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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      微光学是当今许多产品和应用不可或缺的关键使能技术。最著名的例子可能是用于高端DUV光刻步进机的衍射光整形元件。高效的折射和衍射微光学元件用于精确的光束和光瞳整形。微光学对减少投影光刻中的像差和衍射效应产生了重大影响,使得分辨率在过去十年中从250纳米提高到45纳米。微光学在医疗设备(内窥镜、眼科)、所有基于激光的设备和光纤通信网络中也发挥着决定性的作用,为我们的家庭带来了高速互联网。本文概述了晶圆级微光学技术的主要步骤和发明,综述了制造、测试和封装技术的最新进展。  半导体工业      半导体工业从1969年的1英寸晶圆尺寸发展到2英寸,1972年发展到3英寸,1976年发展到4英寸,1983年发展到6英寸,1993年发展到8英寸(200毫米),最后从1998年开始发展到300毫米。制造技术取得了令人难以置信的进步。平面微光学        在微光学中,波长通常是对制造有意义的最小特征尺寸。投影光刻的一个显著限制是焦深,将最大抗蚀剂厚度限制在通常。 图1一个用于光束整形的八级衍射光学元件,用工字晶片步进器和反应离子蚀刻在8英寸熔融石英晶片上制造。     ...
发布时间: 2021 - 09 - 09
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要随着晶片尺寸越来越大,线宽越来越小于100纳米,挑战之一是将抗蚀剂厚度和均匀性控制在严格的公差范围内,以最小化临界尺寸上的薄膜干涉效应。在本文中,我们提出了一种通过软烘烤工艺来改善抗蚀剂厚度控制和均匀性的新方法。使用厚度传感器阵列、多区域烤盘和先进的控制策略,实时控制烤盘的温度分布,以减少抗蚀剂厚度不均匀性。烘烤温度也受到限制,以防止抗蚀剂中光活性化合物的分解。 介绍wITH缩小特征尺寸,保持足够和负担得起的工艺范围的挑战变得越来越困难。为了实现小于10纳米的栅极临界尺寸(CD)控制,尤其是对于130纳米及以下的技术节点,工艺控制和计量方面的进步将是必要的。除了更小的工艺窗口,出于经济原因,该行业也在向300毫米晶圆迈进。 实验装置       用于控制抗蚀剂厚度的实验装置由三个主要部分组成:多区域烤盘、厚度传感器和计算单元。图1多区域烤盘的横截面。它由独立控制的电阻加热元件阵列和嵌入式电阻温度检测器(RTDs)组成。      厚度传感器的设置包括一个宽带光源(LS-1)、一个能够同时监测三个地点反射光强度的光谱仪(SQ2000)和一个来自OceanOptics的分叉光纤反射探头(R200)。      晶片上不同位置的抗...
发布时间: 2021 - 09 - 09
浏览次数:49
扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文介绍了一种单晶片、全硅、高纵横比多层多晶硅微加工技术,该技术将硅的深度干法刻蚀与常规表面微加工相结合,以实现几十到几百微米厚、高纵横比、具有亚微米气隙的电隔离多晶硅结构。在该技术中可以实现与主体多晶硅结构一样高的垂直多晶硅感测电极。使用该技术已经制造了一个70毫米高、2.5毫米宽的多晶硅振动环形陀螺仪,其具有1.2毫米的电容气隙和与环形结构一样高的电极。还制作了高220毫米、纵横比为100:1的垂直多晶硅梁。这种技术的全硅特性提高了长期稳定性和温度灵敏度,而具有亚微米间隙间隔的大面积垂直拾取电极的制造将把微机电系统器件的灵敏度提高几个数量级。这种技术也能够在同一硅衬底上同时产生电隔离的二维平面和三维垂直多晶硅结构。 介绍      本文介绍了一种新颖的单晶片、高纵横比多层多晶硅微加工技术,该技术将硅的w x深度干法刻蚀与传统的表面微加工技术相结合,以实现几十微米厚、非常高纵横比、具有高品质因数和均匀材料特性的电隔离多晶硅结构。在该技术中可以实现与主体结构一样高的多晶硅电极。使用牺牲氧化物层可以形成亚微米电容间隙。这两个因素一起将显著增加检测电容,从而提高器件灵敏度。此外,该技术能够同时产生二维平面和三维垂直。 制造技术   略&...
发布时间: 2021 - 09 - 09
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      等离子体蚀刻是集成电路制造中相对较新的技术。等离子体是非常复杂的“实体”,这使得它们很难理解和描述。等离子体刻蚀中的物理和化学反应,不同粒子本身之间以及带电粒子和电磁场之间的电相互作用都不是简单的。 介绍      等离子体是一种(部分)电离的气体。在我们处理的等离子体中,自由电子与中性原子/分子碰撞,通过解离过程,它们可以从原子/分子中移除一个电子,这给出了2个电子和1个离子的净结果。根据入射电子的能量,这种碰撞还会产生其他物种,如负离子,因为电子缔合,激发分子,中性原子和离子。等离子体发射的光是由于受激电子返回到它们的基态。由于电子态之间的能量对于每种元素都有很好的定义,每种气体都会发出特定波长的光,这将使我们有可能分析等离子体。      蚀刻机理适用于所有类型的等离子体,不仅仅适用于射频电容耦合等离子体。一般来说,等离子刻蚀是化学刻蚀,不是物理刻蚀。 实验      存在两种类型的感应驱动源:使用圆柱形或使用平面几何形状,多极永磁体的使用并不是必不可少的,但是它们的存在将增加等离子体密度,主要是等离子体的均匀性。向线圈施加射频电压,产生射频电流,...
发布时间: 2021 - 09 - 09
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      湿法化学蚀刻的光增强已被证明是制造和分析第三族氮化物材料的有用工具。 通常半导体的光增强湿法蚀刻取决于照射源的波长和强度、电解质的性质以及半导体的掺杂和带隙。在III族氮化物材料的情况下,材料的高密度螺纹位错也对蚀刻过程的蚀刻速率和形态产生重要影响。当选择性蚀刻较低带隙的铟镓氮时,这种蚀刻停止层包括氮化镓。 实验      由金属有机化学气相沉积形成的~MOCVD,生长在(11 02)r面蓝宝石衬底上,产生平面(112±0)a-GaN薄膜和~2。通过横向外延过度生长产生了基本上低位错密度的材料。GaN的非极性a面沿生长方向,极性Ga面和N面暴露。这些衬底允许我们确定位错依赖蚀刻的蚀刻速率和形态低缺陷密度对高缺陷密度。和晶体学相关刻蚀镓面vs N面GaN,在相同的蚀刻条件下进行。   图2 图3  讨论      为了进一步了解光照对氮化镓极性依赖性和位错依赖性蚀刻的作用,我们还在没有光照的氢氧化钾中对这种材料进行了简单的蚀刻。2.2 M氢氧化钾中无光照24小时后的蚀刻。由于没有施加照明,位错不会通过捕获光生空穴而影响蚀刻过程。因此低错位区域之间...
发布时间: 2021 - 09 - 09
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      本文介绍了在大形貌表面上涂覆光刻胶的三种方法:旋涂法、喷涂法和电沉积法。概述了每种方法的特点及其优缺点。从复杂性、成本和应用类型方面进行比较,指出最合适的涂覆方法。介绍      对于一些微机电系统应用和在具有大范围形貌的硅晶片上的3D微结构图案转移,不仅在平坦表面上,而且在不规则表面上需要均匀的抗蚀剂层。迄今为止,已经引入了三种光致抗蚀剂涂覆技术来制造微机电系统器件。旋涂是最常规的涂覆方法,通常应用于标准平板晶片。旋涂      光刻胶旋涂是集成电路工艺中平面晶片的标准涂覆方法。旋涂是一种成熟的技术,使用市场上可买到的设备和抗蚀剂。该工艺与集成电路技术兼容,可用于所有类型衬底层的所有加工阶段。旅涂主要障碍是旋转时的离心力造成的。深蚀刻的特征对溶液流动造成物理阻碍,阻止完全覆盖,并经常导致条纹或抗蚀剂厚度变化。 图1 由于两个相邻角之间的分离区域覆盖不良,硅湿法蚀刻步骤后受损结构的光学图像喷涂          与旋涂相比,喷涂的原理不同,它不受离心力引起的抗蚀剂厚度变化的影响。直接喷射系统包括超声波喷嘴,其产生微米大小的液滴分布。它可以减少晶片上光刻胶的流体动力...
发布时间: 2021 - 09 - 08
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晶片清洗工艺评估摘要        本文介绍了半导体晶片加工中为颗粒去除(清洗)工艺评估而制备的受污染测试晶片老化的实验研究。比较了两种晶片制备技术:一种是传统的湿法技术,其中裸露的硅晶片浸泡在充满颗粒的溶液中,然后干燥;另一种是干法技术,其中颗粒从干燥的颗粒-气溶胶流中沉积。晶片老化的程度通过清洗测试来量化。在颗粒沉积后的不同日子,清洗被氮化硅和钨颗粒污染的晶片,并监测清洗效率随晶片储存时间的变化。测试表明,与湿浸晶片相比,干沉积晶片老化很少,尤其是钨颗粒。干法沉积工艺的低老化特性对测试的可重复性和一致性具有积极意义,这些测试涉及铜和低k电介质等感兴趣的新颗粒材料。 介绍      颗粒去除(清洗)是半导体晶片表面制备的一个关键方面。迄今为止,已经开发了涉及各种机制的清洁过程]。最近已经证明可以去除小至64和41纳米的颗粒。清洗过程的效率是通过测试来确定的,测试涉及使用各种技术制备的污染晶片。最常见的方法包括浸泡在含有悬浮颗粒的溶液中和暴露在含有湿颗粒的气溶胶中。最近的一种方法是将晶圆片暴露在干燥的微粒气溶胶流中。其他新技术已经开发出来,但还没有很好地建立起来。这些包括用充满颗粒的溶液旋涂,暴露于污染物的饱和蒸汽,以及暴露于反应性化学溶液。 实验    ...
发布时间: 2021 - 09 - 08
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍      第三族氮化物及其合金在光谱的蓝色、绿色和紫外(UV)部分的光电子器件方面发展迅速,应用包括数据存储、显示和探测器。      氮化镓的热氧化在700–900℃下进行,以氧气、N2和氩气为载气,温度为525–630乇的H2O蒸汽。在GaN粉末和n-GaN外延层氧化后,使用掠射角x射线衍射鉴定了单斜β-Ga2O3相。使用x射线光电子能谱验证了氧化物的化学成分。在使用氮化镓粉末进行的实验中,当O2作为H2O的载气时,氧化物生长最快。在n型氮化镓外延层上获得了相同的结果。此外,在所研究的所有温度下,以O2为载气在H2O生长的氧化物的厚度与氧化时间成正比,并且获得了210×10千焦/摩尔的活化能。扫描电子显微镜显示湿氧化后的表面比之前报道的干氧化更光滑。然而,横截面透射电子显微镜显示,湿氧化物/氮化镓界面是不规则的,对于器件制造来说是不理想的,甚至比干氧化物/氮化镓界面更不理想。这一观察是一致的电性能差。 程序       纯度至少为99.99%(以金属为基础)的氮化镓粉末(–325目)在H2O蒸汽中于700–900℃氧化5小时,使用超高纯度(UHP) O2、N2和氩作为载气。为了比较,还进行了相同温度下样品在干燥O2中的...
发布时间: 2021 - 09 - 08
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      用化学气相沉积法制备了透明导电的氧化锌薄膜。沉积的氧化锌薄层;用x光衍射研究了硅和磷化铟半导体衬底上0.1毫米厚度的晶相,用原子力显微镜研究了表面形貌。进行了紫外可见近红外光谱范围内的分光光度测量和znoy半导体异质结构的光电测量。 介绍     氧化锌薄膜在各种器件中的应用需要不同的薄膜物理性能,这意味着不同的沉积技术和条件。氧化锌是一种ⅱ-ⅵ族半导体,具有宽带隙(3.2电子伏),当作为薄层获得时,其晶体结构包含多晶结构。已发表的报告中使用的制备氧化锌薄膜的沉积技术有:活性反应蒸发或电子束蒸发;磁控、反应或离子束溅射;喷雾热解;具有许多变体的化学气相沉积(CVD);以及最近的溶液沉积技术和脉冲激光沉积方法。氧化锌薄膜的结构和性质,如微晶取向、晶粒尺寸、层电阻率、载流子迁移率或光学透明度,受制造技术和工艺变量的影响。 薄膜沉积程序  略氧化锌薄膜表征     对沉积的薄膜进行x光衍射测量,以确定薄膜的驻留相,验证微晶取向并评估微晶晶粒尺寸。为了获得XRD光谱,使用了配备有基于双晶体法的闪烁检测器的DRON 3型衍射仪。       表面形态用原...
发布时间: 2021 - 09 - 08
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      我们研究了硅晶片表面取向对极薄氧化物质量的影响,测试了硅(100}和(111}晶片。已经发现, 非常薄的氧化物结构主要由硅晶片表面取向决定,并且当硅(111)被氧化时,随着氧化物变得厚 于10纳米,二氧化硅/硅(111)界面的微粗糙度增加,导致硅(111}上的氧化物膜质量下降。当氧 化物厚度减小到小于10纳米时,二氧化硅/硅界面平滑度保持与硅(100)和(111)相似,但是二氧化硅/硅界面显示出硅(111)比硅(100)更大的界面电荷和平带电压価移。 介绍      随着栅极氧化物变得更薄以及大规模集 成器件的更高集成度,氧化物的电特性受到硅片质量的强烈 影响。硅片表面取向被认为是决定金属氧化物半导体器件性 能的因素之一。      二氧化硅/硅界面的光滑度是彙现高质量超薄柵氧化膜的重要因素。实验和结果      在该实验中,氧化是在以极低的金属和空气中的杂质浓 度为特征的超浄环境中进行的,以仅揭示硅晶片取向的影 响。非常薄的氧化物是通过在90(TC下的干氧化形成的 ,在存在这些的地方,在300°CT形成0.4纳米的预氧化物 a MOS器件。  结论  ...
发布时间: 2021 - 09 - 08
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