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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      我们据报道,金属薄膜可以通过脉冲掺钕钇铝石榴石激光束照射薄膜表面直接光刻。该过程利用激光诱导的热弹性力,起到将薄膜与底层分离的作用。使用空间调制激光束制造了微米级的高保真图案。具有光刻铝源极和漏极电极的锌-锡-氧化物薄膜晶体管表现出高于 105 的开/关比和非常低的关断电流水平。这表明金属层通过该过程被完全蚀刻掉,不需要额外的清洁或蚀刻步骤。介绍      金属薄膜图案化是现代电子设备制造中的关键工艺,因为它们通常需要电极、金属化或互连线。这些图案通常是通过光刻技术制造的。虽然传统的光刻可以提供高分辨率的图案,但它也需要昂贵的设备和许多工艺步骤。对简单、低成本制造的日益增长的需求导致了对替代品的狂热寻找。已经研究了许多不同的方法,包括喷墨打印、 纳米转移印刷,和激光诱导的正向转移。这些替代方案中的大多数都具有加成工艺的优势,但在分辨率、处理速度或可靠性方面仍然存在限制。光刻      该领域以前的工作主要致力于潜在光刻胶材料的光刻蚀以及纳米颗粒的尺寸选择性蚀刻。在最近的一份报告中,我们已经证明,蒸发在玻璃基板上的金属薄膜(Au、Ag 和 Al)可以通过从基板背面入射的空间调制脉冲掺钕钇铝石榴石 (Nd:YAG) 激光束直接图案化。该...
发布时间: 2021 - 08 - 31
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      在早期阶段检测工艺问题和参数漂移对于成功的半导体制造至关重要。晶圆上的缺陷模式可以作为质量工程师的重要信息来源,使他们能够隔离生产问题。传统上,缺陷识别是由质量工程师使用扫描电子显微镜进行的。这种手动方法不仅昂贵且耗时,而且会导致很高的错误识别率。在本文中,提出了一种由空间过滤器、分类模块和估计模块组成的自动方法来验证真实数据和模拟数据。实验结果表明,三种典型的缺陷图案:(i)线性划痕;(ii) 一个圆环;(iii) 可以成功提取和分类椭圆区域。高斯EM算法用于估计椭圆和线性图案,球壳算法用于估计环形图案。此外,可以通过混合聚类方法同时识别凸形和非凸形缺陷图案。所提出的方法有可能应用于其他行业。介绍      集成电路的制造是一个复杂且成本高昂的过程,涉及数百个步骤,并且需要在整个生产过程中监控许多工艺参数。今天,即使使用位于几乎无尘的洁净室并由训练有素的工艺工程师操作的高度自动化和精确定位的设备,仍然无法避免点缺陷的发生(Kuo et al., 1998; Kuo and金,1999)。由于晶圆上的成簇点缺陷通常是由于工艺问题或人为错误造成的,因此关于簇大小、几何形状和空间位置的信息对于寻求识别潜在生产问题的工艺工程师来说非常有价值。一般来说,缺陷模式可以被视为两个独立...
发布时间: 2021 - 08 - 31
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本报告中回顾的紫外线 (UV)/臭氧表面清洁方法是从半导体(以及许多其他)表面去除各种污染物的有效方法。这是一种简单易用的干式工艺,设置和操作成本低廉。它可以在环境温度下在空气或真空系统中快速产生清洁的表面 结合干法去除无机污染物,该方法可能满足未来几代人需要的全干法清洁方法的要求半导体器件。将经过适当预清洁的表面放置在距离产生臭氧的紫外线源几毫米的范围内,可以在不到一分钟的时间内产生干净的表面。该技术可以产生接近原子级清洁的表面,俄歇电子能谱、ESCA、和 ISS/SIMS 研究。讨论的主题包括过程变量、成功清洁的表面类型、可以去除的污染物、紫外线/臭氧清洁设施的建造、过程机制、真空系统中的紫外线/臭氧清洁、速率提高技术、安全考虑、除清洁外的紫外线/臭氧影响以及应用。介绍      紫外线 (UV) 光分解有机分子的能力早已为人所知,但直到 1970 年代中期才开始探索表面的紫外线清洁 (1-6)。自 1976 年以来,紫外线/臭氧清洁方法的使用稳步增长。紫外线/臭氧清洁剂现在可以从几个制造商处购买。紫外线/臭氧清洁的历史      长期以来,人们普遍知道紫外线会导致化学变化。众所周知的表现是织物颜色褪色和人体皮肤色素沉着(即晒黑)在暴露于...
发布时间: 2021 - 08 - 31
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要 在本文中,我们描述了一项实验研究,该研究旨在调查 58 – 192 kHz 频率范围内的超声波场的表面清洁和侵蚀潜力。使用三种不同的方法(重量损失法、表面轮廓法和精密比浊法)进行测量,以评估各种材料(包括半导体)的这些机制。得出关于高频、高强度超声波场和浸没表面之间相互作用的性质的结论。提供了最佳设置的建议,以最大限度地提高表面清洁度并最大限度地减少敏感基材的可蚀性。关键词:超声波、空化、侵蚀、清洗、硅片介绍亚微米颗粒污染是许多微电子行业(例如半导体设备、集成电路、硬盘驱动器等)设备故障和制造工艺良率损失的主要原因。随着关键产品尺寸在日益小型化的市场中缩小,颗粒的最小尺寸可能导致缺陷的因素也在不断减少,从而导致清洁复杂性和成本呈螺旋式上升。实验数据和分析图 1 是优化概念的早期说明。在室温水中测量的声流力(理论值)和空化强度(由 ppb™ 空化探头测量)与超声波频率作图。净力似乎在 100-130 kHz 范围内具有最小值,这与工业经验合理一致。      结论对给定表面的超声波清洗工艺的优化必须基于两个可测量的指标——表面可清洁性和表面可蚀性。前者必须最大化,后者必须最小化。更现实的是,必须确定一个最佳设置,以在两者之间提供最可接受的折衷方案,因为很可能导致高清洁度的基于空化的清洁过程也导...
发布时间: 2021 - 08 - 31
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文使用原子力显微镜分析了使用六氟化硫、四氟化碳、氯气和氢溴酸化学方法在高密度等离子体中腐蚀压力、射频功率条件下c-Si100表面产生的粗糙度。本文明确地证明,高密度等离子体在硅蚀刻过程中不会产生粗糙度;但相反,如果已经存在,它们倾向于光滑现有的表面粗糙度。利用二嵌段共聚物作为蚀刻掩模,分析硅晶片上自组织硅纳米柱形状的时间演化,证明了这一点。20nm高,20nm宽的10nm柱通过暴露于氯气和六氟化硫等离子体迅速平滑,从而恢复平坦的硅表面。在高密度等离子体中,局部蚀刻速率通常受到反应自由基可用性的限制。在这些条件下,平滑机制是由于粗糙表面的山丘比山谷接收到更高的蚀刻自由基通量。最后,本文指出,在硅基等离子体中,硅表面的粗糙化,经常在文献中报道,只是由于由al2o3反应器壁溅射产生的AlFx粒子对硅的微溅蔽。在氟基等离子体中蚀刻后,表面确实检测到很高比例的铝。然而,当在硅蚀刻过程之前,腔室壁被有意地被碳层覆盖时,氟基等离子体的表现与其他研究的蚀刻化学物质一样,它们能迅速平滑任何现有的粗糙度。 介绍      在通过等离子体工艺蚀刻薄膜的过程中,薄膜中产生的粗糙度对于所制造的器件的正确操作可能是一个严重的问题。对于硅蚀刻,这对于集成电路集成电路...
发布时间: 2021 - 09 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要处理纳米级颗粒污染仍然是半导体器件制造过程中的主要挑战之一。对于越来越多的关键处理步骤而言尤其如此,在这些步骤中,需要去除颗粒物质的残留物而不会对敏感器件图案造成机械损坏,同时实现尽可能低的基板损失。如果允许更高的基板损失,则可以采用或多或少纯的化学机制(例如,基板蚀刻和剥离导致的颗粒底切)。然而,仅允许在统计上看到亚埃材料损失,需要将物理力与适当的化学支持结合起来。在本文中,我们描述了基于单分散液滴撞击的颗粒清洁技术。介绍硅晶片上残留的微粒污染仍然是先进半导体制造中产量损失的主要原因之一。 因此,随着更小的设备节点不断发展,对控制微粒污染的新技术和工艺的要求变得越来越严格。正如《国际半导体技术路线图》(ITRS 2012 更新版)所述,“致命缺陷”尺寸(临界粒径)随着器件的产生而不断减小,现在临界粒径小于MPU(主处理单元)物理门长度。而且,显然,必须在不对机械敏感的设备结构造成任何结构损坏的情况下实现高颗粒去除效率 (PRE),并且材料损失最小(在亚埃范围内统计可见)。这些良率降低因素的来源可能是作为先前加工步骤或晶片处理的副产品的落下颗粒。颗粒去除基础对颗粒粘附的理解在确定合适的清洁方法中起着关键作用。它会影响清洁液化学成分的选择以及提供物理力以从基材上去除颗粒所需的机制。这种粒子-基材-相互作用的强度取决于材料和发生相互作用的介质的物...
发布时间: 2021 - 08 - 30
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      自选择性无电电镀是一种生产功能性一维纳米材料的新方法。该技术基于传统的无静电电镀,利用基底和表面金属沉积来产生所需的功能纳米结构。综述了过去6年的进展和进展,包括通过自选择性无电电镀实现的硅纳米线阵列和伴随的贵金属树突的生产、可能的生长机制和未来的挑战。本文讨论了这种方法对未来发展新颖和独特的纳米器件的作用,这是用传统的制造技术无法实现的。有趣的最新结果表明,该产品的选择性是可以通过控制无静电电镀过程和后表面处理来获得的。 介绍      无电镀是指金属离子水溶液的自动催化或化学还原以及随后在基材上的电镀。在这个过程中,金属离子被还原剂还原成金属,还原剂仅仅是电子供体,金属离子是与电子供体反应的电子受体。催化剂是加速允许还原剂氧化的无电化学反应的样品。在传统的无电镀中,基底提供了防止蚀刻的催化表面。多孔硅因其在光电子学中的潜在应用而备受关注。生产多孔硅有三种电化学途径,即阳极蚀刻、光电化学蚀刻和激光辅助蚀刻,所有这三种方法都在酸性氟化物溶液中进行。      金属辅助无电蚀刻用于在基底上产生所需的纳米结构,但在金属沉积中不起主要作用。这与采用表面金属化的常规化学镀形成对比。 硅上的自选择性化学镀  &#...
发布时间: 2021 - 09 - 26
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料关键词: 超临界 CO2、光刻胶剥离、NEMS、二氧化硅蚀刻介绍随着半导体器件不断缩小并变得更快,将需要新的材料和工艺来实现这一进步。已经提出基于超临界 CO2 (SCCO2) 的技术用于器件制造的各个步骤,例如清洁和沉积。SCCO2 扩散迅速、粘度低、表面张力接近于气体,因此可以轻松渗透到深沟槽和通孔中。它还可以在没有图案塌陷或粘滞的情况下进行清洁。SCCO2 具有液体的溶剂化特性,因此可以溶解醇类和氟化烃等化学物质,形成均质的超临界流体溶液。已经研究了基于 SCCO2 的工艺,因为它具有剥离光刻胶残留物的潜力(由于它与低 k 材料的兼容性)[1] 并且因为它可以恢复低 k 材料的 k 值以进行 Cu/低 k 集成在生产线的后端 (BEOL) [2]。SCCO2 在超低 k 材料加工中的应用是一项很有前景的未来技术。在本文中,我们首先回顾了 SCCO2 在 BEOL 中的各种应用,然后展示了超临界 CO2 在半导体和纳米电子器件制造中针对生产线前端 (FEOL) 的几种应用。SCCO2 在 BEOL 中的应用图 1 显示了典型通孔开孔工艺的横截面示意图。用光刻胶图案化的低 k 膜通过 RIE 蚀刻,然后进行等离子灰化和湿法清洗。等离子灰化和湿法清洁会损坏低 k 膜,并且在低 k 膜的侧壁上形成聚合物残留物。然后通过RIE蚀刻铜布线上的蚀刻停止层...
发布时间: 2021 - 08 - 30
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要CMOS 器件技术中接触孔的高纵横比 (HAR) 对蚀刻后湿法清洗提出了重大挑战。HAR 孔的 IPA 表面张力梯度 (STG) 干燥在蚀刻后 SC1 清洁期间的半间距处理中受到影响,导致聚合物残留。残留物的来源被确定为接触 RIE 过程中氮化物蚀刻产生的聚合物。这些聚合物在干燥过程中与 IPA 的 SC1 反应副产物导致形成 CFx 残留物。干燥参数在确定 SC1 蚀刻后清洁后的缺陷性能方面起着重要作用。实验已经确定,缓慢的晶片提升速度以提供更高的 STG 将有效地去除可能被困在接触孔内的可溶性 SC1 副产物。介绍随着器件特征尺寸的快速缩小,接触孔的纵横比不断增加,不仅在接触干法蚀刻中,而且在随后的湿法清洁中都会带来相当大的挑战。在基于 CFx 的等离子体中进行接触干法蚀刻后,必须通过灰化和湿法清洁去除剩余的碳氟化合物膜、金属(来自硅化物)氧化物和氟化物 (1)。传统的湿法清洁方法包括使用过氧化硫混合物 (SPM) 或硫酸臭氧混合物 (SOM)、过氧化氨混合物 (SC1) 和稀氢氟酸 (HF)。最近,据报道,使用 NF3 的化学干洗可以改善与底层 Ni 硅化物的接触金属化。蚀刻后湿法清洁的目的是有效去除晶片表面和接触孔内部的任何蚀刻后/灰渣残留,以实现低接触电阻。在湿法清洁过程中,化学品需要渗透到接触孔中,以便与任何残留的蚀刻后残留物发生...
发布时间: 2021 - 08 - 30
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料污染控制有机物:清洁有机污染物一直很重要以防止粘附问题和表面问题的掩蔽。然而,直到最近,量化有机污染才变得重要。(表 1 所示的水平是基于推测,并非基于实际数据。)离子和金属:去除这些杂质显然是至关重要的,因为作为导电材料,他们会导致严重的电气问题 如果它们出现在错误的地方,以错误的浓度出现。对于每一代设备,可接受水平的行业要求(表 1)变得更加严格,提高了 10 倍。但是,有迹象表明要求可能不像这里显示的那么严格。表面控制表面粗糙度:虽然只有 清洁工程师最近关注的一个问题是,毫无疑问,在某些情况下,表面粗糙度可能是一个主要问题。然而,关于地点和水平的明确解释仍然存在。需要注意的是,垂直粗糙度并不是唯一需要考虑的重要测量指标。要求现在认识到横向尺寸的伴随测量也很关键。表面终止: 表面终止在各种关键清洁步骤(如外延、栅极和发射极)中的重要性已经促使人们相信氢终止是大多数需要裸硅的工艺步骤之前的清洁的正确最终状态。虽然在某些情况下终止氧化物的步骤是有用的,但这种要求将推动更好地控制氧化物蚀刻和去除的需要。气相清洁的早期成功业界第一个蒸汽清洁系统使用无水 HF 与水蒸汽结合在硅化钨形成之前清洁多晶硅栅极。当使用湿法清洁技术时,这种硅化物工艺容易出现分层和粘附问题。在这种情况下,蒸汽清洁因其技术优势而产生了影响。自从 它在硅化钨清洗、蒸汽清洗方面的成功 ...
发布时间: 2021 - 08 - 30
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