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湿法制程整体解决方案提供商

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发布时间: 2016 - 03 - 10
太阳能硅片制绒腐蚀清洗机-CSE在光伏发电领域,由于多晶硅电池片成本较低,其 市 场 占有率已跃居首位,但相对于单晶硅电池片而言仍存在着反 射率较高、电池效率不足的缺陷。为缩小多晶硅太阳能电池 片与单晶硅太阳能电池片之间的差距,采用织构化多晶硅表 面的方法提高多晶硅片吸光能力是一条行之有效的途径。目前,多晶硅表面织构化的方法主要有机械刻槽、激光刻槽、反应离子体蚀刻、酸腐蚀制绒等,其中各 向同性酸腐制绒技术的工艺简单,可以较容易地整合到多晶 硅太阳能电池的生产工序中,同时成 本 最 低,因 而 在 大 规 模 的工业生产中得到了广泛的应用。更多的太阳能硅片制绒腐蚀清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 12 - 05
花篮/片盒清洗机-华林科纳CSE 完美适应当前所有型号的花篮和片盒、传输片盒、前端开口片盒(Foup片盒)的清洗和干燥系统优点装载晶圆直径至200mm的花篮和片盒—或不同晶圆尺寸的花篮和片盒,同时可装载晶圆直径至300mm的前端开口片盒(Foup片盒)三种设备尺寸满足客户特殊需求 CleanStep I – 用于4组花篮和片盒加载和清洗能力:每次4组花篮和片盒清洗产能:每小时12组花篮和片盒 CleanStep II – 用于8组花篮和片盒加载和清洗能力:每次8组花篮和片盒清洗产能:每小时24组花篮和片盒 CleanStep III – 用于6组前端开口片盒(Foup)加载和清洗能力:每次6组前端开口片盒(Foup片盒)清洗产能:每小时18组前端开口片盒(Foup片盒) 适用于晶圆直径至200mm的花篮和片盒的标准旋转笼(Cleanstep I/II) 适用于所有片盒一次清洗过程 或是同时4组花篮和片盒,或是12个花篮(Cleanstep I/II) 简单快捷的对不同尺寸的片盒和花篮进行切换 旋转笼内的可旋转载体方便加载或卸载花篮和片盒 通过控制系统对自锁装置的检测,达到安全加载片盒和花篮,及其运行特征和优点可应用不同化学品(稀释剂)来清洗 泵传输清洗液 计量调整可通过软件设置控制操作热水喷淋装置 热水一般由厂务供应 — 标准化 或有一个体积约100升的热水预备槽(循环泵和加热棒用于热水预备槽—选项) 笼子 带有可变速旋转的控制的高扭矩伺服电机(按照加载量和设备配置,最大旋转速度200rpm,) 旋转的不锈钢笼子 会自动停止工作(运行过程中出现失衡状态时)热空气干燥 顶端吹下热空气 采用根据设备待机和工艺运行模式的可调风量的风扇装置 不锈钢架上装有加热器,可以温度控制 软件监控温度 带有反压控制的高效过滤器辅助功能和操作控制 触摸屏安装在前面—标准化 也...
发布时间: 2016 - 03 - 07
RCA湿法腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备设 备 名  称华林科纳(江苏)CSE-RCA湿法腐蚀清洗机使 用 对 象硅晶片2-12inch适 用 领  域半导体、太阳能、液晶、MEMS等设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备主体构造特点1. 设备包括:设备主体、电气控制部分、化学工艺槽、纯水清洗槽等;并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等。2.设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中3.主体:设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中;4.骨 架:钢骨架+PP德国劳施领板组合而成,防止外壳锈蚀。5.储物区:位于工作台面左侧,约280mm宽,储物区地板有漏液孔和底部支撑;6.安全门:前侧下开透明安全门,脚踏控制;7.工艺槽:模组化设计,腐蚀槽、纯水冲洗槽放置在一个统一的承漏底盘中。底盘采用满焊接工艺加工而成,杜绝机台的渗漏危险;8.管路系统:位于设备下部,所有工艺槽、管路、阀门部分均有清晰的标签注明;药液管路采用PFA管,纯水管路采用白色NPP喷淋管,化学腐蚀槽废液、冲洗废水通过专用管道排放;9.电气保护:电器控制、气路控制和工艺槽控制部份在机台顶部电控区,电气元件有充分的防护以免酸雾腐蚀以保障设备性能运行稳定可靠;所有可能与酸雾接...
发布时间: 2020 - 04 - 21
抛光液供液系统//抛光液供酸系统//抛光液供液设备//抛光液供酸设备设备功能1.提供抛光液和表面活性剂供应缓存桶,从而保证设备工艺流量稳定;2.提供温度,PH值控制,以满足抛光设备的工艺需求;3.满足stock slurry循环使用需求;特点:1.所有Tank箱体采用SUS304框架+米黄PVC 保管,需配置排气,排液,排漏以及漏液检测报警。2.Tank材质采用NPP或PVDF以上,管道使用PFA,选用材料对slurry无颗粒和金属污染(包括Pump内部与Slurry接触部分);3.Stock slurry tank配置chiller(指定ORION CHILLER)和heater,4.Tank内的 Slurry 以及Surfactant处于常时循环状态, 供应设备管路末端有压力表;5.为检测Tank内 Slurry 以及Surfactant的容量(Level), 配置***个**液位传感器;6.所有Tank配置水枪,同时slurry桶上部能开启,以方便冲洗Tank。7.所有的 Tank内要配置温度和PH sensor,同时需要将数据同步传送给设备主机;8.Tank使用控制面板进行显示和操作控制。 供液泵使用磁力泵或磁浮泵,满足现场实际扬程,流量等能力需求。9. 每个tank外部供应管路配置有自动配送阀并由设备自我控制。更多抛光液供液系统//抛光液供酸系统//抛光液供液设备//抛光液供酸设备可以关注华林科纳(江苏)半导体设备有限公司官网www.hlkncse.com,热线0513-87733829
发布时间: 2017 - 12 - 19
片盒清洗机-华林科纳CSE 设备概况:主要功能:本设备主要手动/自动搬运方式,通过对片盒化学液体浸泡、冲洗、漂洗、鼓泡、快排等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:片盒清洗机设备型号:CSE-SC-N259整机尺寸(参考):约1700mm(L)×1400mm(W)×2000mm(H);(该设备非标定制)操作形式:手动 设备组成该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成 设备描述此装置是一个手动的处理设备;设备前上方有各阀门、工艺流程的控制按钮、指示灯、触摸屏(PROFACE/OMRON)、音乐盒等,操作方便;主体材料:德国进口 10mmPP 板,优质不锈钢骨架,外包 3mmPP 板防腐;台面板为德国 10mm PP 板;DIW 管路及构件采用日本进口 clean-PVC 管材,需满足 18MW去离子水水质要求;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明安全考虑:1. 设有 EMO(急停装置)2. 强电弱点隔离3. 所有电磁阀均高于工作槽体工作液面4. 设备排风口加负压检测表5. 设备三层防漏 漏盘倾斜 漏液报警 设备整体置于防漏托盘内 更多的花篮和片盒清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096 18913575037可立即获取免费的片盒清洗机解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
自动供液系统(CDS)-华林科纳(江苏)CSEChemical Dispense System System 华林科纳(江苏)半导体CSE-CDS自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳(江苏)CSE-CDS自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在...
发布时间: 2016 - 06 - 13
设备名称:晶棒腐蚀机---CSE产品描述:        ●此设备自动化程度高,腐蚀清洗装置主要由水平通过式腐蚀清洗主体(槽体部分/管路部分等),移动机械传送装置,CDS系统,抽风系统,电控及操作台等部分组成;         ●进口优质透明PVC活动门(对开/推拉式),保证设备外部环境符合劳动保护的相关标准,以保证设备操作人员及其周围工作人员的身体健康;         ●机械臂定位精度高;         ●整体设备腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;         ●设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作.         ●非标设备,根据客户要求具体定制,欢迎详细咨询!更多半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
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发布时间: 2022 - 03 - 26
浏览次数:63
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料用半导体制造中的清洗过程中使用的酸和碱溶液研究了硅片表面的颗粒去除。在本文报道的研究中,基于颗粒吸附在晶片表面的机理,研究了去除吸附在水表面的颗粒的机理。在颗粒去除实验中,用湿法清洗工艺中使用的酸性和碱性溶液清洗了人工污染的单晶提拉法和FZ法晶片。已经证明,就颗粒去除效率而言,碱性溶液优于酸性溶液。据认为,由于碱性溶液中大多数颗粒的ζ电位为负,颗粒被晶片表面电排斥。除了从胶体化学的角度进行研究之外,我们认为检查由碱性溶液引起的晶片表面腐蚀也是很重要的。为此,研究了腐蚀速率和微粒去除效率之间的关系。使用直拉和FZ晶片。此外,用聚苯乙烯乳胶球代表有机物,研究了在NH,OH-H2O,-H2O溶液中的氧化过程,以找出氧化程度与颗粒物去除率之间的关系。结果,它已经被显示应该将NH4 H-HOOK-H2O溶液中的NH,OH含量降低到常规水平的1 /20,以优化颗粒去除效率。本文的剩余部分将描述实验性pro-的细节cess和结果。英寸CZ ( 1,0,0)晶片用于粒子吸附实验。自然氧化物首先在0。5 Y HF溶液。然后将晶片浸入各种接种有颗粒的溶液中10分钟,然后冲洗并干燥。在晶片表面形成自然氧化物后,在0.5的氢氟酸溶液中再次去除,然后清洗并干燥。五英寸锆石(1。0.0)和四英寸FZ ( 1,0,0)晶片用于清洗实验以研究颗粒去除。使用以下污染源对晶片进行人...
发布时间: 2022 - 03 - 26
浏览次数:42
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料宽带隙半导体具有许多特性,这些特性使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种重要材料的湿法腐蚀,即ZnO、GaN和SiC。虽然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的许多酸性溶液中以及在非酸性乙酰丙酮中容易被蚀刻,但是III族氮化物和SiC非常难以湿法蚀刻,并且通常使用干法蚀刻。已经研究了用于GaN和SiC的各种蚀刻剂,包括含水无机酸和碱溶液,以及熔融盐。湿法蚀刻对宽带隙半导体技术具有多种应用,包括缺陷装饰、通过产生特征凹坑或小丘来识别极性和多型体(对于SiC ),以及在光滑表面上制造器件。对于GaN和SiC,电化学蚀刻在室温下在某些情况下是成功的。此外,光辅助湿法蚀刻产生类似的速率,与晶体极性无关。 介绍宽带隙半导体GaN、SiC和ZnO对于许多新兴应用是有吸引力的。例如,AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)和单片微波集成电路(MMICs)的发展保证了高频操作。此外,GaN用于紫外波长光电器件。它具有高击穿电场,大于硅或GaAs的50倍,这允许它用于高功率电子应用。GaN的宽带隙允许其用于蓝色/紫外线发光二极管(led)和激光二极管(LD ),并且由于其低本征载流子浓度,允许其在非常高的温度下工作。高电子迁移率和饱和速度允许其用于高速电子学。此外,诸如AlGaN/GaN的异质结构允许制造诸如HEMTs的高...
发布时间: 2022 - 03 - 26
浏览次数:24
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料本文介绍了在半导体制造过程中进行的湿法蚀刻过程和使用的药液,在晶圆表面,为了形成LSI布线,现在几乎所有的半导体器件都使用干蚀刻方式,这是因为干法蚀刻与湿法蚀刻相比,各向异性较好,对于形成细微的布线是有利的。湿法蚀刻是对膜进行各向同性蚀刻,因此不利于形成精细的布线,能够使用的布线有限,在最上层的Al系布线中使用的情况,这是因为与干法蚀刻相比,可以用廉价的装置形成。另外,在形成接触孔和通孔孔时,为了改善其后成膜时的覆盖范围,有的情况是首先用BHF药液进行湿法蚀刻;另一方面,在现在的半导体器件制造工艺中,作为最多的使用目的,还是去除布线形成后不需要的膜。下面介绍半导体制造过程中的重要组成部分:清洗和使用药液,下列的表中。首先是粒子去除(清洗),通常使用的药液是氨和过氧化氢水的混合液,混合比例、液温、清洗时间等是各公司的专有技术,一般来说氨:过氧化氢:纯水=1:1-10:20-100,温度40-70℃,使用时间为30秒-4分钟。 下图中显示了粒子、金属杂质、有机杂质被清洗的机理的例子;在APM液中过氧化氢水的作用下,硅晶圆表面形成0.8 纳米左右的极薄氧化膜,使用臭氧水(臭氧浓度10 ppm左右,温度25℃以下)时,由于臭氧的作用,同样会形成0.8 纳米左右的极薄氧化膜,并且,APM液中的氨具有蚀刻去除形成的氧化膜的作用,在去除氧化膜的同时,...
发布时间: 2022 - 03 - 25
浏览次数:89
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料GaAs晶圆拥有强大的性能特性,使其成为快速发展的技术世界的理想选择,这些半导体正在推动移动通信的未来,所以移动设备需要足够坚固的半导体来承受快速的电子传输速度,但由于电子移动速度加快,所以GaAs晶圆为移动设备开启了改进的功能。   5G是什么?5G代表了所有蜂窝网络的第五代标准技术,是一个非常强大的宽带蜂窝网络,远远超过4G网络的速度。  了解GaAs晶圆GaAs,或砷化镓,是一种由元素镓和砷组成的半导体,砷化镓的用途很少,因为缺乏要求这种特殊半导体特性的先进技术,但鉴于现代技术的需求,所以GaAs经历了复苏。  为什么是GaAs而不是硅?尽管硅被认为是半导体的标准材料,但GaAs晶圆提供的电子特性更适合5G移动设备。那么,在5G网络方面,GaAs和硅相比究竟如何?GaAs和硅在5G网络方面,GaAs的电子移动速度比硅快得多; 与GaAs不同,硅不耐辐射; 而且GaAs可以在微波频率下工作。GaAs与5G的关系对于运行在5G上的移动设备来说,它需要一个可以完全支持信号速度的晶片。  GaAs晶片被广泛认为是集成电路的未来,当我们考虑到这些半导体的市场份额及其增长速度时,这一事实变得非常明显,如果我们只看GaAs威化,市场预计将增加超过目前38亿美元净值的五倍。5G与4G4G...
发布时间: 2022 - 03 - 25
浏览次数:23
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料湿法晶片清洗虽然听起来可能没有极紫外(EUV)光刻那么性感,但对于确保成功的前沿节点、先进半导体器件制造,湿法晶片清洗技术可能比EUV更重要,这是因为器件的可靠性和最终产品的产量都与晶片的清洁度直接相关,因为晶片要经过数百个图案化、蚀刻、沉积和互连工艺步骤。晶片上的单个颗粒就足以造成致命的缺陷或偏移,最终导致器件故障,当今最先进的节点设备用于智能汽车、医疗保健和工业应用等关键应用。因此,器件可靠性比以往任何时候都更加重要。这意味着更严格的设备分类和宁滨,从而影响产量。不幸的是,许多传统的晶片清洗方法不仅不足以用于先进的节点技术,它们还会对finFETs和硅通孔等精密结构造成损坏。所以选择正确的湿法晶片清洗技术不应该是事后才想到的,而是应该作为稳健制造工艺流程的一部分仔细考虑。考虑到这一点,让我们看看湿法晶片清洗技术是如何从一门艺术发展成为一门科学的,以及湿法晶片清洗技术是如何专门针对先进技术节点的需求而开发的。有几个清洗步骤? 45纳米节点技术需要大约150-200个单独的清洗工艺步骤。10纳米节点处理使用了3倍于此的数量,大约800个清洗过程步骤,包括:光致抗蚀剂条、蚀刻后剥离、植入带、常规晶圆清洗、用于多重图案化和EUV的背面清洗、缩小技术节点需要双重、三重甚至四重图案化光刻工艺。这给整个工艺流程增加了数百个额外的步骤,包括额外的清洗步骤,虽...
发布时间: 2022 - 03 - 24
浏览次数:29
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料过氧化氢被认为是半导体工业的关键化学品。半导体材料的制备和印刷电路板的制造使用过氧化氢水溶液来清洗硅晶片、去除光刻胶或蚀刻印刷电路板上的铜。用于硅晶片表面清洗的最常用的清洗浴(S(1,S(2或SPM)在其配方中包括过氧化氢。所述浴从硅表面去除颗粒、有机和金属污染物,避免了由污染引起的电不可操作性和少数载流子寿命的降低。为了避免因镀液本身造成的污染,所有成分都需要极高的纯度,因此必须严格控制这些化学物质中的杂质浓度。半导体设备和材料国际(SEMI)组织是一个全球性的行业协会,为微电子、显示和光伏产业的制造供应链提供服务。该组织促进该领域全球最受尊重的技术标准的发展。在所有受管制的主题中,有些涉及工艺化学品,并指出要被接受为电子化学品。对于过氧化氢的特殊情况,SEMI (30文件是适用的[3],其中六个不同的电子等级被定义为允许的最大污染物浓度的函数,如表1所示。尽管通常商业化等级的过氧化氢水溶液已经通过传统的纯化技术(L-L萃取、吸附、膜技术、蒸馏...)为了降低杂质水平[4],用于电子设备的过氧化氢要求污染物含量非常低。因此,需要超纯工艺从标准级产品中达到电子级要求。虽然过氧化氢超纯化的技术可行性已经很好地解决了,因为不同电子等级的商业化已经证明了这一点,但是还找不到提示工艺基础的科学论文。因此,专利成为唯一可用的书目来源。作为过去二十年文献综述...
发布时间: 2022 - 03 - 24
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扫码添加微信,获取相关半导体资料引言本文描述了用于III族氮化物半导体的选择性侧壁外延的具有平面侧壁刻面的硅微米和纳米鳍的形成。通过湿法蚀刻取向的硅晶片生产鳍片。使用等离子体增强化学气相沉积来沉积二氧化硅,以产生硬掩模。二氧化硅通过分别用于微米和纳米鳍的光和电子束光刻形成图案,随后在氢氟酸中进行湿法蚀刻。使用用异丙醇(IPA)稀释的四甲基氢氧化铵(TMAH)以及具有表面活性剂(Triton-X-100)的硅掺杂TMAH/IPA溶液进行湿法蚀刻以产生硅鳍。使用原子力显微镜和扫描电子显微镜来确定形貌,包括鳍之间区域的表面粗糙度和硅的蚀刻速率。 介绍硅蚀刻在图案从光掩模转移到衬底之后,下一步是蚀刻衬底,以获得与抗蚀剂上完全相同的图案。硅蚀刻有两种分类标准。一种是基于蚀刻形状;另一种是基于蚀刻技术。蚀刻后的硅的形状可以是圆形的,也可以是尖角形的,分别称为各向同性蚀刻和各向同性蚀刻。对于IC制造,最常用的蚀刻技术包括湿法蚀刻、等离子体蚀刻和反应离子蚀刻,其中大多数可用于硅蚀刻。 各向异性蚀刻和各向同性蚀刻各向同性蚀刻是一种非定向移除部分基板的蚀刻方法(图2.1 (a)),从而产生圆角。相反,各向异性蚀刻意味着每个晶体取向具有不同的蚀刻速率,因此拐角是尖锐的(图2.1 (b)、(c))。(100)取向硅的各向异性蚀刻形状是底角为54.74°的等腰形状(图2.1 (...
发布时间: 2022 - 03 - 23
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发布时间: 2022 - 03 - 23
浏览次数:132
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料半导体制造业面临的最大挑战之一是硅的表面污染薄片。最常见的是,硅晶片仅仅因为暴露在空气中而被污染,空气中含有高度的有机颗粒污染物。由于强大的静电力,这些污染物牢固地结合在硅晶片表面,给半导体制造行业带来了许多令人头痛的问题。为了正常工作,硅晶片必须完全没有任何污染物。然而,去除这些污染物并不是最简单的任务,因为硅晶片非常易碎。因此,半导体制造企业必须坚持精心制定的清洁计划,确保晶圆表面恢复到清洁状态,同时保持最小的损坏风险。为了最有效地清洗硅片,硅酮制造商推荐以下清洗步骤:第一步:溶剂清洗半导体制造企业使用溶剂成功去除硅片表面的油和有机残留物。虽然溶剂确实能去除这些污染物,但溶剂本身也会在晶片表面留下残留物。由于这个原因,实施了双溶剂方法以确保晶片回到无污染状态。溶剂清洗方法概述如下:·准备两个浴槽,一个玻璃容器装有丙酮,另一个装有甲醇。·将丙酮容器放在加热板上,将丙酮加热至不超过55°c的温度。·一旦变暖,将硅片浸泡在丙酮浴中10分钟。·丙酮浴完成后,取出硅片并将其放入甲醇容器中5分钟。·时间一到,将晶片从甲醇中取出,在去离子水中冲洗。·用氮气吹干硅片。 第二步:清洁RCA-1通过混合5份去离子水和1份氢氧化铵(27%)开始准备RCA槽。将RCA容器放在加热板上,将...
发布时间: 2022 - 03 - 22
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