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发布时间: 2016 - 03 - 14
2设备构成及详细技术说明2.1工艺说明 2.2.台面结构图如下      3.设备说明3.1 排风系统●排风装置(排风压力、风量根据实际情况或客户要求设计)将设备内挥发的有毒气体抽到车间排风管道或户外(室外排放遵守国家环保要求),避免扩散到室内;●排风通道内设有风量导流板,从而使排风效果达到最佳;●本体顶部后方自带强力抽风1个风道口装置(每个药剂槽对应一个),排风口直径大于或等于 200mm 与本体焊成一体;●排风口处设有手动调节风门,操作人员可根据情况及时调节排风量;3.2设备防护门:●本体前方安装有防护隔离门,隔离门采用透明PVC板制成,前门可以轻松开合,在清洗过程中,隔离门关闭,以尽量改善工作环境并减小对人体的伤害. ●形式:上下推拉门。3.3 给排水/废液系统●给水管路为一路去离子水;●给排水排废接头均为活性连接;●排放方式均采用气动控制的方式来保证安全3.4 电气控制系统●采用优质PLC可编程控制器控制全操作过程, ●人机界面为触摸屏,接口中有手动操作、故障报警、安全保护等功能,各工作位过程完成提前提示报警,触摸屏选用优质产品;●触摸屏加锁定,以防非授权人员修改或设定参数;●所有电控部分需独立封闭,带抽风系统,独立的配电柜●设备照明:设备其它部位--低电压灯,根据工作需要可控照明;●设备整体采取人性化设计,方便操作;并装有漏电保护和声光报警提示装置,保证性能安全可靠;电控部分导线采用耐高温、耐腐蚀的专用导线,电气控制部分内部还通有压缩空气保护,可防水耐腐蚀;●设备所有处于腐蚀腔中的线缆均通过PE管进行保护,免受腐蚀;●设备具有良好的接地装置;
发布时间: 2016 - 03 - 14
设备概况:(仅做参考)主要功能:本设备主要手动搬运方式,通过对硅片腐蚀、漂洗、等方式进行处理,从而达到一个用户要求的效果。设备名称:KOH  Etch刻蚀清洗机           设备型号:CSE-SC-NZD254整机尺寸(参考):自动设备约2500mm(L)×1800mm(W)×2400mm(H);被清洗硅片尺寸: 2--6寸(25片/篮)设备形式:室内放置型;操作形式:手动各槽位主要技术工艺:设备组成:该设备主要由清洗部分、抽风系统及电控部分组成设备走向:方案图按 “左进右出”方式,另可按要求设计“右进左出”方式;设备描述:此装置是一个全自动的处理设备。8.0英寸大型触摸屏(PROFACE/OMRON)显示 / 检测 / 操作每个槽前上方对应操作按钮,与触摸屏互相配合主体材料:德国进口10mmPP板,优质不锈钢骨架,外包3mmPP板防腐;台面板为德国10mm PP板;DIW管路及构件采用日本进口clean-PVC管材,需满足18M去离子水水质要求,酸碱管路材质为进口PFA/PVDF;采用国际标准生产加工,焊接组装均在万级净化间内完成;排风:位于机台后上部工作照明:上方防酸照明三菱、欧姆龙 PLC控制。安全考虑:设有EMO(急停装置), 强电弱点隔离所有电磁阀均高于工作槽体工作液面电控箱正压装置(CDA Purge)设备三层防漏  楼盘倾斜   漏液报警  设备整体置于防漏托盘内排放管路加过滤装置所有槽体折弯成型,可有效避免死角颗粒;更多化学品相关湿法腐蚀相关设备(KOH腐蚀刻蚀机、RCA清洗机、去胶机、外延片清洗机、酸碱腐蚀机、显影机等)以及干燥设备(马兰戈尼干燥机Marangoni、单腔...
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要       对几种氮化镓蚀刻技术进行了综述和比较。本实验选用了氮化镓二元蚀刻技术,用Dektak轮廓仪和AFM测量了蚀刻后的氮化镓轮廓。三种类型的氮化镓薄膜,如本征氮化镓、n型氮化镓和p型氮化镓薄膜。关键词:氮化镓,氮化物,二元蚀刻,轮廓仪,原子力显微镜  介绍      氮化镓作为一种宽禁带III-V化合物半导体近年来得到了广泛的研究。高性能GaN het和MOSFET都已经被证明。氮化镓处理技术是实现氮化镓基器件良好性能的关键。大多数氮化镓的蚀刻采用等离子体蚀刻,存在易产生离子诱导损伤和难以获得光滑的蚀刻侧壁等缺点。 图1所示 几种蚀刻技术的蚀刻速率 图2 用几种蚀刻技术蚀刻后的氮化镓表面粗糙度文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间: 2021 - 08 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要        在许多半导体器件的制造中,硅是最有趣和最有用的半导体材料。 在半导体器件制造中,各种加工步骤可分为四大类,即沉积、去除、图形化和电性能的修改。 在每一步中,晶片清洗都是开发半导体电子器件的首要和基本步骤。 清洗过程是在不改变或损坏晶圆表面或基片的情况下去除化学物质和颗粒杂质。  关键词: 半导体制造,硅片,硅片清洗,洁净室。介绍        半导体是一种固体物质,其导电性介于绝缘体和导体之间。 半导体材料的定义性质是,它可以掺杂杂质,以可控的方式改变其电子性质。 硅是开发微电子器件最常用的半导体材料。 半导体器件制造是用来制造集成电路的过程,这些集成电路存在于日常的电气和电子设备中。 在半导体器件制造中,各种加工步骤可分为四大类,如沉积、去除、刻划 。硅片清洗程序 RCA清洗        RCA清洗是去除硅片中的有机物、重金属和碱离子的“标准工艺”。 这里用超声波搅拌去除颗粒。 图2讨论了RCA清洗方法。 第一步,硫酸和双氧水的比例为1:1 - 1:4。 晶圆在100-1500...
发布时间: 2021 - 08 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要        清洗硅片的方法是:首先将硅片浸泡在成膜溶液中,成膜溶液与脏的硅片反应,在硅片上形成一层膜,然后将硅片浸泡在膜剥离溶液中,去除膜。 对于硅片,成膜溶液和脱膜溶液都可以由分别由49%重量的HF和70%重量的HNO3组成的单独的水溶液形成。采用阶梯法清洗硅         新锯、研磨或研磨的硅片非常脏,如果后续的electronic设备制造过程要成功,就必须清洗。 硅片上的污垢成分中有锭子油; handcream; 硅粒子; 硅粉;冷却溶液,包括湿润剂; 研磨抛光砂; 环氧树脂浇铸化合物; 人类手指指纹,可能还有其他材料。发明摘要        通过使用两步清洗过程,本发明克服了现有技术的晶圆清洗解决方案的上述问题。 这个pro过程将清洗所有类型的晶圆片,并且不会显著地从重掺杂的p型晶圆片中滤出掺杂剂。 这种清洗过程对任何工作损坏的表面都特别有用,但不限于工作损坏的表面。      首先,晶圆被处理成膜溶液,它与晶圆和/或污垢反应,在晶圆表面形成一层膜。 硅片最...
发布时间: 2021 - 08 - 21
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扫码添加微信。获取更多半导体相关资料什么是化学镀?        化学镀是在不使用外部电能的情况下,用金属离子溶液生产镀层的过程。 它是制造工业中使用最广泛的化学镀层,也是工程用途中最普遍的。化学镀镍的优点       1. 优良的耐腐蚀性能       2. 优异的耐磨性和耐磨性       3. 良好的延展性、润滑性和电性能       4. 高硬度,尤其在热处理时       5. 良好的可焊性      6. 在深孔和凹槽,以及角落和边缘,厚度均匀均匀      7. 涂层可以作为最终的生产操作,并能满足严格的尺寸公差      8. 可用于金属和非金属衬底,前提是它们经过适当的预处理  化学镀镍的浴液成分       化学镀依赖于在特定温度下进行的反应,通常在90°C左右,当适当活化的基底浸...
发布时间: 2021 - 08 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料文摘   薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。 需要更薄的模具来适应更薄的包装。 使用最后的湿蚀刻工艺在背面变薄的晶圆与标准的机械背面磨削相比,应力更小。 硅的各向同性湿蚀刻通常是用硝酸和氢氟酸的混合物,并添加化学物质来调整粘度和单晶圆旋转加工的表面润湿性。  当硅被蚀刻并并入蚀刻溶液时,蚀刻速率将随时间而降低。 这种变化已经建模。 这些模型可以延长时间,补充化学物质,或者两者兼而有之。硅蚀刻:       硅的各向同性湿蚀刻最常用的化学方法是硝酸和氢氟酸的结合。 它通常被称为海航体系(HF:硝酸:乙酸)与醋酸添加作为湿工作台应用的缓冲。 硝酸作为氧化剂将表面转化为二氧化硅,然后HF腐蚀(溶解)氧化物。 其反应过程如下所示Si + 4HNO3 SiO2 + 4NO2 + 2H2O 略实验:        实验是在SSEC 3300系列单片自旋处理器系统上进行的。 所采用的化学方法是氢氟酸、硝酸、硫酸和磷酸按1:6:1:2的比例混合。 化学再循环采用SSEC的收集环技术。 在蚀刻过程中有许多工艺参数可以改变,从以前的工作中选择...
发布时间: 2021 - 08 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要        本文提供了一种通过湿工作台法清洗硅片的方法,该方法可提高清洗效率,且不会产生氧化物。 在该方法中,晶圆可以首先在包括碱或酸的第一清洗液中清洗,然后在包括去离子水和臭氧的第二溶液中清洗。 去离子水中的臭氧浓度可在约1ppm至约20ppm之间,最好在约3ppm至约10ppm之间。 在臭氧/DI水漂洗步骤之后,在最后的漂洗步骤和干燥步骤之前,可以使用稀释的HF清洗步骤来去除硅表面上可能形成的任何氧化物。 图1                                             图2发明背景        在半导体器件的制造中,硅片的加工需要大量的去离子水。 随着晶圆尺寸的增大,去离子水的消耗增加。 例如,加工200毫米的晶圆消耗至少是加工150毫米晶圆消耗的两倍。      去污水最常用于槽和洗涤器,用于过程中硅片的频繁...
发布时间: 2021 - 08 - 21
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      一种以可控的成本效益和最小的化学消耗来细化硅片的方法。 将晶圆放入工艺室,随后将臭氧气体和HF蒸气送入工艺室,与晶圆的硅表面发生反应。 臭氧和HF蒸气可以按顺序输送,也可以在进入工艺室之前相互混合。使硅变薄的方法-使用hf和臭氧的晶圆       硅片薄化是半导体器件和微电子机械系统(MEMS)制造中的重要一步。 晶圆变薄是至关重要的,因为它有助于防止晶圆在制造和使用过程中产生热量,也使晶圆更容易处理和更便宜的包装。 发明的简要说明       本发明涉及一种使用臭氧和HF细化硅片的方法。 臭氧氧化晶圆表面的一层或多层硅,HF腐蚀掉氧化硅层,从而使晶圆变薄。      晶圆减薄过程是通过研磨和抛光操作(通常称为“反研磨”)或使用含有强氧化剂(如硝酸(HNO3)和/或氢氟酸(HF))的溶液来完成的。 这两种工艺也经常结合在一起,因为机械磨削操作会在硅表面产生大量的应力。这种应力可以通过化学蚀刻来减轻,化学蚀刻可以去除应力和损坏的层。 这个过程的化学反应一般如下:  4HF + SiO2 - SiF4 + 2H2O (...
发布时间: 2021 - 08 - 20
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要        在晶片双面抛光过程中能够有意地使所要求的边缘滚转,一种使用该载体的晶片抛光方法,并使用经过这种双面抛光处理的晶片增加背面的平整度。 提供了一种制造能够制造外延晶片的外延晶片的方法。  描述        一种晶圆两面的抛光方法,一种使用该抛光方法制造外延晶圆的方法,以及一种外延晶圆。本发明涉及一种用于晶片双面抛光过程的双面抛光载体及使用该载体的晶片双面抛光方法。 本发明还涉及一种外延片及其制造方法,该外延片使用该双面抛光方法抛光的晶片作为衬底材料。   平坦度      根据本发明,在晶圆的双面抛光过程中,可以在晶圆的背面有意地做出所要求的滚边。 因此,当该晶片用作外延硅晶片的衬底材料时,在形成外延膜后,就有可能增加最终外延晶片产品的平坦度。  外延薄膜      第二外延薄膜具有薄膜厚度分布以消除在晶圆背面的边缘滚转是更好的。 通过抵消外延生长引起的晶圆外延部分厚度的增加,可以抑制外延片外延部分平整度的恶化。 外延层  略文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间: 2021 - 08 - 20
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料摘要      在硅片上形成电路的各种传感器、通信、存储设备等半导体设备(芯片)是必不可少的。一般来说,“细化”和“最小化”都是必需的。另一方面,模具强度的提高对于提高制造工艺的良率和提高最终产品的耐久性也非常重要。介绍      在半导体器件的前端生产过程中,电子电路如晶体管是在硅片表面形成的。随后,在后端生产中,对晶圆背面进行薄化,并对晶圆进行切丁模拟。近年来,对更薄芯片的需求一直在增长,以支持较低的封装高度,并允许多个芯片堆叠和封装在封装中。 图1锯齿图像 图2 DBG工艺流程评价方法      半导体设备与材料国际(SEMI)将三点弯曲的标准规定为G86-0303[1],作为测量模具强度的方法。在三点弯曲试验中,如图4所示,切屑是简单支撑,两端不固定,用压头连续施加垂直载荷,直至切屑断裂。 图5三点弯曲模强度(锯痕角度对比)应力缓解效应      评估了消除镜面磨削损伤和锯痕的应力消除效果。利用上述CMP和DP去除磨后的镜面,DBG大大减少了后侧切屑,提高了模具强度。背面切屑的影响      最后,评估了芯片背面四边产生的切屑对芯片的影响。对比样品采用DBG工艺...
发布时间: 2021 - 08 - 20
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扫码添加微信,获取更多半导体相关资料评价蚀刻和清洗过程蚀刻和清洗许多现代制造的表面,如硅片,会给制造商带来许多问题。 许多湿法蚀刻工艺使用腐蚀性和危险液体,如硫酸氢铵和氢氟酸,可能对用户和环境造成危害。毒性较低的方法,如机械研磨和喷砂,耗时较长,精确度较低,更适合创建宏观蚀刻——当电子元件需要更小、更复杂的电路时,用处较小。 光烧蚀使用高能激光来制造微蚀刻,但这一过程被限制在高度局域化、较小的区域,很难用于处理整个表面。 用等离子技术解决问题简单地生产质量较低的部件,在允许的污染水平下,满足特定市场、应用或价格点的要求。 然而,仍然存在一些风险,特别是如果低质量导致产品彻底失败。另一种方法是首先消除导致部件污染的因素。 这将涉及到要么完全消除制造步骤(可能由于成本或技术问题不可能),要么完全返工或搬迁生产线,这可能会非常昂贵和耗时。半导体也许最不具吸引力的解决方案就是简单地把脏零件的问题交还给供应商。 这本质上把确保所有部件完全不受污染的责任推给了部件供应商。   文章全部详情,请加华林科纳V了解:壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁
发布时间: 2021 - 08 - 20
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