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发布时间: 2016 - 12 - 05
花篮/片盒清洗机-华林科纳CSE 完美适应当前所有型号的花篮和片盒、传输片盒、前端开口片盒(Foup片盒)的清洗和干燥系统优点装载晶圆直径至200mm的花篮和片盒—或不同晶圆尺寸的花篮和片盒,同时可装载晶圆直径至300mm的前端开口片盒(Foup片盒)三种设备尺寸满足客户特殊需求 CleanStep I – 用于4组花篮和片盒加载和清洗能力:每次4组花篮和片盒清洗产能:每小时12组花篮和片盒 CleanStep II – 用于8组花篮和片盒加载和清洗能力:每次8组花篮和片盒清洗产能:每小时24组花篮和片盒 CleanStep III – 用于6组前端开口片盒(Foup)加载和清洗能力:每次6组前端开口片盒(Foup片盒)清洗产能:每小时18组前端开口片盒(Foup片盒) 适用于晶圆直径至200mm的花篮和片盒的标准旋转笼(Cleanstep I/II) 适用于所有片盒一次清洗过程 或是同时4组花篮和片盒,或是12个花篮(Cleanstep I/II) 简单快捷的对不同尺寸的片盒和花篮进行切换 旋转笼内的可旋转载体方便加载或卸载花篮和片盒 通过控制系统对自锁装置的检测,达到安全加载片盒和花篮,及其运行特征和优点可应用不同化学品(稀释剂)来清洗 泵传输清洗液 计量调整可通过软件设置控制操作热水喷淋装置 热水一般由厂务供应 — 标准化 或有一个体积约100升的热水预备槽(循环泵和加热棒用于热水预备槽—选项) 笼子 带有可变速旋转的控制的高扭矩伺服电机(按照加载量和设备配置,最大旋转速度200rpm,) 旋转的不锈钢笼子 会自动停止工作(运行过程中出现失衡状态时)热空气干燥 顶端吹下热空气 采用根据设备待机和工艺运行模式的可调风量的风扇装置 不锈钢架上装有加热器,可以温度控制 软件监控温度 带有反压控制的高效过滤器辅助功能和操作控制 触摸屏安装在前面—标准化 也...
发布时间: 2016 - 03 - 07
RCA湿法腐蚀清洗机设备——华林科纳CSE华林科纳CSE湿法处理设备是国内最早致力于集成电路湿法设备的研制单位,多年来与众多的集成电路生产企业密切合作,研制开发出适合于4吋-8吋的全自动系列湿法处理设备设 备 名  称南通华林科纳CSE-RCA湿法腐蚀清洗机使 用 对 象硅晶片2-12inch适 用 领  域半导体、太阳能、液晶、MEMS等设 备 用 途硅晶片化学腐蚀和清洗的设备主体构造特点1. 设备包括:设备主体、电气控制部分、化学工艺槽、纯水清洗槽等;并提供与厂务供电、供气、供水、排废水、排气系统配套的接口等。2.设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中3.主体:设备为半敞开式,主体使用进口WPP15和10mm厚板材,结构设计充分考虑长期工作在酸腐蚀环境,坚固耐用,双层防漏,机台底盘采用德国产瓷白PP板,热焊接而成,可长期工作在酸碱腐蚀环境中;4.骨 架:钢骨架+PP德国劳施领板组合而成,防止外壳锈蚀。5.储物区:位于工作台面左侧,约280mm宽,储物区地板有漏液孔和底部支撑;6.安全门:前侧下开透明安全门,脚踏控制;7.工艺槽:模组化设计,腐蚀槽、纯水冲洗槽放置在一个统一的承漏底盘中。底盘采用满焊接工艺加工而成,杜绝机台的渗漏危险;8.管路系统:位于设备下部,所有工艺槽、管路、阀门部分均有清晰的标签注明;药液管路采用PFA管,纯水管路采用白色NPP喷淋管,化学腐蚀槽废液、冲洗废水通过专用管道排放;9.电气保护:电器控制、气路控制和工艺槽控制部份在机台顶部电控区,电气元件有充分的防护以免酸雾腐蚀以保障设备性能运行稳定可靠;所有可能与酸雾接触的...
发布时间: 2017 - 12 - 19
片盒清洗机-华林科纳CSE 设备概况:主要功能:本设备主要手动/自动搬运方式,通过对片盒化学液体浸泡、冲洗、漂洗、鼓泡、快排等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:片盒清洗机设备型号:CSE-SC-N259整机尺寸(参考):约1700mm(L)×1400mm(W)×2000mm(H);(该设备非标定制)操作形式:手动 设备组成该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成 设备描述此装置是一个手动的处理设备;设备前上方有各阀门、工艺流程的控制按钮、指示灯、触摸屏(PROFACE/OMRON)、音乐盒等,操作方便;主体材料:德国进口 10mmPP 板,优质不锈钢骨架,外包 3mmPP 板防腐;台面板为德国 10mm PP 板;DIW 管路及构件采用日本进口 clean-PVC 管材,需满足 18MW去离子水水质要求;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明安全考虑:1. 设有 EMO(急停装置)2. 强电弱点隔离3. 所有电磁阀均高于工作槽体工作液面4. 设备排风口加负压检测表5. 设备三层防漏 漏盘倾斜 漏液报警 设备整体置于防漏托盘内 更多的花篮和片盒清洗机设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlkncse.com),现在热线咨询400-8768-096 18913575037可立即获取免费的片盒清洗机解决方案。
发布时间: 2017 - 12 - 06
自动供液系统(CDS)-南通华林科纳CSEChemical Dispense System System 南通华林科纳半导体CSE-CDS自动供液系统 适用对象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送,经管道至设备;具有自动化程度高,配比精确,操作简便等特点;具有良好的耐腐蚀性能。控制模式:手动控制模式、自动控制模式设备名称南通华林科纳CSE-CDS自动供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统(Chemical Dispense System System)简称:CDS2. CDS 将设置于化学房内:酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房;3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材,内部管路及组件采PFA 451 HP 材质;4. 系统为采以化学原液 双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点;5. 过滤器:配有10” PFA材质过滤器外壳;6. 供液泵:每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸碱类采用一般型静电容近接开关;8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能:每种化学液体配两个桶(自动切换)、配两台泵(一用一备)、带过滤器;系统控制单元:配带OMRON 8”彩色触摸屏,OMRON品牌PLC系统;2. 操作模式: CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制,操作介面以流程方式执行,兼具自动化与亲和力。在自动模式情形...
发布时间: 2016 - 06 - 13
设备名称:晶棒腐蚀机---CSE产品描述:        ●此设备自动化程度高,腐蚀清洗装置主要由水平通过式腐蚀清洗主体(槽体部分/管路部分等),移动机械传送装置,CDS系统,抽风系统,电控及操作台等部分组成;         ●进口优质透明PVC活动门(对开/推拉式),保证设备外部环境符合劳动保护的相关标准,以保证设备操作人员及其周围工作人员的身体健康;         ●机械臂定位精度高;         ●整体设备腐蚀漂洗能力强,性能稳定,安全可靠;         ●设备成本合理,自动化程度高,使用成本低;技术先进,结构合理,适宜生产线上大批次操作.         ●非标设备,根据客户要求具体定制,欢迎详细咨询!更多半导体清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网(www.hlcas.com),现在热线咨询400-8768-096可立即获取免费的半导体清洗解决方案。
发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
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2018年内存更加供不应求 降价已无可能据集邦咨询(TrendForce)公布的最新调查报告,进入第四季度后,三星、SK海力士、美光这三大DRAM颗粒巨头都已经基本规划好了明年的路线图,资本支出都趋于保守,意味着大规模产能扩张已经不可能,甚至制程工艺前进的脚步也会缓慢下来。毕竟,商人都是以赚钱为目的的,DRAM大厂明年的首要目标就是获得持续而且稳定的利润,价格则要至少维持在今年下半年的水平。集邦咨询估计,2018年DRAM产业的供应增幅只会有大约19.6%,是近几年的一个地点,而市场需求增幅将有20.6%,也就是说整个市场供需关系会更加紧张。从需求端看,势头强劲的主要是手机内存容量提升,以及服务器/数据中心的巨大缺口,而供给端方面,产能吃紧自然需要新建工厂,但建设一座300毫米晶圆厂至少一年,再加上设备投入和调试,即便现在行动,效果出来也要到2019年了。关键是,2018年三大厂商的晶圆产能增幅预计只有区区5-7%,主要来自现有产能的重新分配和制造工艺的升级。具体厂商方面,三星电子的产能增加空间很有限,目前月均DRAM晶圆产能平均为39万块,而能扩充的工厂只有Line 17和一部分Line 15,因此三星计划在韩国京畿道平泽市新建第二座300毫米DRAM晶圆厂。SK海力士同样受困于产能不足:M10工厂较老无法转入18nm,改而做代工去了;M14工厂规格高于最初计划,预计年底可达8万...
发布时间: 2017 - 10 - 23
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2017年全球晶圆代工市场规模将达550亿美元 关键词:晶圆、晶圆硅片清洗机晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,盐酸氯化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.999999999%。据了解,截止2016年12月,全球折合成8寸晶圆的产能为每月1711.4万片;其中中国大陆全球市场占有率接近11%,相比2015年上升了1.1个百分点,仅次于台湾、韩国、日本和北美。台湾、韩国、日本是主要的晶圆产地,晶圆产能占全球晶圆产能的59.3%。台湾、韩国、日本是主要的晶圆产地,占比达59.30%,而大陆产能占比为10.80%。而南通华林科纳CSE一直致力于开发生产半导体晶圆清洗设备,其制造的晶圆硅片清洗机、甩干机、单片清洗机等设备广受业界好评。从供给端来看,2016年中国地区晶圆制造产能仅占全球10.8%,而消费市场占全球33%,中国半导体市场供需关系严重失衡。另据了解,2016年全球晶圆代工工厂营业收入前十排名分别是台积电、格罗方德、联华电子、中芯国际、力晶半导体、TowerJazz、世界先进、华虹宏力、Dongbu HiTek和X-Fab。其中,前四大晶圆代工厂为台积电、格罗方德、联华...
发布时间: 2017 - 10 - 09
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【南通华林科纳CSE-导读】“在新需求驱动下,国产半导体装备(制造业)正进入黄金发展期。”近日,在南京开幕的2017中国集成电路产业发展研讨会暨第十二届中国集成电路制造年会上,北方华创总裁赵晋荣表示。据统计,至2020年,全球计划新建的晶圆厂项目中,有逾四成将落户中国,带来巨大投资机会。本文关键词:半导体装备; 集成电路; 晶圆厂; 移动互联网催发了芯片市场的持续增长,新建晶圆厂的热潮正在给半导体设备制造商,尤其是国内制造商带来新机遇。资料显示,新建一条年产5万片的最先进12英寸晶圆生产线需投资450亿元,其中设备投资占75%以上。据统计,到2020年,全球将新建62座晶圆厂,其中26座落户中国,占比高达42%,这给国内半导体装备制造商带来了机遇。 “到2020年,仅芯片前端设备的市场规模就将达到300亿美元至400亿美元。”中微半导体董事长兼首席执行官尹志尧预计,中微半导体从事的刻蚀和化学薄膜设备将有良好的市场前景。“我们统计,2016年到2020年,国内共有998亿美元总投资,半导体设备投资为748亿美元。其中,等离子体刻蚀设备投资大约为134.7亿美元,中微的刻蚀机可以分得相当大的份额。” 另据赵晋荣介绍,北方华创的半导体装备包括14纳米逻辑工艺装备解决方案、8/12英寸先进封装工艺装备解决方案、6/8英寸微机电系统(MEMS)/化合物...
发布时间: 2017 - 09 - 29
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【南通华林科纳CSE--导读】SEMI(国际半导体产业协会)发布最新“全球晶圆厂预测报告”(World Fab Forecast),指出全球晶圆厂设备支出再次刷新纪录。报告显示,在所有SEMI追踪的296座前端晶圆厂房与生产线当中,有30座晶圆设备支出超过5亿美元。SEMI(国际半导体产业协会)发布最新“全球晶圆厂预测报告”(World Fab Forecast),指出全球晶圆厂设备支出再次刷新纪录。报告显示,在所有SEMI追踪的296座前端晶圆厂房与生产线当中,有30座晶圆设备支出超过5亿美元。2017年晶圆设备支出(含全新与整新)预计将成长37%,创下550亿美元的最新年度支出纪录。SEMI同时也预测2018年晶圆设备支出成长率将再度攀升5%,同时也将再次写下580亿美元的新纪录。SEMI台湾区总裁曹世纶表示,先前最高的支出纪录是2011年创下的400亿美元。按目前情势来看,2017年支出预估将比该数字高出大约150亿美元。若依2017年各地区支出金额来看,全球最高的是韩国,从2016年的85亿美元成长至2017年的195亿美元,高达130%的年成长率。根据全球晶圆厂预测报告,2018年韩国依然将是全球晶圆设备支出最强劲的地区,而中国也将晋升至第二名,达到125亿美元(年成长率66%)。此外,美洲、日本、欧洲/中东等地预料也将达到二位数成长,其他地区则将继续维持在10%以下。全...
发布时间: 2017 - 09 - 28
浏览次数:99
【华林科纳-CSE导读】“在新需求驱动下,国产半导体装备(制造业)正进入黄金发展期。”9月26日,在南京开幕的2017中国集成电路产业发展研讨会暨第十二届中国集成电路制造年会上,北方华创(28.94 +1.51%,诊股)总裁赵晋荣表示。“在新需求驱动下,国产半导体装备(制造业)正进入黄金发展期。”9月26日,在南京开幕的2017中国集成电路产业发展研讨会暨第十二届中国集成电路制造年会上,北方华创(28.94 +1.51%,诊股)总裁赵晋荣表示。据统计,至2020年,全球计划新建的晶圆厂项目中,有逾四成将落户中国,带来巨大投资机会。移动互联网催发了芯片市场的持续增长,新建晶圆厂的热潮正在给半导体设备制造商,尤其是国内制造商带来新机遇。资料显示,新建一条年产5万片的最先进12英寸晶圆生产线需投资450亿元,其中设备投资占75%以上。据统计,到2020年,全球将新建62座晶圆厂,其中26座落户中国,占比高达42%,这给国内半导体装备制造商带来了机遇。“到2020年,仅芯片前端设备的市场规模就将达到300亿美元至400亿美元。”中微半导体董事长兼首席执行官尹志尧预计,中微半导体从事的刻蚀和化学薄膜设备将有良好的市场前景。“我们统计,2016年到2020年,国内共有998亿美元总投资,半导体设备投资为748亿美元。其中,等离子体刻蚀设备投资大约为134.7亿美元,中微的刻蚀机可以分得相当大的...
发布时间: 2017 - 09 - 27
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最新新闻汇总1.先进半导体委任CEO洪沨为执行董事;2.浙江金瑞泓全面建成8英寸硅片规模化生产线;3.蓝思周群飞:3D曲面玻璃放量增长机会来临;4.侵权门再添一员!三星Gear VR涉嫌盗用专利;5.三星大规模扩增产线 面板、半导体设备厂商喜获订单;6.可挠式OLED面板市场规模将超越硬式OLED 蒸镀设备厂受惠最多 1.先进半导体委任CEO洪沨为执行董事;先进半导体发布公告,于2017年5月16日举行的公司周年股东大会批准委任洪沨为第五届董事会执行董事,任期由2017年5月16日至2019年3月1日。洪沨博士自 2017 年 2 月 6 日起被委任为公司首席执行官。根据洪沨博士与该公司签定首席执行官之委任的合同,期限自 2017 年 2 月 6 日至 2020 年 2 月 5 日。根据该合同,洪将获得每年币 2,112,768 元人民币的薪水,按每月币 176,064 元人民币的數额支付。洪博士亦能获得由董事会决定高达币 683,838 元人民币的年度变动工资,以及奖金,该部分乃基于洪博士的表现由该公司支付。此外,洪博士亦能获得每年最高不超过 500,000 元人民币的住房补贴及子女教育补贴。洪沨博士,1960年生于上海,美国国籍。于1983年获得复旦大学物理学士学位,于1986年获得复旦大学电子工程硕士学位,于1993年获得美国北卡罗莱纳州立大学材料科学与工程博士学位...
发布时间: 2017 - 05 - 18
浏览次数:120
导读: 目前全球硅晶圆已集中在前五大供货商手中,包括信越半导体、胜高、台湾的环球晶、德国的Silitronic、南韩LG等,全球市占率达92%,其中胜高是台积电最大供货商,其次是信越,但信越全球市占高达27%,略高于胜高的26%,预料在二大硅晶圆厂下半年采取温和涨价下...全球前二大半导体硅晶圆厂信越半导体和日本胜高(SUMCO)达成默契,下半年硅晶圆涨幅仅一成,远低于市场传言的三成,跌破市场眼镜。此外,胜高也与台积电议定四年的供应长约,约定涨幅不会超过四成,凸显面临硅晶圆供不应求的情况,全球市占超过五成的日本二大半导体硅晶圆厂决定维持温和调涨,不希望急涨让部分停产的小厂死灰复燃。这也是硅晶圆在连二季大涨后,主要供应大厂在价格策略踩煞车,对近期市场传出下半年再涨三成,且明年再涨一倍的传言,浇了一盆冷水。台积电最大硅晶圆供货商日本胜高,证实对台积电硅晶圆供应价格不会如外传般狂飙,而会采取温和且保证长期供应稳定,不会恣意涨价。半导体业者表示,全球硅晶圆过去因长期处于供过于求,不堪严重亏损,部分业者逐步停产或出售,例如环球晶近几年就相继收购日本CVS和美国的半导体硅晶圆厂。但前年半导体硅晶圆逐趋供需平稳,前年下半年一度试着涨价,但短暂调涨一季后就沉寂。去年下半年,市场担心中国大陆晶圆厂产能开出后硅晶圆恐缺货,因此大量屯积货源,导致供需产生缺口,甚至连测试片都缺货,导致今年首季主...
发布时间: 2017 - 04 - 25
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导读:国内近些年开始重视半导体投资,试图减少对国外进口芯片的依赖,各地陆续上马了芯片厂项目。不过据台湾电子时报网站4月21日报道,最近多个项目的建设暂时搁置,可能和市场过热有关。   国内近些年开始重视半导体投资,试图减少对国外进口芯片的依赖,各地陆续上马了芯片厂项目。不过据台湾电子时报网站4月21日报道,最近多个项目的建设暂时搁置,可能和市场过热有关。 根据国际半导体产业协会的消息,2017年,中国市场将会建成的芯片工厂数量为14家。到2018年,中国半导体行业设备投资将超过100亿美元,成为全球第二大生产设备投资国。  众所周知的是,半导体和芯片厂是一个投资密集型的产业,建设一个工厂需要几十亿甚至是上百亿美元的资金。之前,中国中央政府已经制定了鼓励发展半导体产业的远期计划,而各地地方政府也正在积极引进项目,发展芯片制造业。  行业观察人士指出,中国芯片厂建设出现热潮,和地方政府的支持密切相关。  不过最近据行业人士观察,中国的多家12英寸芯片厂建设项目,暂时搁置。在半导体行业,12英寸指的是晶圆的直径,晶圆面积越大,生产芯片的效率也就越高,意味着技术更加先进。  据消息人士称,福建晋华集成电路公司计划在台湾台南市建设芯片厂,而台联电为该公司进行的一些技术开发工作已经暂停。据悉,该公司计划建设一座12英寸晶圆的芯片厂,主要生产内存芯片,使用台联电的技...
发布时间: 2017 - 04 - 24
浏览次数:102
导读: 近日,由沈阳拓荆科技有限公司建设的我国首个半导体薄膜设备生产基地在沈阳市浑南区落成投产。近日由沈阳拓荆科技有限公司建设的我国首个半导体薄膜设备生产基地在沈阳市浑南区落成投产。该基地一期可容纳1000人规模的研发制造团队,年产能可达100台(套),实现产值15亿元。全部达产后,年产能可达350台(套)。我国是全球最大的电子制造国。IC即集成电路是电子设备中最重要的组成部分,承担着运算和存储的功能,是计算机、数字家电、通信等行业的“心脏”。据行业协会发布的数据显示,去年,我国集成电路产业总营收达4335.5亿元,同比增长20.1%。沈阳拓荆科技是由海外技术专家组建的高新技术企业,创立于2010年4月。2015年,拓荆科技获得国家集成电路产业投资基金(简称“国家大基金”)2.7亿元战略投资,是“国家大基金”在辽宁投资的第一家企业。同年,拓荆科技新厂区在沈阳市浑南区破土动工。新厂区占地面积5.2万平方米,拥有先进的研发设备、场所及生产用十级、百级和千级无尘洁净间,是我国首个半导体薄膜设备生产基地。此前,该技术一直被发达国家垄断,设备进口严重受限,极大地制约了国产芯片产业发展。作为IC装备核心装备之一,该项目的建成一举填补了国内空白,显著提升了我国集成电路产业整体竞争力。拓荆科技的产品性能、指标达到国际一流设备水平,设备国产化率超过70%,产能是进口设备的1.1倍,成本却比...
发布时间: 2017 - 04 - 18
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华力微基于SONOS的55纳米闪存试产日前,赛普拉斯与华力微共同宣布,基于华力 55纳米低功耗工艺技术和赛普拉斯SONOS (氧化硅氮氧化硅)嵌入式闪存知识产权相结合,为闪存产品树立了一个新的里程碑。华力的客户已经开始使用这项技术进行低功耗嵌入式闪存产品的试生产,针对蓝牙低功耗和物联网应用。赛普拉斯高耐用性、可扩展的SONOS嵌入式闪存工艺针对低功耗需求进行了优化,使其成为微控制器(MCU)和物联网(IoT)应用的理想选择。2017年下半年,华力的客户即可采用该技术和设计IP进行全面量产。高性能氧化铱/铂纳米锥复合镀层提高神经电极电刺激性能近日,中国科学院深圳先进技术研究院医工所微纳中心研究员吴天准及其研究团队成功研发出一种具有纳米结构的高性能氧化铱/铂纳米锥复合镀层。这种高性能复合镀层有效解决了随着电极阵列化和集成化带来的高电化学阻抗、低电荷存储能力及低电荷注入能力的问题,并显著提高了神经电极的电刺激性能。相关研究成果Electrodeposited Iridium Oxide on Platinum Nanocones for Improving Neural Stimulation Microelectrodes(《铂纳米锥上电沉积氧化铱在改善神经刺激电极中的应用》)已在线发表于电化学期刊ElectrochimicaActa。同时该工作的阶段性成果被IEEE NEMS 201...
发布时间: 2017 - 04 - 17
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