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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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半导体龙头大厂台积电投资逾新台币6,000亿元的3纳米厂确定落脚南科台南园区,台湾地区环保署环评专案小组昨(15)日审查南科管理局提出的环差案,台积电挂水电双保证,承诺未来20%使用绿电、每日使用再生水7.3万吨,环评小组因此一次过关,这是近年来重大开发案中少见现象,估最快2022年底或2023年初量产。半导体龙头台积电(配图来源于网络)  南科管理局长林威呈昨亲自出席说明这项重大环差案。他表示,环差案过关之后,一定会让环境保护与产业发展兼顾,台积电此案将提供超过5,000个就业机会,有利当地发展。    林威呈强调,在程序上,还要经过环评大会同意,才算完整环评程序,在环差案中,包括用水、用电、排放污水等,南科都有给出承诺,接下来在工程部分,前端的生产资源、末端的废弃物及污水处理,也将与台电、台水等权责公司一同商讨。    台积电3纳米厂最快2022年量产,环差初审一次过关0    台积电资深厂务处长庄子寿表示,台积电3纳米总投资预估至少新台币6,000亿元,如果环评案可以顺利通过,预计2020年可以建厂,2021年开始安装,预估18个月的认证,希望2022年底、2023年初开始量产。此时程是否会太晚、会不会担心竞争对手韩国三星与美国英特尔追赶?庄子寿很有信心地笑说:“我们没有在怕!”    台积电挂出水电双保证,庄子寿指出,一直以来,台积电相当支持政府绿能政策,也是重承诺的公司,...
发布时间: 2018 - 08 - 20
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7月9日上午,绵阳市政府与诺思(天津)微系统有限公司签署战略合作协议:诺思(绵阳)微系统基地项目落户绵阳,总投资128亿元,年产不低于100亿颗FBAR滤波器芯片。四川省副省长彭宇行、天津大学党委书记李家俊出席签约仪式。诺思(绵阳)微系统基地项目位于绵阳市游仙区,主要生产FBAR滤波器芯片,分两期投资建设。项目全面投产后,年产不低于100亿颗FBAR滤波器芯片,预计实现年产值约150亿元,直接带动就业3000人。据介绍,滤波器作为无线通讯中的核心器件,到2020年市场规模将达千亿元级别。作为全省重要的电子信息产业基地,近年来绵阳陆续引入一批总投资超百亿元的电子信息项目,如投资465亿元的京东方绵阳第6代AMOLED(柔性)生产线、投资240亿元的惠科第8.6代薄膜晶体管液晶显示器项目。随着诺思(绵阳)微系统基地项目的投资建设,将实现绵阳集成电路产业的新突破,也将进一步完善绵阳电子信息产业链,形成以终端产品关键显示器件及集成电路为核心的完整产业生态。 (出自四川日报)更多半导体太阳能集成电路行业信息新闻可以关注 南通华林科纳半导体设备公司 www.hlkncse.com 18913575037
发布时间: 2018 - 07 - 11
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7月9日下午,市委书记朱立凡督查高新区中科院张家港纳米产业园项目,现场查看了产业园建设推进情况,并对下阶段建设提出意见。经开区党工委副书记、管委会副主任、高新区党工委副书记、管委会主任、杨舍镇党委书记卢懂平介绍了高新区项目建设的总体情况,高新区党工委委员、科技招商局局长黄晓东汇报了纳米产业园项目建设的具体进度。中科院张家港纳米产业园项目作为我市今年六个“省重大、苏州市重点项目”之一,自今年3月份破土动工以来,工程建设一方面确保建设质量,一方面紧抓建设进度,目前工程建设按期进行,主体建筑即将封顶。预计明年7月份,投入使用。该项目建成后,将成为全市化合物半导体人才的集聚地,预期可集聚半导体专业技术人才800余名;成为全市化合物半导体和集成电路企业的孵化器,预期可孵化化合物半导体、集成电路等领域的创新型企业50家;成为我市乃至长三角地区化合物半导体和集成电路企业的高水平联合研发公共服务平台、国内具有知名影响力的化合物半导体和集成电路领域的一流研发机构和产业园区,是张家港高新区着力打造全球领先的化合物半导体协同创新平台的核心单元,是高新区打造“化合物半导体世界之都”的重要组成,是引领我市半导体产业发展的重要引擎。(出自: 张家港高新技术产业开发区)更多半导体行业新闻可以关注南通华林科纳半导体设备公司www.hlkncse.com
发布时间: 2018 - 07 - 09
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注册资本5亿元,总投资不少于20亿元——随着二级子公司中电国基南方集团有限公司的揭牌,中国电子科技集团的产业进一步融入南京地方经济发展。26日,55所所长高涛透露,当前中电国基南方集团有限公司正加速在江宁开发区布局一个产业园、一个创新中心。中电国基南方集团有限公司是中国电科的全资子公司,以中国电科55所为主体组建。根据计划,中电国基南方集团有限公司将在江宁开发区打造射频集成电路产业园。产业园依托军工技术优势和现有产业基础,布局射频集成电路设计、制造、封测等产业链关键环节,在5G移动通信等领域实现国产化自主保障,并形成产业集群效应。目前,射频集成电路产业化项目已经作为中国电科第一批产融结合项目获得立项,并被南京市列为重大项目。另一个项目是射频微系统创新中心。微系统作为后摩尔时代的关键技术方向,将牵引新型军事装备和民用信息系统的换代演进,射频微系统作为一个新的产业方向,是中国企业对国外主流企业实现“弯道超车”的良好机遇。目前,55所结合技改项目已投入约7亿元建设射频微系统研发平台,并将与国际知名研发机构等深化合作。高涛说:“上个月55所与南京市秦淮区合作共建的‘中电芯谷’军民融合科技创新园区和新型研发机构已正式签约,以此为基础,中电国基南方子集团将依托‘中电芯谷’建设高频核心元器件的原始创新基地,增强行业影响力和带动力,形成产业集聚效应。”中国电科是军工电子国家队、国家信息化建设主力军...
发布时间: 2018 - 07 - 02
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在半导体芯片市场上,英特尔以往最大的筹码就是制程技术领先对手,但是,2018年开始将大不相同。因为英特尔10纳米制程的难产,到现在仍在使用14纳米制程,这给了竞争对手一个好的追赶机会。因为有外媒报导,AMD的7纳米制程芯片2018年就会出货,正式超车英特尔。根据《富比士》杂志的最新专文报导,内文提到了AMD、英特尔在新制程处理器上的进展。其中,晶圆代工龙头台积电已经决定增加7纳米制程的产能,用以协助AMD不仅生产GPU芯片,还包括7纳米的CPU芯片,特别是Zen 2架构的新一代EPYC服务器芯片。AMD的EPYC处理器已经在资料中心、单处理器服务器的市场上崭露头角,这部分业务本来是英特尔所寡占的市场。不过,AMD在某些情况下,因为可以提供更佳的效率,以及更好性能的情况下,使得AMD的EPYC服务器芯片已经在某些OEM厂商中脱颖而出。例如DELL-EMC、HP Enterprise及其他公司的产品上。预料,未来7纳米制程的Zen 2架构的EPYC服务器处理器将会继续扩展AMD的优势,以提供市场更高的性能、更多的核心数,以及更高的效率的解决方案。另外,在消费型的市场上,AMD也有显着的核心数量优势。例如,近期在高端市场上最近推出了第2代Ryzen Threadripper处理器,其12纳米制程的Zen+核心数多达32个,硬是比相同等级的英特尔28核心处理器要多,同时相容于现有的X399...
发布时间: 2018 - 06 - 29
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6月23日,英诺赛科宽禁带半导体项目在苏州市吴江区举行开工仪式。据悉,该项目总投资60亿,占地368亩,建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台,填补我国高端半导体器件的产业空白。据介绍,英诺赛科由海归创业团队创立,专注于宽禁带半导体技术研发与产业化的高科技企业,掌握多项核心专利技术。2017年年底,英诺赛科在珠海成功建设完成了我国首条八英寸硅基氮化镓量产线,实现了历史性的突破,填补了我国在这一领域的空白。开工仪式上,吴江区副区长、汾湖高新区党工委副书记、管委会主任吴琦表示,英诺赛科苏州半导体项目的建设,将有助于相关上下游企业向吴江集聚靠拢,形成产业集群效应,将汾湖高新区打造成为一个世界级的先进半导体研发与生产中心。吴江将积极支持英诺赛科宽禁带半导体项目的建设,并为海归创业人士创造有利的政策环境,共同推进高端芯片的国产化。英诺赛科CEO孙在亨表示,目前,在氮化镓的电子电力器件及射频器件,尤其是硅基氮化镓领域,我国还未能实现国产化。该项目的落地,就是要打破这样的局面、填补我国高端半导体器件的产业空白。同时,该项目也是该领域全球首个大型量产基地,单月满产可达6-8万片,为5G移动通信、新能源汽车、高速列车、电子信息、航空航天、能源互联网等产业的自主创新发展和其他转型升级行业提供先进、高效、节能和低成本的核心电子元器件。(...
发布时间: 2018 - 06 - 23
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欧系外资表示,8英寸晶圆供不应求的状况预计在2019年缓解,二级晶圆代工厂明后年面临的挑战将更严峻。欧系外资出具研究报告表示,联电日前在股东会宣布计划调涨8英寸晶圆价格,以反映成本增加,推估将挹注联电今年获利约5%到10%。然而,欧系外资认为,联电、中芯等二级晶圆代工厂明后年将面临更多挑战,包括55纳米、40纳米及28纳米制程的平均售价和毛利率下滑,原因在于晶圆代工厂龙头台积电的55纳米、40纳米制程更具竞争力,加上二级晶圆代工厂的28纳米制程客户规模缩减和产品组合恶化恐侵蚀获利。欧系外资预期,8英寸晶圆供不应求的状况将在2019年缓解,原因是2019年、2020年将有更多指纹识别感应器和电源管理芯片从8英寸晶圆改采12英寸晶圆,以获得更好的功耗及更小的芯片尺英寸;若晶圆代工厂今年调涨8英寸晶圆价格,等到明年8英寸晶圆供给吃紧问题缓解后,将需要降价求售。 (出自:台湾经济日报)更多半导体行业新闻可以关注南通华林科纳半导体设备公司www.hlkncse.com
发布时间: 2018 - 06 - 20
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在6月15日于上海召开的“聚焦高端芯片、形成自主可控的产业集群”高峰论坛上,上海集成电路产业投资基金董事长沈伟国在致辞中表示,上海集成电路产业投资基金将发挥资本的力量,加快促进汽车芯片、智能移动芯片、物联网芯片、AI储存器芯片、安全芯片、以及智能储存器芯片等高端芯片的研发和生产。沈伟国认为,未来,集成电路将以技术为导向发展,制程越来越先进,集成度越来越高;同时也必将越来越围绕新兴产业的应用发展,比如围绕支持5G、汽车电子、物联网等发展,引领和带动相关产业快速发展。沈伟国介绍,上海市集成电路产业投资基金已经完成签约金额超过200亿元的投资;未来,基金将有效对标国内外高端芯片发展现状,加快推进上海高端芯片的本土化进程。资料显示,上海市集成电路产业投资基金总额500亿元,分为100亿元的装备材料基金、100亿元的设计基金、300亿元的制造基金。(出自:中国证券网)
发布时间: 2018 - 06 - 19
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高考结束后,下一道考题就是该如何选择专业。2018年最新公布的年度专业备案和审批结果显示,大数据和人工智能成为增长最多的热门专业,集成电路产业相关的专业也稍有增加。中兴事件以后,加快发展集成电路产业成为举国共识。工信部发布的白皮书提到,目前需要70万人投入到该产业中来,人才不足导致我国集成电路产业自主创新缓慢。在此背景下,集成电路相关的微电子等专业招生会迎来哪些新变化?21世纪经济报道记者从部分高校获悉,近年在陆续增加相关专业招生,有的学校还在大幅扩招。行业人才稀缺需扩招今年3月发布的《2017年度普通高等学校本科专业备案和审批结果的通知》显示,本次共新增专业2311个,涉及135所高校。在新增备案本科专业中,有250所高校新增“数据科学与大数据技术”专业;18所高校新增网络空间安全专业,60所高校获批机器人工程专业。21世纪经济报道记者梳理发现,有6所高校增加了微电子工程专业,其中包括同济大学、哈尔滨工业大学、河南理工大学、湖南理工学院、河南师范大学、重庆邮电大学移通学院。虽然微电子专业的热度无法跟大数据、人工智能和网络安全等行业比较,不过也算有所增加。东南大学教授丁博胜透露,该校微电子学院的工学博士名额已经从之前的20名左右扩招到了最近的180多名。一位准备报考东南大学博士的行业从业者也表示,目前集成电路相关专业的博士名额增加了很多。作为首批国家集成电路人才培养基地之一的东南大...
发布时间: 2018 - 06 - 13
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近日,中国科学院大学微电子学院与中芯国际集成电路制造有限公司在产学研合作中取得新进展,成功在光刻工艺模块中建立了极坐标系下规避显影缺陷的物理模型。通过该模型可有效减小浸没式光刻中的显影缺陷,帮助缩短显影研发周期,节省研发成本,为确定不同条件下最优工艺参数提供建议。该成果已在国际光刻领域期刊Journal of Micro-Nanolithography MEMS and MOEMS发表。超大规模集成电路先进光刻工艺中,图案尺寸越来越小、密度越来越高,显影后的残留缺陷对图案化的衬底表面越来越粘,如何有效去除显影缺陷一直是业界探讨的热点问题之一,国际上对此也尚未存在完备的解决方案。利用校企合作的平台,国科大微电子学院马玲同学通过向校内、企业导师的不断请教和讨论,结合同中芯国际光刻研发团队的密切协作,成功建立一种基于粘滞流体力学的显影缺陷物理模型,可以探究单硅片上显影过程中出现的各种物理极限以及针对不同规格缺陷的去除解决方案,为解决这一难题开辟了全新的道路。同时,这一模型的提出还有助于完善国产装备中匀胶显影机的相关算法。(出自:中国科学院微电子研究所)更多半导体行业新闻可以关注南通华林科纳半导体设备公司www.hlkncse.com
发布时间: 2018 - 06 - 08
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