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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      在未来几代器件中,去除光刻胶和残留物变得非常关键。在前端线( FEOL)后离子注入(源极/漏极、扩展),使用PR来阻断部分 电路导致PR基本上硬化并且难以去除。在后端线(BEOL)蚀刻中,除低k材料的情况下去除抗蚀剂和残留物的选择性非常具有挑战性。介绍      光致抗蚀剂用于保护晶片的某些区域免受干蚀刻化学物质、离子注入等影响。工艺完成后,需要选择性去除光刻胶并清洁表面,确保表面无残留物和颗粒。使用湿化学物质,如热 SPM、有机溶剂或使用干等离子体“ 灰化”,原则上可以去除抗蚀剂。然而,抗蚀剂在干法蚀刻或注入处理期间被化学改性,并且适种改性可以显著降低剥离速率。   图1所示  当pet被光刻阻保护时(不按比例),选择性结植入到fet的示意图    图2  x.裸硅衬底上KrF抗蚀线的扫描电镜显微图(左)和(右)As植入前(40kev, 3 × 1015 cm.2):抗蚀变薄,模糊,结痂。     当前的方法        为了达到足够,从而达到可接受的低周期时间,以及良好的残留去除,腐蚀等离子体str...
发布时间: 2021 - 08 - 24
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料导言:薄晶片已经成为各种新型微电子产品的基本需求。其中包括用于射频识别系统的功率器件、分立半导体、光电元件和集成电路。除了向堆叠管芯组件的转移之外,垂直系统集成和微机电系统器件中的新概念要求晶片厚度减薄到小于150米。机械研磨是最常见的晶圆减薄技术,因为其减薄速率高。商业上可获得的研磨系统通常使用两步工艺,首先以非常高的速率(5 m/sec)进行粗研磨,然后以降低的速率进行后续的细研磨工艺。实验性:实验是在SSEC 3300系统上进行的。在蚀刻过程中,有许多工艺参数可以改变。为了这个研究的目的,使用了单一的蚀刻化学物质。温度、流速、分配曲线、旋转速度和室排气是可以通过工艺步骤编程的参数。我们希望关注对工艺影响最大的工具参数,因此选择了温度、旋转速度和流速。所使用的化学物质是氢氟酸、硝酸、硫酸和磷酸的混合物,并且作为旋蚀刻剂在市场上可以买到。化学物质的再循环使用SSEC的开放式或封闭式收集环技术进行。图1:蚀刻过程中的SSEC收集环和液流分配采用JMP软件进行三因素三水平的Box-Behnken响应面试验设计。测量的响应是蚀刻速率、TTV和表面粗糙度   略结果    略文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间: 2021 - 08 - 24
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      研究了在半导体制造过程中使用的酸和碱溶液从硅片表面去除粒子。 结果表明,碱性溶液的颗粒去除效率优于酸性溶液。 在碱性溶液中,颗粒去除的机理已被证实如下:溶液腐蚀晶圆表面以剥离颗粒,然后颗粒被电排斥到晶圆表面。 实验结果表明,需要0.25 nm /min以上的刻蚀速率才能使吸附在晶圆表面的颗粒脱落。介绍       由于半导体器件正在追求更高水平的集成度和更高分辨率的模式,ET清洁技术对于重新移动硅片表面的污染物仍然至关重要。 在1970年提出的RCA清洗工艺作为一种湿式清洗技术在世界各地仍在使用,以去除晶圆表面的污染物。 虽然RCA净化过程中,NH4OH-H2O2-H2O溶液对颗粒的去除效果非常好,但其颗粒去除机理尚不完全清楚。实验        采用五英寸CZ(1,0,0)晶片进行粒子吸附实验。 天然氧化物首先在0.5%的HF溶液中从晶圆表面去除。 然后将晶片浸泡在含有颗粒的各种溶液中10分钟,然后冲洗和干燥。 天然氧化物在晶圆表面形成后,再在0.5%的HF溶液中移动,然后清洗和干燥。结果与讨论 图2所示 pH对Fe2O3离子氧化粒的...
发布时间: 2021 - 08 - 24
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要  单片SPM系统使用了大量的化学物质,同时满足28nm以下的清洁规格。 本文描述了在集成系统Ultra-C Tahoe中使用批量SPM系统和单晶片清洗,结果达到了技术规范,使用了不到单晶片系统中使用的80%的SPM化学物质。介绍  采用干法和湿法相结合的方法开发了传统的有机光刻胶条工艺。 然而,基于反应性等离子体灰化的干燥处理也存在一些问题,如等离子体损伤、抗爆裂、不完全去除抗蚀剂,以及副产品再沉积,需要后续进行湿剥离/清洗。 为了避免等离子体问题,采用了以硫酸和过氧化氢水溶液(SPM在80℃-150℃)等酸性化学物质为基础的湿汽提工艺。  图1:Ultra C太浩清洗系统的简化装置。 图2:使用超音波装置或氮气喷雾装置的单片清洗装置   图3:独立工作台、独立单晶片和Ultra-C Tahoe整体清洗性能对比文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间: 2021 - 08 - 23
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料加速        除了旋转速度外,加速度也会影响涂膜的性能。由于树脂在旋转周期的第一部分开始干燥,因此准确控制加速度非常重要。在某些过程中,树脂中 50% 的溶剂会在过程的最初几秒钟内蒸发掉。      加速在图案化基材的涂层特性中也起着重要作用。在许多情况下,基材会保留先前工艺的地形特征;因此,重要的是在这些特征上和通过这些特征均匀地涂覆树脂。虽然旋转过程通常会向树脂提供径向(向外)力,但加速有助于树脂在形貌周围的分散,否则可能会遮挡部分基板与流体。Cee ® 微调器可编程,最大加速度为 30,000 rpm/秒(空载)。排烟      树脂的干燥速率由流体的特性以及旋转过程中基材周围的空气决定。众所周知,空气温度和湿度等因素在决定涂膜性能方面起着重要作用。在旋转过程中,将基板本身上方的气流和相关湍流最小化或至少保持恒定也非常重要。      所有 Cee ® 旋涂机均采用“封闭碗”设计。虽然实际上不是一个密闭的环境,但排气盖在旋转过程中只允许最少的排气。结合位于旋转卡盘下方的底部排气口,排气盖成为系统的一部分,以最大限度地减少不必要的随机湍流。...
发布时间: 2021 - 08 - 23
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料旋涂概述      旋涂作为一种应用薄膜的方法已经使用了几十年。典型的工艺包括将一小块流体材料沉积到基板的中心,然后高速旋转基板。向心加速度将导致树脂在基材上扩散,留下材料薄膜。最终薄膜厚度将取决于流体材料特性(粘度、干燥速率、固体百分比、表面张力等)和旋转工艺参数(转速、加速度和排烟)。旋涂中最重要的因素之一是可重复性,因为定义旋涂工艺的参数的细微变化会导致涂层膜的剧烈变化 旋涂工艺说明      典型的旋涂工艺包括将树脂流体沉积到基材表面上的分配步骤、使流体变稀的高速旋涂步骤以及从所得薄膜中去除多余溶剂的干燥步骤。两种常见的分配方法是静态分配和动态分配。       静态点胶只是在基材中心或附近沉积一小滴液体。根据流体的粘度和要涂覆的基材的尺寸,这可以在 1 到 10 cc 的范围内。更高的粘度和/或更大的基材通常需要更大的水坑以确保在高速旋转步骤中完全覆盖基材。动态点胶是在基材低速转动时进行点胶的过程。在该工艺步骤中,通常使用大约 500 rpm 的速度。这用于将流体散布在基材上,并且可以减少树脂材料的浪费,因为通常不需要沉积那么多来润湿基材的整个表面。      在分配步骤之后,通常会加速到相对较高的...
发布时间: 2021 - 08 - 23
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在微电子和机械元件中,各种金属因其各自的电、光、化学或机械特性而被使用。铝、铬、金和铜等元素也可以是湿化学结构,它们特别常见。本章描述了用不同的蚀刻混合物蚀刻这些金属的具体方法,以及用于蚀刻的抗蚀剂掩模的处理方法。本章中所有标有星号(*)的物质是指最后一节中列出的相应物质的常用浓度。 铝的蚀刻铝的性能及应用领域铝的密度为2.7 g/cm3,因此属于轻金属。其晶体结构为立方面心型。由于铝的高导电性,它被用作微电子学中的导体,在微电子学中,铝经常与铜形成合金以防止电迁移,或者与硅形成合金以防止(消耗硅的)铝硅合金的形成。标准电位为-1.66伏,铝不属于贵金属。然而,非常薄(几纳米)的Al2O 3膜的形成使得它在许多物质中非常惰性。铝蚀刻剂典型的铝蚀刻剂包含1 - 5 %的硝酸*(用于铝氧化)、65 - 80 %的H3PO 4*用于蚀刻天然氧化铝以及由硝酸、乙酸稳定地新形成的氧化物,以改善蚀刻溶液对衬底的润湿,以及用于硝酸和水的缓冲,以在给定温度下调节蚀刻速率。铝也可以用碱性液体蚀刻,例如。用稀释的氢氧化钠或氢氧化钾。然而,光致抗蚀剂掩模不适合这种情况,因为相应的高酸碱度会在短时间内溶解抗蚀剂膜层,或者在交联负性抗蚀剂的情况下会将其剥离。铝蚀刻的均匀性 例如,当使用磷酸作为典型铝蚀刻混合物的成分,溶解铝表面存在的几纳米厚的天然氧化铝...
发布时间: 2021 - 08 - 23
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料某些金属的电镀本章专门讨论某些金属的电镀,由于其特殊的性质,这些金属经常用于微电子学或微观力学。对于每种金属,解释了可能的电解质以及电解质和电极中相应的电化学过程。 镀金应用领域由于其非常高的耐腐蚀性、良好的导电性、低接触电阻以及金的良好可焊性,金涂层在电子和电气工程中得到广泛应用。几个100纳米的典型层厚度(例如。作为焊接辅助)到一些微米被用作腐蚀保护。金的碱性氰化物沉积这里的电解质是基于剧毒的二氰基尿酸钾(I) = K[Au(CN)2]。该溶液含有约68%的金,在水溶液中以钾离子和[金(CN)2]离子解离。后者迁移到阳极并在那里离解成金+和(CN)离子。金离子迁移回阴极,在那里被中和并沉积在阴极上。使用的阳极是可溶性金或金铜电极,或不溶性镀铂钛电极。 金的中性氰化物沉积这种电解质也基于二氰基尿酸钾,但不含任何游离氰化物(无游离(CN)离子)。不溶性镀铂钛电极用作阳极。 金的酸性氰化物沉积这里,二氰基尿酸钾也是电解液中的金源,电解液中还含有钴或镍以及柠檬酸。结果,可以获得有光泽的金层,该金层由于其相对大比例的有机成分而相对较硬,并且具有低延展性。阳极使用不溶性镀铂钛或不锈钢。 金的强酸性氰化物沉积为此,在强酸性溶液中也稳定的三价四氰基尿酸钾(III) = K [Au(CN)4]形成电解质的金属供应。此外,...
发布时间: 2021 - 08 - 23
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料自动化半导体制造过程有其自身的一系列困难。随着社会的不断发展,半导体行业将面临产品需求不断增长的挑战和机遇。随着人工智能(AI)和物联网(loT)的普及和智能手机行业和其他高科技业务的持续市场,半导体供应链将面临压力。持续的国际贸易紧张局势将加剧这一问题。可能会推高半导体材料的成本并阻碍全球产业合作。为了满足这些需求,需要新的解决方案。使用更可持续的程序来制造半导体设备以减少制造过程中的有害污染物排放以及在设备报废时回收半导体材料的要求仍然是一个挑战。 半导体行业的自动化问题半导体供应链需要精简。目前,集成电路的生产可能需要长达六个月的时间,不包括芯片的封装和交付给买方。因此,半导体企业的制造流程必须更加顺畅和高效。自动化可以提供解决方案。另一方面,自动化半导体制造过程有其自身的一系列困难。让我们看看自动化可以提供帮助的几种方式。自动化提高投资回报率自动化作业和增强工艺可靠性可实现更出色,更一致的晶圆产量并减少材料浪费。根据这项研究,包括半导体制造商在内的100%的电子行业高管都希望在他们的制造过程中加入或正在实施人工智能,83%的人报告说,由于更好的良率预处理,投资回报率中等至可观自动化提高了过程可靠性考虑到生产半导体器件所需的时间长度,制造过程中任何一点的停机都意味着经济和材料损失。此外,人工操作会增加晶圆运输过程中出现人为错误的可...
发布时间: 2021 - 08 - 23
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文测试了三种方法对超薄氧化层硅片表面的清洁和调节的适用性:两种UV/O3源(汞蒸气灯和高效准分子模块)以及在HNO3中湿式化学氧化。研究表明,通过UV/O3(汞蒸气灯)照射可以去除碱性变形过程中硅化和掩蔽表面所产生的有机残留物。此外,使用UV/O3(准分子)和HNO3氧化物与Al2O3/SiNx或AlN/SiNx钝化组合,可以改善钝化质量和发射极饱和电流。介绍      随着高效硅太阳能电池概念引入到工业生产中,在钝化之前的表面清洗和调节变得越来越重要。硅衬底与钝化层之间的界面质量对各种污染、缺陷、表面终止和充电非常敏感,具有重要的作用。实验步骤和结果  图1所示 汞蒸气灯原理图及反应机理(左),准分子体系原理图及反应机理(右)去除有机残留物 图2所示 污染样品的示意图(a),清洁的纹理参考样品的平板扫描无污染(B)和污染和UV/O3清洁样品的参数变化(C-F) Pre-passivation调节  图3 样品制备示意图(左);有/没有超薄siox层作为预钝化条件的样品的发射极饱和电流密度(右) 文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间: 2021 - 08 - 21
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