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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言基于氮化镓(GaN)的半导体已经被广泛研究,因为它们在光电应用中具有潜力,例如在蓝色和紫外波长区域工作的发光二极管。为了提高氮化镓基发光二极管的可靠性,研究了在乙二醇溶液中,用氢氧化钾+氢氧化钠对氮化镓基发光二极管中的p-氮化镓表面进行选择性湿法化学刻蚀。与未蚀刻的发光二极管相比,蚀刻的发光二极管在正向和反向偏压下的泄漏电流要低得多。蚀刻的发光二极管也显示出改善的光提取效率,并且在300毫安的高注入电流下光输出功率的退化速率比未蚀刻的发光二极管慢。这些结果可归因于表面缺陷的减少、空穴浓度的增加和蚀刻的p-GaN的表面粗糙度的增加。在这项工作中,我们研究了蚀刻发光二极管在高注入电流下的可靠性。为了检查进入由表面缺陷形成的陷阱中心的漏电流,在发光二极管上采用了温度相关的电流电压测量。与未蚀刻的发光二极管相比,选择性蚀刻的发光二极管的漏电流显著降低。 实验使用金属-有机化学气相沉积法在c面蓝宝石衬底上生长了InGaN-GaN多量子阱(MQW)发光二极管。发光二极管结构由硅掺杂的氮氮化镓层(2米)、五周期的铟镓氮(3纳米)/氮化镓(7纳米)MQW有源层和镁掺杂的磷氮化镓层(0.2米)组成。p-GaN层的霍尔效应测量显示空穴浓度为厘米。样品用三氯乙烯、丙酮、甲醇和去离子水清洗。然后将发光二极管样品在乙二醇(KNE)中的氢氧化钾(5M)和氢氧化...
发布时间: 2021 - 11 - 03
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料超发光二极管(SLDs)既具有激光二极管(LDs)的高定向输出功率,又具有发光二极管(LED)的相对较宽的光谱发射和较低的相干性。sld利用沿着波导的受激发射来放大自发发射,但抑制其在各个方面的反馈,并防止净往返增益,否则将导致激光。如果没有激光,就没有模态选择或高度相干的发射。LDs和led之间的中间特性使sld非常适合于各种应用。微微投影仪利用高功率定向发射,而相对宽的光谱宽度降低了与LDs相关的眼睛损伤风险,低相干性降低了相干噪声或“散斑”。SLD具有高光纤耦合,允许在光纤耦合照明和光纤陀螺仪中的应用。这些装置也可用于光学相干断层扫描和视网膜扫描显示器。随着低扩展缺陷密度独立氮化镓基底的出现,在半极性和非极性晶体平面上生长的量子阱(QW)结构由于可以抑制或消除QCSE而引起了人们的关注。不平衡的双轴平面内应变导致重孔和光孔价带的分裂,导致理论上预测沿非极平面和半极平面相对于c平面有更高的增益。非极性m平面LDs已经在紫色、蓝色、和蓝绿色的光谱区域得到了证实。m平面QWs中QCSE的缺失随着驱动电流的增加而减少了蓝移,并允许更厚的QWs,这增加了光学限制,而不损失辐射重组效率。 在图1中,示出了氢氧化钾处理后c面和c面的扫描电子显微照片。仅在c面上观察到六边形金字塔的形成。六角锥直径范围从0.3到n型GaN上为1.6 m,p型GaN...
发布时间: 2021 - 11 - 03
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言最近在外延膜的导电率控制和高质量块状氧化锌衬底的可用性方面的进展重新引起了我们对用于紫外光发射器和透明电子器件的氧化锌/氧化锌/氧化锌异质结构系统的兴趣。虽然GaN/AlN/InN系统被用于这些相同的应用,但氧化锌有一些特殊的优势,如在玻璃等廉价的底物上相对较低的生长温度,以及比氮化镓大得多的激子结合能。后者对于在高温下实现强大的光发射非常重要。与氮化镓相比,氧化锌系统也有更简单的处理,在安全温度下不能在传统的酸混合物中湿蚀刻。如果使用非导电基底,在LED器件形成时需要湿蚀刻。二元氧化锌可以在许多常见的酸溶液中蚀刻,包括HNO3/HCl和HF。我们发现,在Zn0.9Mg0.1O/ZnO系统中,盐酸在水中的高稀释因子下,ZnMgO对氧化锌的湿蚀刻选择性可以超过400。在本文中,我们报道了使用稀释的盐酸和磷酸混合物选择性蚀刻ZnCdO超过氧化锌的成就。 实验在c面蓝宝石基底上对氧化锌和ZnCdO单层进行MBE生长。用低温细胞蒸发6n纯度的Zn、Cd和Mg。原子氧通量由射频射频等离子体源产生。该源的O2流量为2-5标准立方厘米每分钟,根据锌通量和正向功率为150w。蓝宝石表面热清洗后,基底温度降低至400-600°C。氧化锌的生长是通过同时打开锌和原子氧百叶窗来启动的,以确保随着生长的薄膜的锌的极性。为了减少可变生长参数的数量,...
发布时间: 2021 - 11 - 03
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言单晶硅的各向异性蚀刻是硅器件和微结构加工中经常使用的技术。已经制造的三角形和矩形凹槽、棱锥体、薄膜和微孔,它们在器件中有很大的应用。通过碱性蚀刻剂对硅(100)的单晶结构进行的表面纹理化被称为“随机金字塔”。晶体硅的表面纹理化通过使用不同的蚀刻溶液来进行。最近,有发现可以成功地使用了强氧化剂氢氧化钠来对硅表面进行纹理化。本文研究了溶液组成等刻蚀参数对硅表面形貌的影响。用扫描电镜、分光光度法和二次离子质谱分析了腐蚀样品的表面。结果清楚地表明,乙醇在溶液中的存在导致金字塔的形成,而其不存在诱导纳米结构的形成(纳米线或纳米针)。 实验碱性蚀刻实验是在电阻率为1–10Ω厘米的p型(100)取向镜面抛光硅片上进行的。在实验之前,首先用丙酮、乙醇和去离子水清洗尺寸为20×20毫米的硅衬底,以去除吸附的灰尘和表面污染物,然后通过在稀释的氢氟酸(5%氢氟酸)中蚀刻去除晶片上的天然氧化物。纹理化过程是在干净的表面上产生直的直立金字塔。首先,将晶片浸入5%氢氧化钠(重量比)和10% CH3CH 2(体积比)的混合溶液中,温度为80℃,精确度为±1℃。晶片在溶液中保持所需的时间为5至45分钟。最后,将纹理晶片在去离子水中洗涤,并用氮气干燥。在本实验中,一些晶片也在次氯酸鈉溶液(13%的重量比例)中蚀刻,以评估乙醇添加对次氯酸钠单晶硅表...
发布时间: 2021 - 11 - 03
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      湿化学蚀刻硅体微加工是制造不同类型微机械结构的关键步骤。对各种形状的三维结构有很高的需求。然而,可能获得的结构范围是有限的。限制主要来自于有限数量的适用蚀刻溶液。这种解决方案强加了蚀刻速率的各向异性,最终决定了最终蚀刻图形的形状。由于合理的(1 0 0)面刻蚀速率和令人满意的表面光洁度,有机溶液中的TMAH和无机溶液中的KOH具有最大的实际意义。      我们研究了不同醇类添加剂对氢氧化钾溶液的影响。据说醇导致硅蚀刻各向异性的改变。具有一个羟基的醇表现出与异丙醇相似的效果。它们导致(hh 1)型平面的蚀刻速率大大降低,通常在蚀刻凸形图形的侧壁处发展。这就是凸角根切减少的原因。具有一个以上羟基的醇不影响蚀刻各向异性,并导致表面光洁度变差。 实验       实验中使用了电阻率为5 ~ 10o·cm的n型(1 0 0)取向硅片。晶片覆盖有热生长的1毫米厚的氧化物,该氧化物在光刻工艺中被有意地图案化,以便限定边缘垂直于特定晶体方向的图形图案。在蚀刻过程中形成的凹凸图形使得能够对所形成的晶面进行蚀刻速率评估。我们讨论了掩模图案的布局和基于显影图形形状的蚀刻速率估计方法。图1显示了台面结构的扫描电镜俯视图,其边缘垂直于晶...
发布时间: 2021 - 11 - 02
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言碱性溶液中硅的各向异性刻蚀广泛用于微机电系统(MEMS)中的体微加工。单晶硅的各向异性湿法刻蚀依赖于其晶面的不同刻蚀速率,已被用于制造各种微机电系统器件。在所有的各向异性蚀刻剂中,无机氢氧化钾(氢氧化钾)是最常用的,因为它易于制备且毒性较小。在硅与KOH溶液发生化学反应的过程中,刻蚀过程中产生的氢气泡在被刻蚀表面堆积,形成“伪掩膜”现象,会阻碍刻蚀剂与表面硅原子的化学反应,降低刻蚀速率,同时增加表面粗糙度,甚至形成小丘。在半导体工业中,磁力搅拌是单晶硅湿法刻蚀过程中降低硅器件表面粗糙度的常用方法。但这种方法的局限性在于溶液会分层,温度分布不均匀,难以实现微结构尺寸的精确控制和粗糙度的均匀分布。最近的研究表明,超声波搅拌可以提高蚀刻速率。 实验我们实验中使用的硅片是高纯度浮子区硅棒,直径达76.2mm,厚度达1mm,电阻率约为2000Ωcm。不同工艺后,硅片表面会受到有机杂质和金属离子污染的影响。在此基础上,分别使用SC-1液体(H2O:H2O2:氢氧化铵=5:1:1)和SC-2液体(H2O:H2O2:HCl=6:1:1)清洗有机杂质和金属离子。利用热生长技术在硅片上去除厚度为70nm的二氧化硅层。在制作掩模之前,根据甲苯、丙酮、酒精和水的顺序清洗晶片。光刻胶的涂覆方法为旋转涂布,旋转速度、涂覆时间和光刻胶厚度分别为3000rpm、3...
发布时间: 2021 - 11 - 02
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      湿法化学工艺广泛用于晶体硅太阳能电池生产,主要用于表面纹理和清洁目的。尽管过去的研究主要集中在过程开发上,但是在过程控制技术方面几乎没有进展。本文讨论了当前最先进的湿化学生产工艺,并提出了工艺控制和质量保证程序(晶片的化学、光学和电学特性)。先进表征技术的目的是提高工艺质量和高质量产品产量。此外,未来的工业高效电池处理需要成本有效、高质量的清洁工艺,尤其是在任何表面钝化步骤之前。      在制造硅太阳能电池的工业生产链中,湿化学应用的质量保证和过程控制变得越来越重要。为了克服基于操作员经验的工艺操作以及延长普通蚀刻槽的总操作时间,在线表征和控制的新发展将是强制性的。这种质量控制具有显著降低成本的潜力,因为更换浴混合物或缩短加工时间之间的持续时间得到了优化。对于工艺开发,从实验室规模向工业生产设备转移高效电池工艺出现了新的要求。尤其是在电池工艺的不同阶段需要更高的晶片和表面清洁标准;尽管如此,生产成本和工艺复杂性必须保持尽可能低。 实验      对于不同的晶体取向,用氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)进行的碱性蚀刻具有不同的蚀刻速率,因此对于(100)取向的单晶硅晶片,这种各向异性导致具有随机分布在晶片表面上的正方形基底的小...
发布时间: 2021 - 11 - 02
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      SC-l和piranha(H2SO4/H2O2)清洁剂已经使用多年来去除颗粒和有机污染物。尽管SC-1清洁剂(通常与施加的兆频超声波功率一起使用)被认为对颗粒去除非常有效,但去除机制仍不清楚。对于去,除重有机污染物,piranha清洗是一个有效的过程;然而,piranha后残留物顽强地粘附在晶片表面,导致颗粒生长现象。已经进行了一系列实验来帮助理解这些过程与硅的相互作用。 实验      为了评估piranha清洗后晶片上残留的硫量,将150毫米n型裸硅和热氧化晶片在95 °C下通过5:1或10:1(氢、硫、氢、氧)piranha处理10分钟。对冲洗过程进行各种修改后,飞行时间二次离子质谱(TOF- SIMS)和全反射X射线荧光光谱法(TXRF)用于测量残留硫。清洗和干燥晶片后,还测量了作为时间函数的光点缺陷。当piranha被处理后晶片已经显示出颗粒生长现象。这些分析技术的数据用于评估各种冲洗技术的功效。 结果和讨论      在对SC-1化学物质的研究中,当稀释时,清洁效率与测量的开路电位或雾度增量之间没有明显的相关性。使用了SC-1化学物质。图1显示了基于去除硅钠颗粒的钳去除效率。 这些实验是在已知影响硅蚀...
发布时间: 2021 - 11 - 02
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      分析化学小型化的一个方便的起点是使用单c:晶体硅作为起始材料,微加工作为使技术,湿化学蚀刻作为关键的微加工工具。在本文中,我们回顾了硅微加工,并描述了形成可能用于化学分析应用的通道、柱和其他几何图案的各向异性湿式化学蚀刻。      本文主要目的是评估不同的各向异性蚀刻剂,用于微加工柱、分裂器和其他几何图案的变体,可用作构建更复杂的微加工结构的构建块,并可能用于化学分析应用。我们根据微加工,介绍各向异性湿式化学蚀刻的实验要求,并将详细讨论蚀刻上述图案类型后获得的形状。      有几个因素会影响蚀刻剂的选择,其中包括蚀刻成分、时间和温度、搅拌速率、光照条件、晶片质量、晶体取向和掺杂等。在本工作中,仅使用表1中列出的蚀刻成分和蚀刻温度测试了n掺杂晶片,并简要研究了搅拌的影响。此外,只有和晶片被测试,因为晶片通常蚀刻得太慢,没有任何用途。 表一 所选择的各向异性蚀刻剂的特征      硅晶片:本文中使用的硅晶片为n型掺杂(磷),标称厚度为376±25µm,电阻率为2-5Q.cm。在晶片上表面以1000-1200°C氧化生长一层二氧化硅(约1µm)。  ...
发布时间: 2021 - 11 - 02
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言       本文用湿化学腐蚀法制备多孔氧化锌的研究。通过射频磁控溅射在(111)择优取向的p型硅上沉积ZnO薄膜。在本工作中使用的蚀刻剂是0.1%和1%硝酸(HNO)溶液,ZnO在不同时间被蚀刻,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)光谱进行表征,以允许对它们的结构和光学性质进行检查。XRD结果表明,当薄膜在不同的氢氮浓度下刻蚀不同的时间时,ZnO的强度降低。上述观察归因于氧化锌的溶解。扫描电镜图像显示,氧化锌薄膜的厚度随着刻蚀时间的延长而减小,这是氢氮溶液各向同性刻蚀的结果。光致发光发射强度最初随着蚀刻时间的增加而增加。然而,随着样品的进一步蚀刻,由于表面-体积比的降低,光致发光光谱显示出强度降低的趋势。结果表明,1.0%HNO有显著改变氧化锌表面形貌的能力。 实验刻蚀前将沉积的氧化锌样品切成1厘米× 1厘米的片。在目前的研究中,使用了浓度为0.1%和1%的HNO。如表1所示,样品以不同的蚀刻时间浸入蚀刻剂中。蚀刻过程后,用蒸馏水冲洗样品,并在氮气流下干燥,以去除样品表面上的任何化学残留物。用XRD、SEM和PL光谱对制备的多孔氧化锌样品进行了表征,以分别考察其结构性能、表面形貌和截面结构以及光学性能。XRD测量在2θ-ω扫描模式下进行,也称为相位...
发布时间: 2021 - 11 - 01
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