欢迎访问华林科纳(江苏)半导体设备技术有限公司官网
手机网站
始于90年代末

湿法制程整体解决方案提供商

--- 全国服务热线 --- 0513-87733829



新闻资讯 新闻中心
400-8798-096
联系电话
联系我们
扫一扫
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推荐产品 / 产品中心
发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
新闻中心 新闻资讯
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要制造具有弓形、翘曲形、总厚度变化(TTV)、局部厚度变化(LTV)和现场前最小二乘焦平面范围(SFQR)等优越规格的碳化硅晶片的方法。所得到的碳化硅晶圆具有一个镜面的表面,适合于碳化硅的外延沉积。在加入外延层后,保留了晶片的弓形、弯曲、翘曲、总厚度变化(TTV)、局部厚度变化(LTV)和现场前端最小二乘焦平面范围(SFQR)的规范。 介绍本文公开涉及半导体晶片的制造,更具体地说,涉及由碳化硅制成的半导体晶片。半导体芯片行业的成功在很大程度上要归功于硅的自然特性。这些特性包括易于生长的天然氧化物(SiO),其天然氧化物的优良的整体发光特性,以及硅晶片和硅晶片内的器件的相对容易制造。另一方面,高温高压半导体电子学可以受益于碳化硅的自然特性。例如,碳化硅用于超快、高压肖特基二极管、MOSFETs和用于高功率开关的高温胸腺管和高功率led。因此,增加碳化硅的可用性有助于这种半导体器件的设计选择。例如,目前100mm碳化硅晶片的生产远远落后于标准的300mm硅晶片。此外,在单晶碳化硅中,晶体管和二极管不能可靠地形成复杂的掺杂谱。复杂的几何掺杂配置口粮必须通过使用基于步进的光刻方法形成的微米亚微米几何掩模来实现。 举例用于制造75mm和100mm直径的4H碳化硅晶片。晶片的电阻率范围为0.015–0.028欧姆厘米。对于步骤100-1...
发布时间: 2021 - 09 - 13
浏览次数:398
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      公开了一种用于从氧化物基器件中获得改进的氧化物层并由此提高的性能的方法。该方法包括将碳化硅层以低于碳化硅开始显著氧化速率的温度的氧化层暴露在氧化源气体中,同时高到足以使氧化源气体扩散到氧化层中,同时避免碳化硅的任何大量额外氧化,并且足够使氧化层敏感并改善氧化层和碳化硅层之间的界面。介绍      碳化硅(SIC)具有电气和物理特性的结合,使其对高温、高压、高频率和高功率电子器件的半导体材料具有吸引力。这些特性包括3.0电子伏(eV)带隙、4毫米伏每厘米(MV/cm)电场击穿、4.9W/cm-K的热导热率和每秒2.0x10厘米(cm/s)电子漂移速度。此外,由于碳化硅将生长热氧化物,它比其他化合物半导体具有显著的优势。特别是,形成热氧化物的能力提高了形成金属氧化物半导体(MOS)器件的相应能力,包括MOS场效应晶体管(镁)绝缘栅极双极晶体管(IGBT)、MOS可控晶闸晶体管(MCT)和其他相关器件。反过来,mosfet是大规模集成电路中极其重要的器件。因此,充分利用硅化硅在MOS器件中的电子支柱和由此产生的集成电路需要适当的碳化硅氧化技术。 结果和讨论      本文的目的是进一步提高碳化硅氧化物的质量。本文以一种获得改进的...
发布时间: 2021 - 09 - 11
浏览次数:93
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要        本文提供一种保护涂层,描述了半导体沉积室中使用的保护涂层的方法。在优选实施例中,CVD室设备免受等离子体蚀刻清洗。在氮化硅的CVD之前,腔室设备首先涂上发射率稳定层,如氮化硅。然后这一层被表面氧化。在序列中的不同底物上重复沉积氮化硅后,将腔室清空晶圆,并进行等离子体清洗过程。等离子清洗优选选择氧氮化硅保护涂层。在等离子体清洗过程之后,再应用发射率稳定层氧化,并且可以重新开始多个沉积循环。 介绍       根据本文的一个方面,用于等离子体蚀刻处理的含氧氮硅涂层的半导体反应器。根据本文的另一方面,提供了一种制备晶片支架的方法。该方法包括将晶片支架导入腔室,在晶片室中为晶片支架的氮化硅涂层,并在处理晶片之前氧化晶片支架上的初级氮化硅涂层。在所示的实施例中,基座是碳化硅涂覆石墨缓冲器,反应器配置用于氮化硅沉积。氮化硅的初级涂层由热CVD形成,并且优选地具有a。初级氮化硅涂层包括流动的从由氧、一氧化氮和一氧化二氮组成的组中选择的氧源。氧化优选形成氧化硅约5A和200A之间的氧化硅。 实验 优选实施例的方法虽然优选实施例是在单衬底、水平流动冷链的背景下提出的反应器,应当理解为的某些方面将应用于其他类型的反应器。所示的单通水平流设...
发布时间: 2021 - 09 - 11
浏览次数:73
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文提供了在衬底表面上沉积碳化硅薄膜的方法。这些方法包括使用气相碳硅烷前体,并且可以釆用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可以在低于600“C的温度下进行,例如在大约23丁和 大约200V之间或者在大约100°CTo然后可以致密该碳化硅层以去除氢含量。此外,碳化硅层可以暴露于氮源以提供活性氮-氢基团,然后可以使用其它方法堡续沉积薄膜。等离子体处理条件可用于调节薄膜的碳、氢或氮含量。 技术领域      本文的第一方面通常涉及在衬底表面上沉积碳化硅层或薄膜的方法。在第一方面的特定实施例中,本文涉及利用有机硅烷前体化合物的原子层沉积工艺。本文的第二方面涉及用于等离子体增强原子层沉积的设备和方法。在第二方面的特定实施例中,该设备利用具有双通道的喷头或面板通过第一组通道输送远程产生的等离子体,并通过第二组通道输送前体和其 他气体。在第三方面,形成碳化硅层的方法可以在根据第二方面描述的设备中执行。  实验        一般来说,将含有Si、C、H的种子膜暴露于含N的等离子体中对生成膜是有效的。如果被处理的薄膜中含有很少的H,也可以在等离子体混合物中添加少量的氢,以促进产生更多的N-H键合。可以根据等离...
发布时间: 2021 - 09 - 11
浏览次数:125
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要       栅极氧化物的特性很大程度上取决于清洗过程中使用的最后一种化学溶液。标准 RCA、HF-last、SCl-last和仅HF工艺是本实验中使用的栅极氧化物预清洗工艺。清洗后在900°C的氧化炉中进行热氧化,生长岀一种100埃的栅氧化层,并用寿命检测器、VPD原子吸收光谱仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜和原子力显微镜对其进行了表征。HF-last和HF-only的结果显示对去除金属杂质非常有效。这两个分裂也显示了长的少数载流子寿命。用原子力显微镜和透射电镜观察了氧化物的表面和界面形貌。用含有SCI溶液的清洁裂口观察粗糙的表面形态。用纯HF清洗工艺观察到光渭的表面和界面。 介绍       随着半导体加工技术向深亚微米器件结构发展,薄栅氧化层生长前的硅表面清洗变得更加关键。当栅极氧化物厚度减小到小于100A3-6时,栅极氧化之前的清洁工艺的重要性更加突出。影响氧化物质量的主要因素是颗粒和金属杂质。 实验  略  结果和讨论elementssB1B2B3B4AI145.914.71313.812.3铁153.7221.4235.3122.3铜3.81.44.11.4表1显示了 HF-last(B2)...
发布时间: 2021 - 09 - 11
浏览次数:32
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料      打开你的智能手机机身,你是否看到小的黑色矩形卡在电路板上?那些黑色的矩形是封装好的芯片。外部芯片结构保护内部脆弱的集成电路,并散热,保持芯片彼此隔离,重要的是,提供与电路板和其他元件的连接。制造这些保护结构和连接的制造步骤统称为“封装”。晶圆级封装      在传统的封装中,完成的晶片被切割成单个的芯片,然后这些芯片被结合和封装。晶片级封装(WLP),顾名思义,包括在管芯还在晶片上时封装管芯:保护层可以结合到晶片的顶部和/或底部,然后准备电连接,并将晶片切割成单个芯片。举个烘焙的例子,传统的包装类似于给单个纸杯蛋糕蒙上糖霜,而WLP就像给整个蛋糕蒙上糖霜,然后把它切成小块。因为侧面没有WLP涂层,所以最终封装的芯片尺寸很小(与芯片本身的尺寸大致相同),这是我们的智能手机等足迹敏感型设备的一个重要考虑因素。其他优势包括简化的制造和在切割前测试芯片功能的能力。凸点和倒装芯片      芯片和电路板之间最简单的电连接之一可以用导电材料的小球制成,称为凸点。然后,可以将凸起的芯片上下翻转并对齐,使凸起与电路板上的匹配焊盘相连。与传统的引线键合相比,倒装芯片键合有几个优点,包括封装尺寸小和器件速度更快。凸块可以通过扩展传统的晶片制造方法来实现。芯片制造完成...
发布时间: 2021 - 09 - 11
浏览次数:39
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      硅光子学最有吸引力的一个方面是它能够提供极小的光学元件,其典型尺寸比光纤器件的尺寸小一个数量级。这种尺寸差异使得光纤到芯片接口的设计具有挑战性,多年来,在该领域激发了大量的技术和研究工作。光纤到硅光子芯片接口可以大致分为两大类:面内和面外耦合器。属于第一类的器件通常提供相对较高的耦合效率、较宽的耦合带宽(波长)和较低的偏振依赖性,但是需要相对复杂的制造和组装过程,这与晶片级测试不直接兼容。相反,面外耦合器件效率更低,带宽更窄,并且通常与偏振相关。然而,它们通常与大批量制造和封装工艺更兼容,并且允许在晶片上接近光学电路的任何部分。在这篇文章中,我们回顾了光子集成电路的光耦合器的当前技术水平,旨在给读者一个全面和广阔的视野,确定每种解决方案的优缺点。由于光纤到芯片耦合器与封装技术有着内在的联系,光学封装的共同设计变得至关重要,我们还回顾了目前用于封装和组装具有硅光子集成电路的光纤的主要解决方案。 介绍      光学技术已经彻底改变了通信领域,允许通过光纤进行现代高带宽跨洋传输。在过去的十年中,硅光子学已经成为实现光收发器和光处理器的平台,旨在为电信和数据通信应用提供低成本和高性能的组件。使用硅(Si)波导作为基本元件,可以实现多种光学组件。 光耦合的不同...
发布时间: 2021 - 09 - 10
浏览次数:90
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      经过多年的努力,极紫外(EUV)光刻技术在2018年达到了一个重要的里程碑:为先进半导体器件的大规模生产做好了准备。已经实现了250瓦的EUV源功率,提供了在20 mJ/cm2的剂量下每小时超过140个晶片的工具生产能力.对于多个系统,全晶圆临界尺寸(CD)均匀性现在小于0.5纳米,而匹配机器覆盖为1.1纳米。这些成像和覆盖性能满足5纳米节点逻辑和16纳米动态随机存取存储器(DRAM)器件的生产要求。与此同时,ASML继续提高EUV曝光工具的性能,以获得更高的吞吐量、更好的图像质量和更严格的覆盖规格,从而进一步提高生产率和能力。需要进一步改进抗蚀剂和掩模材料,以将EUV单一图案化扩展到低k1状态。最后,ASML已经开始开发一种数值孔径为0.55的EUV曝光系统,以便在未来十年后继续扩大半导体制造的规模。 介绍      EUV光刻技术的发展加速,并展示了一种基于EUV的测试器件结构。2011年,R&D曝光系统,NXE:3100,包含新开发的光学系统,其数值孔径为0.25,被开发并交付给半导体公司[5]。NXE:3300系统于2013年交付,其较高的NA为0.33[6]。这些扫描系统的发展促进了掩模和抗蚀剂材料的发展。最新的系统(NXE:3400)于201...
发布时间: 2021 - 09 - 10
浏览次数:22
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      近十年来,显示工艺采用了RCA清洗,应用于大面积,解决了环境问题。然而,接近臭氧化的概念,氢化或电解水清洁技术属于RCA清洁范例。在这项工作中,基于Pourbaix概念,仅将电解阳极水用于清洁颗粒和有机物以及金属,并引入MgO颗粒作为测试载体来证明这一新概念。电解后的阳极水具有很强的氧化性,氧 化还原电位高,pH值低,分别超过900毫伏和3.1。将氧化镁颗粒浸入阳极水中,并随时 间测量其由于溶解引起的重量损失。在250毫升阳极水中,重量损失在100至500微克的范围内,这取决于它们的氧化还原电 位和酸碱度。因此,得出的结论是,阳极水中的清洁自由基至少在1至5埃20埃/250毫升 阳极水中,相当于1E18埃/立方厘米。      因此,可以假设阳极水用于显示器清洁,因为正在处理1EL0至lE15ej/cm3范围的污染 物。此外,观察到阳极水在疏水表面上不形成微粗糙,而在天然氧化硅上形成微粗糙。 介绍      清洗工艺覆盖了半导体工艺总数的三分之一和生产成本的很大一部分,因此在技术上、经济上,环境和生态。还必须实现超洁净的晶片表面,无颗- 粒、无金属杂质、无有机物、无湿气、无天然氧化 物、无表面微粗糙度、无电荷,诸如颗粒、金属杂质和有...
发布时间: 2021 - 09 - 10
浏览次数:41
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      清洗工艺的作用是制备完整的硅表面,硅表面纯度高,其条件是无颗粒、无金属粘附、无有机污染、无水粘附、无天然氧化物、无粗糙度、全覆盖氢终端、无电荷积聚。      当前的湿表面清洁是在空气中进行的。在大气中,氧很容易溶解到UPW(超纯水)中,结果,晶片表面立即被氧化。如果表面被氧化,氢终端将丢失,结果,清洗后形成的栅氧化物的特性将被破坏。      为了避免晶片表面退化,需要在大气中没有氧气的清洗系统。在本研究中,我们评估了能够实现低于10ppm的低氧浓度的清洗工艺。通过氮气吹扫。用红外光谱和接触角测量表面。为了评估低氧浓度的效果,测量水印的产生。实验      本实验中的晶圆类型为(100) 8-12欧姆·厘米。当清洗后立即在空气中进行UPW清洗时,从2060到2160 cm-1 [2]的峰消失,并且观察到在2250 cm-1 附近氧化的硅的峰。由于通过UPW蚀刻硅而增加表面粗糙度,出现了峰的移动。当在低氧浓度下进行UPW冲洗时,维持氢终止。据了解,在低氧浓度下漂洗时,表面几乎没有氧化硅。      虽然清洗后立即的接触角约为78度,但与随后在空气中UPW漂洗8小时的接触角变...
发布时间: 2021 - 09 - 10
浏览次数:17
Copyright ©2005 - 2013 华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
犀牛云提供企业云服务
华林科纳(江苏)半导体设备有限公司
地址:中国江苏南通如皋高新区桃金东路90号
电话:0513-87733829
Email:xzl1019@aliyun.com
www.hlkncse.com

传真:0513-87733829
邮编:226500


X
1

QQ设置

3

SKYPE 设置

4

阿里旺旺设置

2

MSN设置

5

电话号码管理

  • 400-8798-096
6

二维码管理

8

邮箱管理

展开