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始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2017 - 12 - 08
CSE’s Horizontal Quartz Tube Cleaning Stations are designed and built around your quartz tube configuration. All quartz tube cleaners incorporate an acid spray cycle, rinse cycle and an option dry cycle. Once the application is defined we add appropriate options like holding tanks, programmable rinse cycles, bottle washer and T/C sheath cleaner to complete your design. All tube cleaners include all required safety features with sign off drawings. Our expertise in developingquartz tube cleaning stations and outstanding customer support gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support. Quartz Tube Cleaning Station Benefits Include:§ Custom designed around your tube requi...
发布时间: 2019 - 06 - 11
实验室自动配液机(灌装机)CSE-LIQOUR-II  随着湿化学设备在LED、太阳能、MEMS、功率器件、分立器件、先进封装和半导体材料等领域自动化程度的不断提高,传统的人工手动配液、补液逐渐由自动配液取代。  然而,在湿制程工艺实验以及生物配药实验等实验验证的过程中,大多数还保持着采用量筒量杯逐一调配制程药液的方法。采用人为手工配置药液不仅精度得不到保证,而且化学品大多有腐蚀性、毒性等特点(如硫酸H2SO4、硝酸HNO3、磷酸H3PO4、盐酸HCL、氢氟酸HF、缓冲氧化物刻蚀液BOE等酸性溶液;氨水NH4OH、氢氧化钾KOH等碱性溶液;NMP溶液、丙酮、甲醇、IPA等有机液),在配比过程中对操作人员具有一定的危险性。  为解决实验室手动配液的弊端,华林科纳(江苏)半导体设备有限公司开发研制了新型实验室自动配液机(灌装机)CSE-LIQOUR-II。此配液机专为化学生物制药工艺实验室设计,是用来满足药液自动配比的设备,通过称重、流量计准确计量、气压输送或注塞抽取等方式将药液按照比例输送,配液精确度能够达到2‰。  该设备操作自动化,质量好,能预防药液污染。适用于半导体清洗和药厂配制普通液体药剂等用途,具有以下优点:  1)操作安全:系统应具有抗腐蚀性、毒性、耐压、防燃防爆等功能,保证操作者安全;  2)兼容性:与化学品接触部分完全与输送化学品兼容,对化学品零污染;  3)自动控制操作运转:系统单元与机台界面自动化;  4)精确配比:系统连续供液(配液、补液)过程中准确可靠,脉动性较好;  5)泄漏警报:检测泄漏及紧急关闭系统(E-MO);  6)其他:系统自诊断及管路维修保养功能。  作为湿制程设备专业制造商,华林科纳(江苏)半导体设备有限公司对实验室自动配液机(灌装机)CSE-LIQOUR-II的成功研发,为湿制程工艺实验室或生物配药实验室的精确配比,提升实验人员的实验...
发布时间: 2016 - 12 - 02
太阳能单晶制绒清洗机设备-CSE华林科纳(江苏)CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。  在太阳能电池生产中,制绒是晶硅电池的第一道工艺。华林科纳CSE的工程师提到对于单晶硅来说,制绒的目的就是延长光在电池表面的传播路径,从而提高太阳能电池对光的吸收效率。单晶硅制绒的主要方法是用碱(NaOH、KOH)对硅片表面进行腐蚀。由于硅片的内部结构不同,各向异性的碱液制绒主要是使晶向分布均匀的单晶硅表面形成类似“金字塔”状的绒面,有效地增强硅片对入射太阳光的吸收,从而提高光生电流密度。对于既可获得低的表面反射率,又有利于太阳能电池的后续制作工艺的绒面,应该是金字塔大小均匀,单体尺寸在 2~10 μm之间,相邻金字塔之间没有空隙,即覆盖率达到100%。理想质量绒面的形成,受到了诸多因素的影响,如硅片被腐蚀前的表面状态、制绒液的组成、各组分的含量、温度、反应时间等。而在工业生产中,对这一工艺过程的影响因素更加复杂,例如加工硅片的数量、醇类的挥发、反应产物在溶液中的积聚、制绒液中各组分的变化等。为了维持生产良好的可重复性,并获得高的生产效率。就要比较透彻地了解金字塔绒面的形成机理,控制对制绒过程中影响较大的因素,在较短的时间内形成质量较好的金字塔绒面。      单晶制绒的工艺比较复杂,不同公司有各自独特的制绒方法。一般碱制绒有以下几种方法:...
发布时间: 2016 - 06 - 02
全自动硅料清洗机 ---华林科纳CSE华林科纳(江苏)CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。特点:1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能光伏清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 10
全自动硅芯硅棒清洗机---CSE华林科纳(江苏)CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。产品描述1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能光伏清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 29
全自动制绒清洗机设备--CSE华林科纳(江苏)CSE密切跟踪太阳能光伏行业发展,致力于“设备+工艺”的研发模式,现生产的单多晶制绒设备已经形成了良好的客户基础和市场影响。生产工艺流程为:预清洗→制绒→扩散→刻蚀→去PSG→PECVD→印刷→烧结太阳能电池片湿法设备主要技术特点:1.独特的双槽制绒工艺槽设计;2.分立式加热系统保证溶液均匀性并降低运营成本;3.多通道注入结构实现制绒工艺槽溶液均匀性控制;4.机械传动特殊设计及人性化安全保证;5.适应性强的工艺过程控制。产品描述1)主要用于对硅材料行业中多晶硅块进行清洗干燥处理。2)工艺流程:根据客户需求定制,可处理腐蚀、清洗、超声、加热、干燥、上料 、喷淋 、酸洗、漂洗、下料等工艺;3)控制方式:手动或自动4)材质:根据客户及工艺需求选用,可选PP、PVC、PVDF、石英、不锈钢等材质,保证设备的耐用性;5)槽体的槽底均为倾斜漏斗式结构,便于清洗和排渣;  6)设备设有旋转装置使工件达到更好的清洗效果;7)顶部设有排雾系统结合酸雾塔进行废雾、废水处理避免污染环境;8)PLC控制人机界面操作显示能根据实际情况更改清洗参数。更多的太阳能单晶多晶硅片制绒腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 09
硅片湿法清洗技术与设备---华林科纳CSE硅片制造过程中,在进行下一步工艺前要获得 一个洁净的表面,以保证后道工艺能再一个完全洁 净的表面上进行,这就需要对硅片进行清洗。清洗是硅片制造过程中重复次数最多的工艺。目前,在 清洗工艺中使用最多的就是湿法清洗技术,华林科纳半导体设备公司的硅片湿法腐蚀清洗机在半导体行业得到了很多客户的认可.1 硅片湿法清洗的种类1.1 刷洗刷洗是去除硅片表面颗粒的一种直接而有效的方法,该清洗技术一般用在切割或抛光后的硅片清洗上,可高效地清除抛光后产生的大量颗粒。刷洗一般有单面或双面两种模式,双面模式可同时清洗硅片的两面。刷洗有时也与超声及去离子水或化学液一起配合使用,以达到更好的清洗效果和更高的清洗效率。1.2 化学清洗1.2.1 RCA 清洗20 世纪 60 年代,由美国无线电公司(RCA)研发了用于硅片清洗的 RCA 清洗技术,这种技术成为后来各种化学清洗技术的基础,现在大多数工厂所使用的清洗技术都是基于最初的 RCA 清洗法。RCA 清洗是按照一定的顺序依次浸入两种标准清洗液(SC-1 和 SC-2)中来完成,这两种清洗液的使用温度一般在 80 ℃以内,有时也需要将溶液冷却到室温以下。1.2.2 改进的 RCA 清洗RCA 清洗一般都需要在高温下进行,并且化学液的浓度很高,这样就造成大量消耗化学液和去离子水的问题。目前,很少有人还按照最初的 RCA化学液配比进行湿法清洗。在 RCA 清洗的基础上,采用稀释化学法,将SC-1、SC-2 稀释到 100 倍以上,也可以达到甚至超过最初的 RCA 清洗效果。改进的 RCA 清洗方法最大的好处是减少了化学液的消耗,可使化学液的消耗量减少 85﹪以上。另外,附加兆声或超声能量后,可大大降低溶液的使用温度和反应时间,提高溶液的使用寿命,大幅度降低了生产成本,同时,低浓度化学液对人体健康和安全方面...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言生长亲水氧化层的硅晶片的预处理工艺包括使晶片与预清洗SC-1浴接触的初始步骤,从而产生高度无颗粒的硅晶片表面。在去离子水冲洗之后,用含水的含有氢氟酸和盐酸的溶液,用于去除晶片表面的含金属氧化物。为了生长亲水氧化层,使用SC-2浴(含有过氧化氢和稀释浓度的金属擦洗HCl)。在硅晶片表面上生成的亲水性李思氧化层使用组合的SC-1 HF/HCL SC-2晶片清洗工艺具有不大于1x10 '的金属浓度。基于SC-2的预处理晶片清洗工艺这是一种在热处理之前清洗硅晶片的新的改进方法,以便使影响少数载流子复合寿命的微粒、有机物和金属污染物的存在最小化。铸锭成晶片,然后研磨、蚀刻和抛光15晶片。基于电路器件制造商所需的规格,硅晶片也可以经受热处理,例如但不限于氧供体湮灭退火、控制氧沉淀的热处理、低温化学气相沉积(CVD)氧化、外延沉积和多晶硅沉积。在这种热处理过程中,硅晶片通常暴露在至少约25℃的温度下持续至少约一秒钟。硅晶体材料,在那里它们可以降解大块硅少数载流子复合寿命。理想情况下,硅晶片在进行热处理时应该是无金属的。在许多应用中,硅35也是优选的要进行热处理的晶片由亲水氧化硅层钝化。不幸的是,与生长氧化硅亲水表面层的常规工艺相关的许多限制使得在小于1×10″结果,在热处理之前,硅晶片的表面氧化层通常被剥离。不幸的是,在热处理之前剥离这种...
发布时间: 2022 - 04 - 01
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料化学提升光刻(CLL)是一种减法软光刻技术,它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)标记来绘制功能分子的自组装单层,应用范围从生物分子图案到晶体管制造。在此我们表明,CLL可以作为一种更广泛的技术,利用由铸币金属(Pt、Pd、Ag、Cu)、过渡金属和反应金属(Ni、Ti、Al)和半导体(Ge)组成的自组装化学。我们展示了高保真模式在精确特征的所有表面调查。将CLL作为一种技术,在不同的铸币金属(Pt、Pd、Ag、Cu)、过渡金属和活性金属(Ni、Ti、Al)和半导体(Ge)上绘制烷甲基SAMs。使用图案单层作为分子电阻,演示了通过湿蚀刻图案转移到下面的金属基板,在所有的情况下,表明在相应的CLL过程中,衬底原子的支撑层(单层)被移除,此外还可以在PDMS印章表面上形成混合金属单分子层的原子共混物,这些发现表明,CLL是一种通用的技术,可用于使用直接的烷硫醇自组装的多种不同材料表面的经济和高通量模式化。图1CLL过程的原理图如图1所示,首先研究了除之前研究中使用的Au以外的铸造金属(即Pt、Pd、Ag、铜),自组装的烷硫酸单层已在其他铸币金属上形成,因此,预测CLL可以用来描绘这些额外的金属表面。用CLL形成图案后,用扫描电子显微镜(SEM)对金属表面的单分子层进行成像,特征没有显示出模式形成后MUO横向扩散相关的展宽的证据,类似于Au上的CLL情况。根据...
发布时间: 2022 - 04 - 01
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍能源被认为是未来五十年人类面临的头号问题。据估计,太阳能在一小时内显示出供给的潜力,其能量足以满足世界一年的能源需求总量。光伏产业面临的一个主要挑战是以与化石燃料相比具有竞争力的成本产生足够量的能量。这个因素取决于对高效光伏设备和降低制造成本的需求。据报道,较高效率的太阳能电池比使用晶体硅材料的市售太阳能电池的效率高出20%以上。这些类型的PV电池之一是交叉背接触太阳能电池。IBC太阳能电池是在电池背面既有p+触点又有n+发射极的电池,这样可以防止遮光损失。金属化遵循交叉指型图案。通过对用于p+接触的氧化铝/无定形碳化硅(Al2O3/a-SiCx)、用于n+接触的磷掺杂碳化硅叠层/氢化无定形碳化硅(SiCX/a-Si:H)和作为背反射器的a-SiCx进行表面钝化来处理UPC的IBC电池。通过激光加工和最终铝金属化来完成制造过程,从而形成触点。这种电池的优点是:(a)正面没有金属阴影损耗(b)由于指状物和母线造成的电阻损耗非常低,以及(c)电池更容易互连。引入IBC以将晶体硅太阳能电池的转换效率提高20%以上。凭借这种高效率,传统电池6.5平方米的电池板尺寸可以减少到4.8平方米或更小,以满足家庭平均每年的总能源需求。主要目标是开发便于大规模生产的程序。IBC太阳能电池允许进一步减小电池厚度。晶体硅电池中的光捕获方案,如抗反射涂层、随机纹理等,...
发布时间: 2022 - 03 - 31
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料众所周知,硅的热氧化动力学是一个复杂的过程,涉及到氧化剂进入表面,通过刚刚生长的氧化层运输,最后在大块硅和SiO之间的界面上发生反应,尽管有许多工作致力于这个问题,但一些关键的现象还没有得到很好的解释,如预氧化表面处理的影响,这些表面处理的目标是清洁硅表面的污染物,去除天然的氧化物层,并通过钝化过程改变化学反应行为。根据所使用的清洗步骤顺序,特别是最后一步,表面处理不仅强烈影响生长速率,而且强烈影响整体氧化物和Si/Sio2界面的性质,通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)对薄氧化物层的结构质量进行了比较分析,并与不同的清洗程序所产生的影响有关,这些都是基于标准的RCA方法加上高频溶液蚀刻法,所得结果表明,红外技术能够理解所涉及的现象和完成XPS分析。结合四种清洁处理,CLI(a+b);CL2(b+a):CI3(d+e);CL4(d+e+c)在不同的步骤之间,晶片在4次降雨中用水冲洗,对两组晶片进行了实验,在第一组晶片中,在T = 950°C下,在常规炉中氧化晶片35分钟(标记为F过程),所有的火焰都被一起氧化了,这是一个非常重要的特征,在第二个过程中,晶片在T=1050°C的快速热氧化(RTO)炉中被氧化,就在氧化之后,两组的一些晶片在常规炉中在1000℃退火15分钟(AF ),或者通过快速热退火工艺(RTA)在1050℃退火1...
发布时间: 2022 - 03 - 31
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文讲述的是一种在单个晶圆清洗工艺中使用新型清洗溶液的方法,该方法涉及在单一晶片模式下使用清洗溶液,并且清洗溶液包括至少包括氢氧化铵(NH-OH)、过氧化氢(HO)、水(HO)和螯合剂,在一个实施例中,清洁溶液还包含一种表面活性剂,清洗溶液还包括溶解气体,含有氢氧化铵、过氧化氢、螯合剂和/或表面活性剂和/或溶解氢的相同清洗溶液也可用于多个晶片模式,用于某些应用。一种包括氧化剂和CO气体的去离子水冲洗溶液,所有这些元素结合起来工作,以提高加工效率。硅片的湿式蚀刻和湿式清洗通常是通过将硅片浸入液体中来完成的,这有时也可以通过将液体喷洒到一批晶片上来实现,晶片清洗和蚀刻传统上采用批处理模式进行,即同时处理多个晶片,一个典型的清洗顺序由HF-SC1-SC2组成。HF(氢氟酸)是一种用于蚀刻薄层氧化物,接下来通常是标准的Clean1(SC1溶液),它由NHOH、水和水的混合物组成,有时SC1溶液也被称为APM溶液,它代表过氧化氢氨混合物,SC1溶液主要用于去除颗粒和残留的有机污染。然而,SC1的解决方案却留下了金属污染物。最终的溶液是标准的Clean2溶液(SC2),它是盐酸,H.O.和水的混合物,有时SC2溶液也被称为HPM溶液,它代表盐酸过氧化氢混合物,SC2溶液主要用于去除金属污染,在HF、SC1和SC2溶液之间,通常有一个DI(去离子)水冲洗液,在...
发布时间: 2022 - 03 - 30
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文描述了一种新的和简单的方法,通过监测腐蚀过程中薄膜的电阻来研究湿法腐蚀ITO薄膜的动力学,该方法能够研究0.1至150纳米/分钟之间的蚀刻速率。通常可以区分三种不同的状态:(1)缓慢的初始蚀刻;(2)快速整体蚀刻阶段和(3)结束时的缓慢蚀刻阶段。表明方法特别适合于研究蚀刻过程结束时的现象,在这种情况下,孤立的膜块仍然粘附在衬底上。由于其相当高的导电性和光学透明度,氧化铟锡(ITO)是用于显示器、触摸面板、太阳能电池和其他相关应用的最广泛使用的透明导电氧化物(TCO)之一,ITO薄膜的图案化通常通过光刻来完成,光刻包括在工业过程中主要是湿法蚀刻的蚀刻步骤。在ITO的湿法蚀刻研究中,通常没有明确提到评估蚀刻速率的程序,由于这些研究的焦点是总的蚀刻速率,所以蚀刻速率可能是通过将膜厚度除以总蚀刻时间来评估的,然而,没有提到如何确定总蚀刻时间,评估蚀刻速率的基本假设是蚀刻速率在蚀刻过程中是恒定的。在蚀刻ITO和其它透明导电材料如SnO2和ZnO的薄膜期间,对蚀刻速率的研究需要监测薄膜的厚度或质量相关量,光学监测方法可以是椭偏测量、直接透射和反射测量或通过光栅结构测量透射和反射,因为对于非常薄的膜(此外,测量非常薄的ITO膜的厚度是麻烦的,因为表面粗糙并且在衬底表面上形成孤立的ITO残留物,为了监测蚀刻过程中的蚀刻速率,应用了电阻相关的测量技术,该技术不...
发布时间: 2022 - 03 - 30
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文研究了室温下盐酸和王水溶剂对ITO膜腐蚀行为的影响,在王水中比在盐酸中获得更高的蚀刻速率,然而,通过XPS分析,发现在王水蚀刻剂中比在HCl中有更多的表面残留副产物,在王水和HCl中的表面浓度(氯与铟的比率)分别为7.2和0.38,还观察到,由于离子化杂质散射,表面残留副产物降低了载流子迁移率,如在蚀刻过程后的ITO图案中所见,由于快速蚀刻速率,王水发生了严重的底切,因此,9 M HCl溶液更适合作为ITO/有机发光二极管应用的蚀刻剂。本研究中采用了ITO镀膜玻璃,因为它的薄层电阻低,在可见光区的透明度高(90%),在蚀刻过程开始之前,样品 依次用丙酮、甲醇、去离子水清洗,用N2气体干燥,用不同浓度和温度的盐酸(HCl)和水溶液(硝酸与盐酸的体积比为1:3)进行蚀刻实验,将ITO玻璃垂直浸入蚀刻溶液中,在蚀刻过程中不搅拌,在ITO蚀刻过程之后,进行各种表征。用能量色散谱(EDS)、霍尔测量和扫描电镜(SEM)分别测量了腐蚀前后ITO膜的表面余氯、载流子浓度、迁移率和表面形貌,此外,通过单色 X射线源进行X射线光电子能谱(XPS)测量,在这项工作中报道的所有结合能(BE)都是参考285.3 eV处碳C 1s峰的结合能。此外,用椭偏仪监测腐蚀前后ITO膜的厚度。在本研究中,使用HCl和王水作为蚀刻溶液,蚀刻反应是 In2O3 + 2HC1 → 2...
发布时间: 2022 - 03 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料在本研究中,我们研究了在液晶显示(LCD)技术中常用的蚀刻剂中相同的ITO薄膜的蚀刻速率,保持浴液温度恒定,并比较了含有相同浓度的酸的溶液,对ITO在最有趣的解决方案中的行为进行了更详细的研究,试图阐明这些浴液中的溶解机制。ITO通过每分钟5.5标准立方厘米的氧流量的直流磁控溅射均匀沉积在玻璃基底上,目标的密度为70%,衬底温度为350°C,沉积电压和功率设置分别为375V和1.7kW,得到的ITO层厚度为120纳米,在550纳米处超过85%的透射率,ITO膜的化学组成通过以下方式获得俄歇电子能谱,都在表面和整体。蚀刻实验是用部分被光刻胶覆盖的ITO样品进行的,样品垂直放置在蚀刻剂中,蚀刻后,样品在去离子水中冲洗,抗蚀剂在丙酮中剥离,样品在氮气流中干燥,测量蚀刻深度,对于每个蚀刻率测定,这至少5次不同的蚀刻时间,蚀刻深度作为时间的函数绘制,蚀刻率以直线的斜率得到,实验在30或50°C条件下进行,温度保持在0.1°C范围内,电化学测量是在室温下进行的标准电化学电池中包含ITO样品,一个大面积铂对流电极和一个饱和热量参比电极(SCE),使用温金恒电位器LB75L,结合高温度仪器小波发生器PPRI和飞利浦X-Y记录器PM8143,在100mV/s的扫描速率下记录伏安图。在室温下在电化学电池中进行电位蚀刻实验,在这些实验中,...
发布时间: 2022 - 03 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言在未来几代器件中,光刻胶(PR)和残留物的去除变得非常关键。在前端制程(FEOL)离子注入后(源极/漏极、扩展、haIos、深阱),使用PR封闭部分电路导致PR实质上硬化且难以去除。在后段制程(BEOL)蚀刻中,在不去除低k材料的情况下去除抗蚀剂和残留物的选择性是非常具有挑战性的。概述了现状、问题和一些新的方法。 介绍光致抗蚀剂用于保护晶片的某些区域免受干蚀刻化学物质、离子注入等的影响。工艺完成后,需要选择性地去除光致抗蚀剂并清洁表面,以确保表面没有残留物和颗粒。原则上,使用湿化学物质如热SPM、有机溶剂或通过使用干等离子体的“灰化”去除抗蚀剂是可能的。然而,在干法蚀刻或注入处理过程中,抗蚀剂会发生化学改性,这种改性会显著降低剥离速率。如果更具侵略性-例如,使用高度氧化的化学物质,这可能导致晶片上其他材料的不希望的侵蚀。虽然这些考虑几十年来,对于单元工艺开发非常重要,对于45纳米技术节点和更高技术节点的某些iTRS路线图要求变得越来越严格,以至于工业实验室正在考虑对cMOS集成流程的几个模块进行根本性的范式转变。同时,新的替代集成方案,包括使用应变硅、金属硬掩模和金属栅电极,导致不同的要求。这使得对这一主题的研究更加复杂。在下文中,我们总结了现状、问题和新方法,重点关注FEOL中的源漏注入模块和BEOL的低k干法刻蚀模块。 ...
发布时间: 2022 - 03 - 28
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料薄晶片已经成为各种新型微电子产品的基本需求。这些产品包括用于RFID系统的功率器件、分立半导体、光电元件和集成电路。此外,向堆叠管芯组件的转变、垂直系统集成和MEMS器件中的新概念要求晶片厚度薄至小于150 μm。机械研磨因其高减薄率而成为最常见的晶圆减薄技术。研磨系统通常采用两步工艺,先以极高的速度(5米/秒)进行粗磨,然后以较低的速度进行细磨(£ 1米/秒)以去除由粗磨步骤产生的大部分损伤层。然而,在晶片表面附近仍然存在缺陷带。该缺陷区的厚度取决于磨削条件。这些残余缺陷会在变薄的晶片中产生应力,导致额外的弯曲,并导致晶片破裂。由于残留的缺陷层和表面粗糙度,需要在机械研磨后进行额外的减薄工艺来提供可靠的薄晶片。这种最终的蚀刻和表面调节可以通过CMP、干法蚀刻或湿法化学蚀刻来完成。最具成本效益的工艺是湿法蚀刻。与机械研磨相比,在背面使用最终湿法蚀刻工艺减薄的晶片将具有更小的应力。将减少晶片破损,并且在切割之后,芯片将具有更少的裂缝和碎片。根据晶片背面的后续工艺,表面的最佳粗糙度或光滑度可能不同。对于金属沉积,轻微的粗糙度将提高附着力。2对于晶片键合,需要非常光滑的表面。本文对一些关键工艺参数进行了研究,以提供非常均匀的蚀刻和可控的表面光洁度,并对这些工艺进行了演示。 实验性实验是在SSEC 3300系统上进行的。在蚀刻过程中,...
发布时间: 2022 - 03 - 28
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