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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      氮化硅钝化层的选择性去除在半导体器件的失效分析中非常重要。典型的应用有:光学显微镜和去除表面污染物的模具表面清洁、电子显微镜、液晶、电压对比、电子束测试、机械微探针和选择性逐层剥离。      开发了一种新的氮化硅钝化层湿法腐蚀工艺,这种工艺比铝金属化工艺具有更高的选择性,并且在钝化去除后保留了器件的全部功能。在失效分析文献中,首次详细给出了化学配方和腐蚀过程。这种蚀刻剂已经在许多故障分析实验室中对广泛的分立和集成半导体器件进行了两年多的实验,并且总是获得优异的结果。两个失效分析实例说明了其能力和效率。实验      大多数集成电路的钝化层是由氮化硅制成的。由于其优越的物理和化学性质(抗氧化和耐腐蚀、化学惰性、对离子污染物和湿度的低渗透性),氮化硅实际上是集成电路最合适的钝化层。现在只有少数集成电路仍然用磷掺杂的氧化硅钝化。电子顺磁共振,因为氮化硅对紫外线不透明)。      氮化硅通常通过硅烷、氨和一氧化二氮的反应,在约850/650℃的温度下通过化学气相沉积,在约600℃下通过金属有机化学气相沉积,以及在低至350℃的温度下通过等离子体沉积而沉积。氮化硅的理想化学计量组成是Si3N4.实际上,氮化硅是一种类似...
发布时间: 2021 - 10 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      单晶片兆频超声波清洗机的声音分布通过晶片清洗测试、视觉观察、声音测量和建模结果来表征。该清洁器由一个水平晶圆旋转器和一个兆频超声波换能器/发射器组件组成。声音通过液体弯月面从换能器组件传输到水平石英棒到晶片。声音可以从石英棒沿径向和轴向传播。通过改变换能器和传输部件的参数,可以控制来自石英棒的径向和轴向声音传输的程度。      虽然兆频超声波清洗在半导体工业中被广泛使用,但是基本的物理过程还没有被完全理解。除了了解颗粒去除的机理,还通过实验和建模研究了清洁室内的声音分布。 实验      清洗实验是在VERTEQ金手指,一个单一的晶片,兆频超声波清洗机(图1和2)中完成的。 图2 巨气子能量传播和液体分布示意图      该模块包括:(1)晶片卡盘和旋转器,(2)兆频超声波换能器组件和(3)化学输送系统。兆频超声波组件由压电换能器组件组成,该组件连接到石英棒上。      晶圆制备:浆料污染的氧化物晶片通过以下方法制备:(1)在水中预湿晶片,(2)在Cabot SS-25浆料浴中浸渍10秒,(3)去除并置于稀释的表面活性剂溶液(Wako)中10秒,和(4)使用前...
发布时间: 2021 - 10 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      本方法涉及清洗除去牢固附着在玻璃基板表面的聚有机硅氧烷固化物。一般粘合剂等中含有的、附着在玻璃等基板上的有机硅树脂等有机物或无机物,可以使用酸、碱、有机溶剂等药液除去。例如,已知使用苯、甲苯 、二甲苯、煙、工一硫等有机溶剂除去有机物等,但固化物的剥离性不充分,另外,有时在剥离后产生的废液中含有毒性强的化合物和会导致环境污染的化合物。因此,作为常规清洁液,主要使用氢氟酸盐溶液或碱金属氢氧化物溶液。      然而,由于氢氟酸盐会腐蚀玻璃,因此在玻璃基板上使用时需要小心。 因此,在硅晶片制造商和器件制造商中,进行各种清洁以去除粘附在诸如硅晶片的衬底上的污染物。例如,一种名为RCA清洗的典型清洗方法是将氨水,过氧化氢和超纯水的混合液(有时称为A P M)加热至60-90℃,除去硅片上的颗粒和有机物,然后再将盐酸,过氧化氢和超纯水的混合液(有时称为H P M)加热至60-90℃用于去除硅晶片上的金属杂质的方法的组合。将硫酸和过氧化氢溶液(有时称为SPM)的混合溶液加热到80-150°C,用于分解和去除有机物质,如泡沫,或去除金属杂质。      玻璃基板的表面通过用强碱洗涤来溶解和去除牢固地粘附到玻璃基板上的硬化材料,并且同时,玻璃基板的表面也...
发布时间: 2021 - 10 - 29
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      在使用湿化学硅体微机械加工制造微机电系统时,使用碱性溶液,如氢氧化钾、氢氧化四甲铵和氢氧化铵。除了微机械加工之外,碱性溶液还用于单晶硅的表面纹理化,以降低反射率并改善高效硅太阳能电池的光捕获。在碱性溶液中,TMAH和KOH最广泛地用于湿法各向异性蚀刻。当考虑到互补金属氧化物半导体的兼容性,并且热氧化物被用作掩模层时,使用解决方案。为了获得和氢氧化钾之间的高蚀刻选择性。      即R和Si的显著蚀刻速率,氢氧化钾优于 在约18重量%的浓度下观察到硅的最大蚀刻速率。当氢氧化钾的浓度增加或减少超过该浓度时,蚀刻速率降低。随着浓度的增加,蚀刻的表面形态改善。浓度接近或大于30重量%时获得高度光滑的表面。氮化硅显示出对硅的优异蚀刻选择性,因此如果蚀刻进行更长时间,则优选氮化硅作为掩模材料。热生长的二氧化硅非常便于沉积和图案化,如果进行短时间蚀刻,可以用作蚀刻掩模。氧化物的溶解速度随着氢氧化钾溶液的浓度而增加。 实验      每次使用1升新鲜蚀刻剂。特氟隆容器部分插入恒温水浴中。蚀刻在60至76℃的不同温度下进行,没有任何搅拌/搅动。在所有实验中,样品被垂直固定在包含多个槽的PFA芯片支架中,以一次蚀刻许多样品,从而确保相同的蚀刻条件。在浸...
发布时间: 2021 - 10 - 28
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍       信息技术给我们的现代社会带来了巨大的转变。为了提高信息技术器件的存储密度,使用浅沟槽隔离技术将半导体制造成无漏电流的极端规模集成。在这个过程中,固相氮化硅(Si3N4)层在部分二氧化硅(SiO2)沉积中起到掩模的作用。通过这种沉积,形成了由数百个交替堆叠的Si3N4和二氧化硅原子层组成的垂直堆叠结构.Si3N4掩模必须在程序结束时去除,通常通过热化学蚀刻。因此,在二氧化硅上选择性和完全蚀刻Si3N4是STI技术中制造高性能半导体器件的关键步骤。      典型地,选择性被定义为Si3N4和二氧化硅的蚀刻速率之间的比率。然而,由于传统蚀刻剂对两种硅材料的优先化学亲和力的边际差异,选择性蚀刻相当具有挑战性。此外,这两种材料在标准温度和压力下都是化学惰性的。在当代方法中,蚀刻在两种不同的条件下进行:干蚀刻和湿蚀刻。干法蚀刻通过离子轰击物理去除材料。众所周知,由于底切的各向异性和可忽略的趋势,产生高分辨率蚀刻。然而,由于不希望的低选择性,这是不利的,因为离子随机攻击表面,甚至损坏基底。另一方面,湿法蚀刻显示出比干法更高的选择性,对衬底的损坏程度更小,更适合大规模生产。因此,在各种商业制造技术中通常采用湿法蚀刻。 讨论      随着温度的...
发布时间: 2021 - 10 - 28
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      分析化学小型化的一个方便的起点在于使用单晶硅作为起始材料,微加工作为使能技术,湿化学蚀刻作为关键的微加工工具。在这次可行性研究和学习中都起到了关键作用。       这项工研究的主要目的是评估不同的各向异性蚀刻剂,用于柱、分裂器和几何图案的其他变体的微机械加工,这些几何图案可以用作构建更复杂的微机械加工结构的构造,所以具被用于化学分析的应用。 实验质量保证       二氧化硅或硅、钠的蚀刻速率很小,蚀刻在透明溶液中进行,因此 可以对蚀刻过程进行可视化监控。通过向蚀刻溶液中加入少量的硅可以抑制 铝的蚀刻。祕、铭、钛和飽没有被蚀刻,但是铜、镣和锌被蚀刻。各向异性不如氢氧化钾好。蚀刻必须在惰性气体覆盖下进行,甚至I非常薄的二氧化硅层也足以防止蚀刻。因此,有必要在蚀刻之前立即将晶片 浸入氢氟酸中。      KOH的主要缺点是它以可观的速率攻击二氧化硅掩模,因此需要SigNa掩模,特别是 如果要使用深度蚀刻。当试图将片上电路与微加工结构结合时,会产生额外的问题。“例如,铝 金属化和焊盘受到氢氧化钾的侵蚀,必须受到保护(因此需要额外的掩模或使用其他蚀刻剂), 蚀刻过程中释放的Nat和K+可能会污染金属...
发布时间: 2021 - 10 - 28
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言 近十年来,湿化学法制备超薄二氧化硅/硅和超薄二氧化硅/硅结构的技术和研究取得了迅速发展。这种结构最重要是与大尺寸硅晶片上氧化物层的均匀生长有关。在硝酸溶液中湿法制备的氧化物(通常标记为氢氧化钠)的性质在于通过傅里叶变换红外光谱测定的高氧化物密度,因此,产生了制备具有优异绝缘性能的超薄氧化物层的可能性。 实验我们使用了电阻率为10厘米的适度n型和p型硅(100)晶片。所有硅衬底的表面在氧化之前都用标准的RCA工艺清洗(即。浸泡在NH4OH+H2O2水溶液和然后用5wt %蚀刻氢氟酸。近十年来,湿化学法制备超薄二氧化硅结构的技术和研究得到了迅速发展。这种结构最重要的优点之一与大尺寸硅晶片上氧化物层的均匀生长有关。当然,氧化层和氧化物/硅界面的质量也非常好。在硝酸溶液中湿法制备的氧化物(通常标记为氢氧化钠)的非常有趣的性质在于通过傅里叶变换红外光谱测定的高氧化物密度,因此,产生了制备具有优异绝缘性能的超薄氧化物层的可能性。 讨论      氢氧化钠样品的光学性质光谱椭偏法和原子力显微镜  略      采用后氧化退火和HCN处理的与NAOS相关的金属氧化物半导体结构的电学特性。第一组制备好的样品在N2气氛中于700℃退火20分钟。它们被标记为氧化后退火后的样...
发布时间: 2021 - 10 - 28
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      半导体器件的制造是从半导体器件开始广泛销往市场的半个世纪 前到现在为止与粒子等杂质的战斗。半个世纪初,人们已经了解了什么样的杂质会给半导体器件带来什么样的坏影响。      作为半导体器件制造中的杂质,大致可以分为粒子、残渣、金属 、有机物。粒子会妨碍布线图案的正常形成,引起信号开路不 良和短路不良。另外,干蚀刻生成的聚合物生成物等残渣,如 果没有完全除去,同样会引起信号开路不良、短路不良,还有配 线接触电阻大导致的动作速度降低。关于金属杂质,虽然重金 属、碱金属等对半导体器件的影响有差异,但一般来说,在栅极氧化膜的耐压恶化结方面 引起线接触电阻大导致的动作速度降低、布线图案破坏导致的 开路短路不良、布线接触电阻大导致的动作速度降低。      通过与半导体器件制造相关人员的巨大努力,关于金属杂质和 有机物杂质,通过药液清洗解决的部分很多,现在作为一个大 问题还没有被公开特写。但是,关于粒子(含有的残渣),即使 在现在也是使半导体设备的成品率下降的最大原因。 实验      半导体设备的制造是半个世纪前到现在与粒子的战斗。坦然笼统地说是粒子,但其产生源却是多方面的。关 于大气中的尘埃,通过洁净室建设、晶...
发布时间: 2021 - 10 - 28
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      氢氧化钾溶液中硅的各向异性刻蚀是微机械加工中的一项重要技术。氢氧化钾蚀刻硅的残留物沉积通常被认为是该技术的缺点。在这份报告中,我们利用这种残留物作为第二掩模层来制造两层复杂结构。设计并测试了尺寸在15-150米范围内、间隙距离为5米的方形图案。当衬底在氢氟酸溶液中被过度蚀刻超过阈值时,出现残余掩蔽层。根据二氧化硅和残留物两种不同的掩蔽层,得到了由类壁结构包围的两层微锥结构。残余掩蔽层是稳定的,并且可以在氢氧化钾蚀刻中存活很长时间,以实现深硅蚀刻。研究了刻蚀剂浓度、温度、刻蚀时间和图形尺寸等工艺参数。通过良好控制的两层结构,可以设计有用的结构用于未来的等离子体和微流体装置。 介绍      氢氧化钾蚀刻硅的残留物沉积是众所周知的,这通常被认为是这种制造技术的缺点。在这项工作中,我们利用残余物作为第二掩模层来制造两层微结构。不同图案尺寸的方形阵列微机械从15到150米和5米的间隙距离已经被设计和测试。正常的微锥可以通过在氢氟酸和氢氧化钾溶液中蚀刻控制良好的二氧化硅和硅来制造。当衬底在HF中被过度蚀刻以获得更大的间隙时,第二层壁状结构出现在第一层微锥体之间。仔细控制制造参数,两层结构尺寸可以精确调整。残留物掩蔽层坚固稳定,比氢氧化钾蚀刻的二氧化硅掩蔽层存活时间更长,最...
发布时间: 2021 - 10 - 27
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍      对于大多数半导体而言,阳极氧化需要价带空穴。因此,人们期望该反应发生在黑暗中的p型半导体和仅在(超)带隙光照射下的n型半导体。氢氧化钾溶液中硅的化学蚀刻包括两个主要步骤:氢氧化物催化的硅-氢表面键的转化产生硅-氢氧化物(和二氧化硅)和通过与水的反应破坏超极化的硅。后一步再生表面氢化物。注意到硅蚀刻和有机硅化学之间的相似性,并且蚀刻各向异性是基于在OH离子的亲核攻击期间形成的五配位过渡态来解释的 实验      实验在(100)和(111)取向的表面上进行。Okmetic提供直拉生长的n型(磷掺杂,1–10厘米)和p型(硼掺杂,5–10厘米)硅(100)晶片。为了在(100)个表面上进行测量,硅片被切成2厘米×2厘米的样品。这些样品的暴露表面积为1.50cm2.在轮廓分明的(111)表面上的测量是在仅暴露掩模(100)表面(掩模开口宽度:100米)上的(111)面的V形槽电极上进行的。为了制备样品,LPCVD在晶片上沉积了300纳米厚的富硅氮化物(SiRN)掩模层(200托,850℃,70sccm SiH2Cl2,18sccm NH3)。通过等离子体蚀刻(DRIE)接着磷酸蚀刻(85%)在氮化物层中打开窗口。使用了两个光刻步骤[5,6]。第一个掩蔽步骤用...
发布时间: 2021 - 10 - 27
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