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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关内资料本文提出了一种将垂直氮化镓鳍式场效应晶体管中的鳍式沟道设计成直而光滑的沟道侧壁的新技术。因此,详细描述了在TMAH溶液中的氮化镓湿法蚀刻;我们发现m-GaN平面比包括a-GaN平面在内的其他取向的晶面具有更低的表面粗糙度。还研究了沟道底部的沟槽和斜面(长方体),搅动无助于长方体的去除或晶面刻蚀速率的提高。最后,研究了有无紫外光照射下,紫外光对三甲基氯化铵中m和a-GaN晶面刻蚀速率的影响。因此,发现用紫外光将m-GaN平面蚀刻速率从0.69纳米/分钟提高到1.09纳米/分钟;在a-GaN平面蚀刻的情况下,紫外光将蚀刻速率从2.94纳米/分钟提高到4.69纳米/分钟。 图1湿蚀刻法被用来揭示通道侧壁上的晶体平面,制造过程如图1所示,本实验采用金属有机化学蒸汽沉积法(MOCVD)在蓝宝石基质上生长的7微米厚的氮化镓外层晶片,这个正方形样品的大小是1厘米×1厘米。为此制作了180个15×2µm2尺寸的手指(图2)。 图2制造过程首先是在晶片上沉积一个1µm厚的二氧化硅(PECVD)层,作为一个掩模,然后用PMMA9%抗蚀剂进行电子束光刻技术,二氧化硅使用CF4/He混合气体的干蚀刻进行蚀刻,将图案从抗蚀剂转移到二氧化硅掩模,最后,使用TMAH溶液进行氮化镓湿式蚀刻。通过电子束蒸发沉积的厚度分...
发布时间: 2022 - 03 - 09
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文提出了一种新的硅块微加工装置,它利用聚合物保护涂层ProTEKRB2涂层代替传统的硬掩模,考虑了不同浓度的氢氧化钾和浴条件,ProTEKRB2涂层与硅衬底具有良好的粘附性,没有降解、蚀刻率和表面粗糙度,蚀刻时间大于180min且不破坏前侧微结构,微悬臂梁也使用两种不同的工艺流程制造,以证明这种保护涂层在微机电系统(MEMS)工艺中的适用性。实验在不同的氢氧化钾浴条件下进行,样品与水平位置相比,将样品保持在垂直位置,以便更好地从蚀刻表面排出氢气泡,并更好地对样品进行视觉控制,氢氧化钾蚀刻装置如图1。 图1在沉积ProTEKRB2涂层之前,必须将一种特定的引物自旋应用于Si表面,以提高薄膜的粘附性,然后需要在热盘上以130°C-150°C进行软烤,保护涂层可以以1000rpm的速度旋转涂在样品上90秒,然后分三个步骤进行硬烘烤:150°C 2min,170°C 2min,225°C 1min。这些步骤需要达到聚合物的最佳稳定性和粘附性,从而避免在氢氧化钾蚀刻过程中出现不必要的剥离,在这些条件下,涂层的平均厚度为12微米。湿蚀刻后,样品清洗如下:首先应用特定的去除液约20-40min,使保护层溶解,然后为了完全去除,必须分别在3:1的硫酸和过氧化氢溶液中进行额外的“食人鱼”蚀刻,持续...
发布时间: 2022 - 03 - 09
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文展示了一种低成本的基于化学镍/金碰撞下金属化(UBM)的晶圆级碰撞工艺,用于所有翻转芯片互连技术,如板上的翻转芯片或封装的翻转芯片,这在今天的工业中使用。在下一个千年的晶圆制造中实施的化学镍碰撞的兼容性表明,这是一项关键技术,不仅是今天使用的晶圆技术,特别是下一代的晶圆技术,包括300毫米晶圆和铜垫。 图1图1显示了一批并行处理的晶片。12英寸晶圆的化学碰撞可以节省特定的成本,特别是由于标准工艺的12英寸设备需要照片成像,这需要昂贵的步进和12英寸的溅射和电镀设备。与此相反,低成本的化学过程镍/金碰撞需要特殊的晶圆碰撞罐,是一种特殊的成本节约,因为与标准的电镀工艺相比,投资成本降低了5-10倍,在FC组件中,Ni/Au凸起实现了以下功能,它们保护铝,作为一个附着力层和扩散屏障,保证与铝绑垫稳定可靠的接触,除此之外,这主要是一个UBM的功能。图2显示了作为各向异性传导连接剂的化学镍/金(ACF)翻转芯片组装的基础,用于聚合物翻转芯片组装(导电粘合剂),以及使用不同焊料合金的焊接和直接芯片连接类型的应用,化学镍/金碰撞是一种湿化学和无掩蔽的过程。随着制造工艺的发展,所有类型的晶圆都可以与优质的标准工艺相结合,在一种特殊设计的碰撞线晶片中,可以镀上直径从4英寸(100毫米)到12英寸(300毫米)的材料。 图2为了满足晶圆碰撞的...
发布时间: 2022 - 03 - 08
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料我们研究了在碳化硅衬底上生长的外延氮化镓层的选择性湿式化学蚀刻,结果表明,由于这些蚀刻剂中氮化镓溶解的一些特征,根据蚀刻坑的数量来测定位错密度可能是错误的,在热正磷酸中引入al3+或fe3+离子可以优化蚀刻工艺,结果消除了蚀坑的合并,并减少了连接到生长表面缺陷的蚀坑数量,而不是氮化镓的缺陷。 图1图1显示了在热纯磷酸中蚀刻3分钟的外延氮化镓层上拍摄的扫描电镜显微照片(在熔融氢氧化钾中蚀刻得到了类似的结果),可以看出,蚀刻导致氮化镓样品表面形成六边形的蚀刻坑,然而这些坑没有光滑的墙壁,相反墙壁有由平行于基平面组成的平面组成的梯田,这些梯田沿着地表扩展,超出了坑的边界,导致了坑的合并。通常,选蚀的最佳条件包括保持两个溶解速率之间的比例∂n∂t,在熔融氢氧化钾和纯热磷酸中氮化镓蚀刻过程中,∂∂条件并不持续,这似乎是这些蚀刻剂的主要缺点,因此我们可以得出这样的结论:当使用氢氧化钾和热磷酸暴露位错氮化镓增长6H-SiC,合并的影响会导致一个错误估计位错密度时,因为可见的蚀刻坑的数量可能不对应实际的缺陷的数量。结果表明,通过在蚀刻剂中加入额外的药剂,即Me离子,可以优化选择性蚀刻的过程,氯化铝(氯化铁)的饱和水溶液中的离子引入到蚀刻剂中,当使用磷酸和氯化铝或氯化铁水溶液,体积比为5:1时,效果最好,结果我们得到了壁光滑的清晰蚀刻坑。我们还发现,这种...
发布时间: 2022 - 03 - 08
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在电镀行业,为了实现批量生产和质量的稳定,积极引进了电镀自动化设备,对企业的现代化也起到了很大的作用。在电镀中,以被电镀物为阴极进行电镀,试着对离子电镀进行实验,对湿式电镀的特征进行了如下重新认识:(1)作业性容易,可以目视处理的过程,由于不需要减压、密闭等特殊容器,物品进出容易,处理过程可见;(2)平滑化,回转等功能,通过向电镀浴中加入适当的添加剂,可以获得该功能,并且可以简化用于装饰用途的电镀中的抛光工艺,在最近的电镀技术中,即使在0.5 mmφ以下的小孔径内也可以进行电镀,作为印刷线路板的通孔电镀是实用的;(3)凹部、背面也可以镀覆,通过设计阳极和辅助电极,可以在物品的正面,背面或管道的内表面进行电镀;(4)加工对象面积广,降低成本,通过选择与物品的形状、数量相适应的电镀方法(电镀浴、静止法、旋转法等),可以降低处理成本;(5)成膜效率高,在电镀中,根据金属的电化学当量和电镀浴的电流效率,可以推定电镀速度,在离子镀中,除了物品以外,装置内表面也同样有膜的堆积,造成损失。在湿法电镀中,每经过一个电镀槽、反应槽都有一个水洗工序,如果其清洗废水处理不当,会污染放流水域。另一方面,降低毒害物质含量的低浓度处理液和公害因素少的电镀浴的开发研究盛行,作为表面处理技术,有一段时期被迫退步。该产品的高附加值化,引进了离子镀技术,为了赋予眼镜架褐色~金色的色...
发布时间: 2022 - 03 - 07
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文是关于对湿法刻蚀蓝宝石衬底的晶体结构和形貌演变的透彻理解,发光二极管器件对于揭示蚀刻机制和生产改善氮化镓基性能的优化功率稳定器至关重要。关于以往湿式蚀刻条件下的CPSS样品的结晶学和地形演化进行互补的SEM和AFM 特性。使用2英寸c面蓝宝石晶片制备CPSS图案,六边形对称的圆柱形光刻胶阵列通过标准光刻工艺直接制作在c面蓝宝石上,单个圆柱体的直径和高度分别为2.1 微米和2.5 微米,使用圆柱形光致抗蚀剂阵列作为蚀刻掩模对蓝宝石衬底进行电感耦合等离子体(BCl3/H2)蚀刻,以产生与光致抗蚀剂阵列具有相同周期性的锥形图案,用于湿法蚀刻测试的尺寸为10毫米× 10毫米× 0.4毫米的CPSS样品是从2英寸的晶片上切割下来的。由于普通玻璃器皿无法承受高温下的浓酸侵蚀,用于湿法蚀刻的烧杯、提篮、盖板和热电偶保护管都是用高纯度石英砂定制的;石英烧杯的尺寸为70毫米× 100毫米,壁厚为4毫米,石英提篮,即一个L形石英部件,由石英处理杆和槽板组成,最多可容纳12个样品。烧杯反应器的示意图如图1所示。 图1我们采用了特殊的双盖板设计,通过在加热和蚀刻过程中用重叠的盖板盖住烧杯口,将蒸发引起的蚀刻剂损失降至最低,便于在特定时间方便地移除/重新进入承载篮(和样品),而无需移除大盖板。大盖板尺寸为80 毫米 &...
发布时间: 2022 - 03 - 07
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料表面纹理化是通过增加光捕获来提高硅基太阳能电池转换效率的方法之一,采用含异丙醇(IPA)和水合肼的氢氧化钠(氢氧化钠)碱性蚀刻溶液对p型硅(100)表面进行各向异性纹理,用反射光谱仪研究了蚀刻晶片的光学性能,用扫描电镜(SEM)对其进行了表面形貌研究,并且研究了氢氧化钠浓度对蚀刻晶片的影响,通过应用最佳浓度的碱性溶液(氢氧化钠)得到了表面反射率的最佳值。采用电阻率范围为1-35Ωcm的高掺杂p型硅(100)晶片作为衬底,实验在厚度为250微米的正方形样品(20mm×20mm)上进行,在蚀刻之前,使用传统的RCA方法对硅表面进行化学清洗,以去除表面上的颗粒物,采用该方法,将底物依次在1:1:5的NH4OH:按体积)H2O2:H2O中浸泡10分钟,HF1:50(按体积)H2O20s,然后在盐酸:过氧化氢:水的1:1:6(按体积)中浸泡10分钟,然后用去离子水(DI)清洗样品。用两步化学蚀刻工艺制备了硅锥体结构:在第一步,将硅衬底浸于异丙醇(丙醇)、氢氧化钠和水合肼的混合物中,在85°C下浸泡1小时;第二步,将样品浸泡在室温下的氯化氢(盐酸,0.1M)中24h,在硅的纹理形成过程中,羟基离子(OH-)与两个硅悬垂键结合,硅氧键使两个硅背键变弱,因此,形成了氢氧化硅配合物,经过这个过程,形成了单硅酸。 图2蚀刻表面的形貌与温...
发布时间: 2022 - 03 - 07
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言无电沉积技术是一种重要的非导电材料金属化方法。与其他方法(化学气相沉积/PVD、等离子喷涂或电沉积)相比,这也是在陶瓷或聚合物材料上生成薄金属膜的最简单方法之一。它被发现对几个微技术组件的互连应用非常有用。电致发光提供高选择性,允许自对准沉积,从而节省光刻步骤。ED方法也非常通用,可以生产多组分薄膜。此外,许多金属和合金可以生产出高质量的薄膜。ED的其他优点是:金属纯度高,工作温度低,平面形貌,成本低,适合大规模生产。处理的目的是为金属原子沉积产生成核点。电镀前的处理过程包括四个阶段:(I)酸性洗涤剂(去除有机物和指纹污染),(ii)粗化步骤(使陶瓷的致密表面变得粗糙,以增加沉积金属膜对陶瓷的粘合强度),(iii)活化(锡、钯催化剂)。通过比较在陶瓷表面上进行处理前后的接触角来验证处理的效果。然后,在氧化铝陶瓷上进行铜和镍的电化学沉积,并用扫描电子显微镜评价沉积膜的形貌。 实验图1显示了使用表面处理和ED工艺在氧化铝颗粒上无电沉积铜的示意图。表面处理过程包括清洗、粗化、活化和后活化四个阶段。 图1 铜在表面氧化铝粒子上的沉积示意图      表面处理后,使用化学镀镍-磷和铜溶液。镍和铜溶液含有:离子源、还原剂、络合剂、缓冲剂和稳定剂。镍和铜的沉积温度分别为400和300℃,而镍的Ph值为5、8...
发布时间: 2022 - 03 - 05
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文研究了化学预处理对硅表面质量和纹理均匀性的影响,结果表明,为了更好的纹理均匀性,锯晶片的初始硅表面应处理以清除有机和金属污染,然后去除有机溶剂痕迹并看到损坏的硅层蚀刻,对光致发光衰减的额外测量证实了由a-si:H钝化的纹理晶片的高质量和均匀性,本文研究了表面制备对硅片纹理均匀性的影响。采用光学显微镜、蔡司光学显微镜和光学CIS扫描仪进行初级表面表征,表面扫描为所有样品提供了相同的明亮和对比度设置,为了揭示受损硅层的存在,在纹理化100nm的a-Si:H后用牛津等离子体设备将其沉积在每个硅表面,然后进行光致发光(PL)衰变测量。此外,硅中的PL衰减密切地反映了少数载流子的动力学,可用于局部寿命值的估计,采用图2所示的实验装置进行了二维PL衰减时间的测量。 图2在样品1的表面,未进行预处理(图3a),存在一些局部不均匀的区域,主要是由于浆液锯切的影响,在20%氢氧化钾之前的纹理处理中,去除10m的损伤层,减少了不均匀性的数量(图3b),不含IPA的浓缩加热氢氧化钾溶液导致硅表面窒息。包括用来去除有机污染的四氯化碳→IPA清洗阶段,导致了纹理化后硅表面的不均匀性的增加(图3c),这可能是由于有机溶剂从粗糙的切割硅片表面去除的困难,有机物的痕迹会影响局部硅蚀刻速率,从而导致纹理形成后的不均匀性(图4b),其中小金字塔沿着大金字塔形成。这种金...
发布时间: 2022 - 03 - 04
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料我们演示了一种使用液体浸没法清洗纳米预制氮化硅光栅上的钠原子沉积物,而不损坏光栅的方法。成功清洗光栅的可能性取决于其物理参数和所使用的液体类型,我们提出了关于液体和光栅棒之间的表面张力相互作用的计算,并推导出了能够经受浸泡的最大光栅棒跨。图1显示了表面有钠沉积物的光栅的原子力显微镜(AFM)图像,以及浸没在液体后清洁的同一光栅,为了清洁格栅,首先将其放入丙酮中,然后用水冲洗丙酮(水是钠和氧化钠的良好溶剂)再次用丙酮冲洗格栅,让其干燥,这样格栅暴露在水中,但从未暴露在水-空气边界,丙酮用于缓冲光栅,防止其直接浸入水中,因为丙酮的表面张力小于水。 图1用100纳米光栅重复该过程,也没有损坏光栅,尽管原子力显微镜图像显示没有可见的损坏,但光栅干燥后可能会留下一层薄膜。为了检查透射特性仍然完好无损,在扫描电镜中使用相同程序清洗的100纳米周期光栅来观察衍射,从而证明光栅仍然相干地透射5千电子伏的电子波。 图3虽然这些试验都很成功,但也有光栅被水浸损坏的例子,如图3所示,左侧图像是清洁且未损坏的光栅的扫描电镜图像,而右侧图像是未成功浸入水中的光栅。格栅条聚集在一起,可能是由于干燥液体的表面张力将它们聚集成2至5条的块状,为了确定哪些光栅可能在液体中浸泡后仍然存在,我们对光栅清洗过程的机理进行了计算。另外如果我们使用丙酮作为我们的第一个也...
发布时间: 2022 - 03 - 04
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