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发布时间: 2016 - 03 - 10
PP通风橱---华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE-PP通风柜 专为氢氟酸及硝化类浓酸设计的实验室通风橱,克服了传统通风柜在高温浓酸环境下易生锈、变黄、龟裂等缺陷,具有的耐酸碱性能。适用行业:适用于各类研究实验室---半导体实验室、药物实验室 【产品描述】设备名称南通华林科纳CSE-PP通风柜产品描述【柜体】:采用厚8-12mm瓷白色PP制作,耐酸碱性能优异。经CNC精确裁切加工后,同色同质焊条熔焊修饰处理,表面无锐角。【上部柜体】:排气柜采用顶罩式抽气设计,设计有1个∮250mm排风口。导流板采用同质PP材料制作,耐酸碱性能优异。安装尺寸科学合理,无气流死角,获取最大的废气捕捉性能。【操作台面】:台面采用12mmPP板制作,耐酸碱性能优异。通风柜台面上水槽根据用户要求配置。【下部柜体】:储物柜体,中间加一层隔板。铰链采用黑色塑料铰链,耐腐蚀性能好。拉手采用同质C型PP拉手。【调节门】1. 调节门玻璃:采用厚4mm透明亚克力玻璃制作,耐酸碱性能优异。2.调节门边框:为厚瓷白色PP板c型槽,嵌入式结合,以确保安全及耐用性。  3.调节门悬吊钢索:每台通风柜调节门钢索连接。4.调节门平衡配重:采无段式配重箱设计,其上下行程具静音轨道予以限制避免摇晃碰撞。【电器设备】1.开关:按钮带灯式自锁开关,包含风机开关,照明开关,总电源开关。2.照明设备:采用全罩式三防灯具,灯罩内具220v*20w*23.插座部分:每台通风柜装设带防溅盖220V10A 电源插座2个。设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096;18913575037【详细参数】产品名称PP通风橱产品型号PPFG-120PPFG-150PPFG-180外形尺寸(L×W×H)1200...
发布时间: 2017 - 04 - 06
甩干机—华林科纳CSESpin-dry machine 设备名称CSE-甩干机主要功能晶圆或器件的清洗甩干腔体数量单腔/双腔/四腔尺寸(参考)约L×D×H=面宽480mm×纵深820mm×高度1750mm清洗件规格4寸/5/寸6寸/8寸等尺寸晶圆或器件操作流程人工上货→DI喷洗加转子旋转→HOTN2吹干加转子旋转→加速旋干含舱体加热保温→完成设备预设之制程结束。工作转速300—2400r/min主体构造特点外观材质:本体以W-PP10t板材质组焊组合。设备骨架:SUS25*25*1.2T骨架组合,结构强固。作业视窗:视窗采透明压克力材质,有效掌握作业情况。管路系统:OneChamber模块化。排风系统:间接式抽风设计,有效稳定空气扰流,并同时减低异味。机台支脚:具高低调整及锁定功能。机台正压保护:采N2正压保护。机台微尘控制量:无刷伺服电机去静电  氮气控制单元1)管件阀门:SMC电磁阀、PFA高纯管件、PTFE气动阀门。2)氮气加热功能:不锈钢加热器在线加热3)低压氮气功能:待机时,保持腔内正压,防止污染。DIW控制单元1)采用旋流式冲洗喷嘴。2)排水口安装电阻率探头,对腔体排水水质进行监测。3)冲洗工艺完成后,氮气将残留在冲洗管路内的去离子水吹净。4)待机时,保持回水盒内有水流入且流量可调。电控单元及软件系统1)控制器操作界面:5.7”记忆人机+PLC可程序自动化控制器(人机TouchScreen)。2)软件功能:编辑/储存:制程/维修/警示/编辑/配方/,皆可从操作荧幕上修改。3)储存能力:记忆模块:参数记忆,配方设定。 更多的甩干机清洗相关设备,可以关注http://www.hlkncse.com ,0513-87733829
发布时间: 2016 - 12 - 05
干燥系统-华林科纳CSE适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术优点NID™干燥系统利用IPA和N2雾化分配,以及晶圆与水脱离时形成了表面张力干燥的技术适用于最大尺寸300mm晶圆的干燥技术 可单台设备或整合在湿法设备中 最佳的占地 成熟的工艺 无水迹 无碎片应用:抛光片、集成电路、MEMES、LED、光伏、玻璃基片一般特征: 可同时干燥25到50片直径最大为300mm的晶圆 适用于标准高边或低边花篮规格:艺时间: 一般亲水性晶圆片: ≤ 10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圆片: ≤ 30 增加 @ 0.12 μm金属含量: 任何金属≤ 1•1010 atoms / cm2 增加干燥斑点: 干燥后无斑点IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run去边缘: 3 mm一般安装参数:尺寸: 660 x 1440 x 2200 (长 x 宽 x 高)标准电压: 3 x 400 VAC额定功率: 50 Hz标准电流: 3 x 33 A培训:操作、维护、工艺培训标准: CE Semi S2 and S8 FM 4910 SECS/GEM可靠性: 平均故障间隔时间 ≥ 800 h 辅助平均间隔时间 ≥ 300 h 可运行时间 ≥ 97 %更多的干燥系统设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 06 - 06
废气处理系统-南通华林科纳CSE南通华林科纳半导体CSE 的废气处理系统可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa; 设备名称南通华林科纳CSE-废气处理系统系统说明1.可处理气体:酸性气体、碱性气体、其它特殊气体,负压范围为:-500Pa 至 -1500Pa;2.工艺稳定,负压波动在15%.3.电压:380V,三相五线,8KW;4.采用英国废气处理系统工艺,CSE在原工艺上经过升级改造,新的系统推出市场后,客户反映效果较好;系统工作原理为酸性/碱性/其它特殊气体处理系统,主要由以下几大部分组成:负压腔、正压腔、初级锥形喷淋塔、三级喷淋净化塔、高压射流器、抽风孔、负压动力泵、循环喷淋泵、电控系统;废气经过一级锥形喷淋塔进入负压腔内(每个喷淋塔中间为伞装型喷头,对废气层形成水封,瞬间中和废气)、通过射流器产生负压把负压腔内的废气抽入正压腔内中和(在负压腔与正压腔之间设有三级喷淋净化塔,三级喷淋净化塔内配有PP填料,配有喷嘴,再次充分喷淋中和废气)、处理完的气通过正压腔上的排气口排出。成功案例河北普兴电子有限公司上海新傲半导体有限公司上海硅酸盐研究所中试基地苏州纳维科技有限公司设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ;18913575037更多半导体行业废气处理系统可以关注南通华林科纳半导体设备官网www.hlkncse.com;现在咨询400-8768-096,18913575037可立即免费获取华林科纳CSE提供的废气处理系统的相关方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
GMP自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-GMP自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-GMP自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可...
发布时间: 2017 - 12 - 06
研磨液自动供液系统-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-研磨液自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-研磨液自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形下可...
发布时间: 2016 - 03 - 07
SPM腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备。其中SPM自动清洗系统设备主要用于LED芯片制造过程中硅片表面有机颗粒和部分金属颗粒污染的自动清洗工艺。设 备 名  称南通华林科纳CSE-SPM腐蚀酸洗机适 用 领  域LED外延及芯片制造设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备基 本 介 绍主要功能:通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果可处理晶圆材料:硅 砷化镓 磷化铟 氮化镓 碳化硅 铌酸锂 钽酸锂等被清洗硅片尺寸:2-8寸(25片/蓝)设备形式:室内放置型操作形式:自动设备制造商南通华林科纳半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096;18913575037更多的全自动半导体SPM腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言已经研究了从缓冲氧化物蚀刻剂(BOE)到裸硅、二氧化硅和图案化硅水的铜沉积。在二氧化硅表面上不会发生沉积,而在图案化的二氧化硅区域1上观察到的沉积水平介于裸硅和二氧化硅上的沉积水平之间。每次浸入BOE溶液后,晶片清洗的持续时间、硅材料以及衬底掺杂不会影响沉积量。从BOE溶液中沉积铜的过程均匀地发生在晶片表面上。 讨论在氢氟酸(HF)和BOE溶液中,铜原子与氟原子形成络合物。因此,铜可能以Cu”、CuF*或CuF物种的形式存在。这三种物质的分布取决于溶液中氟离子的浓度(图10)。对于在整个实验中使用的30∶1 BOE溶液,氟离子浓度为11.54M,结果铜主要以CuFJ形式存在。铜在硅表面上的沉积机理如下 si+2cu F3-r Cu+SiF { fiG,=-624 kJ铜沉积到硅表面上的过程作为电化学还原发生,其中铜离子在硅表面的选定位置被阴极还原,而硅在相应的阳极位置进行溶解。作为半导体的硅衬底能够在阳极和阴极反应之间传导电子,并维持电化学电池。基本上,电化学反应与控制整个过程的混合电位有关。人们认识到,在反应过程中,混合电位可能会移动。这一现象当然得到了实验结果的支持。从第三组晶片的结果来看,铜的沉积随时间保持线性。与吸附等温线不同,这种行为持续到超过6×101 Cu原子·cm-3的沉积水平,接近单层...
发布时间: 2022 - 04 - 09
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言已经研究了RCA清洗顺序的几种变化对薄栅氧化物(200-250A)的氧化物电荷和界面陷阱密度的影响。表面电荷分析(SCA) xvil1用于评估氧化物生长后立即产生的电荷和陷阱。然后制造具有铝栅极的电容器,以通过在HP4145参数分析仪上的破坏性电场击穿测试来确定器件的介电强度,使用同时高频/低频系统从C-V测试中获得总氧化物电荷和界面陷阱密度。 介绍水清洗工艺是去除污染物最常用的技术。这种去除对半导体工业至关重要,因为人们普遍认为集成电路制造中超过50%的产量损失是由微污染造成的。此外,留在表面上的金属会扩散到硅中,导致产量损失和/或可靠性问题。无论污染物是特定的还是一般的,也无论污染物的来源是已知的还是已知的,成功去除污染物是清洁的本质。二氧化硅和氧化物-硅界面的电子性质对器件的工作和长期可靠性有深远的影响。在大多数情况下,这些效应在器件设计和加工过程中已经考虑在内。在已经使用的许多清洁溶液中。最普遍的是RCA溶液,它是过氧化氢。氧化物的完整性和可靠性对于金属氧化物半导体(MOS)超大规模集成(ULS)技术是非常重要的。MOS电容-电压(C)测量是监测自然生长氧化物中污染的最常用技术。C-V曲线的特征被用于提取氧化物的几种性质,包括总氧化物电荷(Qox)、dlld界面陷阱密度(D,I)。不幸的是,C-V测量技术需要额外的氧化后处理...
发布时间: 2022 - 04 - 08
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料半导体器件制造中涉及的一个步骤是在进一步的处理步骤,例如,在形成栅极氧化物之前。进行这种清洗是为了去除颗粒污染物、有机物和/或金属以及任何天然氧化物,这两者都会干扰后续处理。特别是清洁不充分是对栅极氧化物的性质有害,这反过来影响整个器件的性质。种程序用于清洁硅晶片。一个广泛使用的程序是标准的RCA清洁。RCA清洗包括暴露在三种不同的溶液中——SC1、氢氟酸和SC2。SC1溶液包含氢氧化铵、过氧化氢和水,通常能有效去除颗粒和金属从硅晶片表面去除。SC2溶液含有盐酸、过氧化氢和水,通常能有效去除不溶于氨水的碱金属离子和金属氢氧化物氢氧化铀。HF从表面剥离任何自然氧化物。存在多种RCA清洁剂,但有35种由于使用了SC1和/或SC2解决方案,仍被称为RCA院长。典型的RCA清洗包括连续的步骤:HF 去离子水冲洗® SC1 ®去离子水冲洗® SC2 去离子水冲洗。也可以执行40中的步骤不同的顺序,例如颠倒HF和SC 1步骤的顺序,或者省略一个步骤,例如省略SC2步骤。然而,RCA清洗的一个问题是,SC1溶液有导致粗糙化的趋势硅表面,由于OH-在45SC1解决方案。并且这种粗糙化有可能干扰器件性能,特别是50随着器件尺寸和间距变得更小。因此,不使硅表面变粗糙的栅极前清洗是理想的。可通过以下方式获得有利的平滑度。在进行HF清洗的情...
发布时间: 2022 - 04 - 08
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文介绍了抗蚀剂工艺的基础知识,包括实用技术,接近模式是一种具有成本效益的过程,具有实现任意2-3微米宽度模式的潜力,在解释了标准过程和机制之后,描述了MEMS区域中的一些问题。光刻的基础是基板面统一的并列处理,与利用工具的机械加工相比,能够越精细地增加制作装置数量等,发挥包括生产率在内的威力,在MEMS领域中,在图案化中,可能不是利用步进器,而是利用对准器的近距离曝光,成本效益高,最小稳定图案宽度为2-3微米。图1图1是经验少的学生利用OFPR-800LB光刻胶进行图案化的例子,图1(a)乍一看是坏的(1)整个基板上附有细小的垃圾;(2)光刻胶颜色不均匀,有渐变部分;(3)上部提供间距为10微米的线-和-空间(占空比为1:1),但5µm宽的线可能倾斜或丢失。说明原因:(1)中的细小垃圾当然应该清除,将圆型晶片切割,做成小芯片状使用,可以认为是此时的垃圾,作为基板清洗,学习使用食人鱼溶液(硫酸和过氧化氢水)等强化学药品进行处理。实际上,在图1(a)中进行了该清洁处理,但是,划片中最有可能的垃圾是硅的碎片。食人鱼溶液对有机物有效,不能去除硅。建议用有机溶剂和软纤维,如棉签,机械擦拭,擦拭的方向不要往复,以一定的方向为好;(2)和(3)是同样的理由,从细小的模式流动可以推测,模式转录本身已经完成,但湿显影处理发生了异常,正抗蚀剂基本上与基板...
发布时间: 2022 - 04 - 07
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料通过基于DLVO理论计算相互作用力、利用AFM测量浆液颗粒与晶片表面之间的粘附力等基础研究,可以提高对清洗机理的认识和清洗过程的发展,本文从基础原理到当前和未来,概述了CMP后的清洗过程,为了控制表面的润湿性,研究了在不同浓度的氢氧化钾基添加剂溶液中的接触角和附着力,接触角和粘附力随溶液a浓度的变化而减小,溶液A作为聚硅表面的表面氧化剂,在去离子水中形成更亲水的表面。在测量了聚硅CMP过程中的摩擦力和衬垫层温度与溶液a浓度的关系,由于溶液A浓度的增加,表面的亲水性导致摩擦力和垫温度低,在疏水聚硅晶片表面观察到垫片颗粒的污染,晶片上的衬垫颗粒污染量随着溶液A浓度的增加而减少,说明有机硅表面的疏水性可能是由有机垫颗粒污染和疏水性引起的,众所周知,在干燥过程中,在疏水表面上比在亲水表面上更容易产生水痕,在垫颗粒周围观察到水痕迹,结果表明,对晶片表面润湿性的控制对有机残留物在聚硅表面的粘附力和去除力起着重要作用。选择性对于减少侵蚀非常重要,当晶片在染色垫上抛光时,由于浆料分布不佳,铜的去除率降低了约30%左右,由于垫上表面的副产物增强了机械磨损,选择性降低了40%以上,选择性越低,对抛光图案晶片的侵蚀程度就越高,染色垫上较高的摩擦力导致铜的温度和蚀刻率升高,这可能是铜线凹陷和倾斜的原因,通过调节溶液的pH值,可以控制溶液中粒子与表面之间的相互作用力。下图...
发布时间: 2022 - 04 - 07
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要通过使用多级等离子体蚀刻实验设计、用于蚀刻后光致抗蚀剂去除的替代方法,以及开发自动蚀刻后遮盖物去除顺序;一种可再现的基板通孔处理方法被集成到大批量GaAs制造中。对于等离子体蚀刻部分,使用光学显微镜和扫描电子显微镜(SEM)来确定缺陷密度和通孔尺寸。使用光学显微镜、SEM和俄歇电子能谱(AES)完成对蚀刻后去除的分析。通过一系列评估,来自通用化学公司的化学物质被确定为能有效地同时去除光刻胶掩模和蚀刻残留物。开发的最终工艺产生了具有大约80度的单斜面侧壁轮廓的穿过衬底的通孔,该通孔清除了蚀刻后的掩膜材料。 介绍背面砷化镓(GaAs)通过基板的加工是一个高度机械化、非自动化的过程,需要大量的操作员干预。1制造商一直在努力使这一过程更具可制造性、稳健性和成本效益。衬底通孔制造包括将晶片安装到支撑衬底(图1)、机械和化学晶片减薄、光刻、等离子体蚀刻、光致抗蚀剂去除、蚀刻后残留物去除、金属化,以及最后将晶片从其支撑衬底上拆下。虽然每一个都是独立的过程,但它们确实相互影响。综上所述,成功的过孔的生产需要考虑整个背面工艺的材料和条件。通过等离子体蚀刻在GaAs上形成穿过衬底的通孔已经有一段时间了,2但是最近被重新评估以减少草的形成,并减少后蚀刻残留物(面纱)。3,4,5草状物和面纱会产生不良缺陷,影响导电性和可靠性。这项工作的目的是改善通孔剖面,...
发布时间: 2022 - 04 - 06
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言其具有永久处于压板向下位置或者可从压板向上位置转移到压板向下位置的压板。晶片定位在台板上,以便不接触台板,并在台板和晶片之间提供间隙。该间隙可以通过将压板定位在压板向下的位置来产生。等离子体流入该间隙,从而能够同时从晶片正面、背面和边缘去除材料。该设备可以包括其中具有间隙的单个处理站,或者该设备可以包括多个处理站,每个处理站能够在其中形成间隙,用于同时从晶片前侧、后侧和边缘去除额外的材料。 图5在电子元件制造过程中,通常在半导体处理室内将材料层或特征沉积到半导体晶片上。虽然大多数化学副产物和未使用的试剂通过排气泵从腔室中排出,但是一些残留物不可避免地沉积在腔室壁和腔室内的其他表面上,包括被处理晶片本身的正面和背面。然后,必须去除半导体处理室上的任何不期望的残留物,以防止残留物剥落并污染正在制造的电子器件。还必须去除半导体晶片正面和背面上的不期望的残留物,以防止在随后的半导体处理步骤中从晶片上剥离这种材料,这将最终污染半导体处理室和设备,并进而污染晶片。半导体晶片背面污染是在许多不同的半导体集成电路制造步骤中产生的,例如与晶片处理/加工设备接触。例如,诸如末端执行器、晶片卡盘和晶片存储设备的机器人部件导致不同种类的颗粒附着到晶片背面。此外,用于晶片正面处理的各种化学工艺会影响晶片的背面。例如,在光刻过程中,光致抗蚀剂聚合物的残留物可能...
发布时间: 2022 - 04 - 06
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言本文介绍了一种蚀刻后残留物清洗配方,该配方基于平衡氢氟酸的腐蚀性及其众所周知的残留物去除特性。在最初由基于高k电介质的残留物提供的清洁挑战所激发的一系列研究中,开发了一种配方平台,其成功地清洁了由氧化钽和类似材料的等离子体图案化产生的残留物,同时保持了金属和电介质的兼容性。这进一步表明,这种溶液的基本优点可以扩展到其它更传统的蚀刻后残留物的清洗,而不牺牲相容性,如通过对覆盖膜的测量和通过SEM数据所证明的。  介绍自从用于半导体互连的等离子体图案化出现以来,用于等离子体蚀刻后残留物(PER)的清除的配方类型已经有了显著的发展。在等离子蚀刻变得突出之前,半导体工业中的湿法化学工艺主要局限于光刻胶剥离、湿法蚀刻和标准清洗。等离子体产生的残留物的出现(主要)是基于铝、钨和氧化硅的图案化,因此有必要创造新类别的清洁材料,其中一些来自溶剂和蚀刻剂,另一些基于全新的反应化学,例如基于羟胺的清洁化学,以及其他高度工程化的配方混合物。类似地,受产品性能需求的驱动,半导体行业在其产品中采用了越来越多的材料。因此,在半导体制造过程中需要清洗的PER的种类随着时间的推移而增加,但在过去的一二十年中增长最快。没有改变的是对PER清洗化学物质的一系列要求,简单来说就是在经常出现敏感的金属和电介质材料的情况下去除不需要的残留物。这种去除需要在适中的温度下快速完...
发布时间: 2022 - 04 - 02
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料这次,我们来解说一下这样的硅片制造工艺和需求高涨的理由。 什么是硅片硅片是半导体的材料基板(基板)。正如其名,是由硅制成的零件,其特征是呈薄圆盘状。 表面为镜面加工,彻底排除了微细的凹凸和微粒。在半导体的初期阶段的制造中,半导体制造商使用半导体制造装置,通过在硅片内部形成微细的电路来制造半导体芯片。 清洗硅片清洗半导体材料硅片的工序。半导体工序中也进行清洗是因为,即使一点点硅片上有污渍,电路也会产生缺陷。该工序去除以下种类的污渍。·从包装中取出或从工厂外部空气附着的粒子·工厂使用的药液中含有的微量重金属原子和碳分子等·人的头屑和污垢中含有的碳、汗中含有的油脂等成膜成膜是制作在硅片上形成电路所需的材料层的工序。电路的原材料是氧化硅和铝,在硅片上形成作为布线和晶体管等的薄膜层。成膜工序大致有三种方法:·溅射法:将离子碰撞铝块,剥离铝原子,堆积在硅片上形成层·CVD法:在晶片上形成由气体化学反应生成的分子层·热氧化:加热硅片形成氧化硅膜成膜后,通过刷子、纯水、纳米喷雾等物理清洗除去微细粒子。 抗蚀剂涂层将光致抗蚀剂(感光剂)涂布在硅片表面的工序。利用使硅片旋转的离心力,形成均匀的抗蚀剂膜。 通过感光材料的涂布,可以对光做出反应,烙上电路图案。其特征还在于,根据照射...
发布时间: 2022 - 04 - 02
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言生长亲水氧化层的硅晶片的预处理工艺包括使晶片与预清洗SC-1浴接触的初始步骤,从而产生高度无颗粒的硅晶片表面。在去离子水冲洗之后,用含水的含有氢氟酸和盐酸的溶液,用于去除晶片表面的含金属氧化物。为了生长亲水氧化层,使用SC-2浴(含有过氧化氢和稀释浓度的金属擦洗HCl)。在硅晶片表面上生成的亲水性李思氧化层使用组合的SC-1 HF/HCL SC-2晶片清洗工艺具有不大于1x10 '的金属浓度。基于SC-2的预处理晶片清洗工艺这是一种在热处理之前清洗硅晶片的新的改进方法,以便使影响少数载流子复合寿命的微粒、有机物和金属污染物的存在最小化。铸锭成晶片,然后研磨、蚀刻和抛光15晶片。基于电路器件制造商所需的规格,硅晶片也可以经受热处理,例如但不限于氧供体湮灭退火、控制氧沉淀的热处理、低温化学气相沉积(CVD)氧化、外延沉积和多晶硅沉积。在这种热处理过程中,硅晶片通常暴露在至少约25℃的温度下持续至少约一秒钟。硅晶体材料,在那里它们可以降解大块硅少数载流子复合寿命。理想情况下,硅晶片在进行热处理时应该是无金属的。在许多应用中,硅35也是优选的要进行热处理的晶片由亲水氧化硅层钝化。不幸的是,与生长氧化硅亲水表面层的常规工艺相关的许多限制使得在小于1×10″结果,在热处理之前,硅晶片的表面氧化层通常被剥离。不幸的是,在热处理之前剥离这种...
发布时间: 2022 - 04 - 01
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