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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料引言      半导体技术必须持续发展,以増 加IC性能与功能,同时减小芯片尺 寸,降低耗电量与成本。现在发展出具创新性、小尺寸、成本效益 之三维导线互连技术,可满足以上需求。其中,技术由于采取三维互连方法, 可加速晶片堆叠技术上之应用,尤其在异质元件整合上,具有重要地位。 封装技术之演进      晶圆级封装(WLP)与三维技术(3 D Technology)是两种截然不同之技术, 绝不可相混淆。有许多三维工艺技术 被应用于晶圆级封装,但不可归类于晶圆级封装。真正的电子封装趋势, 是由二维结构(2D Configuration)进展 到三维工艺技术(3D Process Technology),然后发展到三维集成电 路。系统级封装    略发展三维整合技术   促使三维整合技术发展的首要驱动力,主要是尺寸的缩小,也就是使 封装体尽量缩小到最小体积。然而, 使用并列封装(Side by Side)、封装体 与封装体之间的堆叠(Stacked Packages)和晶片堆叠(Stacked Die)等方 案,其导线连接长度仍然太长。因导 线连接长度太长,则会导致讯号传输 速度变慢,以及増加电力消耗。发展硅导孔 &...
发布时间: 2021 - 08 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要污染的控制在微电子组件制造过程中,这是一项不容忽视的关键问题。迄今半导体业界已投入许多心血,在减低制造环境中颗粒(Particle) 和残留物(Residue)的数量,进而防止 缺陷(Defect)产生和提高良率(Yield)。 除了致力于防止工艺中之污染物入侵 到电子组件外,清洗工艺仍然持续占据整个微电子制造过程之很大成分。 典型污染物及其影响      先进构装清洗工艺要去除之典型 污染物,包括:表面氧化物、有机膜、 离子性污染物、锡铅助熔剂残留物、 光阻层、以及一般残留物与微粒等。氧化物、有机膜和离子性污 染物     略锡铅助熔剂(Solder Flux)之残 留物    略湿式清洗和蚀刻之化学机制      清洗工艺是指选择性地 (Selectively)去除不需要的材料,并且 尽可能不要损害到电子组件本身的材 料。蚀刻也可考虑为清洗工艺的一 种,其目的在选择性移除不需要材 料,以形成一种预期需要的图案,或 者制造一个功能组件。晶圆级构装之湿式清洗和蚀刻工艺  略结论      有关晶圆级构装之湿式工艺和设 备,在本文中已针对:污染物种类、清 洗...
发布时间: 2021 - 08 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料氮化钛硬膜和蚀刻残留物去除公开了从 28/20nm 图案晶片去除 PVD等的组合物、方法和系统。该组合物使用过氧化物作为氧化剂,在微碱性条件下去除 PVD,TiN 硬掩模。背景随着尺寸越来越小,集成电路 (IC) 的可靠性越来越受到 IC 制造技术的关注。跟踪互连故障机制对器件性能和可靠性的影响需要更多来自集成方案、互连材料和工艺。一种最佳的低 k 介电材料形成双镶嵌互连图形需要其相关的沉积、图形光刻、蚀刻和清洗。互连图案晶圆制造的硬掩模方案方法是能够以最严格的最佳尺寸控制将图案转移到底层。蚀刻工艺已经开发出组合物来从基板拉回或去除这些类型的金属硬掩模。以下专利具有代表性    略详细说明随后的详细描述仅提供优选的示例性实施例,并不旨在限制本发明的范围、适用性或配置。相反,优选示例性实施例的随后详细描述将为本领域技术人员提供实现优选示例性实施例的可行描述。 文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间: 2021 - 08 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料通过增强微观蚀刻剂浓度均匀性和减少氢气泡粘附来形成亚微米级基本无缺陷硅结构的方法。蚀刻剂混合物经受超声波的应用。超声波促进在微观水平上混合蚀刻剂混合物的空化,并且还有助于促进气泡脱离。将润湿剂添加到蚀刻剂混合物中以增强硅表面的亲水性,从而减少气泡粘附。还公开了执行形成硅结构的方法的装置。  随着对更小硅器件的需求不断增加,并且分辨率持续低于亚微米水平,对均匀和精确的微加工的需求也在增加。半导体器件和扫描探针显微镜中使用的微器件和微结构需要光滑的 2Q 表面和亚微米级的精确蚀刻。此外,在微器件的形成过程中,需要无缺陷的表面将微加工零件粘合在一起。发明内容这是一种在通过使含有润湿剂的湿蚀刻溶液经受超声波来蚀刻硅微结构时提高蚀刻均匀性和图案清晰度的方法。润湿剂使气泡粘附最小化,而超声波用于在微观水平上混合溶液,以提高浓度的均匀性,并从待蚀刻的表面去除气泡。还提供了一种进行超声波辅助湿蚀刻的装置。本方法的优点和特征将从以下详细说明和图示本发明优选实施例的附图中变得明显。 文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间: 2021 - 08 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要        提出了一个完整的FinFET蚀刻模块的工艺流程,作为实验,以确保目标薄膜以适当的速度均匀地蚀刻。 提出的工艺流程是在RIT开发的,旨在紧密复制了半导体行业使用的自对齐双模式 (SADP)过程模块,同时推进了RIT目前的洁净室设施能力。 图形蚀刻研究的动机         图1.1:两种类型的MOSFET:平面FET(a)和FinFET(b)   图形蚀刻研究的动机 图1.2:通过SADP简化FinFET的形成光刻、等离子体沉积与蚀刻理论        半导体技术是由生产更小的功能驱动的。 减小源波长是获得更小特征的最简单的方法。  文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间: 2021 - 08 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      提供了一种用于半导体晶片清洁操作的系统。清洁系统具有顶盖和底盖。顶盖密封在晶片的顶面接触环上,底盖密封在晶片的底面接触环上。晶片保持在顶盖和底盖之间。边缘清洁辊用于清洁晶片的边缘。驱动辊被配置为旋转晶片、顶盖和底盖。边缘清洁辊以第一速度旋转,驱动辊以第二速度旋转,以便于边缘清洁辊对晶片的边缘清洁。  边缘排除         众所周知,在半导体芯片制造过程中,需要清洁晶片,其中已经执行了在晶片的表面、边缘、斜面和凹口上留下不需要的残留物的制造操作。这种制造操作的示例包括等离子蚀刻(例如,钨回蚀(WEB))和化学机械抛光(CMP)。在 CMP 中,晶片被放置在支架中,支架将晶片表面推向滚动传送带。该传送带使用由化学品和研磨材料组成的浆料进行抛光。不幸的是,这个过程往往会在晶片的表面、边缘、斜面和凹口处留下浆液颗粒和残留物的堆积。如果留在晶圆上进行后续制造操作,多余的残留材料和颗粒可能会导致,其中包括晶圆表面划痕等缺陷以及金属化特征之间的不适当相互作用。在某些情况下,此类缺陷可能会导致晶片上的器件无法运行。为了避免丢弃具有无法操作的装置的晶片的过度成本,因此有必要在留下不需要的残留物的制造操作之后充分而有效地清洁晶片。文章全部...
发布时间: 2021 - 08 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要  本文提出了一种新的室温湿化学数字蚀刻砷化镓技术,该技术采用双氧水和酸两步蚀刻工艺, 第二步用一种不攻击未氧化砷化镓的酸除去氧化层。 这些步骤依次重复,直到得到所需的蚀刻深度。介绍  现代生长技术如分子束和金属有机化学气相沉积已经证明了以原子层精度、可控物质摩尔分数和精确掺杂浓度来生长半导体能力。 这种可控性使得材料结构的生长具有最佳的器件性能,这是由器件理论和建模决定的。 因为数字蚀刻技术去掉了材料中的几个原子层 ,这是一种可控的方式,可以为制造最佳器件提供蚀刻所需的材料。 一般来说,数字蚀刻技术由两步化学过程组成去除固定厚度的材料。  标准的111-V半导体湿化学蚀刻  通过氧化半导体表面和蚀刻产生氧化。由氧化晕剂和络合(氧化蚀刻)剂组成的液体混合物中的半导体。 因此,氧化和蚀刻同时发生反映,导致蚀刻深度取决于半导体暴露在蚀刻剂中的时间。  数字腐蚀实验  介绍了几种湿法化学数字蚀刻技术试图确定一个能提供一致和可再生的效果是 蚀刻的一个重要步骤。 数字蚀刻实验结果   略 文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间: 2021 - 08 - 25
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要在过去的30年里,基于硅的电源管理效率和成本稳步提高。 然而,在过去的几年里,改进的速度已经放缓,因为硅功率MOSFET已经逐渐接近它的理论界限。 在硅衬底上生长的氮化镓可以在电力管理市场的很大一部分取代硅。  介绍 这些大多数载波设备比它们的少数载波同行更快,更坚固,有更高的电流增益。 因此,开关电源转换成为商业现实。 早期台式电脑的AC/DC开关电源是功率的最早批量消费者,其次是变速电机驱动器、荧光灯或DC/DC转换器。 多年来,几家制造商已经开发了许多代功率mosfet。 仍有改进之处。 例如,超结器件和igbt已经实现了电导率的提高,超过了简单垂直多数载流子MOSFET的理论极限。 这些创新可能还会持续相当长的一段时间,并且肯定能够利用功率MOSFET的低成本结构和受过良好教育的设计师基础。GaN在电力电子领域的开端  图1:硅上的GaN器件有一个非常简单的结构,类似于横向DMOS,可以在标准CMOS铸造厂进行处理  功率半导体 图2:硅器件和氮化镓器件在200V额定电压下的尺寸比较  氮化镓功率晶体管的新功能    图3:Buck变换器效率vs电...
发布时间: 2021 - 08 - 24
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要       高效指间背接触(IBC)太阳能电池有助于减少太阳能电池板的面积,需要提供足够数量的能源供家庭消费。我们认为适当的采用光阱技术的IBC电池即使在厚度不足的情况下也能保持20%的效率。本工作采用光刻和刻蚀技术对晶圆进行深度刻蚀,使晶圆厚度小于20 μm。关键词:IBC太阳能电池,掩模蚀刻,光刻,反应离子蚀刻,TMAH蚀刻介绍      太阳能显示出供应潜力,这个因素取决于对高效率光伏器件和降低制造成本的需求。IA是光伏产业面临的主要挑战以与化石燃料竞争的成本生产足够数量的能源。这个因素取决于对高效率光伏器件和降低制造成本的需求。据报道,太阳能电池的效率在规模上高于20%。商用太阳能电池使用晶体硅材料。这种类型的PV电池是指间背接触太阳能电池。实验 图1所示 (a) SPR正型和(b) SU-8负型光刻胶对紫外线照射的响应  图2 SPR光刻和TMAH工艺流程   结果与讨论 图4 SPR 7.0沉积表面轮廓SU-8光刻胶与反应性离子蚀刻 图10 (a) 40μm和(b) 120μm沉积的表面轮廓文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间: 2021 - 08 - 24
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料介绍         自晶体管效应的发现(1948年),这些研究主要集中在锗和硅晶体上,特别是因为各种表面现象被发现有不利的影响,用这些材料制成的pn结器件的性能和稳定性。 二氧化硅薄膜对薄膜的表面性质具有稳定作用硅。虽然不只是因为表面原因稳定。 该膜还可用于对杂质的选择性掩蔽扩散,用于在硅中制造pn结。 它们还可以分离金属Electrades来自半导体。 这种金属电极可用于例如连接晶体管、二极管和电阻硅集成电路。  硅体性能        在室温下,纯(本征)硅不含许多流动性载流子:约1·6.1010电子,正电荷数相同。杂质可以掺入,以获得增加电子或洞的数量。可找到合适的供体元素例如P, As, Sb这些元素被替换地建立在硅晶格中,它们的组织能源相对较低。  图1.2能级中有若干供体和受体杂质îndicated的能量硅的间隙(在300°K下为1.1 eV)一种氧化物涂层半导体表面的物理模型 图2.2 氧化物涂层半导体表面的模型  图2.3 一种场效应实验,其中半导体材料薄片的电导    &...
发布时间: 2021 - 08 - 24
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