湿法工艺书院 - 半导体硅片清洗机设备 - 刻蚀机

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外延片清洗机-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

在LED外延及芯片制造领域，湿法设备占据约40%以上的工艺，随着工艺技术的不断发展，湿法设备已经成为LED外延及芯片制造领域的关键设备，如SPM酸清洗、有机清洗、显影、去胶、ITO蚀刻、BOE蚀刻、PSS高温侧腐、下蜡、匀胶、甩干、掩膜版清洗等。华林科纳（江苏）CSE深入研究LED生产工艺，现已形成可满足LED产业化项目需求的全自动湿法工艺标准成套设备。 LED 芯片的制造工艺流程为：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。 CSE-外延片清洗机设备设备名称华林科纳（江苏）CSE-外延片清洗机设备可处理晶圆尺寸2”-12”可处理晶圆材料硅、砷化镓、磷化铟、氮化镓、碳化硅、铌酸锂、钽酸锂等应用领域集成电路、声表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先进封装等专有技术系统洁净性技术均匀性技术晶圆片N2干燥技术模块化系统集成技术自动传输及精确控制技术溶液温度、流量和压力的精确控制技术主要技术特点系统结构紧凑、安全腔体独立密封，具有多种功能可实现晶圆干进干出采用工控机控制，功能强大，操作简便可根据用户要求提供个性化解决方案设备制造商华林科纳（江苏）半导体设备有限公司 www.hlkncse.com 400-8768-096 ；18915583058更多的外延片清洗设备相关资讯可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncse.com），现在热线咨询400-8798-096可立即获取免费的半导体行业相关清洗设备解决方案。

旋转式喷镀台-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

旋转式喷镀台结合微组装工艺对镀制工艺的小批量、多规格和特殊应用要求等特点，在6＂（150mm）晶圆电镀系统中采用了倾斜式旋转喷镀技术倾斜式旋转喷镀单元分由两个部分组成，一为阴极夹具、旋转单元、导线电刷、Ｎ２保护单元组成的阴极回转体，二为三角形槽体、阳极和电力线挡板组成的阳极腔。倾斜旋转喷镀结构示意图如下：从镀制结构方式、镀制工艺应用分析可以看出，采用倾斜式旋转喷镀有以下几种优势。一是这种结构方式易实现槽体密封和附加N2 保护功能。二是在这种镀制工艺中，阴极的旋转运动使槽内电场不均问题得以解决，从而提高了镀制的均匀性。三是呈45°倾斜加阴极旋转的方式，可以较容易的祛除晶圆表面的气泡附着及“产生”气泡的消除。四是采用了多微孔进行镀液喷射，实现搅拌功能，消除局部PH值、温度、离子浓度等不均匀带来的影响。五是采用三角形镀槽设计最大限度的减少了镀液的消耗。六是该镀制结构方式可以满足多品种、小批量、低成本的生产需求。倾斜旋转喷镀技术、工艺优势斜式三角镀槽结构本系统采用倾斜式三角形镀槽结构，镀槽入口溢流口均与三角形斜边平行，可得到稳定且不易积累气泡的流场环境。通过进行相关模拟、仿真和验证，镀液入口采用扇形喷咀式结构，可保证镀液在平行于阴极表面方向上形成均匀而稳定的流场。从而通过改变流场的方法改善了镀层的均匀性。该结构的另一优点可使电镀液的用量减至最少程度。华林科纳（江苏）CSE采用倾斜旋转喷镀方法进行晶圆电镀工艺处理，由于结构上的特点，该方法经实验验证具有：①结构简单；②工艺参数控制容易；③有利气泡的消除；④镀制均匀性得到提高；⑤镀制溶液用量少。该方法尤其适应于小批量、多规格的电镀工艺，同时可以取得较好的镀制均匀性。图6为我们所研制的150mm晶圆倾斜旋转喷镀系统，目前已批量生产并在工艺线上得到较好的应用，产品已通过技术定型鉴定和用户验收。实现的主要工艺指标：最...

双腔甩干机

发布时间： 2016 - 06 - 22

双腔甩干机1. 应用范围:l 本機台適用於半導體2”4”6”8”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 设备為垂直式雙槽體機台，可同Run 50片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 图示 4. 規格l 機台內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨，並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統l 控制器操作介面: 7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...

枚叶式清洗机-华林科纳CSE

发布时间： 2016 - 03 - 07

枚叶式清洗机-华林科纳CSE华林科纳（江苏）半导体CSE-单片枚叶式洗净装置的特长：单片式清洗装置的优点（与浸渍.槽式比较）1.晶片表面的微粒数非常少（到25nm可对应）例：附着粒子数…10个/W以下（0.08UM以上粒子）（参考）槽式200个/W2.药液纯水的消费量少药液…（例）1%DHF的情况 20L/日纯水...每处理一枚晶片0.5-1L/分3.小装置size（根据每个客户可以定制）液体溅射（尘埃强制除去）（推荐)清洗方法单片式装置的Particle再附着问题更多的半导体单片枚叶式湿法腐蚀清洗设备相关信息可以关注华林科纳CSE官网（www.hlkncas.com），现在热线咨询400-8768-096；18913575037可立即获取免费的半导体清洗解决方案。

自动供酸系统（CDS）-CSE

发布时间： 2016 - 03 - 07

自动供酸系统（CDS）-华林科纳（江苏）CSEChemical Dispense System System 华林科纳（江苏）半导体CSE-CDS自动供酸系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳（江苏）CSE-CDS自动供酸系统设备型号CSE-CDS-N1507设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化与亲和力。在...

单片清洗机CSE

发布时间： 2018 - 01 - 23

单片清洗机-华林科纳CSESingle wafer cleaner system华林科纳（江苏）CSE-自动单片式腐蚀清洗机应用于清洗（包括光刻板清洗）刻蚀去胶金属剥离等；可处理晶圆尺寸2'-12'；可处理晶圆材料：硅砷化镓磷化铟氮化镓碳化硅铌酸锂钽酸锂等；主要应用领域：集成电路声表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先进封装等设备名称CSE-单片清洗机类型单片式适用领域半导体、太阳能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸设备稳定性1、≥0.2um颗粒少于10颗2、金属附着量:3E10 atoms/ cm²3、纯水消耗量：1L/min/片4、蚀刻均一性良好（SiO₂氧化膜被稀释HF处理）：≤2%5、干燥时间：≤20S6、药液回收率：＞95%单片式优点1、单片处理时间短（相较于槽式清洗机）2、节约成本（药液循环利用，消耗量远低于槽式）3、良品率高4、有效避免边缘再附着5、立体层叠式结构，占地面积小更多的单片（枚叶）式清洗相关设备可以关注华林科纳（江苏）半导体官网，关注http://www.hlkncse.com ,400-8768-096，18913575037

氢氟酸HF自动供液系统-CSE

发布时间： 2017 - 12 - 06

氢氟酸HF自动供液系统-华林科纳（江苏）CSEChemical Dispense System System 华林科纳（江苏）半导体CSE-氢氟酸供液系统适用对象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本设备主要用于湿法刻蚀清洗等制程工程工序需要的刻蚀液集中进行配送，经管道至设备；具有自动化程度高，配比精确，操作简便等特点；具有良好的耐腐蚀性能。控制模式：手动控制模式、自动控制模式设备名称华林科纳（江苏）CSE-氢氟酸（HF）供液系统设备型号CSE-CDS-N2601设计基准1.供液系统（Chemical Dispense System System）简称：CDS2. CDS 将设置于化学房内：酸碱溶液CDS 系统要求放置防腐性的化学房；3. 设备材质说明(酸碱类):酸碱溶液CDS外构采以WPP 10T 板材，内部管路及组件采PFA 451 HP 材质；4. 系统为采以化学原液双桶/单桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式运送到制程使用点；5. 过滤器：配有10” PFA材质过滤器外壳；6. 供液泵：每种化学液体配有两台或者一台 PTFE材质的进口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸碱类采用一般型静电容近接开关；8. 所有化学品柜、歧管箱及阀箱均提供泄漏侦测器与警报功能。CDS系统设备规格 1. 系统主要功能概述设备主要功能：每种化学液体配两个桶（自动切换）、配两台泵（一用一备）、带过滤器；系统控制单元：配带OMRON 8”彩色触摸屏，OMRON品牌PLC系统；2. 操作模式： CDS 系统皆有PLC 作Unit 内部流程控制，操作介面以流程方式执行，兼具自动化...

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多晶硅晶片湿式化学蚀刻反应的新技术研究

本文主要讲述金刚石切割多晶硅（mc-Si）晶片的化学蚀刻响应，使用技术是白光干涉测量（WLI）和 Laue x射线晶体学扫描仪表征相结合的技术。利用该技术，通过检测蚀刻前后mc-硅表面的形貌，本文评估了不同的纹理添加剂（异丙醇、次氯酸钠）的影响。以（100）、（110）和（111）取向的单晶硅晶片的蚀刻响应作为参考，并与所研究的多晶晶片进行了比较。结果表明，对于mc-Si晶片，不同晶粒面的蚀刻速度随着其与主平面（100、110、111）的晶体学相似性而增加。异丙醇（IPA）和次氯酸钠添加剂与氢氧化钾溶液的比较表明，次氯酸钠添加剂有利于mc-Si晶片的抛光，而IPA只能用于接近（111）取向的晶粒的抛光。研究过程如下：硅晶片用激光切割成4x4厘米的碎片。作为第一步，将晶片放在RCA 1溶液中清洗，随后用乙醇（99.8 %）浸泡和干燥。此外，在表面损伤去除溶液HNA（根据配方1，表1中的氢氟、硝酸、乙酸）中蚀刻晶片。在HNA损伤去除过程之后，晶片在基于氢氧化钾的溶液中进行抛光。在损伤去除过程结束后，用WLI和Laue工具扫描多晶晶片，如第2.3节所述。随后，用三种不同的氢氧化钾溶液中的一种对晶圆进行化学纹理（表1）。最后，再次使用WLI扫描纹理晶片。实验流程图如图1所示。图 1 实验流程图第一个抛光过程包括在HNA [24]溶液...

发布时间: 2023 - 03 - 27

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半导体硅片市场

2021年全球半导体硅片市场规模为113亿美元。预计到2030 年将达到 150 亿美元，复合年增长率为 3.6%在预测期间（2022-2030 年）。半导体工业的一个重要组成部分是硅晶片。每个芯片制造商都必须以某种形状或形式购买它们。芯片制造商将硅晶圆生产商生产并出售给他们的原始硅晶圆转换成芯片。预计云计算和高性能计算趋势带来的 SSD 使用量上升将增加内存领域对硅晶片的需求。总体而言，预计该行业将在预测期内经历快速增长。全球半导体硅片市场按直径、产品、应用和地区划分。按直径，全球半导体硅片市场分为小于 150 毫米、200 毫米和 300 毫米及以上。 300 MM 及以上占最大市场份额，预计在预测期内以 4.8% 的复合年增长率增长。由于硅片制造技术的进步，主要受集成电路芯片制造商需求的推动，硅片的尺寸已从 25 MM 硅片逐渐增加到目前可用的最大直径，即 450 MM 硅片. 从单个硅晶片生产的芯片的表面积和数量随着晶片直径的增加而增加。具有更多芯片的硅晶片将使芯片制造商的每个芯片成本更低。此外，市场正在见证产品创新，推动市场增长。由于 200 MM 晶圆在功率器件、IC、LED、MEMS 和许多其他半导体和电子设备中的使用越来越多，因此需求量将十分巨大。这些晶圆价格实惠，也很容易集成到各种设备中。因此，小型和大型电子制造商越来...

发布时间: 2022 - 10 - 11

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PFA 451性能与应用

PFA451的应用包括管、用于生产超纯化学品的无支撑管衬、半导体流体处理组件和需要十亿分之一范围的高性能化学输送系统。PFA451在表面光滑度和需要最高水平的化学渗透阻力的应用中是首选。性质PFA451是一种特殊用途的氟塑料树脂，可以颗粒形式存在。这种树脂是PFA350的一种化学改性形式，它结合了母体树脂的许多优点和一些额外的优点。特四氟乙烯PFA451通过最小化球晶尺寸来提高表面光滑度，通过提高特四氟乙烯PFA450的结晶。特四氟乙烯PFA451是一种相对较低的熔体流速(典型的MFR为2)，优质树脂具有最低水平的萃取物，以满足超高纯度要求。在增强抗环境应力开裂和化学渗透的恶劣环境中，使PFA451成为首选树脂。此外，PFA451的提高纯度使其适用于需要改进的颜色、更低的可提取氟化物和不受其他外来材料影响的应用。本产品不含添加剂，适用于纯度需要十亿分范围的恶劣化学环境。例如半导体制造、用于工业或生命科学的流体处理系统和用于流体系统精确测量的仪器。与其他热塑性塑料相比，PFA451的高熔体强度和热稳定性可用于提高加工速率，结合了传统热塑性塑料的加工方便性和许多类似于聚四氟乙烯的性能。由整洁的聚四氟乙烯PFA451树脂制成的适当加工产品提供了氟塑料树脂的优越性能特性：化学惰性、特殊的介电性能、耐热性、韧性和灵活性、低摩擦系数、不粘特性、可忽略的吸湿性...

发布时间: 2022 - 08 - 12

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在您的应用中使用含氟聚合物的 5 个理由

什么是含氟聚合物？氟聚合物（或氟塑料)是一组由碳和氟组成的高性能聚合物。这些含氟聚合物材料可以显著提高您制造产品的质量,并降低各种应用的成本。与非氟化塑料相比,含氟聚合物具有许多无法超越的特性。 5个含氟聚合物的独特特性1.含氟聚合物具有普遍的化学相容性几乎所有含氟聚合物都对酸、溶剂和碱具有惊人的抵抗力,这意味着它们可以与其他物质保持接触而不会发生任何可检测到的化学反应。这使它们成为需要出色防腐蚀保护的应用的首选材料。 2.含氟聚合物具有出色的耐热性与其他聚合物相比,已发现含氟聚合物在高温下非常有效。通常,含氟聚合物在高达260摄氏度的温度下仍能保持熟练,并且氧指数至少为95% (LOI)，这使其不易燃。它们对长期热降解的抵抗力非常好。这种品质在航空航天、汽车和电气/电子行业的零部件制造中具有不可估量的价值。 3.含氟聚合物不含添加剂含氟聚合物不需要加工助剂,例如通常用于防止热降解的稳定剂或用于提高整体弹性的增塑剂。含氟聚合物基本纯度解决了制药、医疗、生物技术和实验室安全的关键问题。它们的稳定性和无添加剂意味着不会从管子和组件中浸出,因此不会有异物转移到流经它们的高纯度物质中。由于这些原因,含氟聚合物也被选择用于食品和饮料加工厂,而非含氟聚合物会逐渐分解并浸出潜在的有害物质。这种纯度还意味着大多数含氟聚合物符合FDA/USP VI类标准,以及ADCF(...

发布时间: 2022 - 08 - 05

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PFA 和 PTFE 有什么区别

PFAPFA是perfluoroalkoxy的缩写。PFA具有低摩擦系数，具有优异的不粘性能。它是一种相当灵活的聚合物，具有很高的抗应力裂解能力，并能抵抗几乎所有的溶剂和化学物质。PFA还能承受高温和低温的条件。它能够提供高达260摄氏度（500华氏度）的连续工作温度。PFA具有非凡的耐燃性、化学稳定性和高介电强度。PFA管广泛应用于高腐蚀性工艺。PFA衬里材料可以保护化学设备免受腐蚀。也可应用于过滤外壳、热交换器、泵外壳、配件等。 PTFEPTFE是聚四氟乙烯中最流行的一种形式，也是四氟乙烯的一种合成含氟聚合物。1938年，杜邦公司的罗伊·普伦基特偶然发现了聚四氟乙烯。它是一种高碳分子量化合物，氟是一种氟碳固体。聚四氟乙烯不会被水或任何含水的物质弄湿。氟的高电负性使聚四氟乙烯在与固体接触时具有非常低的摩擦系数，这使聚四氟乙烯具有众所周知的“光滑”特性。聚四氟乙烯的其他特性包括高耐化学性、低温和高温能力、耐风化性，以及电气和保温性能。聚四氟乙烯可应用在很多地方，如平底锅和炊具的不粘涂层。它的非反应性特性使它非常适合用于含有腐蚀性和活性化学物质的衬里管道、容器和容器。聚四氟乙烯是一种特殊的润滑剂，当在机械中使用时，它可以减少磨损。差别当选择合适的工艺时，这两种含氟聚合物之间有一些显著的性能差异需要考虑。PFA可以通过传统的注射成型和螺钉挤压技术进行熔体...

发布时间: 2022 - 08 - 03

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PTFE vs FEP vs PFA：有什么区别？

PTFE、FEP和PFA是最著名和最常见的氟塑料。但是，他们到底有什么不同呢？了解为什么含氟聚合物是如此独特的材料，以及哪种氟塑料最适合您的应用。氟塑料的独特性能含氟聚合物具有一些独特的性质，这些性质使它们适用于医疗、汽车、电气和家用等领域。氟塑料具有以下特性: ·非常高的工作温度 ·不粘特性 ·低摩擦表面 ·非常高的耐化学品和耐溶剂性 ·非常高的电阻不同的氟塑料享有细微的差异，包括不同的工作温度，并适用于不同的应用。如果选择正确，含氟聚合物可以提供良好的价格和性能优势。 PTFE的优势PTFE是所有氟塑料的祖先。由科学家Roy J. Plunkett于1938年发现，PTFE是最不寻常的含氟聚合物，在温度、耐化学性和不粘特性方面表现出最佳性能。除了拥有氟塑料的独特性能外，PTFE还因具有以下优点而与众不同: ·最佳性价比 ·+260°C的连续工作温度-这是任何氟塑料的最高工作温度 ·几乎对所有化学品都有抵抗...

发布时间: 2022 - 08 - 02

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什么是PFA 管以及管材特性

PFA具有各种独特的功能，使其成为许多高纯度应用的理想选择。它对腐蚀性物质的耐化学性很好，其光滑、低摩擦的表面可防止降解。由于PFA具有较宽的温度范围，因此在非常恶劣的环境下也能提供出色的稳定性。其可焊性决定了它是制造的理想材料。由于其良好的耐化学性、光学透明性和整体柔韧性，PFA通常用于医疗、制药和半导体聚合物。每一种注塑应用，尤其是医疗、制药和半导体行业，都非常重视保持材料的纯度。为什么PFA塑料如此受欢迎和必要，尤其是在那些特定领域？这是因为医疗和制药测量设备以及半导体设备通常会受到严重的生物和化学成分的影响。由PFA材料制成或涂有PFA材料的零件具有很强的弹性，是避免污染的有效方法。此外，即使在高温下，PFA也具有优异的耐化学性。它能耐受强无机酸、无机碱和无机氧化剂，以及化学工业中使用的大多数有机化学品和组合。另一方面，氟和熔融碱会使其反应。PFA在如何制造组件方面也具有适应性；例如，它在挤出、转移、吹塑和压缩成型中工作良好。由于其显著的化学惰性，PFA经常用于塑料实验室设备，其灵活性使其成为许多化学工业中管道的常见选择。它还广泛应用于半导体和医药制造。PFA属性PFA是一种多功能聚合物，具有出色的耐化学性和耐热性。然而，它不如PTFA耐热。它具有优异的介电特性，介电常数为2.1。PFA的许多特性使它如此受欢迎，对各种公司和行业来说都是必不可少的。他的一些特性包括:...

发布时间: 2022 - 07 - 30

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PFA的性能，优点及用途

PFA的性质是什么？PFA具有与FEP相似的性质，但由于其熔体粘度低于PTFE，因此可在高达+260°C的工作温度下使用，同时保持可熔融加工性。 PFA具有几个独特的性质，使其适用于医疗、化学和电气应用等。PFA具有以下特性: ·最高+260°C的极高工作温度·-200°C的极低工作温度·不粘特性·低摩擦表面·非常高的耐化学品和耐溶剂性·非常高的电阻·生物相容性 PFA的优缺点是什么？除了具有含氟聚合物的独特性能外，PFA还具有以下优势: ·+260°C的连续工作温度–除了PTFE，PFA的工作温度是所有氟塑料中最高的·焊接和再成型潜力·针对恶劣环境条件的保护·与电、热、化学品和溶剂绝缘·良好的抗渗透性·可提供高纯度等级·高清晰度 PFA具有与PTFE相似的物理和化学性质，但它的挠曲寿命是PTFE的10倍，渗透率更低。PFA具有出色的抗裂性和抗应力性以及低摩擦系数。 PFA的主要缺点是比PTFE或FEP贵。 PFA是用来做什么的？PFA广泛应用于需要更高纯度、优异耐化学性和高工作温度的应用中，例如医用管道到热交换器、半导体篮、泵和配件以...

发布时间: 2022 - 07 - 25

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湿法加工中掩模对准晶体方向的确定

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料摘要在湿法体微机械加工中，蚀刻特性取决于取向。Si{100}和Si{110}晶片上任何几何形状的掩模开口的延长蚀刻导致由最慢蚀刻平面限定的结构。为了制造高尺寸精度的微结构，对准沿着晶体方向的掩模边缘包括这些最慢的蚀刻平面。因此，掩模边缘的精确对准在微/纳米制造中很重要。因此，确定精确的晶体方向至关重要，事实上，这是确保微结构尺寸精确以提高性能的第一步。在这篇综述文章中，我们对精确确定晶体学方向的不同技术进行了综合分析。我们已经介绍了在二十多年的时间里提出的确定Si{100}和Si{110}晶片上的结晶方向的各种技术。除了详细讨论每种技术及其设计和实现之外，我们还对相关的限制、优点和缺点进行了批判性分析。我们还总结了每种技术的关键方面，并以表格的形式呈现，以方便读者参考。这篇综述文章由详尽的讨论组成，对于在湿法各向异性蚀刻领域中的新手或想了解晶体方向测定技术的研究人员来说是一个方便的参考。介绍微机械加工是MEMS/NEMS工业中微/纳米制造的一个组成部分。有两种微加工方法，即表面微加工和体微加工。顾名思义，表面微加工技术利用衬底(例如晶片)的表面，并且使用表面上沉积的薄膜来制造微/纳米结构。沉积的薄膜用作结构层和牺牲层。另一方面，体微加工选择性地蚀刻体以制造三维特征、悬梁、薄膜等。体微加工进一步分为两类:干法和湿法蚀刻。干法蚀刻主要使用...

发布时间: 2022 - 05 - 26

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HCL处理对多孔硅光电应用的影响

扫码添加微信，获取更多半导体相关资料引言本文采用电化学阳极氧化法在p型取向硅片上形成多孔结构。电化学蚀刻的多孔硅(PS)样品在设定的时间间隔内暴露于HCl溶液，导致该材料的稳定和增强的发光。扫描电子显微照片显示了伴随PS表面的HCl处理的深刻变化。通过几何方法使用SEM图像确定PS的孔隙率。有效介质近似方法揭示了折射率随着孔隙率的增加而减小。当样品阳极氧化时，电解液中含有HCl材料表面上Si-H基团的浓度有净下降。在光致发光研究中观察到在498 nm处的强可见发射峰，其相对于蚀刻参数的变化没有明显的偏移。介绍多孔硅(PS)由纳米级尺寸的硅线和空隙的网络组成，这些空隙是在恒定阳极氧化条件下在氢氟酸基电解质溶液中电化学蚀刻晶体硅晶片时形成的。孔隙率和厚度的精确控制允许定制多孔硅的光学性质，并为光电子技术中的大量应用打开了大门。多孔硅由于其在可见光范围内的室温光致发光而引起了极大的关注。然而，关于多孔硅表面的光致发光有两种不同的假说。第一个包括量子限制效应，这是由于分隔孔壁的窄晶体硅壁中的电荷载流子，第二个是由于作为源光发射的内壁中捕获的发光表面物质的存在，第三个是由于表面限制的分子发射体即硅氧烷的存在。表面钝化的作用对于确定多孔层的辐射效率非常重要。多孔硅结构具有良好的机械强度、化学稳定性和与现有硅技术的兼容性，因此具有广泛的潜在应用领域，例如波导、1D光子晶体、化学传感器、生物传感器...

发布时间: 2022 - 05 - 25

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