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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      使用嵌段共聚物光刻(BCPL)方法将金纳米粒子分散在玻璃基底上.1 25.4毫克二嵌段共聚物[聚苯乙烯81,000-嵌段-聚(2-乙烯基吡啶)14,200(聚合物来源公司)]的混合物。并将5 ml甲苯在氮气吹扫的黑暗环境中搅拌并搅拌过夜,加入约8 mg四氯化钛H2O,并将该溶液搅拌90小时。玻璃基板以50m/秒的恒定速率浸入嵌段共聚物溶液中,保持5秒钟,然后以相同的速率从溶液中升起。让基材在空气中干燥,然后置于氧等离子体中10分钟以除去聚合物,仅留下金颗粒的分散体。等离子体是使用直径为9毫米的试管中的埃文森腔产生的。净腔功率在20到30 W之间。空腔压力约为600毫托,氧气流量为1 sccm。       激光器是一种532纳米、40毫瓦(连续波)、气冷、二极管泵浦的固态激光器。它由光学显微镜聚焦,使用50倍长工作距离物镜和三个外部透镜。       建立并稳定气流,然后将激光聚焦到样品的上表面,保持足够低的功率,从而不会产生沉积。反应器压力保持恒定在5托。氩气和氧气的流速分别为18和1 sccm。这些实验中只使用了全激光功率。       分析表明用于表征PACVD沉积物和材料标准的显...
发布时间: 2021 - 09 - 07
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      超声研磨和超声化学机械抛光均可降低双体磨损,降低表面粗糙度的峰谷值,超声波在研磨中的作用有助于后续化学机械抛光获得更高的MRR和更好的表面质量。化学机械抛光中的超声辅助振动可以促进化学反应,提高MRR,改善表面质量。超声波化学机械抛光和超声波研磨的组合实现了最高1.057米/小时的MRR和最低0.474米的PV值。因此,这种后续的超声波辅助加工方法可以用来提高单晶碳化硅晶片的材料去除率和表面粗糙度。关键词:单晶碳化硅;材料移除;表面生成;超声波化学机械抛光;超声波研磨介绍      碳化硅是第三代(宽带隙)半导体材料之一(SiC)因其具有高热导率、高硬度、耐化学性、耐温性、对光波透明等显著的物理化学性能,在学术研究和工业应用中都备受关注。 因此,碳化硅已成为光电子和电力电子领域最有前途的材料之一,尤其是当该器件用于高温、高频、高功率和抗辐射的环境中时。然而,它的机械和化学性质使得表面平面化比广泛用作衬底材料的硅和蓝宝石困难得多,因为它的莫氏硬度接近金刚石,并且化学惰性太强,除了在200℃以上的热氢氟酸(HF)溶液或磷酸中,在室温下在所有已知的含水蚀刻溶液中不能反应。 实验装置    实验设计和性能表征  ...
发布时间: 2021 - 09 - 07
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      Cu2ZnSnS4是一种潜在的重要太阳能电池材料。我们首次报道了用二乙基二硫代氨基甲酸铜、锌和锡的配合物化学气相沉积铜Cu2ZnSnS4薄膜。       Cu2ZnSnS4 (CZTS)在太阳能电池应用中的优异性能,它是由相对无毒和丰富的元素形成的低成本材料,此外还具有1.5 eV的有用带隙和高吸收系数( 104 cm1)。这种p型半导体可被视为硫族化物(CuinS2或CuGaS2)的衍生物,其中较不丰富的元素In或Ga被更易获得的Zn和Sn.4,5 A的电池光收集效率所取代。      化学气相沉积是一种众所周知的制备和生产高质量化合物半导体薄膜的方法。         首次利用容易制备的铜、锌和锡的二乙基二硫代氨基甲酸盐配合物,用原子吸收化学气相沉积法沉积了高质量的Cu2ZnSnS4薄膜。用PXRD、扫描电镜、透射电镜、SAED、EDX、紫外-可见光谱和电阻率测量对沉积膜进行了表征。   文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间: 2021 - 09 - 07
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料关键词:种植体稳定性,临床试验,共振频率分析,种植体表面化学 摘要      喷砂、酸蚀(SLA)种植体表面的化学修饰已被证明可以提高骨结合率。本研究的目的是检查具有化学修饰表面的植入物的稳定性变化,并将其结果与对照植入物进行比较。对31名患者进行了随机对照试验,每名患者接受两种具有相同物理性质的植入物,但一种具有标准SLA表面(对照),另一种具有改性表面(试验)。植入后的前6周每周评估一次共振频率分析。所有的植入物都被证明在临床上是成功的,允许修复。对于大多数放置在下颌骨中的植入物(62个中的50个),植入物稳定性从降低的稳定性转变为增加的稳定性(p 材料和方法       这项双中心、随机、对照的试点试验旨在前瞻性地评估标准喷砂、酸蚀(SLA)植入物(瑞士巴塞尔的Straumann)与具有相同物理特性但具有化学改性表面(SLActive)的植入物的整合性。使用共振频率分析(RFA奥斯泰尔,整合基于标准成功标准的诊断和结果。统计分析      主要响应变量ISQ(值在0到100之间)是连续的,并被确定为正态分布(科尔莫戈罗夫斯米尔诺夫检验)。为了降低患者特异性变异性并针对患者特异性情况进行调整,将反应变量转换为相对于基线读数的...
发布时间: 2021 - 09 - 07
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      金属涂层,如铜膜,可以很容易地沉积在半导体材料上,如硅晶片,而无需使无电镀工艺进行预先的表面预处理。然而,铜膜的粘附性可能非常弱,并且容易剥离。在本研究中,研究了在氢氟酸溶液中蚀刻作为硅晶片化学镀前的表面预处理的效果。氢氟酸中的蚀刻时间在1、3和5分钟变化,以便研究涂层的粘附行为。使用场发射描电子显微镜(FESEM)观察化学镀样品的表面形态,并使用横截面分析测量涂层厚度,结果表明,较长的蚀刻时间(5分钟)比1分钟蚀刻时间(5μm)产生更厚的铜沉积物(8.5μm)。此外,通过增加蚀刻时间,改善了铜膜和衬底之间的机械结合。关键词:化学镀,铜互连,表面预处理,氢氟酸腐蚀,硅通孔(TSV)方法论       以购买的方式使用了商业上可获得的涂覆有二氧化硅薄层(厚度:300纳米)的(100)取向单晶硅晶片。将晶片切成更小的片(大约1×1cm 2),并用作无电沉积铜的基底。 结果和讨论       化学镀铜的表面形态  略       横截面的形态学   略     ...
发布时间: 2021 - 09 - 07
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      石墨有望成为基本微机电系统的常用材料为了成为基本的微机电系统材料,石墨必须适应常用的微/纳米加工技术。因此,本文采用直接光刻和刻蚀工艺来研究石墨的微/纳米加工。结果表明,石墨表面适合光刻,可以在石墨表面直接制作不同形状和尺寸的光刻胶图形。此外,在加工纳米高度的石墨结构时,微米高度的光刻胶仍能抵抗等离子体刻蚀。因此,具有光致抗蚀剂图案的石墨通过蚀刻被直接处理,并且纳米量的石墨被蚀刻。此外,高度范围从29.4 nm到30.9 nm的微/纳米级石墨结构被制造成具有大约23♀个侧壁。 介绍        石墨是一种全球丰富的矿物。它是一种具有六边形层状结构晶格的结晶碳,每一层都有石墨烯的单原子厚度。微/纳米加工技术是制造微机电系统器件的主要方法。因此,石墨需要满足微/纳米加工技术的要求,才能成为基本的MEMS材料。目前,碳微机电系统已经被提出和研究,龚等。现已提出了一种将聚酰亚胺与纳米石墨颗粒添加剂混合以提高牺牲层释放速率的方法。 结果和讨论      通过光刻在石墨表面上获得的光致抗蚀剂图案与设计的掩模模板上的图案基本相同。这一发现表明石墨表面可以通过光刻直接加工。因此,可以根据需要设计不同的光刻胶图形,通过...
发布时间: 2021 - 09 - 07
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      自信息时代到来以来,不断缩小和降低半导体产品成本的需求日益增长。为了满足这一需求,已经做了大量的研究来改进我们当前的微/纳米制造工艺并开发下一代半导体制造技术。高通量、低成本、更小的特征、高重复性和制造过程的简化都是研究人员不断追求的目标。不仅利用高能表面等离子体在硅衬底上形成有序的金纳米粒子,还有一种利用表面等离子体的低成本光刻技术。 最常用的光刻技术是光刻  略   等离子体纳米光刻   略 等离子透镜  略金纳米粒子的形成   略      进行了九个不同的实验,包括短脉冲束和长脉冲束,每个装置都进行了多次试验。表1列出了每个装置的具体实验参数。这九个实验的结果描述如下。 硅衬底上金纳米粒子的尺寸分布结论      将等离子体激元用于微纳制造有能力彻底改变半导体工业。在第二章中,讨论了一种通过光学等离子体天线产生宽阵列半周期金纳米粒子的方法。在这项技术中,金/氧化铝纳米孔光学天线可以使用1064纳米钕:钇铝石榴石激光系统照射,将半周期金纳米粒子沉积在任何平坦基底的表面上。所讨论的方法显示出...
发布时间: 2021 - 09 - 06
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      综述了半导体各向异性蚀刻的表面化学和电化学。描述了对碱性溶液中硅的各向异性化学蚀刻和 n 型半导体中各向异性孔的电化学蚀刻的最新见解。强调了电流效应在开路蚀刻中的可能作用。介绍      由于简单、成本效益和多功能性,湿化学蚀刻方法在半导体器件技术中得到广泛应用。虽然一些半导体可以通过还原分解,但实际蚀刻通常涉及固体的氧化. 价电子从与溶液中的蚀刻物质(开路蚀刻)或通过外部电路(电化学蚀刻)对电极的表面键合中去除。对于开路蚀刻,可以区分两种机制。第一个是“电化学”:溶液中的氧化剂从固体的价带中提取键合电子,即它“注入空穴”,当它位于表面时,会导致键断裂。由于空穴是移动的载体,氧化剂的还原和固体的氧化这两个反应可以看作是独立的电化学反应;它们可以在空间上分开(下面将给出一个例子)。这种蚀刻形式通常称为无电蚀刻。第二种机制是化学机制:溶液中的活性蚀刻剂与表面原子之间直接发生电子交换反应。 化学蚀刻:碱性溶液中的硅  图 3. 电流-电位 (i-V) 曲线显示两个晶面 A 和 B 之间原电池的形成。蚀刻由氧化剂的扩散控制。阳极蚀刻:各向异性孔隙      HF溶液中Si的多孔阳极蚀刻已为人所知并应用多年 一个...
发布时间: 2021 - 09 - 06
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍      本章专门讨论 AIIIBV 半导体化合物的热湿氧化,主要是砷化镓和氮化镓。它分为几个主题,包含单斜晶系氧化镓1 b-Ga2O3 特性数据、氧化物制造技术和应用说明。在第一部分中,对上述半导体氧化物的性质进行了表征。然后描述了特别关注湿热氧化的制造方法。之后,给出了氧化镓结构在电子学中的应用。它还侧重于专用于气体传感器应用的半导体结构,而与包含 SnO2 等的那些相比,氧化镓层显着改善了检测器的最关键参数。AIIIBV 和 AIIIN 半导体化合物是众所周知的光电子器件材料。它们还经常用于构建高温和微波设备或化学气体传感器。在这些应用中,介电层是必需的。有可能使用他们自己的氧化物——Ga2O3 提供了制造许多不同器件的机会——MOS 结构(金属氧化物半导体)。它可以是 MOS 电容器、功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)、高迁移率 GaAs MOSFET 或栅极关断晶闸管。 Ga2O3 的性质      氧化镓-Ga2O3 是一种宽带隙材料,可确保深紫外透明度。适当掺杂可以达到导电性能,因此包含在 TCO(透明导电氧化物)材料中,例如 ITO 或 ZnO,它们是光电子学中最先进 的材料。 电导率    ...
发布时间: 2021 - 09 - 06
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      我们展示了在平面蓝宝石上使用磷酸、熔融氢氧化钾、氢氧化钾和乙二醇中的氢氧化钠生长的纤锌岩氮化镓的良好控制结晶蚀刻,蚀刻速率高达3.2mm/min。晶体学氮化镓蚀刻平面为0001%,1010%,1011%,1012%和1013%。用场效应扫描电子显微镜观察垂直的1010%平面看起来非常光滑。活化能为21千卡/摩尔,表明反应速率有限的蚀刻。 介绍      目前对第三族氮化物的大多数处理是通过干法等离子体蚀刻完成的,干法蚀刻有几个缺点,包括产生离子诱导损伤3和难以获得激光所需的光滑蚀刻侧壁。典型的均方根均方根。干法蚀刻产生的侧壁粗糙度约为50纳米,尽管最近有报道称均方根粗糙度低至4–6纳米。光电增强电化学PEC。湿法刻蚀也被证明可以刻蚀氮化镓GaN。还报道了氮化镓的解理面,生长在蓝宝石衬底11上的氮化镓的均方根粗糙度在16纳米和生长在尖晶石衬底上的氮化镓的均方根粗糙度在0.3纳米之间变化。      在本文中,我们使用乙二醇代替水作为氢氧化钾和氢氧化钠的溶剂,因此我们能够使用90℃至180℃的温度。这些温度超过了水的沸点,比以前参考文献中使用的温度高得多。通过这样做,我们开发了一种两步工艺,将晶体表面蚀刻成ⅲ族氮化物。 实验&...
发布时间: 2021 - 10 - 09
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