      第一种方法更适用于表面微加工器件,例如 SOI 谐振器。图 1(a) 显示了封装工艺顺序,称为通过图案化 (PVP) 封装。光可定义牺牲材料 Unity 2000P [9] 首先进行旋涂和软烤。然后使用深紫外曝光 (248nm) 对 Unity 聚合物进行图案化,然后在 110°C 下烘烤显影以分解曝光区域。图案化的牺牲材料被负性光可定义聚合物涂层 Avatrel 覆盖。封装后,通过 Avatrel ...
发布时间: 2021 - 09 - 02
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍      最先进的 65 nm 栅极氧化物通常被氮化以减少泄漏并增加 k 值。将它们集成到 65 纳米三栅极氧化物流中是一个真正的挑战。关键是控制入膜的氮浓度峰值位置。实际上,掺入的氮对所有种类的氧化都非常敏感,尤其是湿式操作。关键词: 氮化氧化物、三重栅极氧化物、氮浓度分布结果与讨论      某些器件需要在同一芯片上集成三重栅极氧化物(图 1)。第一个专用于输入/输出功能。第二个,LP(低功耗)用于低电流消耗,最后一个,GP(通用)用于高速应用。使用了几个湿法处理步骤并与 LP 栅极氧化物相互作用。这些氧化物是通过快速热氧化、等离子体氮化和 PNA(氮化后退火)产生的(图 2)。      必须严格控制三个主要参数才能获得可重现和准确的设备性能:厚度、氮深度分布和含量。虽然氮位于 90 nm 节点中的氧化物衬底界面处,但它在 65 nm 节点中更靠近顶部表面,以防止任何 NBTI 问题(图 3)。      这些剂量分布图通过两个步骤获得:湿斜角蚀刻,然后沿晶片直径进行 XPS 测量。两种斜角蚀刻轮廓是可能的:从上到下(在 HF 浴中缓慢浸入)或旋转蚀刻机上的径向轮廓。结论      需要...
发布时间: 2021 - 09 - 01
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      GaN、AlGaN 和 InGaN 等宽带隙 (WBG) 半导体的应用范围从照明和紫外线 (UV) 技术到高功率、抗辐射、高温、太赫兹 (THz) 和亚太赫兹电子和热电子学. 纤锌矿(六边形)对称性使这些材料与传统的立方半导体截然不同。与纤锌矿晶体结构相关的自发极化和压电极化在 AlGaN/GaN、AlInN/GaN 和 AlGaN/InGaN 界面产生二维电子气,其片层浓度比 Si CMOS 中的高 10 到 20 倍。高载流能力和高击穿场使这些材料非常适合高功率应用。通过改变摩尔分数来调整 AlxGa1-xN 和 InxGa1-xN 的能隙会改变它们发射或吸收的光的波长,并使光和紫外线发射器、太阳能电池和光电探测器在太赫兹和红外线到深紫外线范围内工作。使用 InGaN 的蓝色、绿色和白色 LED 彻底改变了智能固态照明。AlGaN UV LED 用于水净化、对抗抗生素抗性细菌和病毒,并显着延长产品储存时间。InN、ZnO 和 BN 具有与 AlN/GaN 系列竞争的潜力。金刚石不仅作为记录散热的基材重新出现,而且作为可行的太赫兹探测器材料重新出现。WBG 技术有许多难以解决的问题。WBG 材料中的高位错密度导致深 AlGaN UV LED 的效率低和高功率器件的可靠性问题。介绍  ...
发布时间: 2021 - 09 - 01
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      一种光刻图案化方法包括在基板上形成第一抗蚀剂图案,第一抗蚀剂图案在基板上包括多个开口;在基板上以及在第一抗蚀剂图案的多个开口内形成第二抗蚀剂图案,第二抗蚀剂图案在基板上包括至少一个开口。去除第一抗蚀剂图案以露出第一抗蚀剂图案下方的基板。背景      半导体技术不断发展到更小的特征尺寸,例如缩小到 65 纳米、45 纳米及以下的特征尺寸。用于产生如此小的特征尺寸的图案化光刻胶(抗蚀剂)层通常具有高纵横比。由于各种原因,尤其是对于具有高纵横比的抗蚀剂层,保持所需的临界尺寸 (CD) 可能非常困难。引入双重图案化工艺以形成具有更小尺寸的各种特征。然而,传统的双重图案化工艺涉及多个蚀刻工艺,制造成本高且产量低。详细说明      应当理解,以下公开提供了许多不同的实施例或示例,用于实现各种实施例的不同特征。下面描述部件和布置的具体示例以简化本公开。当然,这些仅是 55 个示例,并非旨在进行限制。例如,在以下描述中在第二特征之上或之上形成第一特征可以包括其中第一和第二特征直接接触形成的实施例,并且还可以包括其中可以在之间形成另外的60个特征的实施例。第一和第二特征,使得第一和第二特征可以不直接接触。此外,本公开可以在各种示例中重复参考数字和/或字母。...
发布时间: 2021 - 09 - 01
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      随着器件几何尺寸的减小以增加 VLSI 和 VHSIC 集成电路的有源元件密度,为基础半导体加工制备清洁的 Si 和 SiO2 衬底已成为一个更重要的技术问题。传统的表面分析技术如俄歇光谱法和 ESCA 分析不再具有足够的灵敏度来检测和定量表面杂质水平。因此,已经开展了将二次离子质谱 (SIMS) 分析应用于进行清洗处理的晶片表面的前几个纳米的程序。在确定执行可重复分析所需的 SIMS 仪器参数后,对通过 FSI-A、王水、发烟硝酸和食人鱼加 HF 清洁程序清洁的晶片进行了分析。每个清洁程序都会去除一些碱元素(Na、K),但最佳和最差性能之间的差异导致表面碱含量的变化超过 10 倍。典型的晶片污染物(Mg、Ca、Cr、Cu、Al 和 B)通过使用的各种清洁工艺以大不相同的效率去除。将提供有关各种清洁过程的相对效率及其对不同污染物的适用性的数据。此外,还将介绍一个受污染的薄沉积氮化物膜分析示例。介绍      随着集成电路密度的增加,硅基半导体技术的基本表面清洁度要求已成为一个越来越难以分析的问题。不再存在相对“海洋”的硅来吸收和分散一个加工步骤留下的污染物,因此它们不会影响后续步骤。俄歇电子能谱 (AES) 和化学分析电子能谱 (ESCA) 的基本灵敏度已经扩展到许多感兴...
发布时间: 2021 - 09 - 01
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要  为了能够使用基于 GaAs 的器件作为化学传感器,它们的表面必须进行化学改性。GaAs 表面上液相中分子的可重复吸附需要受控的蚀刻程序。应用了几种分析方法,包括衰减全反射和多重内反射模式 (ATR/MIR) 中的傅里叶变换红外光谱 (FTIRS)、高分辨率电子能量损失光谱 (HREELS)、X 射线光电子能谱 (XPS) 和原子用于分析用不同湿蚀刻程序处理的 GaAs (100) 样品的力显微镜 (AFM)。通过与粉末状氧化物(Ga2O3、As2O3 和 As2O5)相比,振动和 XPS 光谱中存在的表面氧化物导致的不同特征的分配。这里描述的蚀刻程序,即,使用低浓度 HF 溶液的那些,大大减少了砷氧化物 (100) 表面中存在的砷氧化物和脂肪族污染物的数量,并完全去除了氧化镓。关键词: 砷化镓 (100);氧化物;湿蚀刻;ATR/中红外;XPS; 人力资源;原子力显微镜介绍      GaAs (100) 表面具有高表面能。1 因此,它们具有很强的反应性和化学稳定性。GaAs (100) 表面上存在的不同氧化物的化学表征是有问题的,因为仅通过红外光谱和高分辨率电子能量损失光谱 (HREELS) 3 对氧化物进行了几次鉴定,并且在X 射线光电子能谱 (XPS) 值存在。上述所有方法在表面成分和粗糙度方...
发布时间: 2021 - 09 - 01
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      随着半导体器件的生产阶段深入到亚 100 纳米范围,监测空气分子污染 (AMC) 已成为洁净室管理的关键要素。本文根据过去十年的研究报告,全面介绍了当前对 AMC 的理解,特别是对有机来源的理解。从回顾 AMC 问题的时间顺序发展和 AMC 分类的几种方法开始,本文还研究了几种可用的环境采样和表面分析方法的优点。本文的重点是通过实验将有机 AMC 的表面形态和丰度与其物理和化学特性相关联,来解决有机 AMC 的表面沉积潜力,连同描述单一和多种污染物情况的沉积速率的动力学模型。此外,本文还考察了 AMC 控制策略的当前进展,特别是化学过滤技术的发展。介绍      洁净室的设计是为了最大限度地提高环境敏感材料(微电子和制药元件或产品)、工艺(晶圆制造)或操作(医疗程序)的生产率和产量。然而,只有在晶圆制造工艺领域,洁净室的概念才足够统一,因此空气洁净度要求之间的比较才变得有意义;因此,关于微污染的讨论严格集中在半导体洁净室环境上。多年来,洁净度是指尽量减少洁净室中的空气传播颗粒,以防止形成产品缺陷。这一要求促使半导体洁净室的设计分类为严格颗粒定义的环境,例如 10 级 (ISO 4)、100 级 (ISO 5) 洁净室。对温度和湿度、压力均匀性、气流速度和分布、噪声和振动水...
发布时间: 2021 - 09 - 01
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      低氧含量的湿法加工可能会提供一些优势,但是,完全控制在晶圆加工过程中避免吸氧仍然是单个晶圆工具上的短流程工业化的挑战。在线氧浓度监测用于工艺优化。然后,根据记录的氧浓度和处理室中气氛控制的硬件可用选项,评估稀释 HF 溶液中的钴蚀刻。关键词:低氧工艺、溶氧计、BEOL 清洗介绍      FEOL 应用和 BEOL 已经证明了在液体(冲洗水、稀释的酸,如 HF、HCl)和大气中(氮气流、密闭室)中低氧含量的湿法加工的优势应用 ,以及 2010 年 ITRS 路线图建议在晶圆厂设施提供给润湿设备的超纯水中添加 10ppb。然而,在晶圆加工过程中完全控制避免吸氧仍然是在非常短的工艺时间的单晶圆工具上进行工艺工业化的挑战。      在这项工作中,我们将专注于超稀释 HF 溶液中的氧气控制。事实上,已经证明用于 BEOL 互连蚀刻后清洁的“HF 预算”随着技术节点而不断减少,但可能仍然需要确保低成本工艺和良好的清洁效率。为了最大限度地减少绝缘多孔电介质的横向蚀刻,即使对于 10nm 节点,也建议将 HF 浓度降低至 0.05%wt,并改进氧浓度控制。然而,由于过程稳健性可能会受到非常短的过程时间(例如 实验性     ...
发布时间: 2021 - 08 - 31
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      硅晶片制造涉及许多湿法工艺,其中液体分布在整个晶片表面。在单晶片工具中,流体分配是至关重要的,它决定了清洁过程的均匀性。研究了冲洗流中的流体动力学和化学传输,结果表明在冲洗时间的一般分析中必须考虑由于流体层上的非均匀速度而导致的径向分散现象。介绍      更好地了解硅晶片制造中的湿法工艺对于提高清洁效率以及优化水分配和工艺时间非常重要。在这里,我们专注于冲洗过程,执行该过程是为了消除已分配在晶片表面的清洁溶液,并考虑代表单个晶片工具的情况。DIW(去离子水)的中心注入以及施加到系统的旋转引起沿晶片表面的径向流动和从边缘排出水溶液。研究了冲洗流中的流体动力学和化学输运,重点研究了由穿过流体层的非均匀速度场引起的径向分散现象。流体动力学和传输现象。       在这项工作中,冲洗过程被分析为纯水对水溶液的混溶置换。为简单起见,化学物质和残留物被视为单一溶解的溶质。如图 1 所示,去离子水 (DIW) 从晶片和屏蔽板之间的中心注入。两者都以相同的转速旋转。区分了两种主要配置(图 1)。在第一种情况下,称为密闭情况 (a),流速足够高,液体可以完全充满晶片和屏蔽板之间的空间。第二个,称为自由表面情况(b),对应于旋转速度或屏蔽板高度足够高...
发布时间: 2021 - 08 - 31
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