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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      光增强电化学(PEC)湿蚀刻也被证明用于氮化镓。PEC蚀刻具有设备成本相对较低、表面损伤较低的优点,但尚未找到一种生产光滑的垂直侧壁的方法。氮化镓的裂切面也有报道,在蓝宝石基质上生长的氮化镓的均方粒根粗糙度在16nm之间,在尖晶石基质上生长的氮化镓的均方根粒度在11和0.3nm之间。      虽然已经发现基于氢氧化钾的溶液可以蚀刻氮化铝和氮化铟锡,但之前还没有发现能够蚀刻高质量氮化镓的酸或碱溶液.在这篇文章中,我们使用乙二醇代替水作为氢氧化钾和氢氧化钠的溶剂,因此我们能够使用90℃至180℃的温度。通过这样做,我们开发了一种两步工艺,将晶体表面蚀刻成ⅲ族氮化物。我们的样品是用金属有机化学气相沉积法在c面蓝宝石上生长的2mm厚的n型GaN外延层。      晶体蚀刻工艺中的两个蚀刻步骤中的第一个用于建立蚀刻深度,并且可以通过几种常见的处理方法来执行。在第一步中,我们使用了几种不同的处理方法,包括氯基等离子体中的反应离子蚀刻、氢氧化钾溶液中的PEC蚀刻。第二步是通过浸入能够晶体蚀刻氮化镓的化学物质来完成的。该蚀刻步骤可以产生光滑的结晶表面,并且可以通过改变第一步骤的取向、化学试剂和温度来选择特定的蚀刻平面。表一总结了本工作中使用的所有化学品的蚀刻速...
发布时间: 2021 - 10 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      薄晶片已经成为各种新型微电子产品的基本需求。其中包括功率器件、分立半导体、光电元件和用于射频识别系统的集成电路。机械研磨是最常见的晶圆减薄技术,因为其减薄率很高。新的微电子产品要求硅晶片厚度减薄到150米以下。机械研磨仍然会在晶片表面产生残留缺陷,导致晶片破裂,表面粗糙。因此,化学蚀刻法主要用于生产具有所需厚度的光滑表面的可靠的薄晶片。      在本工作中,我们研究了在硝酸和氢氟酸的混合溶液中,不同硝酸浓度对硅片总厚度和重量损失、刻蚀速率、形貌和结构特性的影响。结果表明,随着硝酸浓度和刻蚀时间的增加,总厚度和失重增加。较高的硝酸浓度导致较高的蚀刻速率,并且蚀刻速率随着蚀刻时间的延长而降低。随着刻蚀时间和硝酸浓度的增加,光学显微镜观察到更平滑、更清晰的均匀硅表面图像。XRD分析表明,腐蚀后硅片的强度比纯硅片高,这可能表明腐蚀后表面形成更光滑。本文的研究结果对生产一种可靠的、理想的、在集成电路制造中至关重要的硅晶片具有参考价值。 材料和方法      使用的化学品是硝酸,高频,乙醇,丙酮和蒸馏水。所有仪器在干燥前都用蒸馏水冲洗,以确保所有使用的仪器没有任何污染物。在蚀刻之前,硅晶片经历溶剂清洗过程,目的是去除其表面的油和有机残留物。首...
发布时间: 2021 - 10 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言对基于III-V半导体纳米异质结构的多结太阳能电池(MJSC)的关注是由于它们太阳能到电能的高效转化。MJSC参数的进一步改善通常与通过增加更多的光活性p-n连接和通过稀释底物来减少单个SCs的重量来提高效率有关。反过来,MJSC中光活性p-n连接数量的增加导致光流总值的自然下降,从而导致光活性p-n结的空间电荷区(SCR)电流的“重组”和“隧道陷阱”(过量)机制对SC效率的影响更大。这对MJSC的效率产生了负面影响。在这项工作中,我们提出了一种生长后制造工艺,其中在单阶段湿化学蚀刻工艺中将InGaP/Ga(In)As/Ge外延晶片分离成单个元件,这产生了平滑的蚀刻轮廓。为了评估制造的多结太阳能电池的质量,在电流密度为(110-12-10A/cm2)和电压为(0 - 3)伏的情况下,直接在外延晶片上测量J-V特性。我们已经证明,具有InGaP/Ga(In)As/Ge外延晶片的单阶段分离蚀刻的生长后工艺允许制造具有非常相似的J-V特性。 实验为了制造三结太阳能电池芯片的实验,InGaP/Ga(In)As/Ge纳米异方差通过MOCVD外延生长在掺杂到1·1018cm-3水平的锗p基板上。基底厚度为120-150µm,结构总厚度约为6微米。生长后,在顶部n层(Au(Ge)/Ni/Au)和p基底(Ag(Mn)/Ni/Au...
发布时间: 2021 - 10 - 20
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      硅(Si)在半导体器件制造中的大多数技术应用都是基于这种材料的特定界面性能。二氧化硅(二氧化硅)可以通过简单的氧化方法在硅表面制备,其特点是高化学和电稳定性。晶体硅在光伏应用占主导地位,全球近90%的太阳能电池生产是基于多晶和单晶基质。发展具有经济吸引力的太阳能电池的先决条件是减少材料消耗、简化技术工艺和进一步提高能源转换效率。本文报道了利用传统和新开发的湿化学方法获得的硅基底与纹理表面的形态、光学和电子界面性质的联合监测。通过结合无损、表面敏感技术、UV-NIR反射率测量、光谱椭圆偏距(SE)、表面光致发光(SPV)和PL)测量,在原位和湿化学制备步骤中重复进行。 实验      使用n型和P型硅(100)晶片,首先处理具有(a)切割和(B)抛光表面的两种类型的衬底,以去除锯伤和/或获得光捕获纹理,随后进行湿化学氧化和蚀刻处理,以降低单层范围内制备引起的微观表面粗糙度。通过(1)在80℃的碱性氢氧化钾/异丙醇(KOH/IPA)溶液中的各向异性蚀刻,(2)使用从晶片减薄技术转移的各向同性纹理蚀刻(TE)获得不同的表面纹理。      为了研究制备诱导的表面微粗糙度和天然氧化物对成质太阳能电池基质的影响,应用了三种湿化学表面制备:(i...
发布时间: 2021 - 10 - 22
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      氧化锌(ZnO)半导体由于在低沉积温度下具有高电子迁移率,非常适用于有机发光二极管器件。其作为一种新的半导体层取代了薄膜晶体管中使用的非晶硅半导体,在表征方面取得了重大进展。氧化锌的湿法图形化是大规模生产氧化锌薄膜晶体管器件的另一个重要问题。本工作采用电化学分析方法研究了射频磁控溅射氧化锌薄膜在各种湿溶液如磷酸和硝酸溶液中的湿腐蚀行为。还考察了沉积参数如射频功率和氧分压对腐蚀速率的影响。 实验      利用射频磁控溅射系统在玻璃衬底上沉积氧化锌薄膜。沉积后立即测量沉积薄膜的厚度。用轮廓仪测量厚度。残余应力测量通过记录沉积前后硅衬底的曲率来进行。薄膜的应力由斯通尼公式得到。电阻率是通过探针站使用传输线方法在氧化锌薄膜上沉积金属薄膜后获得的。      在包括硝酸(0.1M)、磷酸(0.1M)、盐酸(0.1M)和乙酸(0.1M)的酸溶液中浸泡5秒钟后,用T轮廓仪从厚度梯度经时间测量膜的溶解速率。 结果和讨论      氧化锌薄膜是通过溅射法制备的,这种方法可以很好地控制薄膜的厚度、均匀性和成分。溅射沉积薄膜的结构和性能受到溅射参数的强烈影响,如气体、压力、功率、衬底温度、偏压和离子加速能量。已知...
发布时间: 2021 - 10 - 20
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物,是用于微加工硅片的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀基底。也就是说,它们在某些方向上的蚀刻速率比在其他方向上的蚀刻速率高,而各向同性蚀刻(如高频)会在所有方向上进行。使用氢氧化钾工艺是因为它在制造中的可重复性和均匀性,同时保持低生产成本。异丙醇(IPA)经常被添加到溶液中,以改变从{110}壁到{100}壁的选择性,并提高表面光滑度。      使用氢氧化钾蚀刻有一些缺点。最大的问题是蚀刻过程中H2气泡的产生。这些H2泡沫充当了一个假面具。这增加了粗糙度,并可能损坏微结构。与氢氧化钾蚀刻相关的另一个问题是氢氧化钾含有碱离子。KOH是MOS器件的终身杀手。至关重要的是,那些使用氢氧化钾的人要小心不要污染任何其他工艺。氢氧化钾还会腐蚀铝,这可能是片上电路的一个问题。 碱性氢氧化钾蚀刻特性      氢氧化钾蚀刻的蚀刻速率受硅晶体取向的严重影响。这是因为它的各向异性。图1为70˚C下的氢氧化钾浓度。括号内的数字是相对于(110)的标准化值。 图1 不同晶体取向和氢氧化钾浓度的硅刻蚀率      (110)平面是最快的蚀刻主表...
发布时间: 2021 - 10 - 23
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      直拉(CZ)单晶硅占光伏市场的40 %以上。开发具有经济吸引力的硅太阳能电池的决定性先决条件是晶片表面钝化。为了准备硅衬底的表面进行钝化,必须蚀刻掉锯损伤层。所得表面结构导致高界面态密度Dit(E),从而导致高表面复合。通过在钝化之前对表面进行适当的处理,可以减少这种复合。众所周知,基底材料的表面形态对湿化学氧化、蚀刻和冲洗步骤非常敏感。因此,硅表面在钝化之前的湿化学预处理。氢化非晶硅或氮化硅层是一个非常重要的问题。      为了使双离子(E)最小化,从而使表面复合速度最小化,我们研究了(100)取向的硼掺杂p型和磷掺杂n型直拉硅片的不同清洗程序,使用热去离子水(DIW)处理作为最终氧化介质,或者用氟化铵(NH4F)代替稀释的氢氟酸(2 %)作为氧化物蚀刻溶液。在用a-SiNx:H进行表面钝化或用碘乙醇(I/E)溶液进行化学钝化后,通过空间分辨微波探测光电导衰减(W-PCD)表征表面预处理对界面钝化的影响。利用扫描电子显微镜和表面光电压法直接分析了制备诱导的表面结构及其对Dit(E)的影响。 实验      对来自不同制造商的不同n型和p型CZ硅晶片进行了研究。作为n型晶片,我们使用了磷掺杂的高质量磁性CZ(MCZ)硅,厚度为30...
发布时间: 2021 - 10 - 22
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      外延片或所谓的外延片是一种通过外延生长生产的材料,商业上可用于许多不同的电子应用。外延晶片可以由单一材料(单晶晶片)和/或多种材料(异质晶片)制成。可用作衬底的“外延”晶片的选择有限,例如硅、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、镓、铟、铝、磷或砷。在这一点上,作为我们研究的重点,GaAs晶圆是一个很好的候选,它可以成为二极管等各种技术器件中最常见的衬底之一。      衬底表面对实现高性能红外器件和高质量薄膜层起着重要作用。GaAs (211)硼晶片被广泛用于红外探测器应用。尽管市场上很容易找到“成品”晶圆,但由于其制造工艺,大多数晶圆都存在缺陷和污染。晶片上的缺陷和污染可能对薄膜生长和探测器应用产生有害影响。在本研究中,为了解湿化学清洗工艺对GaAs晶圆的影响,进行了基湿化学蚀刻。在这些处理之后,通过原子力显微镜和扫描电子显微镜研究了GaAs晶片的表面。 材料和方法      湿化学刻蚀: 湿化学蚀刻是清洁表面最重要的方法之一,在此过程中可以使用各种酸和蚀刻剂。为了在晶片上应用湿化学程序,用切片机将晶片切成片,通常为1 × 1 cm2。湿化学蚀刻过程包括三个步骤:脱脂、化学处理和干燥。脱脂步骤包括在晶片上实施丙酮(C3...
发布时间: 2021 - 10 - 20
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      硅表面常用的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物的反应行为因为硫酸加入而受到显著影响。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蚀刻速率为4000–5000 NMS-1,w (40%-HF)/w (65%-HNO3)比为2比4,w (97%-H2SO4)      HF-HNO3-H2SO4蚀刻混合物对晶体硅表面的整体反应性:略      硫酸浓度对二氧化氮+和N(III)物种蚀刻速率和形成的影响:图5显示了硅蚀刻速率、硫酸浓度与氢氟酸和硝酸混合物每溶解硅量产生的亚硝酸盐离子量之间的相关性。N(III)物种通过增加硫酸浓度来稳定。在传统的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物中,大量的含氮化合物,如硝酸、NO3−、二氧化氮、NOx+和NO,使N(III)物种的反应性研究复杂化。最近研究的HF-NOHSO4-H2SO4蚀刻混合物是合适的模型蚀刻系统,因为N(V)和N(IV)物种是先验不存在的。对于这些混合物,我们发现亚硝基离子浓度的增加会导致硅蚀刻速率的增加。根据这些结果,大量的N(III)物质加速了HF-HNO3-H2o和HF-HNO3-H2so4混合物中的反应速率。用hf-hno3基混合物蚀刻硅后,得到了N(III)种类。...
发布时间: 2021 - 10 - 22
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      随着集成电路结构尺寸的缩小,颗粒对器件成品率的影响变得越来越重要。为了确保高器件产量,在半导体制造过程中,必须在几个点监控和控制晶片表面污染和缺陷。刷子洗涤器是用于实现这种控制的工具之一,并且它们已经成为当今晶片清洁应用的主要工具之一。      本文重点研究了纳米颗粒刷洗涤器清洗过程中的颗粒去除机理并研究了从氮化物基质中去除平均尺寸为34nm的透明二氧化硅颗粒的方法。在洗涤器清洗后,检查晶片上颗粒径向表面浓度的均匀性,然后分析了加工时间对颗粒去除的影响。基于滚动和提升去除机理,建立了一些初始模型来描述洗涤后颗粒径向表面浓度的变化。通过这样做,确定了在不同洗涤条件下洗涤的去除机理。最后,本文提出了关于粒子去除机理的一些实验证据。 实验      晶圆的控制污染采用浸没式污染程序,然后进行过度冲洗和马兰戈尼干燥。颗粒为34±6nm二氧化硅澄清浆液颗粒,衬底为氮化硅。使用前,在自动湿式工作台中使用O3-last IMEC清洁器清洁晶片。污染后,颗粒表面浓度为1.6 × 1010 #/cm2,相当于16%的表面积被颗粒覆盖。      通过根据晶片的颗粒表面浓度与晶片添加的薄雾之间的比例来...
发布时间: 2021 - 10 - 20
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