欢迎访问华林科纳(江苏)半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829



新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
新闻中心 新闻资讯
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文主要研究随机印刷故障,如空间中的微桥或随机缺失触点。本文用一个称之为NOK(不确定)的度量来量化这种故障,这个度量本质上代表了故障概率。本文使用一个名为Stochalis的内部软件包,通过扫描电镜图像分析来测量这个NOK量。本文将论证这种失效概率的最基本的依赖性是它的CD依赖性:NOK(CD)。使用目前可用的光盘扫描电镜或电子束检测工具,现在可以将这种氮氧化物(光盘)依赖性测量到ppm-ppb水平。这不足以证明或否定产量,但NOK(CD)函数是比较材料和条件的极好工具,即。量化对图案化条件的敏感性并显示改进方向。本文将举例说明剂量、间距、抗蚀剂、蚀刻和照明模式的影响。本文还将展示从非常局部到全局的光盘非均匀性如何进一步影响局部故障概率。最后,本文将讨论随机故障概率和光盘非均匀性一起,在光盘和音高上设置实际分辨率限制。这些限制不是绝对的,因为它们取决于图案设置和使用的材料,但是在设置EUVL工艺时,需要非常仔细地考虑它们。 介绍      岩性1中的术语“随机效应”是指发生在原则上应完全相同的结构之间的随机局部变化。“传统的”LWR和LCDU指标量化了由此产生的局部CD可变性。但比局部光盘可变性严重得多的是局部印刷故障,例如空间中的微桥或触点缺失,因为它们直接...
发布时间: 2021 - 09 - 22
浏览次数:39
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      等离子体蚀刻工艺的均匀性和晶片到晶片的再现性通常与等离子体蚀刻室壁的调节有关。对于先进的互补金属氧化物半导体制造,使用了许多金属,这些金属可能在蚀刻过程中沉积在室壁上,并且由于这些金属不总是容易去除,因此会发生工艺不稳定。这是因为室壁上原子种类的复合在一定程度上决定了等离子体的组成。因此,本文研究了金属蚀刻残留物,特别是钛和钽残留物对等离子体成分和均匀性的影响。通过x射线光电子能谱分析所谓的漂浮样品来分析室壁,并且通过光发射光谱法来监测Cl2、HBr、O2和SF6等离子体中Cl、Br、O和F的密度。通过测量300毫米硅片上的蚀刻速率来检查等离子体均匀性。发现氯和溴在金属上的复合概率与在阳极氧化铝上的复合概率相似。然而,氟和氧的复合受到金属残留物的强烈影响。因此,对于基于氟和氧的等离子体,金属残留物显示出对等离子体均匀性有影响。 介绍      为了制造最先进的互补金属氧化物半导体器件,需要开发高精度蚀刻工艺。需要蚀刻的结构尺寸小于几十纳米,并且在300毫米晶片上蚀刻数百万个特征的目标线宽的偏差公差仅为几纳米。这通常需要增加蚀刻步骤和增加蚀刻工艺的复杂性。复合是如此有效,以至于对于某些等离子体物质来说,它变成了比泵送这些物质大得多的损耗机制,因此它对等离子体中的总...
发布时间: 2021 - 09 - 22
浏览次数:89
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      封装小型化这一永无止境的趋势将半导体工业推向了技术的边缘。因此,有必要开发新技术,以满足对先进和先进工艺能力的需求。      这篇论文是关于在圣卡兰巴开发和安装强大的50µm晶圆减薄和切割能力的挑战。随着硅片被磨得越薄,它对机械应力和振动越敏感。传统的机械切割工艺在切割过程中会产生大量的机械应力和振动,这往往会导致背面切屑和模具裂纹问题。背面碎屑作为骰子背面的断裂点,显著降低其模具强度。这一难题通过使用一种突破性的技术——磨削前切割(DBG)得到解决。 介绍      传统工艺包括晶圆贴带、晶圆背磨、脱模和晶圆安装,然后是晶圆锯。      晶圆制备工艺从背面研磨开始,或者在晶圆包带过程中将BG带层压到晶圆的活动面上。BG胶带起到保护作用,以防止在下一个工艺步骤中损坏或划伤晶圆的活动面。在晶圆背面研磨时,BG胶带起到缓冲作用,并确保晶圆在整个加工过程中都被正确抽真空。一旦达到目标晶圆厚度,晶圆随后进入晶圆安装过程。研磨后的晶圆安装在切割带或切割模附膜(DDAF)和环形框架上。最后,机械晶片锯切或切割。       机械晶圆锯工艺使用刀片作为研磨机,可以...
发布时间: 2021 - 09 - 22
浏览次数:140
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      由于对消除水、土壤和空气中的大量污染的需求越来越大,环境修复领域的新兴技术正变得越来越重要。我们设计并合成了MoS2/fe2o3异质结纳米复合材料(NCs)作为易于分离和重复利用的多功能材料。以双酚A(BPA)为探针分子,对制备的样品进行了微量检测性能的检测,检测限低至10−9M;该检测限在所有报道的半导体衬底中都是最低的。在紫外照射下,用MoS2/Fe2o3NCs进行快速光催化降解。高度可回收的MoS2/Fe2O3NCs在催化(SERS)底物后具有SERS的催化活性和良好的检测能力。在考虑了z方案的电荷转移路径、三维花状结构和偶极子-偶极子耦合的影响时,提出了SERS和光催化机理。此外,将制备的MoS2/fe2o3nc成功应用于真实湖泊和牛奶样品中BPA的检测。在此,我们深入介绍了MoS2/fe2o3材料的发展,该材料可作为化学传感器和光催化废水处理,以去除顽固性有机污染物。 介绍      由于消除水、土壤和空气中大量污染的需求不断增加,环境修复领域的新兴技术变得越来越重要。. 本文设计并合成了二硫化钼/Fe2O3异质结纳米复合材料,这是一种易于分离和重复使用的多功能材料。使用双酚A (BPA)作为探针分子检查制备样品的痕量检测性能,检测限低至10...
发布时间: 2021 - 09 - 18
浏览次数:25
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要       描述了一种从硅和二氧化硅中去除氮化硅层的高选择性干法刻蚀工艺,并对其机理进行了研究。与传统的Si3N4去除工艺相比,这种新工艺采用远距离O2 /N2放电,CF4或NF3作为氟源的流量小得多。对于作为氟源的CF4,Si3N4的蚀刻速率达到超过30纳米/分钟,同时Si3N4与多晶硅的蚀刻速率比高达40,并且二氧化硅根本没有被蚀刻。对于作为氟源的NF3,实现了50纳米/分钟的Si3N4蚀刻速率,而对多晶硅和二氧化硅的蚀刻速率比分别约为100和70。原位椭偏法显示在多晶硅顶部形成约10纳米厚的反应层。该氧化的反应层抑制了反应性气相物质与硅的蚀刻反应。 介绍      硅局部氧化后氮化硅掩膜材料的剥离~LOCOS!是集成电路期间器件损坏的可能来源捏造。衬垫氧化物在过蚀刻过程中会退化。此外,蚀刻剂可以通过垫氧化物中的缺陷到达下面的硅衬底,并且以显著的速率蚀刻衬底。这种效应在基底上留下凹坑,称为“点蚀”。目前用于Si3N4剥离步骤的干法工艺有利于这种不希望的效果,因为它们蚀刻硅的速度通常比Si3N4快得多.因此,在二氧化硅和硅上选择性蚀刻Si3N4的工艺是理想的。 实验      实验用蓝宝石涂敷器在1000瓦的微波功率和600毫托的...
发布时间: 2021 - 09 - 18
浏览次数:616
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      研究了在超纯水和碱性溶液中室温湿法清洗硅片表面的臭氧浓度和半衰期的工艺优化。在超纯 水中,在氧气流速为3升/分钟且臭氧发生器功率超过60%时,测量臭氧的最大浓度(35 ppm)。      臭氧发生器功率越低,臭氧半衰期越长。添加诸如N2和二氧化碳等附加气体以增加臭氧的浓度 和半衰期。尽管加入N2气体时臭氧的最大浓度较高,但加入二氧化碳时半衰期较长。当在去离 子水中加入0.05或0.10体积%的氢氧化縁时,溶液的酸碱度约为10。臭氧的加入导致半衰期小于 1分钟。为了保持高的酸碱度和臭氧浓度,臭氧以0.05体积%的浓度连续供应。将3 ppm的臭氧' 溶解在am monia溶液中。硅片表面的静态接触角变得亲水。去除污染物可能是碱性臭氧溶液。, 臭氧化超纯水可以去除有机污染物,而含臭氧的碱性溶液可以在室温下去除硅表面的颗粒。介绍       目前的半导体清洗工艺可以分为使用化学液的 湿清洗和使用等离子体或激光等的干清洗方法。其中湿法三井工艺因半导体硅片清洗工艺能够在短时间内处理大量晶片而被认为是重要的清洗方法。      RCA清洗工艺主要是为了去除污染粒子的标准清洁1 (SC 1)工艺 和减少金属汚染物的标准...
发布时间: 2021 - 09 - 18
浏览次数:64
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      综述并比较了几种氮化镓刻蚀技术。本实验选用氮化镓二元刻蚀技术,用德克轮廓仪和原子力显微镜测量刻蚀后的氮化镓轮廓。二元刻蚀技术采用了本征氮化镓、n型氮化镓和p型氮化镓三种氮化镓薄膜。实验结果表明,在室温和较高温度下,二元刻蚀都可以用于氮化镓湿法刻蚀,具有良好的控制和精度。介绍      氮化镓作为一种宽带隙的ⅲ-ⅴ族化合物半导体,近年来得到了广泛的研究。高性能的氮化镓HFET和金属氧化物半导体场效应晶体管已经被证]。氮化镓加工技术是实现氮化镓基器件良好性能的关键。已经尝试了许多氮化镓蚀刻方法。大多数氮化镓蚀刻是通过等离子体蚀刻完成的,其缺点是容易产生离子诱导损伤,难以获得光滑的蚀刻侧壁。 实验和结果      回顾了几种蚀刻技术,蚀刻速率和表面粗糙度总结在图1、图2和表1中。图1.几种蚀刻技术的蚀刻速率图2.使用几种蚀刻技术蚀刻后的氮化镓表面粗糙度在实验中,选择PEC二元GaN刻蚀方法的原因如下:二元蚀刻能够实现更好的控制和精度。它不需要复杂的设备。可以在室温和更高的温度下进行。不需要任何电极和不需要外部刺激。蚀刻过程按以下循环进行:1)浸泡在5% K2S2O8溶液中30秒;2)用去离子水冲洗30秒;3)...
发布时间: 2021 - 09 - 18
浏览次数:69
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍     随着器件尺寸的迅速缩小和实现极其光滑表面的严格要求,在前端和后端工艺中,使用化学机械抛光(CMP)对各种薄膜进行全局表面平坦化的需求越来越大。在化学机械抛光过程中,抛光垫材料和晶片表面在浆料的存在下紧密接触。在化学机械抛光过程结束时,浆料颗粒仍然留在晶片表面,如果不去除,它们会导致各种类型的缺陷(划痕、腐蚀点等)。这影响了集成电路的功能化。在某些情况下,这些缺陷也可能是由抛光垫和金刚石圆盘修整器引起的。其他常见的污染物包括有机残留物和金属杂质。 作用力范德华力是粒子粘附到任何基底上的最重要的力之一。这些力是由于原子核周围电子的位置所形成的分子间的瞬时偶极相互作用而产生的。偶极相互作用有三种类型,即永久偶极-永久偶极(基索姆相互作用)、永久偶极-诱导偶极(德拜相互作用)和诱导偶极-诱导偶极相互作用(伦敦力),它们共同对范德华力做出贡献。范德华力取决于相互作用的粒子、基底和介质的组成、它们之间的分离距离以及粒子和基底的表面粗糙度和几何形状。  化学机械抛光后清洗工艺的类型      在不同类型的湿法清洗方法中,批量清洗由于其低拥有成本已经使用了很长时间,因为它通常一次处理25个晶片的盒子。湿式批量清洗由几个步骤组成,指定不同的浸没槽,其中...
发布时间: 2021 - 09 - 17
浏览次数:31
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要       臭氧(O3)是氧的异位体,是一种高活性的气体氧化剂,吸收有害的紫外线(UV)辐射,从而使地球上的生命得已存在。第一个臭氧发生器是由沃纳·冯·西门子公司开发的,给游泳池消毒,并防止冷却塔系统中微生物的生长。 介绍      半导体被广泛用于处理和净化地下水和地表水以及生活和工业废水,因此研究了臭氧在晶片清洗和抗蚀剂剥离应用中的用途。为了降低化学品消耗和处理成本以及提高清洁效率,臭氧在过去十年中被研究作为传统硫酸-过氧化物的替代物,并使用碱性(SC-1)和酸性(SC-2)过氧化氢混合物进行RCA清洁。由于O3和O3衍生的氧化物质如OH自由基的消毒活性有多种影响,因此它是有效的。 臭氧主要用于清洗晶片;消除有机物、金属和颗粒;去除光刻胶;和消毒去离子水设施。用臭氧清洗总是会氧化。工艺差异取决于清洁步骤的主要目的。去除有机物。臭氧化去离子水(DIO3)具有很高的氧化潜力,可以降解有机污染物。其去除效率取决于有机物质的类型、臭氧浓度和反应方式。去除金属和颗粒。DIO3本身不能有效去除沉积在硅表面的金属,如铁、镍、铝、镁和钙,如金属氢氧化物或金属氧化物。取决于它们的性质,金属可以被结合到氧化物层中或者驻留在硅二氧化硅界面上...
发布时间: 2021 - 09 - 17
浏览次数:124
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要       本文报道了对SC1(nh4OH:H202:H20)溶液的研究,可用于抗颗粒去除和选择性湿蚀刻某些薄膜。用于以下测试的SC1溶液的比例为1:2:10。研究了四氯硅氧化物、硼磷酸硅酸盐玻璃、氮化物、掺杂多晶硅和热氧化物等薄膜的刻蚀速率。薄膜成分、所使用化学品的年龄、温度和化学成分是影响这些薄膜蚀刻率的因素。 介绍       抗蚀剂和颗粒去除的湿法工艺和化学方法在超大规模集成电路的制造中至关重要,依赖于克恩工作1、2的序列被广泛使用。盐酸:(H2O2 (SC2)±要用于去除金属污染物,而食人鱼(H2SO4:H2O2)和I NH4OH:H2O2:H2O (SCI)被认为主要是有机污染物清洗液。抗蚀剂涂层、离子注入或等离子体蚀刻和冲灰化步骤用于生成半导体处理过程中常见的粒子。使用SC1溶液以选择性地蚀刻半导体行业常见的某些薄膜的可行性。加热后的SC1已被发现在蚀刻膜中非常有效,如原位掺杂(ISD)多晶硅,而不破坏背面的硅表面。加热后的SC1也能有效地蚀刻薄膜的细丝,由于各向异性,在干燥的蚀刻过程后可能保持不变。   实验步骤        SC1溶液所有测试中...
发布时间: 2021 - 09 - 17
浏览次数:351
Copyright ©2005 - 2013 华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋高新区桃金东路90号
电话:0513-87733829
Email:xzl1019@aliyun.com
www.hlkncse.com

传真:0513-87733829
邮编:226500


X
1

QQ设置

3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开