欢迎访问南通华林科纳半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829



新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2017 - 12 - 08
CSE’s Horizontal Quartz Tube Cleaning Stations are designed and built around your quartz tube configuration. All quartz tube cleaners incorporate an acid spray cycle, rinse cycle and an option dry cycle. Once the application is defined we add appropriate options like holding tanks, programmable rinse cycles, bottle washer and T/C sheath cleaner to complete your design. All tube cleaners include all required safety features with sign off drawings. Our expertise in developingquartz tube cleaning stations and outstanding customer support gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support. Quartz Tube Cleaning Station Benefits Include:§ Custom designed around your tube requi...
发布时间: 2019 - 06 - 11
实验室自动配液机(灌装机)CSE-LIQOUR-II  随着湿化学设备在LED、太阳能、MEMS、功率器件、分立器件、先进封装和半导体材料等领域自动化程度的不断提高,传统的人工手动配液、补液逐渐由自动配液取代。  然而,在湿制程工艺实验以及生物配药实验等实验验证的过程中,大多数还保持着采用量筒量杯逐一调配制程药液的方法。采用人为手工配置药液不仅精度得不到保证,而且化学品大多有腐蚀性、毒性等特点(如硫酸H2SO4、硝酸HNO3、磷酸H3PO4、盐酸HCL、氢氟酸HF、缓冲氧化物刻蚀液BOE等酸性溶液;氨水NH4OH、氢氧化钾KOH等碱性溶液;NMP溶液、丙酮、甲醇、IPA等有机液),在配比过程中对操作人员具有一定的危险性。  为解决实验室手动配液的弊端,南通华林科纳半导体设备有限公司开发研制了新型实验室自动配液机(灌装机)CSE-LIQOUR-II。此配液机专为化学生物制药工艺实验室设计,是用来满足药液自动配比的设备,通过称重、流量计准确计量、气压输送或注塞抽取等方式将药液按照比例输送,配液精确度能够达到2‰。  该设备操作自动化,质量好,能预防药液污染。适用于半导体清洗和药厂配制普通液体药剂等用途,具有以下优点:  1)操作安全:系统应具有抗腐蚀性、毒性、耐压、防燃防爆等功能,保证操作者安全;  2)兼容性:与化学品接触部分完全与输送化学品兼容,对化学品零污染;  3)自动控制操作运转:系统单元与机台界面自动化;  4)精确配比:系统连续供液(配液、补液)过程中准确可靠,脉动性较好;  5)泄漏警报:检测泄漏及紧急关闭系统(E-MO);  6)其他:系统自诊断及管路维修保养功能。  作为湿制程设备专业制造商,南通华林科纳半导体设备有限公司对实验室自动配液机(灌装机)CSE-LIQOUR-II的成功研发,为湿制程工艺实验室或生物配药实验室的精确配比,提升实验人员的实验效率提供...
发布时间: 2016 - 12 - 02
太阳能单晶制绒清洗机设备-CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。  在太阳能电池生产中,制绒是晶硅电池的第一道工艺。华林科纳CSE的工程师提到对于单晶硅来说,制绒的目的就是延长光在电池表面的传播路径,从而提高太阳能电池对光的吸收效率。单晶硅制绒的主要方法是用碱(NaOH、KOH)对硅片表面进行腐蚀。由于硅片的内部结构不同,各向异性的碱液制绒主要是使晶向分布均匀的单晶硅表面形成类似“金字塔”状的绒面,有效地增强硅片对入射太阳光的吸收,从而提高光生电流密度。对于既可获得低的表面反射率,又有利于太阳能电池的后续制作工艺的绒面,应该是金字塔大小均匀,单体尺寸在 2~10 μm之间,相邻金字塔之间没有空隙,即覆盖率达到100%。理想质量绒面的形成,受到了诸多因素的影响,如硅片被腐蚀前的表面状态、制绒液的组成、各组分的含量、温度、反应时间等。而在工业生产中,对这一工艺过程的影响因素更加复杂,例如加工硅片的数量、醇类的挥发、反应产物在溶液中的积聚、制绒液中各组分的变化等。为了维持生产良好的可重复性,并获得高的生产效率。就要比较透彻地了解金字塔绒面的形成机理,控制对制绒过程中影响较大的因素,在较短的时间内形成质量较好的金字塔绒面。      单晶制绒的工艺比较复杂,不同公司有各自独特的制绒方法。一般碱制绒有以下几种方法:Na...
发布时间: 2016 - 06 - 02
全自动硅料清洗机 ---华林科纳CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。特点:1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能光伏清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 10
全自动硅芯硅棒清洗机---CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。产品描述1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能光伏清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 29
全自动制绒清洗机设备--CSE南通华林科纳CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。产品描述1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能单晶多晶硅片制绒腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 09
硅片湿法清洗技术与设备---华林科纳CSE硅片制造过程中,在进行下一步工艺前要获得 一个洁净的表面,以保证后道工艺能再一个完全洁 净的表面上进行,这就需要对硅片进行清洗。清洗是硅片制造过程中重复次数最多的工艺。目前,在 清洗工艺中使用最多的就是湿法清洗技术,华林科纳半导体设备公司的硅片湿法腐蚀清洗机在半导体行业得到了很多客户的认可.1 硅片湿法清洗的种类1.1 刷洗刷洗是去除硅片表面颗粒的一种直接而有效的方法,该清洗技术一般用在切割或抛光后的硅片清洗上,可高效地清除抛光后产生的大量颗粒。刷洗一般有单面或双面两种模式,双面模式可同时清洗硅片的两面。刷洗有时也与超声及去离子水或化学液一起配合使用,以达到更好的清洗效果和更高的清洗效率。1.2 化学清洗1.2.1 RCA 清洗20 世纪 60 年代,由美国无线电公司(RCA)研发了用于硅片清洗的 RCA 清洗技术,这种技术成为后来各种化学清洗技术的基础,现在大多数工厂所使用的清洗技术都是基于最初的 RCA 清洗法。RCA 清洗是按照一定的顺序依次浸入两种标准清洗液(SC-1 和 SC-2)中来完成,这两种清洗液的使用温度一般在 80 ℃以内,有时也需要将溶液冷却到室温以下。1.2.2 改进的 RCA 清洗RCA 清洗一般都需要在高温下进行,并且化学液的浓度很高,这样就造成大量消耗化学液和去离子水的问题。目前,很少有人还按照最初的 RCA化学液配比进行湿法清洗。在 RCA 清洗的基础上,采用稀释化学法,将SC-1、SC-2 稀释到 100 倍以上,也可以达到甚至超过最初的 RCA 清洗效果。改进的 RCA 清洗方法最大的好处是减少了化学液的消耗,可使化学液的消耗量减少 85﹪以上。另外,附加兆声或超声能量后,可大大降低溶液的使用温度和反应时间,提高溶液的使用寿命,大幅度降低了生产成本,同时,低浓度化学液对人体健康和安全方面...
新闻中心 新闻资讯
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料用半导体制造中的清洗过程中使用的酸和碱溶液研究了硅片表面的颗粒去除。在本文报道的研究中,基于颗粒吸附在晶片表面的机理,研究了去除吸附在水表面的颗粒的机理。在颗粒去除实验中,用湿法清洗工艺中使用的酸性和碱性溶液清洗了人工污染的单晶提拉法和FZ法晶片。已经证明,就颗粒去除效率而言,碱性溶液优于酸性溶液。据认为,由于碱性溶液中大多数颗粒的ζ电位为负,颗粒被晶片表面电排斥。除了从胶体化学的角度进行研究之外,我们认为检查由碱性溶液引起的晶片表面腐蚀也是很重要的。为此,研究了腐蚀速率和微粒去除效率之间的关系。使用直拉和FZ晶片。此外,用聚苯乙烯乳胶球代表有机物,研究了在NH,OH-H2O,-H2O溶液中的氧化过程,以找出氧化程度与颗粒物去除率之间的关系。结果,它已经被显示应该将NH4 H-HOOK-H2O溶液中的NH,OH含量降低到常规水平的1 /20,以优化颗粒去除效率。本文的剩余部分将描述实验性pro-的细节cess和结果。英寸CZ ( 1,0,0)晶片用于粒子吸附实验。自然氧化物首先在0。5 Y HF溶液。然后将晶片浸入各种接种有颗粒的溶液中10分钟,然后冲洗并干燥。在晶片表面形成自然氧化物后,在0.5的氢氟酸溶液中再次去除,然后清洗并干燥。五英寸锆石(1。0.0)和四英寸FZ ( 1,0,0)晶片用于清洗实验以研究颗粒去除。使用以下污染源对晶片进行人...
发布时间: 2022 - 03 - 26
浏览次数:7
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料宽带隙半导体具有许多特性,这些特性使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种重要材料的湿法腐蚀,即ZnO、GaN和SiC。虽然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的许多酸性溶液中以及在非酸性乙酰丙酮中容易被蚀刻,但是III族氮化物和SiC非常难以湿法蚀刻,并且通常使用干法蚀刻。已经研究了用于GaN和SiC的各种蚀刻剂,包括含水无机酸和碱溶液,以及熔融盐。湿法蚀刻对宽带隙半导体技术具有多种应用,包括缺陷装饰、通过产生特征凹坑或小丘来识别极性和多型体(对于SiC ),以及在光滑表面上制造器件。对于GaN和SiC,电化学蚀刻在室温下在某些情况下是成功的。此外,光辅助湿法蚀刻产生类似的速率,与晶体极性无关。 介绍宽带隙半导体GaN、SiC和ZnO对于许多新兴应用是有吸引力的。例如,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)和单片微波集成电路(MMICs)的发展保证了高频操作。此外,GaN用于紫外波长光电器件。它具有高击穿电场,大于硅或GaAs的50倍,这允许它用于高功率电子应用。GaN的宽带隙允许其用于蓝色/紫外线发光二极管(led)和激光二极管(LD ),并且由于其低本征载流子浓度,允许其在非常高的温度下工作。高电子迁移率和饱和速度允许其用于高速电子学。此外,诸如AlGaN/GaN的异质结构允许制造诸如HEMTs的高...
发布时间: 2022 - 03 - 26
浏览次数:2
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文介绍了在半导体制造过程中进行的湿法蚀刻过程和使用的药液,在晶圆表面,为了形成LSI布线,现在几乎所有的半导体器件都使用干蚀刻方式,这是因为干法蚀刻与湿法蚀刻相比,各向异性较好,对于形成细微的布线是有利的。湿法蚀刻是对膜进行各向同性蚀刻,因此不利于形成精细的布线,能够使用的布线有限,在最上层的Al系布线中使用的情况,这是因为与干法蚀刻相比,可以用廉价的装置形成。另外,在形成接触孔和通孔孔时,为了改善其后成膜时的覆盖范围,有的情况是首先用BHF药液进行湿法蚀刻;另一方面,在现在的半导体器件制造工艺中,作为最多的使用目的,还是去除布线形成后不需要的膜。下面介绍半导体制造过程中的重要组成部分:清洗和使用药液,下列的表中。首先是粒子去除(清洗),通常使用的药液是氨和过氧化氢水的混合液,混合比例、液温、清洗时间等是各公司的专有技术,一般来说氨:过氧化氢:纯水=1:1-10:20-100,温度40-70℃,使用时间为30秒-4分钟。 下图中显示了粒子、金属杂质、有机杂质被清洗的机理的例子;在APM液中过氧化氢水的作用下,硅晶圆表面形成0.8 纳米左右的极薄氧化膜,使用臭氧水(臭氧浓度10 ppm左右,温度25℃以下)时,由于臭氧的作用,同样会形成0.8 纳米左右的极薄氧化膜,并且,APM液中的氨具有蚀刻去除形成的氧化膜的作用,在去除氧化膜的同时,...
发布时间: 2022 - 03 - 25
浏览次数:11
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料GaAs晶圆拥有强大的性能特性,使其成为快速发展的技术世界的理想选择,这些半导体正在推动移动通信的未来,所以移动设备需要足够坚固的半导体来承受快速的电子传输速度,但由于电子移动速度加快,所以GaAs晶圆为移动设备开启了改进的功能。   5G是什么?5G代表了所有蜂窝网络的第五代标准技术,是一个非常强大的宽带蜂窝网络,远远超过4G网络的速度。  了解GaAs晶圆GaAs,或砷化镓,是一种由元素镓和砷组成的半导体,砷化镓的用途很少,因为缺乏要求这种特殊半导体特性的先进技术,但鉴于现代技术的需求,所以GaAs经历了复苏。  为什么是GaAs而不是硅?尽管硅被认为是半导体的标准材料,但GaAs晶圆提供的电子特性更适合5G移动设备。那么,在5G网络方面,GaAs和硅相比究竟如何?GaAs和硅在5G网络方面,GaAs的电子移动速度比硅快得多; 与GaAs不同,硅不耐辐射; 而且GaAs可以在微波频率下工作。GaAs与5G的关系对于运行在5G上的移动设备来说,它需要一个可以完全支持信号速度的晶片。  GaAs晶片被广泛认为是集成电路的未来,当我们考虑到这些半导体的市场份额及其增长速度时,这一事实变得非常明显,如果我们只看GaAs威化,市场预计将增加超过目前38亿美元净值的五倍。5G与4G4G...
发布时间: 2022 - 03 - 25
浏览次数:6
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料湿法晶片清洗虽然听起来可能没有极紫外(EUV)光刻那么性感,但对于确保成功的前沿节点、先进半导体器件制造,湿法晶片清洗技术可能比EUV更重要,这是因为器件的可靠性和最终产品的产量都与晶片的清洁度直接相关,因为晶片要经过数百个图案化、蚀刻、沉积和互连工艺步骤。晶片上的单个颗粒就足以造成致命的缺陷或偏移,最终导致器件故障,当今最先进的节点设备用于智能汽车、医疗保健和工业应用等关键应用。因此,器件可靠性比以往任何时候都更加重要。这意味着更严格的设备分类和宁滨,从而影响产量。不幸的是,许多传统的晶片清洗方法不仅不足以用于先进的节点技术,它们还会对finFETs和硅通孔等精密结构造成损坏。所以选择正确的湿法晶片清洗技术不应该是事后才想到的,而是应该作为稳健制造工艺流程的一部分仔细考虑。考虑到这一点,让我们看看湿法晶片清洗技术是如何从一门艺术发展成为一门科学的,以及湿法晶片清洗技术是如何专门针对先进技术节点的需求而开发的。有几个清洗步骤? 45纳米节点技术需要大约150-200个单独的清洗工艺步骤。10纳米节点处理使用了3倍于此的数量,大约800个清洗过程步骤,包括:光致抗蚀剂条、蚀刻后剥离、植入带、常规晶圆清洗、用于多重图案化和EUV的背面清洗、缩小技术节点需要双重、三重甚至四重图案化光刻工艺。这给整个工艺流程增加了数百个额外的步骤,包括额外的清洗步骤,虽...
发布时间: 2022 - 03 - 24
浏览次数:5
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料过氧化氢被认为是半导体工业的关键化学品。半导体材料的制备和印刷电路板的制造使用过氧化氢水溶液来清洗硅晶片、去除光刻胶或蚀刻印刷电路板上的铜。用于硅晶片表面清洗的最常用的清洗浴(S(1,S(2或SPM)在其配方中包括过氧化氢。所述浴从硅表面去除颗粒、有机和金属污染物,避免了由污染引起的电不可操作性和少数载流子寿命的降低。为了避免因镀液本身造成的污染,所有成分都需要极高的纯度,因此必须严格控制这些化学物质中的杂质浓度。半导体设备和材料国际(SEMI)组织是一个全球性的行业协会,为微电子、显示和光伏产业的制造供应链提供服务。该组织促进该领域全球最受尊重的技术标准的发展。在所有受管制的主题中,有些涉及工艺化学品,并指出要被接受为电子化学品。对于过氧化氢的特殊情况,SEMI (30文件是适用的[3],其中六个不同的电子等级被定义为允许的最大污染物浓度的函数,如表1所示。尽管通常商业化等级的过氧化氢水溶液已经通过传统的纯化技术(L-L萃取、吸附、膜技术、蒸馏...)为了降低杂质水平[4],用于电子设备的过氧化氢要求污染物含量非常低。因此,需要超纯工艺从标准级产品中达到电子级要求。虽然过氧化氢超纯化的技术可行性已经很好地解决了,因为不同电子等级的商业化已经证明了这一点,但是还找不到提示工艺基础的科学论文。因此,专利成为唯一可用的书目来源。作为过去二十年文献综述...
发布时间: 2022 - 03 - 24
浏览次数:4
扫码添加微信,获取相关半导体资料引言本文描述了用于III族氮化物半导体的选择性侧壁外延的具有平面侧壁刻面的硅微米和纳米鳍的形成。通过湿法蚀刻取向的硅晶片生产鳍片。使用等离子体增强化学气相沉积来沉积二氧化硅,以产生硬掩模。二氧化硅通过分别用于微米和纳米鳍的光和电子束光刻形成图案,随后在氢氟酸中进行湿法蚀刻。使用用异丙醇(IPA)稀释的四甲基氢氧化铵(TMAH)以及具有表面活性剂(Triton-X-100)的硅掺杂TMAH/IPA溶液进行湿法蚀刻以产生硅鳍。使用原子力显微镜和扫描电子显微镜来确定形貌,包括鳍之间区域的表面粗糙度和硅的蚀刻速率。 介绍硅蚀刻在图案从光掩模转移到衬底之后,下一步是蚀刻衬底,以获得与抗蚀剂上完全相同的图案。硅蚀刻有两种分类标准。一种是基于蚀刻形状;另一种是基于蚀刻技术。蚀刻后的硅的形状可以是圆形的,也可以是尖角形的,分别称为各向同性蚀刻和各向同性蚀刻。对于IC制造,最常用的蚀刻技术包括湿法蚀刻、等离子体蚀刻和反应离子蚀刻,其中大多数可用于硅蚀刻。 各向异性蚀刻和各向同性蚀刻各向同性蚀刻是一种非定向移除部分基板的蚀刻方法(图2.1 (a)),从而产生圆角。相反,各向异性蚀刻意味着每个晶体取向具有不同的蚀刻速率,因此拐角是尖锐的(图2.1 (b)、(c))。(100)取向硅的各向异性蚀刻形状是底角为54.74°的等腰形状(图2.1 (...
发布时间: 2022 - 03 - 23
浏览次数:3
添加微信,获取关于湿法刻蚀的完整资料
发布时间: 2022 - 03 - 23
浏览次数:111
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料半导体制造业面临的最大挑战之一是硅的表面污染薄片。最常见的是,硅晶片仅仅因为暴露在空气中而被污染,空气中含有高度的有机颗粒污染物。由于强大的静电力,这些污染物牢固地结合在硅晶片表面,给半导体制造行业带来了许多令人头痛的问题。为了正常工作,硅晶片必须完全没有任何污染物。然而,去除这些污染物并不是最简单的任务,因为硅晶片非常易碎。因此,半导体制造企业必须坚持精心制定的清洁计划,确保晶圆表面恢复到清洁状态,同时保持最小的损坏风险。为了最有效地清洗硅片,硅酮制造商推荐以下清洗步骤:第一步:溶剂清洗半导体制造企业使用溶剂成功去除硅片表面的油和有机残留物。虽然溶剂确实能去除这些污染物,但溶剂本身也会在晶片表面留下残留物。由于这个原因,实施了双溶剂方法以确保晶片回到无污染状态。溶剂清洗方法概述如下:·准备两个浴槽,一个玻璃容器装有丙酮,另一个装有甲醇。·将丙酮容器放在加热板上,将丙酮加热至不超过55°c的温度。·一旦变暖,将硅片浸泡在丙酮浴中10分钟。·丙酮浴完成后,取出硅片并将其放入甲醇容器中5分钟。·时间一到,将晶片从甲醇中取出,在去离子水中冲洗。·用氮气吹干硅片。 第二步:清洁RCA-1通过混合5份去离子水和1份氢氧化铵(27%)开始准备RCA槽。将RCA容器放在加热板上,将...
发布时间: 2022 - 03 - 22
浏览次数:14
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言与硅器件、电路和系统相关的研究和制造通常依赖于硅晶片的湿化学蚀刻。深度蚀刻和微加工、成型和清洗需要使用液体溶液溶解硅。此外,湿化学通常用于单晶硅材料中的缺陷描绘。本文综述了工程师们使用的典型湿化学配方。尽可能多的来源已被用来提出一个蚀刻剂和工艺的简明清单。 晶圆清洗通常使用一系列化学物质来清洗硅晶片。该序列首先由RCA实验室开发,因此通常被称为RCA过程。这种化学顺序不会侵蚀硅材料,而是选择性地去除残留在晶片表面的有机和无机污染物。以下是典型的RCA流程;在整个工业中,对顺序和化学比例的排序有许多变化。一般清洗:一般清洗是通过使用硫酸和过氧化氢的混合物来完成的。混合这些化学物质是危险的,会产生极高的热量。这种工业标准的清洗去除了晶片上的有机和无机污染物。建议清洗2-10分钟。清洁步骤后,需要在去离子水中进行强力冲洗。·颗粒去除:在5∶1∶1的去离子水∶氢氧化铵∶过氧化氢混合物中的兆频超声波清洗(约70 ℃)将从晶片上去除二氧化硅和硅颗粒,以及去除某些有机和金属表面污染物。建议清洗2-10分钟。清洁步骤后,需要在去离子水中进行强力冲洗。·氧化物去除:在1:20的HF:DI水中浸泡15-60秒将去除晶片表面的自然氧化物层和氧化物中的任何污染物。HF极其危险,必须小心处理。清洁步骤后,需要在去离子水中进行强力冲洗。&#...
发布时间: 2022 - 03 - 22
浏览次数:6
Copyright ©2005 - 2013 南通华林科纳半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
南通华林科纳半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋城南街道新桃路90号
电话: 400-876- 8096
传真:0513-87733829
邮编:330520
Email:xzl1019@aliyun.com       www.hlkncse.com


X
3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开