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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要已经研究并实现了成功的 AlN 和 GaN 表面的非原位和原位清洁程序。暴露于 HF 和 HCl 溶液分别在 AlN 和 GaN 表面产生最低的氧覆盖率。然而,检测到大量残留的 F 和 Cl。这些卤素在氮化物表面束缚了悬挂键,阻碍了再氧化。F 的解吸需要温度 850 °C。在 450 °C 时,远程 H 等离子体暴露可有效去除两种氮化物表面的卤素和碳氢化合物,但对氧化物去除效果不佳。在 700–800 °C 的 NH3 中对 GaN 进行退火可产生原子级清洁以及化学计量的 GaN 表面。介绍氮化铝 (AlN)、氮化镓 (GaN) 和氮化铟 (InN) 是带隙分别为 6.2、3.5 和 1.9 eV 的半导体。最近演示的基于 InGaN 的蓝色激光器量子阱结构,重点介绍了该领域最近取得的许多进展。GaN、AlN 及其合金也可用于高功率、高频和高温器件应用。 最近观察到的 AlN6 和 AlxGa1-xN7 合金的负电子亲和力也使这些候选材料成为可能用于场发射器冷阴极电子器件。 表面清洁工艺是大多数半导体器件制造步骤的基础。在硅和砷化镓技术中获得的经验表明,表面清洁对外延缺陷、金属接触电阻/稳定性、和整体设备质量。因此,表面清洁度的标准必须考虑表面的整个电气、结构和物理状态。这包括去除天然氧化物、有机污染...
发布时间: 2021 - 08 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要我们研究了使用超临界二氧化碳 (SCCO2)/化学添加剂配方去除离子注入光刻胶的方法。通过 SEM 和 XPS 分析对加工样品的离子注入表面进行表征表明,使用超临界二氧化碳/共溶剂配方,可以实现离子注入光刻胶的有效剥离,同时避免超临界制造过程中的硅凹陷和掺杂剂消耗。 CMOS 晶体管的浅结。介绍用于 45 nm 及以上节点的高级 CMOS 器件需要高驱动电流和超浅结,以满足电路在速度和静态泄漏方面的规范。在剥离用于制造源极/漏极扩展的光刻胶时,硅凹陷和掺杂剂消耗对结轮廓的影响变得至关重要。使用光刻胶掩模多次以各种不同剂量水平注入各种离子,以形成各种不同MOS晶体管的源/漏扩展。目前,氧等离子体灰化和硫酸/过氧化氢处理已被用于光刻胶剥离。用这种等离子体和化学氧化工艺形成的二氧化硅被后续的 SC1 清洗步骤蚀刻掉,导致超浅结的硅凹陷。实验方法本研究中使用的样品是具有 1.3 nm 厚化学氧化膜的 15 x 15 mm 硅晶片。在硅表面上以 0.3 微米间距在化学氧化膜的表面上制备 1 微米宽的光刻胶掩模图案,该硅表面具有由聚苯乙烯衍生物制成的 700 纳米厚、254 纳米正性光刻胶。未图案化的光刻胶薄膜也在硅衬底上用与覆盖光刻胶样品相同的聚合物制备。砷离子以2 x 10 13 至2 x 10 15/cm2 的剂量范围注入晶片表面。结果与讨论确定极...
发布时间: 2021 - 08 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍和背景• 选择性氮化硅到氧化硅蚀刻有许多应用,主要的应用是在 MOSFET 中形成栅极侧壁间隔。• Si3N4 是绝缘的,具有高热稳定性,并且是防止掺杂剂扩散的屏障。• 栅极隔离物有助于准确定义沟道长度、S/D 掺杂分布,并有助于消除短沟道效应。• 需要选择性来准确地停止在 1 -2nm 厚的底层 SiO2 上。• 在 基于 F 的等离子体,氮化物蚀刻行为比 SiO2 更接近 Si。• 氮化物 蚀刻更依赖于 F 浓度而较少依赖于离子轰击。• 氮化物的能力 消耗氟碳沉积层更接近于氧化硅。• 亲戚 氮化物和氧化物的蚀刻速率主要由 FC 相互作用层厚度和等离子体化学中的 C:F:H 比决定。• 来自聚合物形成气体 (CHF3, CH2F2) 的 H 自由基通过产生 HCN 蚀刻产物和减少氮化硅上相对于氧化硅的 FC 沉积来促进从 Si3N4 中去除 N。• SF6 由于大量生成原子 F 以及相对较低的直流偏压,是实现氮化物对氧化物的高选择性的最佳选择。 聚合物 阻塞性    背景• 氮气 是氮化硅蚀刻中重要的蚀刻产品。• 氮的解吸通常是氮化物蚀刻的限制因素。• 在等离子体...
发布时间: 2021 - 08 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要近年来,在减薄步骤后提高晶圆强度一直是砷化镓(GaAs)晶圆制造的一个持续问题。晶圆强度的提高将显着减少拆卸和清洗过程中的晶圆破损。优化减薄工艺以最小化机械应力源非常关键。提高薄 GaAs 晶片强度的一种明显方法是在晶片研磨后应用湿蚀刻步骤以去除表面损伤。本文将讨论 Skyworks 设施开发的晶圆减薄和抛光工艺的改进。 简介研磨工艺在晶圆减薄操作中提供最佳平整度 ,但也会引入大量微裂纹,从而在晶圆中产生机械应力。湿法蚀刻或抛光的目的是去除研磨过程中残留的表面损伤。过去,我们了解到晶圆拆卸步骤中的高破损率与机械应力直接相关,湿蚀刻晶圆的成品率低于抛光晶圆。然而,本文将表明晶圆强度与表面粗糙度直接相关,抛光方法对晶圆强度提高的影响比湿蚀刻方法更显着。不同组的晶圆强度 设计了一个特殊的夹具来固定减薄的晶片。这种特殊的夹具有一个开口,其形状与 4 英寸 GaAs 晶片的形状相同,带有一个大平面和一个小平面。有一个带有抽拉装置的封闭室,用于将破裂的晶片固定在开口下方。当晶片固定台朝尖端向上移动时,台速度设置为 10 毫米/秒。当尖端使晶片破裂时,晶片台停止,显示的最大载荷是晶片的强度。不同晶片组的结果绘制在图 2 中。   表面粗糙度与晶圆强度之间的关系图 3 显示了表面粗糙度和晶片强度之间的关系。晶...
发布时间: 2021 - 08 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要 使用高腐蚀性化学品去除晶片表面上的纳米颗粒会导致基板损失。这导致使用提供声空化以去除小颗粒的兆声波。兆声波确实会产生气泡空化,它对晶圆结构施加机械力,剧烈空化如过境空化或微射流会损坏图案结构。本文提出了一种新的兆声波技术,该技术提供了对气泡空化的稳定控制,在不同模式下不会损坏图案。与行业标准的双流体喷嘴清洁技术相比,该技术显示出更好的颗粒性能。这种及时通电气泡振荡模式提供稳定的空化和宽功率窗口。它不同于传统的兆声波,后者在气泡内爆时会产生过境空化和损坏。这种新的兆声波技术可用于清洁 28 纳米及以下的“敏感”结构,而不会损坏任何图案。关键词: 无损伤清洗、稳定的非暴力空化、颗粒去除、兆声技术、单晶片清洗 简介随着特征尺寸的缩小和电路结构密度的增加,“致命缺陷”——可能导致芯片在良率测试中失败的最小缺陷尺寸——会减少。从更小、更密集的芯片中去除随机缺陷更加困难,尤其是当缺陷尺寸小于晶圆表面所谓的“边界层”的尺寸并且清洁效率下降到接近于零时。由于边界层的厚度,使用兆声清洗可以将较小的力传递给小颗粒。兆声清洗中小颗粒的去除主要是由于气体空化。声致发光测量进一步支持了这一结论 [3,4]。为了更好地去除颗粒,一项关于用兆声波增强空化活性的研究发现,研究了最佳脉冲关闭时间对气体浓度的依赖性,并确定了溶解气体含量的最佳工艺范围 脉冲...
发布时间: 2021 - 08 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要 该研究显示了去离子 (DI) 冲洗和氧化物 HF 湿蚀刻工艺对硅衬底的影响 光刻工艺。在互补金属氧化物半导体 (CMOS) 器件的制造过程中,我们在 DI 冲洗步骤后发现晶圆中心出现故障,称为 Si 凹坑。我们试图通过在 CMOS 制造中使用硅晶片并分析由 DI 冲洗引起的摩擦电荷的影响来找出 Si 凹坑的机制。该实验的关键参数是每分钟转数 (rpm) 和时间。观察到超过 10 秒的孵育时间对于形成 Si 凹坑,并且冲洗时间比 rpm 对 Si 凹坑的形成更有效。通过使用等离子体密度监测器测量充电水平,研究了 Si 凹坑的形成机制和优化的冲洗工艺参数。关键词 光刻、DI 冲洗、摩擦充电、Si 坑、PDM。简介 随着现代半导体工业的发展,超大规模集成(VLSI)制造工艺也在以非常快的速度发展,集成电路的集成度进一步提高,电路的线宽越来越大。也变得很好。半导体制造工艺可以基于CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺集成来解释。光刻,今天被用作一种形成图案的方法,用于制造几乎所有的集成电路。半导体制造工艺重光工艺起到蚀刻掩膜的作用,形成所需的膜结构,或形成掩膜的工艺,将适量的离子注入所需的区域。基本上,它与采取a的工艺几乎相同如图,在晶圆上经过抗蚀剂涂布→曝光→显影三步过程。抗蚀剂涂覆工艺是在硅片上涂上PR(光刻胶)的工艺,曝光工艺使一定波长的光通过...
发布时间: 2021 - 08 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要在这项工作中,对通过物理气相沉积生长的几种不同薄膜氧化物的湿蚀刻性能进行了评估。MgO、Al2O3、SiO2、TiO2、HfO2、ZrO2和Y2O3被涂覆在两种类型的基材上;Si 和硼硅玻璃以及蚀刻测试在不同的蚀刻溶液中进行。MgF2 薄膜也已被评估。考虑到薄膜选择的重要方面,以匹配良好的光学性能,如折射率 (n)、消光系数 (k) 和光学厚度 (TP) 以及湿蚀刻中的良好化学性能过程。描述了滤光片的物理原理以及不同氧化物相互堆叠的组合如何创建干涉滤光片。介绍了使用物理气相沉积 (PVD) 的薄膜的制造过程。研究了由多孔涂层引起的光谱热位移,并通过椭圆光度法、表面轮廓法和透射分光光度法对薄膜进行了分析。 介绍在某些情况下,需要在光学涂层和滤光片上制作光刻图案。这种光刻的用途主要是在照明业务中投影图像。带有涂层的图案化设备还有其他用途,用于光学仪器和探测器。制造这些组件的一种方便的方法是对由光刻胶图案化的薄膜进行湿法蚀刻。在本报告中,研究了不同的化学溶液如何蚀刻不同的氧化物。背景生产基于 PVD的光学干涉滤光片。这种滤光片的主要用途是在照明行业投射图案。为了进行这种光刻,涉及使用光刻胶的湿法蚀刻工艺。定界没有研究薄膜的形态。为了制造涂层,仅对最佳涂层工艺参数进行了估计。一些有趣的氧化物如 Nb2O5 和 Ta2O5 没有被研究。涂层上...
发布时间: 2021 - 08 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要制备了 53 种已使用或可能可用于制造微机电系统和集成电路的材料样品:具有两种掺杂水平的单晶硅、具有两种掺杂水平的多晶硅、多晶锗、多晶 SiGe、石墨、熔融石英,Pyrex 7740,二氧化硅的其他九种制剂,氮化硅的四种制剂,蓝宝石,氧化铝的两种制剂。简介HEN 在设计微加工工艺时,必须知道要蚀刻的每种材料的蚀刻速率。例如掩蔽膜和底层,使得可以选择蚀刻工艺以获得良好的选择性(目标材料的蚀刻速率与其他材料的蚀刻速率的高比率)。蚀刻速率 略湿蚀刻   略干蚀刻    磷: 磷酸(按重量计 85%),160。它是为数不多的氮化硅湿法蚀刻之一。因为它会蚀刻光刻胶,所以必须使用另一种掩蔽材料,例如氧化物。这里报告的化学计量和富含硅的 LPCVD 氮化硅的蚀刻速率比之前报告的要快 。蚀刻速率对温度非常敏感,这个浴槽可能要高几度。还发现热磷酸能快速蚀刻铝。  略蚀刻速率变化蚀刻速率变化的许多原因在前面已经列举过。其中最重要的一项是材料的特性,这是生产方法和后续加工(例如退火)的结果。通过检查表 III 可以看出这一点:主要是二氧化硅的材料在 5:1 BHF 和其他蚀刻剂中的蚀刻速率差异很大。结论表中的数据显示了对大多数材料有用的蚀刻剂,并指出了材料在哪种蚀刻...
发布时间: 2021 - 08 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要几乎所有的直接晶圆键合都是在化学机械抛光的基板之间或在抛光基板顶部的薄膜之间进行的。在晶圆键合中引入化学机械抛光将使大量材料适用于直接晶圆键合,这些材料在集成电路、集成光学、传感器和执行器以及微机电系统中已经发现并将发现更多应用。介绍化学机械抛光 (CMP) 是一种经常用于制造高质量透镜和反射镜以及用于集成电路 (IC) 工艺的硅晶片制备的技术。自 1990 年代初以来,CMP 正成为现代亚微米 (0.35 |±m) 超大规模集成 (VLSI) 电路中层间电介质 (ILD) 平面化和/或金属层平面化的关键工艺。DWB 中表面形态学的影响典型的 DWB 工艺包括三个步骤:晶圆清洁、室温键合和退火。为了实现自发、无空隙的室温键合,晶片表面应该平坦、干净且极其光滑。 CMP的表面平滑度工艺                                CMP 与 DWB 的关系                        ...
发布时间: 2021 - 08 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要通过离子注入在二氧化硅牺牲层中产生损伤,以提高二氧化硅在液相和气相氢氟酸中的蚀刻速率。在蒸汽氢氟酸 (VHF) 中,注入和未注入二氧化硅之间的蚀刻速率比大于 150。这个特征对于大大减少微机电系统锚的底蚀很有意义。基于实验提取的未注入和注入二氧化硅的蚀刻速率,可以通过模拟来预测牺牲层的图案化。介绍制造微机电系统 (MEMS) 的两种主要方法是体微加工技术和表面微加工技术。在体微加工的情况下,可移动结构的制造是通过选择性蚀刻掉结构层下方的处理基板来实现的,而在表面微加工中,一系列薄膜沉积和选择性蚀刻堆叠的特定层(称为牺牲层)导致最终所需的悬浮微结构。 图1  (a) 释放悬臂梁示意图,(b) 在锚垫下方蚀刻。底部蚀刻的宽度是释放光束宽度的一半,(c) 结构材料在预定牺牲层上的阶梯覆盖注入二氧化硅的 VHF 蚀刻    略       样品制作    略文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间: 2021 - 08 - 25
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