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推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
新闻中心 新闻资讯
冷却阶段在注塑加工过程中起着至关重要的作用。在这一阶段,刚刚成型的注塑件需要迅速冷却固化,以便在较短的时间内达到稳定的形状和尺寸。为了确保产品质量、提高生产效率并降低生产成本,我们必须对冷却阶段进行精确控制。 一、冷却时间的控制 冷却时间直接影响到注塑件的冷却效果和生产周期。冷却时间过短可能导致塑料无法充分冷却固化,进而影响产品尺寸精度和机械性能;而冷却时间过长则会延长生产周期,降低生产效率。因此,根据塑料种类、模具设计和产品要求,精确计算和控制冷却时间至关重要。 为了合理设定冷却时间,需要充分了解所用塑料的冷却速率和模具温度等因素。对于不同塑料材料,其导热性能和热膨胀系数存在差异,因此需要分别进行测试和调整。同时,模具温度也会影响冷却速率,因此需要根据实际生产条件进行合理设定。图1 华林科纳PFA注塑制品二、冷却均匀性的优化 冷却均匀性是指注塑件各部位冷却速度的一致性。在冷却过程中,如果各部位冷却速度不均匀,可能会导致产品出现收缩不均、内应力过大等问题。因此,优化模具设计和改进冷却系统布局是提高冷却均匀性的关键。 通过合理设计模具的冷却水路,确保冷却液在模具内均匀流动,可以有效提高冷却均匀性。此外,采用适当的加热和保温措施,控制模具温度分布的均匀性,也是提高冷却均匀性的重要手段。 三、温度控制的精确性 在冷却阶...
发布时间: 2024 - 01 - 11
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在流体系统中,阀门扮演着至关重要的角色,它们控制着流体的流动、方向和流量。而流量系数(Cv)作为阀门的一个重要参数,对于系统的性能和稳定性具有深远的影响。本文将深入探讨阀门流量系数(Cv)在流体系统中的作用及其对系统性能的影响。 首先,我们来了解一下阀门流量系数(Cv)的基本概念。Cv值表示阀门在单位时间内通过某一特定截面积的流体量,它是衡量阀门流通能力的关键指标。Cv值的大小直接反映了阀门对流体流动的阻碍作用,因此,它对于流体系统的性能和稳定性具有重要影响。图1 华林科纳气动隔膜阀 一、流量控制与系统稳定性 阀门流量系数(Cv)对流体系统的流量控制具有重要影响。在恒定的流体压力下,Cv值越大,通过阀门的流量越大,这为精确控制流体流量提供了可能。通过合理选择和调整阀门的Cv值,可以实现对流体流量的精确控制,从而确保系统的稳定运行。 此外,Cv值的大小也会影响流体系统的稳定性。如果Cv值选择不当,可能会导致系统振荡或不稳定,进而影响整个系统的性能。因此,在设计和选择流体系统时,需要充分考虑Cv值的影响,以确保系统的稳定性。 二、流体特性与阀门选择 不同的流体具有不同的物理特性,如粘度、密度等。这些特性会对流体的流动特性产生影响,进而影响阀门流量系数(Cv)的大小。因此,在选择阀门时,需要考虑流体的特性,以确保所选的阀门具有合...
发布时间: 2024 - 01 - 11
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。对金刚石晶体结构的分析表明,晶面是该晶格中唯一光滑的面,其他面可能只是因为表面重建而是光滑的。通过这种方式,我们解释了在方向上KOH:H20中的最小值。实验对HF:HN03溶液中接近的最小蚀刻率的形状和从各向同异性向各向异性蚀刻的过渡进行了两个关键预测。结果与理论结果一致。 介绍      本文从晶体生长科学的角度回顾了单晶的湿化学蚀刻。起点是有光滑和粗糙的晶体表面。光滑面的动力学是由粗糙面上不存在的成核势垒控制的。因此后者蚀刻速度更快数量级。对金刚石晶体结构的分析表明,晶面是该晶格中唯一光滑的面,其他面可能只是因为表面重建而是光滑的。通过这种方式,我们解释了在方向上KOH:H20中的最小值。实验对HF:HN03溶液中接近的最小蚀刻率的形状和从各向同异性向各向异性蚀刻的过渡进行了两个关键预测。结果与理论结果一致。      在本文中,我们添加了一些新的实验结果来支持这里给出的观点。特别是,我们更详细地研究了氢氧化钾蚀刻硅蚀刻酸对接近方向的晶体方向的依赖性,并研究了HF:HN03:...
发布时间: 2021 - 10 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      目前的硅基技术要求万亿分之几(PPT)范围内的表面污染容限,要求烘烤温度低于800℃的硅外延等工艺的较低热预算,以及每次清洗的硅消耗量低于0.1毫米。      这些新的限制现在可能会超过同类最佳制造清洗序列的能力。一些关键原因是:      -其稀释化学物质的清洁效率,即使与万亿比特化学物质的使用相结合,也可能无法满足ppt污染要求,      -需要原始稳定的氢封端硅表面终端,以满足许多热处理的低热预算要求,      -按照ITRS路线图的定义,使用过氧化物和基于臭氧的化学物质,每次清洁消耗的硅量固有地超过0.1毫米。 清洁效率      制造环境中使用的大多数当前湿法清洗工艺仍然用天然、化学氧化物层终止硅。这种天然或化学氧化物是清洗后污染的主要部分。传统的湿法清洗化学品如氢氧化铵、盐酸、硫酸、氢氟酸和过氧化氢的净化已经投入了大量的努力。添加H2O2、HCl和醇也常用于dHF混合物中,以抑制污染。虽然这些可能是一些有效的补救措施,但这些混合物中的主要成分超纯水(UPW)仍然含有溶解的杂质,这些杂质会渗入化学氧化物或在清洗后终止于硅表面。&...
发布时间: 2021 - 09 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料
发布时间: 2021 - 09 - 16
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      清洗工艺的作用是制备完整的硅表面,硅表面纯度高,其条件是无颗粒、无金属粘附、无有机污染、无水粘附、无天然氧化物、无粗糙度、全覆盖氢终端、无电荷积聚。      当前的湿表面清洁是在空气中进行的。在大气中,氧很容易溶解到UPW(超纯水)中,结果,晶片表面立即被氧化。如果表面被氧化,氢终端将丢失,结果,清洗后形成的栅氧化物的特性将被破坏。      为了避免晶片表面退化,需要在大气中没有氧气的清洗系统。在本研究中,我们评估了能够实现低于10ppm的低氧浓度的清洗工艺。通过氮气吹扫。用红外光谱和接触角测量表面。为了评估低氧浓度的效果,测量水印的产生。实验      本实验中的晶圆类型为(100) 8-12欧姆·厘米。当清洗后立即在空气中进行UPW清洗时,从2060到2160 cm-1 [2]的峰消失,并且观察到在2250 cm-1附近氧化的硅的峰。由于通过UPW蚀刻硅而增加表面粗糙度,出现了峰的移动。当在低氧浓度下进行UPW冲洗时,维持氢终止。据了解,在低氧浓度下漂洗时,表面几乎没有氧化硅。      虽然清洗后立即的接触角约为78度,但与随后在空气中UPW漂洗8小时的接触角变得...
发布时间: 2021 - 09 - 10
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要         缩小特征尺寸的另一种选择是增加集成电路(IC)封装的密度和功能。模具尺寸和模具厚度已经大大减少。 推动薄模具需求的主要因素包括便携式通信和计算设备、存储卡、智能卡、以及CMOS图像传感器、混合、箔式柔性系统、led、MEMS、太阳能和电源设备。关键词:化学减薄、蚀刻、应力消除、波蚀、线性扫描、超薄晶片、处理、非接触卡盘。介绍       研磨、抛光和稀释技术;以及将晶圆与载体结合以进行处理、细化或加工的许多方法。因此,有一种新的化学稀释技术,它可以将晶片稀释到50µm或更少, 具有更好的均匀性,而且成本比传统的稀释更低。减薄和应力消除       化学稀释是消除亚表面损伤和减轻磨削和抛光留下的应力的必要步骤。化学稀释也是一种替代抛光(磨削后)的方法。   图2。材料去除均匀性(总厚度变化或TTV)典型的波蚀线性扫描减薄过程如上所示。在去掉75µm后,最终的厚度为112µm, TTV的范围从4”晶片的±1.5µm到8”晶片的±2.5µm。 文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁...
发布时间: 2021 - 08 - 20
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料          随着清洁和环境需求的增长,该行业标准的RCA清洁正慢慢地让位于多种选择可选择的晶圆清洗选项列表。关键因素:         清洗设备的类型,其年代而它的原始成本是关键因素晶圆沾污量该公司的一个部门经理例如,抽油烟机和再循环系统,”DePinto说。 “如果你如果你愿意花钱,这是可行的。”重金属“污垢”在飞利浦Semicanductors。 该公司以前加工100mm晶圆双极模拟设备。      “我们首先要考虑的是去除沉重的负担金属和化学清洁 ’’ 工程师艾伦·默滕斯报道。两步清洗:        Werner Kern博士,当时设计了RCA清洁,1965年RCA的使用,五年后公开审理。 这两步清洁是一种氧化和络合的治疗。 它使用H202 - NHIOH和Hz02 - HC1水溶液在75-80°C下搅拌10分钟。科恩说,从化学角度来说,它现在起作用了一个顾问,因为H202在高pH值是一种强氧化剂,会破坏有机污染物,并分解了H20 + 02。 NH40H是强络合剂对...
发布时间: 2021 - 08 - 18
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